JP5453303B2 - 発光装置とその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置とその製造方法に関する。
近年においては、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置が研究・開発されている（例えば、特許文献１、２を参照）。有機ＥＬ表示装置は、サブピクセル単位で有機ＥＬ素子が設けられた構成を有し、有機ＥＬ素子毎に固体蛍光性物質の電界発光現象を利用して自発光する。従来技術に係る有機ＥＬ表示装置の構成について、図１９を用い説明する。
図１９に示すように、有機ＥＬ表示装置では、基板９００上にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層（図では、その一部であるソース９０１ａだけを図示）が形成され、その上にパッシベーション膜９０２および平坦化膜９０３が形成されている。さらに、平坦化膜９０３上には、各サブピクセルに対応する状態で、陽極層９１０が形成されている。下部電極層（陽極層）９１０は、金属層９１０１と透明導電層９１０２との積層構成を有し、ＴＦＴ層のソース９０１ａに対して、コンタクトホール９０４により接続されている。
なお、下部電極層９１０は、第１下部電極層９１０ａと第２下部電極層９１０ｂというように、サブピクセル毎に設けられている。即ち、隣接するサブピクセルにおいて、第１下部電極層９１０ａの第１金属層９１０１ａおよび第１透明導電層９１０２ａと、第２下部電極層９１０ｂの第２金属層９１０１ｂおよび第２透明導電層９１０２ｂとは、互いに電気的に分離されている。
下部電極層９１０およびサブピクセル間における平坦化膜９０３の上には、発光積層体９２０、上部電極層（陰極層）９３０および封止層９３１が順に積層形成されている。発光積層体９２０は、平坦化膜９０３の上面側から順に積層された半導体関中間層９２１、発光層９２２および電子注入層９２４と、隔壁９２３とからなる。隔壁９２３は、サブピクセル毎に発光層９２２を区画するものである。具体的には、隔壁９２３により、第１下部電極層９１０ａ上の発光層９２２ａと、第２下部電極層９１０ｂ上の発光層９２２ｂとが区画されている。
特開平１１−５４２８６号公報 特開２００４−１９２８９０号公報
しかし、図１９の矢印Ｄで示すように、従来技術に係る有機ＥＬ表示装置では、半導体性中間層９２１がパネル全面に形成されているので、隣接するサブピクセルの下部電極層９１０（第１下部電極層９１０ａと第２下部電極層９１０ｂとの）間でリーク電流が流れ、クロストークが発生する。
なお、図１９では、従来技術として、有機ＥＬ表示装置を一例としたが、これを含む発光装置について同様の問題が発生する。
本発明は、上記課題の解決を図るべくなされたものであって、隣接する下部電極層間でのリーク電流の抑制し、クロストークの発生を有効に防止し得る発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る発光装置は、次の構成を採用する。
本発明の一態様に係る発光装置は、基板の上方に形成され、窪み部を有する平坦化膜と、前記平坦化膜上であって前記窪み部の形成領域外に形成された第１下部電極層と、前記平坦化膜上であって前記窪み部の形成領域外に前記窪み部を挟んで前記第１下部電極層と隣接して形成された第２下部電極層と、前記第１下部電極層および前記第２下部電極層の上方に形成された半導体性中間層と、 前記第１下部電極層の端部、前記第１下部電極層と隣接する前記第２下部電極層の端部、および前記平坦化膜の窪み部を覆って形成された隔壁と、を具備し、前記平坦化膜の窪み部は、前記第１下部電極層および前記第２下部電極層との間で、前記平坦化膜の他の上面よりも沈下し、前記平坦化膜の窪み部の上面には、前記半導体性中間層と同一材料の層が形成されており、前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層と同一材料の層の端部の膜厚は、前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層と同一材料の層の中央部の膜厚よりも薄い。
本発明の一態様に係る発光装置では、平坦化膜における第１下部電極層と第２下部電極層との間に窪み部が設けられている。平坦化膜における窪み部は、平坦化膜の他の上面よりも沈下しており、窪み部の上面には、半導体性中間層と同一材料の層が形成されている。そして、平坦化膜の窪み部の上面に形成された半導体性中間膜と同一材料の層は、その膜厚が、中央部よりも端部で薄くなっている。
本発明の一態様に係る発光装置では、上記のような半導体性中間層と同一材料の層の膜厚の関係により、平坦化膜の窪み部の上面に形成された半導体性中間層と同一材料の層の端部において、導電性が低くなる。よって、本発明の一態様に係る発光装置では、平坦化膜の窪み部の上面に形成された半導体性中間層と同一材料の層が、第１下部電極層と第２下部電極層とを実質的に電気接続しない状態とし、第１下部電極層と第２下部電極層との間でのリーク電流が防止される。
従って、本発明の一態様に係る発光装置では、クロストークの発生が有効に防止される。
実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１の全体構成を示す模式ブロック図である。 有機ＥＬ表示装置１の表示パネル１０を示す模式鳥瞰図である。 表示パネル１０の一部構成を示す模式端面図である。 表示パネル１０における隔壁１２３を示す模式平面図である。 表示パネル１０の製造工程を示す模式端面図である。 表示パネル１０の製造工程を示す模式端面図である。 表示パネル１０の製造工程を示す模式端面図である。 実施の形態２に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネル部１２の一部構成を示す模式端面図である。 表示パネル１２の製造工程を示す模式端面図である。 表示パネル１２の製造工程を示す模式端面図である。 実施の形態３に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネル部１４の一部構成を示す模式端面図である。 表示パネル１４の製造工程を示す模式端面図である。 表示パネル１４の製造工程を示す模式端面図である。 実施の形態４に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネル部１６の一部構成を示す模式端面図である。 表示パネル１６の製造工程を示す模式端面図である。 表示パネル１６の製造工程を示す模式端面図である。 表示パネル１６の製造工程を示す模式端面図である。 変形例に係る表示パネル１８における隔壁２６３を示す模式平面図である。 従来技術に係る表示パネルの一部構成を示す模式端面図である。
［本発明の一態様の概要］
本発明の一態様に係る発光装置は、基板の上方に形成され、窪み部を有する平坦化膜と、前記平坦化膜上であって前記窪み部の形成領域外に形成された第１下部電極層と、前記平坦化膜上であって前記窪み部の形成領域外に前記窪み部を挟んで前記第１下部電極層と隣接して形成された第２下部電極層と、前記第１下部電極層および前記第２下部電極層の上方に形成された半導体性中間層と、 前記第１下部電極層の端部、前記第１下部電極層と隣接する前記第２下部電極層の端部、および前記平坦化膜の窪み部を覆って形成された隔壁と、を具備し、前記平坦化膜の窪み部は、前記第１下部電極層および前記第２下部電極層との間で、前記平坦化膜の他の上面よりも沈下し、前記平坦化膜の窪み部の上面には、前記半導体性中間層と同一材料の層が形成されており、前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層と同一材料の層の端部の膜厚は、前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層と同一材料の層の中央部の膜厚よりも薄い。
本発明の一態様に係る発光装置では、平坦化膜における第１下部電極層と第２下部電極層との間に窪み部が設けられている。平坦化膜における窪み部は、平坦化膜の他の上面よりも沈下しており、窪み部の上面には、半導体性中間層と同一材料の層が形成されている。そして、平坦化膜の窪み部の上面に形成された半導体性中間膜と同一材料の層は、その膜厚が、中央部よりも端部で薄くされている。
本発明の一態様に係る発光装置では、上記のような半導体性中間層と同一材料の層の膜厚の関係により、平坦化膜の窪み部の上面に形成された半導体性中間層と同一材料の層の端部において、導電性が低くなる。よって、本発明の一態様に係る発光装置では、平坦化膜の窪み部の上面に形成された半導体性中間層と同一材料の層が、第１下部電極層と第２下部電極層とを実質的に電気接続しない状態とし、第１下部電極層と第２下部電極層との間でのリーク電流が防止される。
従って、本発明の一態様に係る発光装置では、クロストークの発生が有効に防止される。
また、本発明の一態様に係る発光装置では、基板の上方に形成され、窪み部を有する平坦化膜と、 前記平坦化膜上であって前記窪み部の形成領域外に形成された第１下部電極層と、前記平坦化膜上であって前記窪み部の形成領域外に前記窪み部を挟んで前記第１下部電極層と隣接して形成された第２下部電極層と、前記第１下部電極層および前記第２下部電極層の上方に形成された半導体性中間層と、前記第１下部電極層の端部、前記第１下部電極層と隣接する前記第２下部電極層の端部、および前記平坦化膜の窪み部を覆って形成された隔壁と、を具備し、前記平坦化膜の窪み部は、前記第１下部電極層および前記第２下部電極層との間で、前記平坦化膜の他の上面よりも沈下し、前記平坦化膜の窪み部の上面には、前記半導体性中間層と同一材料の層が形成されており、前記窪み部の側面は、前記半導体性中間層と同一材料の層が形成されていない領域を有し、前記半導体性中間層と、前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層と同一材料の層とは、前記窪み部の側面において前記半導体性中間層と同一材料の層が形成されていない領域により分断されている。
本発明の一態様に係る発光装置では、平坦膜における第１下部電極層と第２下部電極層との間に窪み部を設けられている。平坦化膜における窪み部は、平坦化膜の他の上面よりも沈下しており、窪み部の上面には、半導体性中間層と同一材料の層が形成されている。そして、平坦化膜の窪み部の側面には、半導体性中間膜が形成されていない領域を有している。
本発明の一態様に係る発光装置では、上記窪み部の側面における半導体性中間層が形成されていない領域を有することにより、当該部分で半導体性中間層が分断されており、半導体性中間層は、第１下部電極層と窪み部を挟んで形成された第２下部電極層とに跨って連続して形成されることはなくなるものである。
そのため、半導体性中間層は、第１下部電極層と第２下部電極層とを電気的に接続せず、第１下部電極層および第２下部電極層との間でのリーク電流を防止できる。
従って、本発明の一態様に係る発光装置では、クロストークの発生が防止される。
さらに、本発明の一態様に係る発光装置の隔壁は、画素領域の方向に窪んだ形状部分にも入り込んで形成されるため、平坦化膜との間での密着性が向上されている。その結果、本発明の一態様に係る発光装置では、隔壁が剥離し難く、高い信頼性を有する。
また、本発明の一態様に係る発光装置では、上記構成において、前記窪み部の側面が、前記第１下部電極層および前記第２下部電極層の各々の下方に入り込んだ形状である。
本発明の一態様に係る発光装置では、上記のように、窪み部の側面が、第１下部電極層および第２下部電極層の各々の下方に入り込んだ形状とされており、これにより、平坦化膜の窪み部の側面には半導体性中間層が形成されていない領域を有することとなる。
そのため、本発明の一態様に係る発光装置では、平坦化膜の窪み部における上面の端部において、物理的にも第１下部電極層と第２下部電極層尾との間を電気的に接続する媒体が存在しないので、第１下部電極層と第２下部電極層との間でのリーク電流を完全に防止できる。
従って、本発明の一態様に係る発光装置では、クロストークの発生が防止される。
また、本発明の一態様に係る発光装置では、前記第１下部電極層には、前記半導体性中間層側に第１透明導電膜による層が含まれ、前記第２下部電極層には、前記半導体性中間層側に第２透明導電膜による層が含まれ、前記半導体性中間層は、前記第１透明導電膜による層上および前記第２透明導電膜による層上に形成されている。
本発明の一態様に係る発光装置では、上記のように、第１下部電極層の上面および第２下部電極層の上面と、半導体性中間層との間に、第１透明導電膜による層および第２透明導電膜による層が各々介在することとしてもよい。
また、本発明の一態様に係る発光装置では、上記構成において、前記基板と前記平坦化膜との間には、ＴＦＴ層が形成され、前記平坦化膜は、前記ＴＦＴ層上に形成されている。
本発明に一態様に係る発光装置では、上記のように、基板と平坦化膜との間にＴＦＴ層が形成され、平坦化膜はＴＦＴ層上に形成されている。このような構成において、平坦化膜の窪み部は、第１下部電極層および第２下部電極層との間で、平坦化膜の他の上面よりも沈下しているため、ＴＦＴ層が形成された上方の平坦化膜の膜厚は、第１下部電極層および第２下部電極層との間に形成された平坦化膜の膜厚よりも厚くすることができる。
このことより、ＴＦＴ層と、第１下部電極層および第２下部電極層との間隔を確保できるため、ＴＦＴ層と、第１下部電極層および第２下部電極層との間で発生する寄生容量の増加を防止することができる。
従って、本発明の一態様に係る発光装置では、信号遅延、消費電力のロスが少ない。
また、本発明の一態様に係る発光装置では、上記構成において、前記第１下部電極層の上方であって前記半導体性中間層上に形成された第１発光層と、前記第２下部電極層の上方であって前記半導体性中間層上に形成された第２発光層と、を具備し、前記隔壁は、前記第１発光層と前記第２発光層とを区画する。
本発明の一態様に係る発光装置では、上記のように、隔壁が、第１下部電極層の上方であって半導体性中間層上に形成された第１発光層と、第２下部電極層の上方であって半導体性中間層上に形成された第２発光層とを区画する構成である。
このことにより、第１発光層と第２発光層とについても互いに分断されるため、第１発光層が発光する光と、第２発光層が発光する光とが混色することがない。
従って、本発明の一態様に係る発光装置では、優れた発光特性を有する。
また、本発明の一態様に係る発光装置では、上記構成において、前記第１発光層および前記第２発光層の上方に形成された上部電極層を具備する。
本発明の一態様に係る発光装置では、第１発光層および第２発光層の上方に形成された上部電極層を具備することができる。
また、本発明の一態様に係る発光装置では、前記上部電極層は、陰極層である。
本発明の一態様に係る発光装置では、上部電極層が陰極層であるという構成とすることができる。
また、本発明の一態様に係る発光装置では、上記構成において、前記第１下部電極層および前記第２下部電極層は、陽極層であり、前記半導体性中間層は、正孔注入層である。
本発明の一態様に係る発光装置では、半導体性中間層が正孔注入層である。半導体性中間層を正孔注入層とした構成の発光装置では、第１下部電極層から第１発光層への正孔の注入、および第２下部電極層から第２発光層への正孔の注入が、正孔注入層により促進される。
従って、本発明の一態様に係る発光装置では、駆動電圧が低く消費電力が小さい。
また、本発明の一態様に係る発光装置では、上記構成において、前記窪み部の深さは、前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層と同一材料の層の中央部の膜厚よりも大きい。
本発明の一態様に係る発光装置では、上記のように、平坦化膜における窪み部の深さが、平坦化膜の窪み部の上面に形成された半導体性中間層と同一材料の層の中央部の膜厚よりも大きい。即ち、本発明の一態様に係る発光装置では、平坦化膜の窪み部における側面の、第１下部電極層および第２下部電極層の各々の下方に入り込んだ形状による半導体性中間層が形成されていない領域の幅が大きくなり、その結果、平坦化膜の窪み部の上面に形成された半導体性中間層と同一材料の層の端部の膜厚を、平坦化膜の窪み部の上面に形成された半導体性中間層と同一材料の層の中央部の膜厚よりも薄くすることが容易となる。
あるいは、平坦化膜の窪み部の側面において半導体性中間層が形成されていない領域の幅が大きくなる。そのため、半導体性中間層および半導体性中間層と同一材料の層の膜厚を厚くしても第１下部電極層の上方の半導体性中間層と第２下部電極層の上方の半導体性中間層とが分断され易くなり、第１下部電極層と平坦化膜の窪み部を挟んで形成された第２下部電極層とに跨って、半導体性中間層が形成されることはなくなる。
そのため、半導体性中間層は、第１下部電極層と第２下部電極層とを電気的に接続せず、第１下部電極層と第２下部電極層との間のリーク電流を防止できることでさらに好適である。
従って、本発明の一態様に係る発光装置では、隣接するサブピクセル間でリーク電流に起因するクロストークが、一層、発生しない。
また、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、基板を準備する第１工程と、前記基板の上方に平坦化膜を形成する第２工程と、前記平坦化膜上に第１下部電極層と第２下部電極層とを形成する第３工程と、前記第１下部電極層と前記第２下部電極層との上にレジストを形成する第４工程と、前記第１下部電極層と前記第２電極層との間の、前記レジストが形成されていない前記平坦化膜の領域をエッチングすることにより、前記レジストが形成されていない前記平坦化膜の領域の前記平坦化膜の上面が、前記平坦化膜の他の上面よりも沈下した窪み部を形成する第５工程と、前記第１下部電極層上、前記第２下部電極層上、および前記窪み部の底面上に半導体性中間層を形成する第６工程と、を含み、前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層の端部の膜厚を、前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層の中央部の膜厚よりも薄く形成する。
本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、平坦化膜における第１下部電極層と第２下部電極層との間に、平坦化膜の他の上面よりも沈下した窪み部を形成する。この平坦化膜の窪み部の上面には、半導体性中間層を形成する。平坦化膜の窪み部の上面に形成された半導体性中間層の端部の膜厚は、半導体性中間層を形成する際の窪み部の側面でのシャドーイング効果により半導体性中間層が段切れするため、平坦化膜の窪み部の上面に形成された半導体性中間層の中央部の膜厚よりも薄くなる。
これにより、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、半導体性中間層が、平坦化膜の窪み部の上面に形成された半導体性中間層の端部において、導電性が小さくなる。そのため、平坦化膜の窪み部の上面に形成された半導体性中間層は、第１下部電極層と第２下部電極層とを実質的に電気接続しないので、第１下部電極層と第２下部電極層との間のリーク電流を防止できる。
従って、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、クロストークが発生しない発光装置を実現することができる。
また、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、基板を準備する第１工程と、前記基板の上方に平坦化膜を形成する第２工程と、前記平坦化膜上に第１下部電極層と第２下部電極層とを形成する第３工程と、前記第１下部電極層および前記第２下部電極層自体をマスクとして、前記第１下部電極層と前記第２下部電極層との間の前記平坦化膜の領域をエッチングすることにより、前記第１下部電極層と前記第２下部電極層との間の前記平坦化膜の領域に、前記平坦化膜の他の上面よりも沈下した窪み部を形成する第４工程と、前記第１下部電極層上、前記第２下部電極層上、および前記窪み部の底面上に半導体性中間層を形成する第５工程と、を含み、前記窪み部の側面は、前記半導体性中間層が形成されていない領域を有し、前記半導体性中間層を、前記窪み部の側面において前記半導体性中間層が形成されていない領域により分断する。
本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、第１下部電極層と第２下部電極層との間の平坦化膜をエッチングする第４工程と、第４工程のエッチングにより、平坦化膜に当該平坦化膜の他の上面よりも沈下した窪み部が形成され、当該窪み部の側面に半導体性中間層が形成されていない領域を有するので、第１下部電極層の上方の半導体性中間層と第２下部電極層の上方の半導体性中間層とを分断する。
本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、第１下部電極層の上方の半導体性中間層と第２下部電極層の上方の半導体性中間層とが、窪み部の側面における半導体性中間層が形成されていない領域で分断されているので、半導体性中間層は、第１下部電極層と窪み部を挟んで形成された第２下部電極層とに跨って連続して形成されることがなくなるものである。
このことにより、平坦化膜に当該平坦化膜の他の上面よりも沈下した窪み部を形成するため、第３工程により第１下部電極層と第２下部電極層とを形成した後に残存する電極層形成のための金属膜の残渣も完全に除去することができる。よって、第１下部電極層と第２下部電極層との間でのリーク電流が防止できる。
従って、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、隣接するサブピクセル間で、第１下部電極層と第２下部電極層との間でのショート、および半導体性中間層のリーク電流に起因するクロストークが発生しない発光装置を製造することができる。
また、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、隔壁が、サブピクセル領域の方向に窪んだ形状部分にも入り込んで形成されるため、平坦化膜との密着力が向上される。その結果、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、隔壁が剥離し難い高い信頼性の発光装置を製造することができる。
また、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、前記第４工程において、前記第４工程のエッチングにより、前記第１下部電極層と前記第２下部電極層との間の前記平坦化膜に形成された窪み部は、その側面が前記第１下部電極層および前記第２下部電極層の各々の下方に入り込んだ形状である。
本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、上記のように、第４工程において、側面が、第１下部電極層および第２下部電極層の各々の下方に入り込んだ形状の窪み部を平坦化膜に形成するので、平坦化膜の窪み部の側面に半導体性中間層が形成されていない領域を有することとすることができる。
そのため、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、平坦化膜の窪み部における上面の端部において、物理的にも第１下部電極層と第２下部電極層尾との間を電気的に接続する媒体が存在しないので、第１下部電極層と第２下部電極層との間でのリーク電流を完全に防止できる。
従って、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、クロストークの発生が防止された発光装置を製造することができる。
また、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、上記構成において、前記エッチングは、ドライエッチングである。
また、本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、上記構成において、前記第１下部電極層には、前記半導体性中間層側に第１透明導電膜による層が含まれ、前記第２下部電極層には、前記半導体性中間層側に第２透明導電膜による層が含まれ、前記半導体性中間層の形成に際しては、前記第１透明導電膜による層上および前記第２透明導電膜による層上に半導体性中間層が形成される。
本発明の一態様に係る発光装置の製造方法では、各半導体性中間層側に第１透明導電膜による層または第２透明導電膜による層を含む第１下部電極層および第２下部電極層を形成する。第１下部電極層における第１透明導電膜による層、および第２下部電極層における第２透明導電膜層による層の形成では、ウェットエッチングでパターニングを行い、第１下部電極層と第２下部電極層との間に形成された透明導電膜を除去する。そして、平坦化膜の窪み部を形成するためのドライエッチングを行う際には、上記ウェットエッチングでパターニングされた第１透明導電膜による層および第２透明導電膜による層をマスクとして用いて、ドライエッチングを行うものである。
第１透明導電膜による層および第２透明導電膜による層をマスクとして用いて平坦化膜をドライエッチングするため、平坦化膜への窪み部の形成のためにドライエッチング用のマスクを新たに用いなくてもよく、製造工程の簡略化を図ることができる。
以下では、本発明を実施するための形態について、数例を用い説明する。
なお、以下の説明で用いる実施の形態は、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例示であって、本発明は、その本質的部分以外に何ら以下の形態に限定を受けるものではない。
[実施の形態１]
１．表示装置１の全体構成
以下では、発光装置の一例としての有機ＥＬ表示装置１で説明する。
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の全体構成について、図１および図２を用い説明する。
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動制御部２０とを有し構成されている。表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用した有機ＥＬパネルであり、複数の有機ＥＬ素子が配列され構成されている。図２に示すように、表示パネル１０は、基板１００の上に各サブピクセルに対応してＴＦＴ１０１が形成されており、ＴＦＴ１０１には、ソース信号配線３１および電源配線３２が接続されている。図２に示すように、ＴＦＴ１０１が形成された基板１００の上には、下部電極層１１０、発光積層体１２０および上部電極層１３０が順に積層形成されている。なお、表示パネル１０の詳細構成については、後述する。
図１に戻って、駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。
なお、実際の有機ＥＬ表示装置１では、表示パネル１０に対する駆動制御部２０の配置については、これに限られない。
２．表示パネル１０の構成
表示パネル１０の構成について、図３および図４を用い説明する。
図３に示すように、表示パネル１０は、各々が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れか発光色を有する有機発光層を備えるサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃが隣接形成されている。表示パネル１０は、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイである。
基板１００上には、ＴＦＴ層（図３では、ソース１０１ａだけを図示）およびパッシベーション膜１０２が形成され、その上に、平坦化膜１０３が積層形成されている。平坦化膜１０３には、各サブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃごとに対応して、下部電極層（陽極層）１１０が形成されている。ここで、以下においては、サブピクセル１１ａに属する下部電極層１１０を第１下部電極層１１０ａと呼称することがあり、サブピクセル１１ｂに属する下部電極層１１０を第２下部電極層と呼称することがある。下部電極層１１０とＴＦＴ層のソース１０１ａとは、平坦化膜１０３を上下に貫通するコンタクトホール１０４で接続されている。
下部電極層１１０上には、半導体性中間層１２１ａが形成されている。半導体性中間層１２１ａは、ホール注入層、またはホール輸送層、またはホール注入兼輸送層として機能する。また、平坦化膜１０３では、隣接する下部電極層１１０間の部分が、他の部分の上面よりも沈下した窪み部１０３ａを有する。そして、各窪み部１０３ａの上面にも、半導体性中間層１２１ａと同一材料の層である窪み部内形成層１２１ｂが形成されている。なお、以下では、半導体性中間層１２１ａと窪み部内形成層１２１ｂとを、半導体性層１２１と総称することもある。
図３に示すように、下部電極層１１０の上には、各サブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃ毎に、発光層１２２が形成されている。また、サブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃの各間には、窪み部内形成層１２１ｂの上、および半導体性中間層１２１ａの端部の一部上に、絶縁材料からなる隔壁１２３が立設されている。隔壁１２３により、発光層１２２は、サブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃ毎に区画されている。以下では、サブピクセル１１ａに属する発光層１２２を、第１発光層１２２ａと呼称し、サブピクセル１１ｂに属する発光層１２２を第２発光層１２２ｂと呼称することがある。
なお、図４に示すように、表示パネル１０においては、隔壁１２３が、Ｙ軸方向に延設された隔壁要素１２３ａと、Ｘ軸方向に延設された隔壁要素１２３ｂとが一体に形成された、所謂、ピクセルバンクが採用されている。そして、Ｘ軸方向において隣接するサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃ同士の間は、隔壁要素１２３ａにより区画されており、同様に、Ｙ軸方向において隣接するサブピクセル同士の間は、隔壁要素１２３ｂにより区画されている。
図３に戻って、発光層１２２の上には、電子注入層１２４、上部電極層（陰極層）１３０、および封止層１３１が、それぞれ隔壁１０４で規定された領域を超えて、全体にわたり連続するように形成されている。なお、半導体性層１２１、発光層１２２、隔壁１２３、および電子注入層１２４の積層構造が、図２における発光積層体１２０と対応している。
なお、図３に示すように、隣接形成された３つのサブピクセル１１ａ，１１ｂ，１１ｃは、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応し、それらを１セットとして１つのピクセル（画素）が構成されている。
ａ）基板１００
基板１００は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料をベースとして形成されている。
ｂ）平坦化膜１０３
平坦化膜１０３は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料などの有機化合物を用い形成されている。
ｃ）下部電極層１１０
下部電極層１１０は、例えば、Ａｇ（銀）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）などから形成されている。なお、本実施の形態のように、トップエミッション型の有機ＥＬの場合には、高反射性の材料を用い形成されていることが好ましい。
ｄ）半導体性層１２１
半導体性層１２１は、例えば、ＷＯX（酸化タングステン）またはＭｏＷＯX（モリブデン−タングステン酸化物）などの金属酸化物、あるいは金属窒化物または金属酸窒化物を用い形成されている。
ｅ）発光層１２２
発光層１２２は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。発光層１２２の形成に用いる材料は、湿式印刷法を用い製膜できる発光性の有機材料を用いることが必要である。
具体的には、例えば、特許公開公報（日本国・特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
ｆ）隔壁１２３
隔壁１２３は、樹脂等の有機材料で形成されており絶縁性を有する。隔壁１２３の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等があげられる。隔壁１２３は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。さらに、隔壁１２３はエッチング処理、ベーク処理など施されることがあるので、それらの処理に対して過度に変形、変質などをしないような耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、撥水性をもたせるために、表面をフッ素処理することもできる。
なお、隔壁１２３の形成に用いる絶縁材料については、上記の各材料をはじめ、特に抵抗率が１０5［Ω・ｃｍ］以上であって、撥水性を有する材料を用いることができる。これは、抵抗率が１０5［Ω・ｃｍ］以下の材料を用いた場合には、隔壁１２３を要因として、下部電極層１１０と上部電極層１３０との間でのリーク電流、あるいは隣接素子間でのリーク電流の発生の原因となり、消費電力の増加などの種々の問題を生じることになるためである。
また、隔壁１２３を親水性の材料を用い形成した場合には、隔壁１２３の表面と半導体性中間層１２１ａの表面との親和性／撥水性の差異が小さくなり、発光層１２２を形成するために有機物質を含んだインクを、隔壁１２３の開口部に選択的に保持させることが困難となってしまうためである。
さらに、隔壁１２３の構造については、図３に示すような一層構造だけでなく、二層以上の多層構造を採用することもできる。この場合には、層毎に上記材料を組み合わせることもできるし、層毎に無機材料と有機材料とを用いることもできる。
ｇ）電子注入層１２４
電子注入層１２４は、上部電極層１３０から注入された電子を発光層１２２へ輸送する機能を有し、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいはこれらの組み合わせで形成されることが好ましい。
ｈ）上部電極層１３０
上部電極層（陰極層）１３０は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などで形成される。トップエミッション型の有機ＥＬ素子１００ａ，１００ｂ，１００ｃの場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。光透過性については、透過率が８０［％］以上とすることが好ましい。
上部電極層１３０の形成に用いる材料としては、上記の他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層と銀を含む層とをこの順で積層した構造を用いることもできる。上記において、銀を含む層は、銀単独で形成されていてもよいし、銀合金で形成されていてもよい。また、光取出し効率の向上を図るためには、当該銀を含む層の上から透明度の高い屈折率調整層を設けることもできる。
ｉ）封止層１３１
封止層１３１は、発光層１２２などが水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの材料を用い形成される。トップエミッション型の場合においては、光透過性の材料で形成されることが好ましい。
３．平坦化膜１０３における窪み部１０３ａと半導体性層１２１
図３に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、表示パネル１０において、平坦化膜１０３における第１下部電極層１１０ａと第２下部電極層１１０ｂとの間に窪み部１０３ａが設けられている。平坦化膜１０３における窪み部１０３ａは、平坦化膜１０３ａの他の上面よりも沈下しており、窪み部１０３ａの上面には、窪み部内形成層１２１ｂが形成されている。そして、図３の二点鎖線で囲む部分に示すように、平坦化膜１０３の窪み部１０３ａにおける窪み部内形成層１２１ｂは、端部での膜厚ｔ2が、それよりも中央部側の膜厚ｔ1よりも薄くなっている。
よって、有機ＥＬ表示装置１では、上記のような膜厚ｔ1，ｔ2の関係により、平坦化膜１０３の窪み部１０３ａにおける窪み部内形成層１２１ｂの端部（膜厚ｔ2の部分）において、導電性が低くなり、平坦化膜１０３の窪み部１０３ａにおける窪み部内形成層１２１ｂが、第１下部電極層１１０ａおよびその上の半導体性中間層１２１ａと、第２下部電極層１１０ｂおよびその上の半導体性中間層１２１ａとを実質的に電気接続しない状態とし、第１下部電極層１１０ａと第２下部電極層１１０ｂとの間でのリーク電流が防止される。
従って、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、クロストークの発生が有効に防止される。
さらに、図３に示すように、表示パネル１０では、隔壁１２３が、平坦化膜１０３における窪み部１０３ａの形成に伴い窪んだ形状部分にも入り込んで形成されているので、隔壁１２３の密着性を向上させることができ、隔壁１２３が剥離し難い。よって、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１では、高い信頼性を有する。
４．表示パネル１０の製造方法
表示パネル１０の製造方法について、図５から図７を用い説明する。なお、図５から図７においても、一部を抜き出し、模式的に示している。
先ず、図５（ａ）に示すように、基板１００を準備する。
次に、基板１００におけるＺ軸上側主面１００ｆにＴＦＴ層およびパッシベーション膜１０２を形成し、さらに、その上を覆うように平坦化膜１０３０を積層形成する（図５（ｂ）を参照）。なお、図５（ｂ）では、図示の都合上、ＴＦＴ層の構成の内、ソース１０１ａのみを図示している。
次に、図５（ｃ）に示すように、ＴＦＴ層の各ソース１０１ａに対応する箇所にコンタクトホール１０４を形成した平坦化膜１０３１とし、その上に金属膜（例えば、Ａｇ薄膜）１１００を形成する。金属膜１１００の形成は、例えば、スパッタリング法や真空蒸着法などを用い行うことができる。
次に、図６（ａ）に示すように、金属膜１１００上における下部電極層１１０を形成しようとする領域に、感光性のレジスト５００を堆積させる。そして、図６（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法およびエッチング法によりパターニングし、第１下部電極層１１０ａおよび第２下部電極層１１０ｂを含む下部電極層１１０を形成する。
なお、図６（ｂ）に示すように、エッチングの後においては、下部電極層１１０の両縁１１０ｓがレジスト５００の下方に入り込んだ状態とする。
次に、下部電極層１１０上にレジスト５００を残した状態で、エッチング（例えば、ドライエッチング）を行うことにより、平坦化膜１０３において、第１下部電極層１１０ａと第２下部電極層１１０ｂとの間の、レジスト５００が形成されていない領域１０３１ｆに、窪み部１０３ａを形成する（図６（ｃ）を参照）。なお、図６（ｃ）に示すように、下部電極層１１０の両縁１１０ｓ（図６（ｂ）を参照）と、窪み部１０３ａの開口縁との間には、若干の距離が保たれる。これは、図６（ｂ）および図６（ｃ）に示すように、下部電極層１１０の両縁１１０ｓが、レジスト５００の下方に入り込んでいることに起因する。
図６（ｃ）における平坦化膜１０３の窪み部１０３ａの形成においては、ドライエッチングによることに限定はされず、ウェットエッチングで行うことも可能である。
次に、図７（ａ）に示すように、下部電極層１１０および平坦化膜１０３における窪み部１０３ａの底面上に対して、半導体性材料を堆積させて、半導体性層１２１を積層形成する。半導体性層１２１は、下部電極層１１０上の半導体性中間層１２１ａと平坦化膜１０３の窪み部１０３ａの底面上の窪み部内形成層１２１ｂとを含む。
次に、半導体性層１２１の上に、隔壁１２３を形成するための絶縁材料層を、例えば、スピンコート法などにより成膜し、フォトマスクを用い露光・現像することでパターニングを行う。その後に、洗浄液で洗浄を行うことで、図７（ｂ）に示すように、隔壁１２３を形成する。
次に、図７（ｃ）に示すように、隔壁１２３で規定された領域に、インクジェット法により発光層１２２の材料を含む組成物インクを滴下し、乾燥させることで発光層１２２が形成される。さらに、発光層１２２の上に、電子注入層１２４、上部電極層１３０および封止層１３１を積層形成する。
ここで、発光層１２２の形成においては、上記インクジェット法の他に、例えば、ディスペンサ法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷法、あるいは凸版印刷法などを用いることもできる。また、組成物インクの乾燥では、真空乾燥および窒素雰囲気下乾燥を順に行うこととする。
また、電子注入層１２４の形成には、例えば、真空蒸着法を用いることができ、上部電極層１３０の形成には、例えば、プラズマコーティング法を用いることができる。
以上のようにして、表示パネル１０の要部が完成する。
本実施の形態に係る表示パネル１０の製造方法では、図７（ａ）に示すように、平坦化膜１０３における第１下部電極層１１０ａと第２下部電極層１１０ｂとの間に窪み部１０３ａを形成した状態で、半導体性層１２１を形成するので、窪み部１０３ａの側面部におけるシャドーイング効果により、窪み部内形成層１２１ｂの端部における膜厚ｔ2が、中央部における膜厚ｔ1よりも薄くなる（図３の二点鎖線で囲んだ部分を参照）。このため、第１下部電極層１１０ａ上の半導体性中間層１２１ａと、これに隣接する窪み部内形成層１２１ｂとが、窪み部１０３の側面部で導電性が小さくなることに起因して、実質的に電気的に接続されない。第２下部電極層１１０ｂ上の半導体性中間層１２１ａと、これに隣接する窪み部内形成層１２１ｂとについても、同様である。
従って、表示パネル１０では、第１下部電極層１１０ａと第２下部電極層１１０ｂとの間でのリーク電流を防止でき、クロストークが発生しない。
さらに、本実施の形態に係る製造方法では、図６（ｂ）および図６（ｃ）に示すように、下部電極層１１０の形成のためのレジスト５００を、下部電極層１１０を形成した後も除去することなく、平坦化膜１０３の窪み部１０３ａを形成する際のマスクとして、そのまま用いている。よって、窪み部１０３ａの形成のために新たなマスクを用いなくてもよく、製造工程を簡略化することができ、製造コストの低減が可能となる。
[実施の形態２]
１．表示パネル１０の構成
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置では、表示パネル１２の構成を除き、上記実施の形態１に係る有機ＥＬ表示装置１と同一の構成を有する。以下では、表示パネル１２の構成について、図８を用い説明する。
図８に示すように、実施の形態２に係る表示パネル１２も、各々が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れか発光色を有する有機発光層を備えるサブピクセル１３ａ，１３ｂ，１３ｃが隣接形成されており、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイである。
基板１００上に形成されたＴＦＴ層（図８においても、ソース１０１ａだけを図示）およびパッシベーション膜１０２、および平坦化膜１４３に設けられたコンタクトホール１０４については、上記実施の形態１に係る表示パネル１０と同一構成を有する。
図８に示すように、表示パネル１２においても、下部電極層（陽極層）１５０間の領域に窪み部１４３ａが形成されている。そして、半導体性層１６１は、下部電極層１５０上に形成され、ホール注入層、またはホール輸送層、またはホール注入兼輸送層として機能する半導体性中間層１６１ａと、平坦化膜１４３における窪み部１４３ａの底面上に形成された、半導体性中間層１６１ａと同一材料の層である窪み部内形成層１６１ｂとを有する。
図８に示すように、半導体性中間層１６１ａの上には、発光層１６２、電子注入層１６４、上部電極層（陰極層）１７０、および封止層１７１が順に積層され、また、各サブピクセル１３ａ，１３ｂ，１３ｃを区画する隔壁１６３が立設されている。半導体性中間層１６１ａ、発光層１６２、隔壁１６３、および電子注入層１６４により発光積層体１６０が構成されている。なお、発光層１６２においては、上記実施の形態１に係る表示パネル１０と同様に、第１下部電極層１５０ａの上方に形成された第１発光層１６２ａと、第２下部電極層１５０ｂの上方に形成された第２発光層１６２ｂとが含まれる。
なお、本実施の形態に係る表示パネル１２の隔壁１６３については、平面形状を特に示していないが、上記実施の形態１に係る表示パネル１０の隔壁１２３と同様に、所謂、ピクセルバンクが採用されている。
２．平坦化膜１４３における窪み部１４３ａと半導体性層１６１
図８に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１２においても、平坦化膜１４３における第１下部電極層１５０ａと第２下部電極層１５０ｂとの間の領域に窪み部１４３ａが設けられている。平坦化膜１４３における窪み部１４３ａは、平坦化膜１４３ａの他の上面よりも沈下している点で、上記実施の形態１に係る表示パネル１０と同様である。また、窪み部１４３ａの底面上に、窪み部内形成層１６１ｂが形成されている点も、上記実施の形態１に係る表示パネル１０と同様である。
しかしながら、図８の二点鎖線で囲んだ部分に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１２では、窪み部１４３ａの側面１４３ｓの一部において、半導体性層１６１が形成されていない領域（矢印Ａで示す箇所Ｐ1と箇所Ｐ2の間の領域）を有する。
よって、本実施の形態に係る表示パネル１２では、平坦化膜１４３における窪み部１４３ａの側面１４３ｓの一部に、半導体性層１６１が形成されていない領域を有することにより、当該領域で第１下部電極層１５０ａ上の半導体性中間層１６１ａと第２下部電極層１５０ｂ上の半導体性中間層１６１ａとが分断されている。このため、サブピクセル１３ａ，１３ｂ，１３ｃにおける各半導体性中間層１６１ａは、互いの間の窪み部１４３ａを跨いで連続して形成されていない。よって、表示パネル１２では、半導体性層１６１が、第１下部電極層１５０ａと第２下部電極層１５０ｂとを電気的に接続せず、第１下部電極層１５０ａと第２下部電極層１５０ｂとの間でのリーク電流を防止できる。
従って、本実施の形態に係る表示パネル１２でも、クロストークの発生が防止される。
さらに、図８に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１２でも、隔壁１６３が、平坦化膜１４３の窪み部１４３ａに伴い窪んだ形状部分にも入り込んで形成されているので、隔壁１６３の密着性を向上させることができ、隔壁１６３が剥離し難い。よって、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置でも、高い信頼性を有する。
３．表示パネル１２の製造方法
表示パネル１２の製造方法について、図９および図１０を用い説明する。なお、図９および図１０においても、一部を抜き出し、模式的に示している。
先ず、図９（ａ）に示すように、上記実施の形態１における図５（ａ）から図５（ｃ）に示す各工程を実行することで、基板１００上にＴＦＴ層（図９（ａ）では、ソース１０１ａのみを図示）、パッシベーション膜１０２、平坦化膜１４３１、コンタクトホール１０４、および金属膜１５００を形成する。
次に、図９（ｂ）に示すように、金属膜１５００上における下部電極層１５０を形成しようとする領域に、感光性のレジスト５０１を堆積させる。そして、図９（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法およびエッチング法によりパターニングし、第１下部電極層１５０ａおよび第２下部電極層１５０ｂを含む下部電極層１５０を形成する。
なお、上記実施の形態１に係る製造方法では、エッチングの後において、下部電極層１１０の両縁１１０ｓがレジスト５００の下方に入り込んだ状態としたが、本実施の形態に係る製造方法では、図９（ｂ）に示すように、エッチングの後において、下部電極層１５０の両縁１５０ｓがレジスト５０１の各縁と合致するようにする。
次に、上記実施の形態１に係る製造方法と同様に、レジスト５０１を下部電極層１５０上に残した状態で、エッチング（例えば、ドライエッチング）を行う。これにより、平坦化膜１４３において、第１下部電極層１５０ａと第２下部電極層１５０ｂとの間の、レジスト５０１が形成されていない領域１４３１ｆに、窪み部１４３ａを形成する（図９（ｃ）を参照）。
本実施の形態に係る製造方法においても、平坦化膜１４３の窪み部１４３ａの形成においては、ドライエッチングによることに限定はされず、ウェットエッチングで行うことも可能である。
次に、図１０（ａ）に示すように、下部電極層１５０および平坦化膜１４３における窪み部１４３ａの底面上に対して、半導体性材料を堆積させて、半導体性層１６１を積層形成する。半導体性層１６１は、下部電極層１５０上の半導体性中間層１６１ａと、平坦化膜１４３の窪み部１４３ａの底面上の窪み部内形成層１６１ｂとを含む。
次に、半導体性層１６１の上に、隔壁１６３を形成するための絶縁材料層を、例えば、スピンコート法などにより成膜し、フォトマスクを用い露光・現像することでパターニングを行う。その後に、洗浄液で洗浄を行うことで、図１０（ｂ）に示すように、隔壁１６３を形成する。
次に、図１０（ｃ）に示すように、隔壁１６３で規定された領域に、インクジェット法により発光層１６２の材料を含む組成物インクを滴下し、乾燥させることで発光層１６２を形成する。さらに、発光層１６２の上に、電子注入層１６４、上部電極層１７０および封止層１７１を積層形成する。
ここで、発光層１６２の形成においても、上記実施の形態１に係る製造方法と同様に、上記インクジェット法の他に、例えば、ディスペンサ法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷法、あるいは凸版印刷法などを用いることもできる。また、組成物インクの乾燥では、真空乾燥および窒素雰囲気下乾燥を順に行うこととする。
また、電子注入層１６４の形成についても、上記実施の形態１に係る製造方法と同様に、例えば、真空蒸着法を用いることができ、上部電極層１７０の形成には、例えば、プラズマコーティング法を用いることができる。
以上のようにして、表示パネル１２の要部が完成する。
本実施の形態に係る表示パネル１２の製造方法においても、図１０（ａ）に示すように、平坦化膜１４３における第１下部電極層１５０ａと第２下部電極層１５０ｂとの間に窪み部１４３ａを形成した状態で、半導体性層１６１を形成するので、シャドーイング効果により、窪み部１４３ａにおける側面１４３ｓの一部において半導体性層１６１が形成されない領域が生じる（図８の二点鎖線で囲む部分を参照）。このため、第１下部電極層１５０ａ上の半導体性中間層１６１ａと、これに隣接する窪み部内形成層１６１ｂとが、電気的に接続されない状態となる。第２下部電極層１５０ｂ上の半導体性中間層１６１ａと、これに隣接する窪み部内形成層１６１ｂとについても、同様である。
従って、表示パネル１２では、上記実施の形態１に係る表示パネル１０よりも、第１下部電極層１５０ａと第２下部電極層１５０ｂとの間でのリーク電流をさらに確実に防止でき、クロストークが発生しない。
また、本実施の形態に係る製造方法においても、図９（ｂ）および図９（ｃ）に示すように、下部電極層１５０の形成のためのレジスト５０１を、下部電極層１５０を形成した後も除去することなく、平坦化膜１４３の窪み部１４３ａを形成する際のマスクとして、そのまま用いている。よって、窪み部１４３ａの形成のために新たなマスクを用いなくてもよく、製造工程を簡略化することができ、製造コストの低減が可能となる。
なお、本実施の形態に係る表示パネル１２では、平坦化膜１４３における窪み部１４３ａの深さを、窪み部１４３ａの底面上に形成する窪み部内形成層１６１ｂの膜厚（窪み部１４３ａの中央部での膜厚）よりも、深い様に構成されている。これは、窪み部内形成層１６１ｂが、半導体性中間層１６１ａあるいは下部電極層１５０との間で完全に分断されるようにするためである。
[実施の形態３]
１．表示パネル１４の構成
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置でも、表示パネル１４の構成を除き、上記実施の形態１，２に係る有機ＥＬ表示装置１，・・と同一の構成を有する。以下では、表示パネル１４の構成について、図１１を用い説明する。
図１１に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１４も、各々が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れか発光色を有する有機発光層を備えるサブピクセル１５ａ，１５ｂ，１５ｃが隣接形成されており、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイである。
基板１００上に形成されたＴＦＴ層（図１１においても、ソース１０１ａだけを図示）およびパッシベーション膜１０２、および平坦化膜１８３に設けられたコンタクトホール１０４については、上記実施の形態１，２に係る表示パネル１０，１２と同一構成を有する。
図１１に示すように、表示パネル１４においても、平坦化膜１８３において、下部電極層（陽極層）１９０間の領域に窪み部１８３ａが形成されている。そして、半導体性層２０１は、下部電極層１９０上に形成され、ホール注入層、またはホール輸送層、またはホール注入兼輸送層として機能する半導体性中間層２０１ａと、平坦化膜１８３における窪み部１８３ａの底面上に形成された、半導体性中間層２０１ａと同一材料の層である窪み部内形成層２０１ｂとを有する。
図１１に示すように、半導体性中間層２０１ａの上には、発光層２０２、電子注入層２０４、上部電極層（陰極層）２１０、および封止層２１１が順に積層され、また、各サブピクセル１５ａ，１５ｂ，１５ｃを区画する隔壁２０３が立設されている。半導体性中間層２０１ａ、発光層２０２、隔壁２０３、および電子注入層２０４により発光積層体２００が構成されている。なお、発光層２０２においては、上記実施の形態１，２に係る表示パネル１０，１２と同様に、第１下部電極層１９０ａの上方に形成された第１発光層２０２ａと、第２下部電極層１９０ｂの上方に形成された第２発光層２０２ｂとが含まれる。
なお、本実施の形態に係る表示パネル１４の隔壁２０３についても、所謂、ピクセルバンクが採用されている。
２．平坦化膜１８３における窪み部１８３ａと半導体性層２０１
図１１に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１４においても、平坦化膜１８３における第１下部電極層１９０ａと第２下部電極層１９０ｂとの間の領域に窪み部１８３ａが設けられている。平坦化膜１８３における窪み部１８３ａは、平坦化膜１８３ａの他の上面よりも沈下している点で、上記実施の形態１，２に係る表示パネル１０，１２と同様である。また、窪み部１８３ａの底面上に、窪み部内形成層２０１ｂが形成されている点も、上記実施の形態１，２に係る表示パネル１０，１２と同様である。
図１１の二点鎖線で囲んだ部分に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１４では、平坦化膜１８３における窪み部１８３ａの上端縁（箇所Ｐ3）が、下部電極層１９０の端縁（箇所Ｐ4）よりも、下部電極層１９０の下方へと入り込んだ状態となっている。よって、本実施の形態に係る表示パネル１４では、平坦化膜１８３における窪み部１８３ａの側面１８３ｓの内、下部電極層１９０の下方へと入り込んだ部分（矢印Ｂで示す部分）に、半導体性層２０１が形成されていない領域を有することにより、当該領域で第１下部電極層１９０ａ上の半導体性中間層２０１ａと第２下部電極層１９０ｂ上の半導体性中間層２０１ａとが分断されている。
上記構成のため、サブピクセル１５ａ，１５ｂ，１５ｃにおける各半導体性中間層２０１ａは、互いの間の窪み部１８３ａを跨いで連続して形成されていない。よって、表示パネル１４では、半導体性層２０１が、第１下部電極層１９０ａと第２下部電極層１９０ｂとを電気的に接続せず、第１下部電極層１９０ａと第２下部電極層１９０ｂとの間でのリーク電流を防止できる。なお、本実施の形態では、窪み部１８３ａの少なくとも一部が下部電極層１９０の下方へと入り込み、当該入り込んだ部分で半導体性層２０１が分断されているので、上記実施の形態２に係る表示パネル１２よりも、さらに確実に第１下部電極層１９０ａと第２下部電極層１９０ｂとの間でのリーク電流を防止できる。
従って、本実施の形態に係る表示パネル１４でも、クロストークの発生が防止される。
なお、図１１に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１４でも、隔壁２０３が、平坦化膜１８３の窪み部１８３ａの形成に伴い窪んだ形状部分にも入り込んで形成されているので、上記同様に、隔壁２０３が剥離し難く、有機ＥＬ表示装置が高い信頼性を有する。
３．表示パネル１４の製造方法
表示パネル１４の製造方法について、図１２および図１３を用い説明する。なお、図１２および図１３においても、一部を抜き出し、模式的に示している。
先ず、図１２（ａ）に示すように、上記実施の形態１における図５（ａ）から図５（ｃ）に示す各工程を実行することで、基板１００上にＴＦＴ層（図１２（ａ）では、ソース１０１ａのみを図示）、パッシベーション膜１０２、平坦化膜１８３１、コンタクトホール１０４、および金属膜１９００を形成する。
次に、図１２（ｂ）に示すように、金属膜１９００上における下部電極層１９０を形成しようとする領域に、感光性のレジスト５０２を堆積させる。そして、図１２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法およびエッチング法によりパターニングし、第１下部電極層１９０ａおよび第２下部電極層１９０ｂを含む下部電極層１９０を形成する。なお、本実施の形態に係る製造方法でも、図１２（ｂ）に示すように、エッチングの後において、下部電極層１９０の両縁１９０ｓがレジスト５０２の各縁と合致するようにする。
次に、上記実施の形態１，２に係る製造方法と同様に、レジスト５０２を下部電極層１９０上に残した状態で、エッチング（例えば、ドライエッチング）を行う。これにより、平坦化膜１８３において、第１下部電極層１９０ａと第２下部電極層１９０ｂとの間の、レジスト５０２が形成されていない領域１８３１ｆに、窪み部１８３ａを形成する（図１２（ｃ）を参照）。なお、本実施の形態に係る製造方法では、上記実施の形態２に係る製造方法に対して、エッチング条件（例えば、エッチング時間など）を変更することにより、窪み部１８３ａの側面１８３ｓの少なくとも一部が、下部電極層１９０の下方に入り込むようにすることができる。
本実施の形態に係る製造方法においても、平坦化膜１８３の窪み部１８３ａの形成においては、ドライエッチングによることに限定はされず、ウェットエッチングで行うことも可能である。
次に、図１３（ａ）に示すように、下部電極層１９０および平坦化膜１８３における窪み部１８３ａの底面上に対して、半導体性材料を堆積させて、半導体性層２０１を積層形成する。半導体性層２０１は、下部電極層１９０上の半導体性中間層２０１ａと、平坦化膜１８３の窪み部１８３ａの底面上の窪み部内形成層２０１ｂとを含む。なお、図１３（ａ）に示すように、窪み部１８３ａの側面１８３ｓの少なくとも一部を下部電極層１９０の下方に入り込むようにしているので、半導体性材料を堆積させた状態で、窪み部１８３ａの側面１８３ｓの少なくとも一部で半導体性層２０１が確実に分断される。
次に、半導体性層２０１の上に、隔壁２０３を形成するための絶縁材料層を、例えば、スピンコート法などにより成膜し、フォトマスクを用い露光・現像することでパターニングを行う。その後に、洗浄液で洗浄を行うことで、図１３（ｂ）に示すように、隔壁２０３を形成する。
次に、図１３（ｃ）に示すように、隔壁２０３で規定された領域に、インクジェット法により発光層２０２の材料を含む組成物インクを滴下し、乾燥させることで発光層２０２を形成する。さらに、発光層２０２の上に、電子注入層２０４、上部電極層２１０および封止層２１１を積層形成する。
ここで、発光層２０２の形成においても、上記実施の形態１，２に係る製造方法と同様に、上記インクジェット法の他に、例えば、ディスペンサ法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷法、あるいは凸版印刷法などを用いることもできる。また、組成物インクの乾燥では、真空乾燥および窒素雰囲気下乾燥を順に行うこととする。
また、電子注入層２０４の形成についても、上記実施の形態１，２に係る製造方法と同様に、例えば、真空蒸着法を用いることができ、上部電極層２１０の形成には、例えば、プラズマコーティング法を用いることができる。
以上のようにして、表示パネル１４の要部が完成する。
本実施の形態に係る表示パネル１４の製造方法においても、図１３（ａ）に示すように、平坦化膜１８３における第１下部電極層１９０ａと第２下部電極層１９０ｂとの間に窪み部１８３ａを形成した状態で、半導体性層２０１を形成するので、シャドーイング効果により、窪み部１８３ａにおける側面１８３ｓの少なくとも一部において半導体性層２０１が形成されない領域が生じる（図１１の二点鎖線で囲む部分を参照）。このため、第１下部電極層１９０ａ上の半導体性中間層２０１ａと、これに隣接する窪み部内形成層２０１ｂとが、電気的に接続されない状態となる。第２下部電極層１９０ｂ上の半導体性中間層２０１ａと、これに隣接する窪み部内形成層２０１ｂとについても、同様である。
なお、上記の通り、本実施の形態では、窪み部１８３ａの側面１８３ｓの少なくとも一部が下部電極層１９０の下方に入り込むようにしているので、より確実に半導体性層２０１の分断ができる。
従って、表示パネル１４では、上記実施の形態１，２に係る表示パネル１０，１２よりも、第１下部電極層１９０ａと第２下部電極層１９０ｂとの間でのリーク電流をさらに確実に防止でき、クロストークが発生しない。
また、本実施の形態に係る製造方法においても、図１２（ｂ）および図１２（ｃ）に示すように、下部電極層１９０の形成のためのレジスト５０２を、下部電極層１９０を形成した後も除去することなく、平坦化膜１８３の窪み部１８３ａを形成する際のマスクとして、そのまま用いている。よって、窪み部１８３ａの形成のために新たなマスクを用いなくてもよく、製造工程を簡略化することができ、製造コストの低減が可能となる。
なお、本実施の形態に係る表示パネル１４においても、平坦化膜１８３における窪み部１８３ａの深さを、窪み部１８３ａの底面上に形成する窪み部内形成層２０１ｂの膜厚（窪み部１８３ａの中央部での膜厚）よりも、深い様に構成されている。これは、窪み部内形成層２０１ｂが、半導体性中間層２０１ａあるいは下部電極層１９０との間で完全に分断されるようにするためである。
[実施の形態４]
１．表示パネル１６の構成
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置でも、表示パネル１６の構成を除き、上記実施の形態１，２，３に係る有機ＥＬ表示装置１，・・と同一の構成を有する。以下では、表示パネル１６の構成について、図１４を用い説明する。
図１４に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１６も、各々が赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れか発光色を有する有機発光層を備えるサブピクセル１７ａ，１７ｂ，１７ｃが隣接形成されており、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイである。
図１４に示すように、基板１００上に形成されたＴＦＴ層（図１４においても、ソース１０１ａだけを図示）およびパッシベーション膜１０２、および平坦化膜２２３に設けられたコンタクトホール１０４については、上記実施の形態１，２に係る表示パネル１０，１２と同一構成を有する。
図１４に示すように、表示パネル１６においても、平坦化膜２２３において、下部電極層（陽極層）２３０間の領域に窪み部２２３ａが形成されている。そして、半導体性層２４１は、下部電極層２３０上に形成され、ホール注入層、またはホール輸送層、またはホール注入兼輸送層として機能する半導体性中間層２４１ａと、平坦化膜２２３における窪み部２２３ａの底面上に形成された、半導体性中間層２４１ａと同一材料の層である窪み部内形成層２４１ｂとを有する。
ここで、本実施の形態に係る表示パネル１６では、下部電極層２３０が、金属層２３０１と透明導電層２３０２との積層構造を有している。そして、サブピクセル１７ａに属する第１下部電極層２３０ａが、第１金属層２３０１ａと第１透明導電層２３０２ａとの積層構造を有し、同様に、サブピクセル１７ｂに属する第２下部電極層２３０ｂが、第２金属層２３０１ｂと第２透明導電層２３０２ｂとの積層構造を有する。
図１４に示すように、半導体性中間層２４１ａの上には、発光層２４２、電子注入層２４４、上部電極層（陰極層）２５０、および封止層２５１が順に積層され、また、各サブピクセル１７ａ，１７ｂ，１７ｃを区画する隔壁２４３が立設されている。半導体性中間層２４１ａ、発光層２４２、隔壁２４３、および電子注入層２４４により発光積層体２４０が構成されている。なお、発光層２４２においては、上記実施の形態１，２，３に係る表示パネル１０，１２，１４と同様に、第１下部電極層２３０ａにおける第１透明導電層２３０２ａの上方に形成された第１発光層２４２ａと、第２下部電極層２３０ｂにおける第２透明導電層２３０２ｂの上方に形成された第２発光層２４２ｂとが含まれる。
なお、本実施の形態に係る表示パネル１６の隔壁２４３についても、所謂、ピクセルバンクが採用されている。
２．平坦化膜２２３における窪み部２２３ａと半導体性層２４１
図１４に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１６においても、平坦化膜２２３における第１下部電極層２３０ａと第２下部電極層２３０ｂとの間の領域に窪み部２２３ａが設けられている。平坦化膜２２３における窪み部２２３ａは、平坦化膜２２３ａの他の上面よりも沈下している点で、上記実施の形態１，２，３に係る表示パネル１０，１２，１４と同様である。また、窪み部２２３ａの底面上に、窪み部内形成層２４１ｂが形成されている点も、上記実施の形態１，２，３に係る表示パネル１０，１２，１４と同様である。
図１４の二点鎖線で囲んだ部分に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１６では、平坦化膜２２３における窪み部２２３ａの上端縁（箇所Ｐ5）が、上記実施の形態３に係る表示パネル１４と同様に、下部電極層２３０における透明導電層２３０２の端縁（箇所Ｐ6）よりも、下部電極層２３０の下方へと入り込んだ状態となっている。なお、下部電極層２３０では、金属層２３０１の側縁が透明導電層２３０２で覆われている。
以上の構成を採用することにより、本実施の形態に係る表示パネル１６では、平坦化膜２２３における窪み部２２３ａの側面２２３ｓの内、下部電極層２３０の透明導電層２３０２の下方へと入り込んだ部分（矢印Ｃで示す部分）に、半導体性層２４１が形成されていない領域を有することにより、当該領域で第１下部電極層２３０ａ上の半導体性中間層２４１ａと第２下部電極層２３０ｂ上の半導体性中間層２４１ａとが分断されている。
上記構成のため、サブピクセル１７ａ，１７ｂ，１７ｃにおける各半導体性中間層２４１ａは、互いの間の窪み部２２３ａを跨いで連続して形成されていない。よって、表示パネル１６では、半導体性層２４１が、第１下部電極層２３０ａと第２下部電極層２３０ｂとを電気的に接続せず、第１下部電極層２３０ａと第２下部電極層２３０ｂとの間でのリーク電流を防止できる。なお、本実施の形態では、窪み部２２３ａの少なくとも一部が下部電極層２３０の透明導電層２３０２の下方へと入り込み、当該入り込んだ部分で半導体性層２４１が分断されているので、上記実施の形態３に係る表示パネル１４と同様に、確実に第１下部電極層２３０ａと第２下部電極層２３０ｂとの間でのリーク電流を防止できる。
従って、本実施の形態に係る表示パネル１６でも、クロストークの発生が防止される。
なお、図１４に示すように、本実施の形態に係る表示パネル１６でも、隔壁２４３が、平坦化膜２２３の窪み部２２３ａの形成に伴い窪んだ形状部分にも入り込んで形成されているので、上記同様に、隔壁２４３が剥離し難く、有機ＥＬ表示装置が高い信頼性を有する。
３．表示パネル１６の製造方法
表示パネル１６の製造方法について、図１５から図１７を用い説明する。なお、図１５から図１７においても、一部を抜き出し、模式的に示している。
先ず、図１５（ａ）に示すように、上記実施の形態１における図５（ａ）から図５（ｃ）に示す各工程を実行することで、基板１００上にＴＦＴ層（図１５（ａ）では、ソース１０１ａのみを図示）、パッシベーション膜１０２、平坦化膜２２３１、コンタクトホール１０４、および金属膜２３０３を形成する。
次に、図１５（ｂ）に示すように、金属膜２３０３上における下部電極層２３０の金属層２３０１を形成しようとする領域に、感光性のレジスト５０３を堆積させる。そして、図１５（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法およびエッチング法によりパターニングし、第１下部電極層２３０ａにおける金属層２３０１ａおよび第２下部電極層２３０ｂにおける金属層２３０１ｂを含む下部電極層２３０の金属層２３０１を形成する。なお、本実施の形態に係る製造方法でも、図１５（ｂ）に示すように、エッチングの後において、下部電極層２３０における金属層２３０１の両縁２３０１ｓがレジスト５０３の各縁と合致するようにする。
次に、上記実施の形態１，２，３に係る製造方法とは異なり、レジスト５０３を下部電極層２３０の金属層２３０１上から除去する。そして、図１５（ｃ）に示すように、金属層２３０１上および金属層２３０１間に露出された平坦化膜２２３１の露出面２２３１ｆ上を覆うように、透明導電膜２３０４を成膜する。透明導電膜２３０４の成膜には、例えば、スパッタリング法を用いることができる。
次に、図１６（ａ）に示すように、透明導電膜２３０４に対し、下部電極層２３０における透明導電層２３０２を形成しようとする領域に、感光性のレジスト５０４を堆積させる。そして、この状態で、透明導電膜２３０４に対して、エッチング（例えば、ウェットエッチング）を実行することにより、透明導電層２３０２ａおよび透明導電層２３０２ｂを含む透明導電層２３０２がパターニングできる。これにより、第１下部電極層２３０ａおよび第２下部電極層２３０ｂを含む、下部電極層２３０が形成できる。
次に、レジスト５０４を除去した後、下部電極層２３０における透明導電層２３０２をマスクとしてエッチング（例えば、ドライエッチング）する。これにより、平坦化膜２２３において、第１下部電極層２３０ａと第２下部電極層２３０ｂとの間の領域２２３１ｇに、窪み部２２３ａを形成する（図１６（ｂ）を参照）。なお、本実施の形態に係る製造方法では、上記実施の形態３に係る製造方法と同様に、エッチング条件（例えば、エッチング時間など）を考慮することにより、窪み部２２３ａの側面２２３ｓの少なくとも一部が、下部電極層２３０における透明導電層２３０２の下方に入り込むようにすることができる。
本実施の形態に係る製造方法においても、平坦化膜２２３の窪み部２２３ａの形成においては、ドライエッチングによることに限定はされず、ウェットエッチングで行うことも可能である。
次に、図１６（ｃ）に示すように、下部電極層２３０における透明導電層２３０２上および平坦化膜２２３における窪み部２２３ａの底面上に対して、半導体性材料を堆積させて、半導体性層２４１を積層形成する。半導体性層２４１は、下部電極層２３０における透明導電層２３０２上の半導体性中間層２４１ａと、平坦化膜２２３の窪み部２２３ａの底面上の窪み部内形成層２４１ｂとを含む。なお、図１６（ｃ）に示すように、窪み部２２３ａの側面２２３ｓの少なくとも一部を下部電極層２３０における透明導電層２３０２の下方に入り込むようにしているので、半導体性材料を堆積させた状態で、窪み部２２３ａの側面２２３ｓの少なくとも一部で半導体性層２４１が確実に分断される。
次に、半導体性層２４１の上に、隔壁２４３を形成するための絶縁材料層を、例えば、スピンコート法などにより成膜し、フォトマスクを用い露光・現像することでパターニングを行う。その後に、洗浄液で洗浄を行うことで、図１７（ａ）に示すように、隔壁２４３を形成する。
次に、図１７（ｂ）に示すように、隔壁２４３で規定された領域に、インクジェット法により発光層２４２の材料を含む組成物インクを滴下し、乾燥させることで発光層２４２を形成する。さらに、発光層２４２の上に、電子注入層２４４、上部電極層２５０および封止層２５１を積層形成する。
ここで、発光層２４２の形成においても、上記実施の形態１，２，３に係る製造方法と同様に、上記インクジェット法の他に、例えば、ディスペンサ法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷法、あるいは凸版印刷法などを用いることもできる。また、組成物インクの乾燥では、真空乾燥および窒素雰囲気下乾燥を順に行うこととする。
また、電子注入層２４４の形成についても、上記実施の形態１，２，３に係る製造方法と同様に、例えば、真空蒸着法を用いることができ、上部電極層２５０の形成には、例えば、プラズマコーティング法を用いることができる。
以上のようにして、表示パネル１６の要部が完成する。
本実施の形態に係る表示パネル１６の製造方法においても、図１６（ｃ）に示すように、平坦化膜２２３における第１下部電極層２３０ａと第２下部電極層２３０ｂとの間に窪み部２２３ａを形成した状態で、半導体性層２４１を形成するので、シャドーイング効果により、窪み部２２３ａにおける側面２２３ｓの少なくとも一部において半導体性層２４１が形成されない領域が生じる（図１４の二点鎖線で囲む部分を参照）。このため、第１下部電極層１９０ａ上の半導体性中間層２０１ａと、これに隣接する窪み部内形成層２４１ｂとが、電気的に接続されない状態となる。第２下部電極層２３０ｂ上の半導体性中間層２４１ａと、これに隣接する窪み部内形成層２４１ｂとについても、同様である。
なお、上記の通り、本実施の形態では、窪み部２２３ａの側面２２３ｓの少なくとも一部が下部電極層２３０における透明導電層２３０２の下方に入り込むようにしているので、より確実に半導体性層２４１の分断ができる。
従って、表示パネル１６では、上記実施の形態３に係る表示パネル１４と同様に、第１下部電極層２３０ａと第２下部電極層２３０ｂとの間でのリーク電流をさらに確実に防止でき、クロストークが発生しない。
また、本実施の形態に係る製造方法においても、図１６（ａ）および図１６（ｂ）に示すように、下部電極層２３０における透明導電層２３０２を、平坦化膜２２３の窪み部２２３ａを形成する際のマスクとして用いている。よって、窪み部２２３ａの形成のために新たなマスクを用いなくてもよく、製造工程を簡略化することができ、製造コストの低減が可能となる。
なお、本実施の形態に係る表示パネル１６においても、平坦化膜２２３における窪み部２２３ａの深さを、窪み部２２３ａの底面上に形成する窪み部内形成層２４１ｂの膜厚（窪み部２２３ａの中央部での膜厚）よりも、深い様に構成されている。これは、窪み部内形成層２４１ｂが、半導体性中間層２４１ａあるいは下部電極層２３０との間で完全に分断されるようにするためである。
[その他の事項]
上記実施の形態１，２，３，４では、隔壁１２３，１６３，２０３，２４３について、所謂、ピクセルバンクを採用したが、必ずしもこれに限られない。例えば、図１８に示すように、所謂、ラインバンク構造の隔壁２６３を採用し、これにより、Ｘ軸方向でのサブピクセル１９ａ，１９ｂ，１９ｃの各発光層を区画することとしてもよい。
また、上記実施の形態１，２，３，４では、発光装置の一例として有機ＥＬ表示装置１，・・を採用したが、これに限定されるものではない。例えば、照明装置などにも適用することが可能である。
また、上記実施の形態４に係る下部電極層２３０の構成を、上記実施の形態１，２に係る下部電極層１１０，１５０の代わりに適用することも可能である。
さらに、上記実施の形態１，２，３，４では、下部電極層１１０，１５０，１９０，２３０が陽極であり、上部電極層１３０，１７０，２１０，２５０が陰極である構成を採用したが、陽極と陰極との位置が逆転した構成とすることもできる。
また、上記実施の形態１，２，３，４では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置としたが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置とすることもできる。
さらに、平坦化膜１０３，１４３，１８３，２２３の各窪み部１０３ａ，１４３ａ，１８３ａ，２２３ａの形状やサイズは、添付した図面に示すものに限定されるものではない。例えば、工程面で許容される場合には、窪み部の深さをより深くすることで、さらに確実に下部電極層間でのリーク電流を防止できる。
本発明は、クロストークの発生がなく、優れた発光性能を有する発光装置を実現するのに有用である。
１．有機ＥＬ表示装置
１０，１２，１４，１６，１８．表示パネル
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１９ａ，１９ｂ，１９ｃ．サブピクセル
２０．駆動制御部
２１，２２，２３，２４．駆動回路
２５．制御回路
３１．ソース信号配線
３２．電源配線
１００．基板
１０１．ＴＦＴ
１０１ａ．ソース
１０２．パッシベーション膜
１０３，１４３，１８３，２２３．平坦化膜
１０３ａ，１４３ａ，１８３ａ，２２３ａ．窪み部
１０４．コンタクトホール
１１０，１５０，１９０，２３０．下部電極層
１１０ａ，１５０ａ，１９０ａ，２３０ａ．第１下部電極層
１１０ｂ，１５０ｂ，１９０ｂ，２３０ｂ．第２下部電極層
１２０，１６０，２００，２４０．発光積層体
１２１，１６１，２０１，２４１．半導体性層
１２１ａ，１６１ａ，２０１ａ，２４１ａ．半導体性中間層
１２１ｂ，１６１ｂ，２０１ｂ，２４１ｂ．窪み部内形成層
１２２，１６２，２０２，２４２．発光層
１２２ａ，１６２ａ，２０２ａ，２４２ａ．第１発光層
１２２ｂ，１６２ｂ，２０２ｂ，２４２ｂ．第２発光層
１２３，１６３，２０３，２４３，２６３．隔壁
１２４，１６４，２０４，２４４．電子注入層
１３０，１７０，２１０，２５０．上部電極層
１３１，１７１，２１１，２５１．封止層
１４３ｓ，１８３ｓ，２２３ｓ．窪み部側面
５００，５０１，５０２，５０３，５０４．レジスト
１０３０，１０３１，１４３１，１８３１，２２３１．平坦化膜
１１００，１５００，１９００．金属膜
２３０１．金属層
２３０１ａ．第１金属層
２３０１ｂ．第２金属層
２３０２．透明導電層
２３０２ａ．第１透明導電層
２３０２ｂ．第２透明導電層
２３０３．金属膜
２３０４．透明導電膜

Claims (16)

  1. 基板の上方に形成され、窪み部を有する平坦化膜と、
    前記平坦化膜上であって前記窪み部の形成領域外に形成された第１下部電極層と、
    前記平坦化膜上であって前記窪み部の形成領域外に前記窪み部を挟んで前記第１下部電極層と隣接して形成された第２下部電極層と、
    前記第１下部電極層および前記第２下部電極層の上方に形成された半導体性中間層と、
    前記第１下部電極層の端部、前記第１下部電極層と隣接する前記第２下部電極層の端部、および前記平坦化膜の窪み部を覆って形成された隔壁と、を具備し、
    前記平坦化膜の窪み部は、前記第１下部電極層および前記第２下部電極層との間で、前記平坦化膜の他の上面よりも沈下し、
    前記平坦化膜の窪み部の上面には、前記半導体性中間層と同一材料の層が形成されており、
    前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層と同一材料の層の端部の膜厚は、前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層と同一材料の層の中央部の膜厚よりも薄い
    発光装置。
  2. 基板の上方に形成され、窪み部を有する平坦化膜と、
    前記平坦化膜上であって前記窪み部の形成領域外に形成された第１下部電極層と、
    前記平坦化膜上であって前記窪み部の形成領域外に前記窪み部を挟んで前記第１下部電極層と隣接して形成された第２下部電極層と、
    前記第１下部電極層および前記第２下部電極層の上方に形成された半導体性中間層と、
    前記第１下部電極層の端部、前記第１下部電極層と隣接する前記第２下部電極層の端部、および前記平坦化膜の窪み部を覆って形成された隔壁と、を具備し、
    前記平坦化膜の窪み部は、前記第１下部電極層および前記第２下部電極層との間で、前記平坦化膜の他の上面よりも沈下し、
    前記平坦化膜の窪み部の上面には、前記半導体性中間層と同一材料の層が形成されており、
    前記窪み部の側面は、前記半導体性中間層と同一材料の層が形成されていない領域を有し、
    前記半導体性中間層と、前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層と同一材料の層とは、前記窪み部の側面において前記半導体性中間層と同一材料の層が形成されていない領域により分断されている
    発光装置。
  3. 前記窪み部の側面は、前記第１下部電極層および前記第２下部電極層の各々の下方に入り込んだ形状である
    請求項２に記載の発光装置。
  4. 前記第１下部電極層には、前記半導体性中間層側に第１透明導電膜による層が含まれ、
    前記第２下部電極層には、前記半導体性中間層側に第２透明導電膜による層が含まれ、
    前記半導体性中間層は、前記第１透明導電膜による層上および前記第２透明導電膜による層上に形成されている
    請求項１から請求項３の何れか１項に記載の発光装置。
  5. 前記基板と前記平坦化膜との間には、ＴＦＴ層が形成され、
    前記平坦化膜は、前記ＴＦＴ層上に形成されている
    請求項１から請求項４の何れか１項に記載の発光装置。
  6. 前記第１下部電極層の上方であって前記半導体性中間層上に形成された第１発光層と、
    前記第２下部電極層の上方であって前記半導体性中間層上に形成された第２発光層と、を具備し、
    前記隔壁は、前記第１発光層と前記第２発光層とを区画する
    請求項１から請求項４の何れか１項に記載の発光装置。
  7. 前記第１発光層および前記第２発光層の上方に形成された上部電極層を具備する
    請求項６に記載の発光装置。
  8. 前記上部電極層は、陰極層である
    請求項６に記載の発光装置。
  9. 前記第１下部電極層および前記第２下部電極層は、陽極層であり、
    前記半導体性中間層は、正孔注入層である
    請求項１から請求項８の何れか１項に記載の発光装置。
  10. 前記窪み部の深さは、前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層と同一材料の層の中央部の膜厚よりも大きい
    請求項１から請求項９の何れか１項に記載の発光装置。
  11. 基板を準備する第１工程と、
    前記基板の上方に平坦化膜を形成する第２工程と、
    前記平坦化膜上に第１下部電極層と第２下部電極層とを形成する第３工程と、
    前記第１下部電極層と前記第２下部電極層との上にレジストを形成する第４工程と、
    前記第１下部電極層と前記第２電極層との間の、前記レジストが形成されていない前記平坦化膜の領域をエッチングすることにより、前記レジストが形成されていない前記平坦化膜の領域の前記平坦化膜の上面が、前記平坦化膜の他の上面よりも沈下した窪み部を形成する第５工程と、
    前記第１下部電極層上、前記第２下部電極層上、および前記窪み部の底面上に半導体性中間層を形成する第６工程と、を含み、
    前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層の端部の膜厚を、前記平坦化膜の窪み部の上面に形成された前記半導体性中間層の中央部の膜厚よりも薄く形成する
    発光装置の製造方法。
  12. 基板を準備する第１工程と、
    前記基板の上方に平坦化膜を形成する第２工程と、
    前記平坦化膜上に第１下部電極層と第２下部電極層とを形成する第３工程と、
    前記第１下部電極層および前記第２下部電極層自体をマスクとして、前記第１下部電極層と前記第２下部電極層との間の前記平坦化膜の領域をエッチングすることにより、前記第１下部電極層と前記第２下部電極層との間の前記平坦化膜の領域に、前記平坦化膜の他の上面よりも沈下した窪み部を形成する第４工程と、
    前記第１下部電極層上、前記第２下部電極層上、および前記窪み部の底面上に半導体性中間層を形成する第５工程と、を含み、
    前記窪み部の側面は、前記半導体性中間層が形成されていない領域を有し、
    前記半導体性中間層を、前記窪み部の側面において前記半導体性中間層が形成されていない領域により分断する
    発光装置の製造方法。
  13. 前記第４工程において、
    前記第４工程のエッチングにより、前記第１下部電極層と前記第２下部電極層との間の前記平坦化膜に形成された窪み部は、その側面が前記第１下部電極層および前記第２下部電極層の各々の下方に入り込んだ形状である
    請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
  14. 前記エッチングは、ドライエッチングである
    請求項１２または請求項１３に記載の発光装置の製造方法。
  15. 前記第１下部電極層には、前記半導体性中間層側に第１透明導電膜による層が含まれ、
    前記第２下部電極層には、前記半導体性中間層側に第２透明導電膜による層が含まれ、
    前記第６工程において、前記半導体性中間層は、前記第１透明導電膜による層上および前記第２透明導電膜による層上に形成される
    請求項１１に記載の発光装置の製造方法。
  16. 前記第１下部電極層には、前記半導体性中間層側に第１透明導電膜による層が含まれ、
    前記第２下部電極層には、前記半導体性中間層側に第２透明導電膜による層が含まれ、
    前記第５工程において、前記半導体性中間層は、前記第１透明導電膜による層上および前記第２透明導電膜による層上に形成される
    請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
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