JP3599964B2 - 発光ディスプレイ及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 33
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 73
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 23
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 16
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機EL(Electro Luminecsence)等を含む発光ディスプレイ及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、ガラス板、あるいは透明な有機フィルム上に形成した蛍光体に電流を流して発光させる有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ(以下、有機ELディスプレイと称する)が知られている。有機ELディスプレイは、例えば図4に示すように、ガラス透明基板101上に、ITO等の複数の陽極となる透明電極層102、正孔輸送層及び発光層からなる有機層104、透明電極層102に交差する複数の陰極となる金属電極層105を順に蒸着積層して形成される。有機層104を挾持して互いに対向し対をなす透明電極層102及び金属電極層105とによって有機EL発光ディスプレイとなる発光部が形成され、透明電極層102及び金属電極層105の各々が互いに対向して交差する交差領域部の発光部を1単位として1画素が形成される。
【0003】
また、電気抵抗の高い透明電極層102の導電性を補うために、金属膜からなる低抵抗部のバスライン103が透明電極層102及び有機層104間の一部に積層されている。このような構成の有機ELディスプレイでは、電極層がマトリクス状に配列されていることになる。
【0004】
金属電極層105には、アルミニウム、マグネシウム、インジウム、銀又は各々の合金等の仕事関数が小さな金属(例えば、Al−Li合金)が用いられ、透明電極層102にはITO等の仕事関数の大きな導電性材料又は金等が用いられる。
なお、金を電極材料として用いた場合には、電極は半透明の状態となる。
【0005】
透明電極層102及び有機層104間の一部に積層されるバスライン103には、Cr、Al、MoとTaの合金、AlとCuとSiの合金等が用いられる。
【0006】
このような発光ディスプレイの製造にあたっては、表示面が大きくなればなるほどゴミや傷等の付着発生の確率が高くなり、製造時の歩留まりの悪化の大きな要因となってきている。
【0007】
ゴミ等の異物が介在した場合及び傷が発生した場合の発光ディスプレイの断面を図5に示す。同図で示されているように傷107が発生したところでは有機層の成膜が不完全なものとなり、有機層の傷付近で成膜が不十分であった部分に金属電極層が直接透明電極層に成膜され、透明電極層102の陽極と金属電極層105の陰極がショート(短絡)したり、ショートまではいたらなくても、透明電極層102と金属電極層105の間の有機層104が極度に薄く成膜され、発光電流の集中をもたらしたりしていた。
また、異物106が介在する場合も同様にショート、リークの問題があった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように有機ELディスプレイでは、透明電極上に凹部状の傷があったり、ゴミが付着していたりすると、その部分の成膜が不十分となり透明電極上に積層される有機層が薄く形成される。特に蒸着による成膜の場合は、ゴミ等により凸部が形成されるとその凸部側面は蒸着されにくく、十分な成膜が行われな
い。また、有機層の薄い部分では他の部分に比べ陰極と陽極が近接するため、電流が集中しやすく、よって陰極と陽極のショート(短絡)を生じるという問題があった。
本発明は上記の問題点に鑑みなされたものであって、陰極と陽極間のショートを防止し信頼性の高い発光ディスプレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の請求項1に記載の発明は、透明基板上に少なくとも透明電極層、発光層、金属電極層が順次積層されてなる発光ディスプレイであって、透明電極層の発光層と接する面において、異物が付着した部分又は破損した部分に絶縁膜を被覆したことを特徴とする。
【0010】
また、請求項2に記載の発明は、透明基板上に少なくとも透明電極層、発光
層、金属電極層が順次積層されてなる発光ディスプレイであって、基板上に透明電極層を形成した状態において、透明電極表面の異物が付着した部分又は破損した部分に絶縁膜を被膜したことを特徴とする。
【0011】
また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の発光ディスプレイであって、発光層及び金属電極層は蒸着により積層されることを特徴とする。
【0012】
また、請求項4に記載の発明は、請求項1又は2に記載の発光ディスプレイであって、発光層は有機化合物を含んでなることを特徴とする。
【0013】
また、請求項5に記載の発明は、透明基板上に少なくとも透明電極層、発光
層、金属電極層が順次積層されてなる発光ディスプレイの製造方法であって、基板上に透明電極層を形成する工程の後、透明電極表面の異物が付着した部分又は破損した部分に絶縁膜を被膜する工程を行うことを特徴とする。
【0014】
また、請求項6に記載の発明は、透明基板上に少なくとも透明電極層、発光
層、金属電極層が順次積層されてなる発光ディスプレイの製造方法であって、基板上に透明電極層を形成する工程の後、少なくとも透明電極上に感光性絶縁材料を被膜する工程と、該感光性絶縁材料に透明基板を通じて光を照射する工程と、現像処理の工程を順次行うことにより、透明電極表面の異物が付着した部分又は破損した部分に絶縁膜を被膜することを特徴とする。
【0015】
また、請求項7に記載の発明は、透明基板上に少なくとも透明電極層、発光
層、金属電極層が順次積層されてなる発光ディスプレイの製造方法であって、基板上に透明電極層を形成する工程の後、少なくとも透明電極上に非感光性絶縁材料と感光性フォトレジストを順次被膜する工程と、該感光性フォトレジストに透明基板を通じて光を照射する工程と、現像により感光性フォトレジストの光が照射された部分を除去する工程と、非感光性絶縁材料上の感光性フォトレジストが除去されたことにより露出された部分をエッチングにより除去する工程とを行うことで、透明電極表面の異物が付着した部分及び破損した部分に絶縁膜を被膜することを特徴とする。
【0016】
また、請求項8に記載の発明は、請求項5乃至は7のいずれか一に記載の発光ディスプレイの製造方法であって、絶縁膜を被膜した工程の後、発光層及び金属電極層を順次蒸着により積層することを特徴とする。
【0017】
また、請求項9に記載の発明は、請求項5乃至は8のいずれか一に記載の発光ディスプレイの製造方法であって、発光層は有機化合物を含んでなることを特徴とする。
【0018】
【作用】
本発明では、発光ディスプレイにおいてゴミや傷等があってもその部分を含んで絶縁膜で被覆することにより、陰極と陽極間のショートを防止することができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を図1を参照しつつ説明する。
図1は、発光ディスプレイである有機ELディスプレイを構成する各層の構成を示し、ゴミ等による異物の介在や、傷等が発生した部分の断面を示している。
【0020】
図1に示すように、有機ELディスプレイは、ガラス透明基板101上に、第1の電極となるITO等の複数の透明電極層102、有機層104、透明電極層102に交差する複数の第2の電極となる金属電極層105を順に蒸着積層して形成される。有機層104を挾持して互いに対向し対をなす透明電極層102及び金属電極層105とによって有機EL発光ディスプレイとなる発光部が形成され、透明電極層102及び金属電極層105の各々が互いに対向して交差する交差領域部の発光部を1単位として1画素が形成される。
【0021】
また、電気抵抗の高い透明電極層102の導電性を補うために、透明電極層102より仕事関数の大きな金属膜からなりかつ透明電極層102の幅より細幅の低抵抗部の図示しないバスラインが透明電極層102及び有機層104間の一部に積層されている。
【0022】
金属電極層105には、アルミニウム、マグネシウム、インジウム、銀又は各々の合金等の仕事関数が小さな金属(例えば、Al−Li合金)を用いる。ま
た、透明電極層102には、ITO等の仕事関数の大きな導電性材料又は金等を用いることができる。なお、金を電極材料として用いた場合には、電極は半透明の状態となる。
【0023】
図1では、透明電極層102上に、傷107が発生した場合と、ゴミ等の異物106が付着した場合の部分断面を示している。本発明では、この傷107及び異物106の場所を覆うように絶縁膜108を被膜形成する。
【0024】
ここで、絶縁膜を感光性絶縁材料で形成する場合について図2を参照して説明する。図2(a)は、絶縁膜が完成した状態の断面を示している。先ず図2
(b)に示すように、ガラス透明基板101上にITO等からなる透明電極層102を蒸着等により成膜した後、透明電極層102上に感光性絶縁材料、例えばポリイミド樹脂からなるポジ型感光性樹脂111をスピンコート等により被膜する。
【0025】
次に、ポジ型感光性樹脂111にガラス透明基板101、透明電極層102を通じて光を照射した後、現像処理を行う。基板を通じた照射を行うと、ゴミ、傷自身が光を遮断することになるのでその付近の絶縁材料は感光しない。よって、図2(c)の斜線で示した部分が傷107及び異物106のためにポジ型感光性樹脂111が未感光あるいは不完全感光となった部分となる。この後、ポジ型感光性樹脂111は透明電極表面の異物が付着した部分又は破損した部分及びその周辺を除いて現像除去され、ポジ型感光性樹脂111による絶縁膜108が透明電極表面の異物が付着した部分又は破損した部分及びその周辺に残り(図2
(d))絶縁膜による被膜を形成することができる。
【0026】
次に絶縁膜を非感光性絶縁材料で形成する場合について図3を参照して説明する。図3(a)は、絶縁膜が完成した状態の断面を示している。先ず図3
(b)に示すように、ガラス透明基板101上にITO等からなる透明電極層102を蒸着等により成膜した後、透明電極層102上に非感光性絶縁材料、例えばSiO2 をスパッタ等により被膜して絶縁膜108を積層し、その後ポジ型のフォトレジスト112をスピンコート等により被膜する(図3(c))。
次に、フォトレジスト112にガラス透明基板101、透明電極層102、絶縁膜108を通じて光を照射した後、現像処理を行う。
【0027】
基板を通じた照射を行うと、ゴミ、傷自身が光を遮断することになり、その付近の絶縁材料は感光しない。よって、図3(c)の斜線で示した部分が傷107及び異物106のためにフォトレジスト112が未感光あるいは不完全感光となった部分となる。次に、フォトレジスト112は透明電極表面の異物が付着した部分又は破損した部分及びその周辺を除いて現像除去され、フォトレジスト112が絶縁膜108の上に傷107又は異物106を含む部分に残る(図3
(d))。この残ったフォトレジスト112をマスクとして非感光性絶縁材料の絶縁膜108をエッチングして傷107及び異物106の部分の絶縁膜108を残して他の部分の絶縁膜を除去する(図3(e))。
最後に、残ったフォトレジスト112を除去して絶縁膜108が形成される
(図3(f))。
【0028】
このようにして絶縁膜を形成した後に、有機層104、金属電極層105を順次蒸着形成することで、ゴミや傷等によって成膜で発生する陽極と陰極のショートを防止し、発光ディスプレイの製造時の歩留まりを向上することができる。
【0029】
なお、非感光性絶縁材料による絶縁膜を用いた場合は絶縁性感光レジストを用いた場合に比べ、製造プロセスが増えるが、絶縁膜の材料の選定幅が広くなるという利点がある。
【0030】
次に、具体的に絶縁性感光レジストを用いた有機ELディスプレイを作製し
た。
先ず、陽極となる透明電極のストライプ状にITO(インジウム錫酸化物)がパターニングされたガラス基板を十分洗浄し、洗浄したガラス基板上に絶縁性感光樹脂である感光性ポリイミドを0.5μmの厚さにスピンコートした。次にホットプレートにてプリベークを行い、その後ガラス基板の背面、すなわち感光性ポリイミドと反対側から光照射を行うことで背面露光を行った。
【0031】
上記露光が完了した基板を現像処理し、不要な部分の感光性ポリイミドを除去した。
【0032】
こうして得られた絶縁膜を有する基板の上に有機層を蒸着形成し、さらにその上に金属電極となるアルミニウムAlを0.1μmの厚さで蒸着しストライプ状の陰極を形成し、最後に封止を行い256×64ドットの有機ELディスプレイを得た。
【0033】
このようにして作製した有機ELディスプレイを従来の製法で作製した有機ELディスプレイと比較した結果、従来の製法では、ショートが原因の不良ドットが31ドットあったのに対して、全てのドットが正常に発光することが確認できた。
【0034】
同様に、非感光性絶縁材料による絶縁膜を用いた有機ELディスプレイを具体的に作製した。
先ず、陽極となる透明電極のストライプ状にITO(インジウム錫酸化物)がパターニングされたガラス基板を十分洗浄し、洗浄したガラス基板上に非感光性絶縁材料であるSiO2 を0.5μmの厚さでスパッタにより成膜し、その上にポジ型フォトレジストをスピンコートにより1μmの厚さで塗布して、ホットプレートにてプリベークした。
【0035】
次に、ガラス基板の背面、すなわちフォトレジストと反対側から光照射を行うことで背面露光を行い、露光が完了した基板を現像処理することで、不要な部分のフォトレジストを除去した。
【0036】
このSiO2 の絶縁膜上に残ったフォトレジストをマスクとして絶縁膜をドライエッチングすることによりゴミや傷等の部分に選択的に絶縁膜を形成し、フォトレジストを酸素プラズマにより剥離除去した。
【0037】
こうして得られた絶縁膜を有する基板の上に有機層を蒸着形成し、さらにその上に金属電極となるアルミニウムAlを0.1μmの厚さで蒸着しストライプ状の陰極を形成し、最後に封止を行い256×64ドットの有機ELディスプレイを得た。
【0038】
このように作製した有機ELディスプレイでも上述した絶縁性感光レジストを用いた場合と同様に全てのドットが正常な発光をなすことが確認できた。
【0039】
なお、上述の説明では発光ディスプレイは有機ELディスプレイとして説明したが、本発明は他の例えば無機ELディスプレイ等、薄膜構成の発光ディスプレイにおいて有効であり、有機ELディスプレイに限定されるものではない。
【0040】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、発光ディスプレイにおいてゴミや傷等があってもその部分を含んで絶縁膜で被覆することにより、陰極と陽極間のショートを防止することができ、信頼性の高い発光ディスプレイ及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明における有機ELディスプレイの部分断面構造を示す図である。
【図2】本発明における絶縁膜の製法を示す図である。
【図3】本発明における絶縁膜の他の製法を示す図である。
【図4】有機ELディスプレイの構造を示す図である。
【図5】従来の有機ELディスプレイにおけるゴミ等の異物が介在した場合及び傷が発生した場合の部分断面構造を示す図である。
【符号の説明】
101 ・・・・ ガラス透明基板
102 ・・・・ 透明電極層(陽極)
103 ・・・・ バスライン
104 ・・・・ 有機層(発光層)
105 ・・・・ 金属電極層(陰極)
106 ・・・・ 異物
107 ・・・・ 傷
108 ・・・・ 絶縁膜
111 ・・・・ ポジ型感光性樹脂
112 ・・・・ フォトレジスト
Claims (9)
- 透明基板上に少なくとも透明電極層、発光層、金属電極層が順次積層されてなる発光ディスプレイであって、
前記透明電極層の前記発光層と接する面において、異物が付着した部分又は破損した部分に絶縁膜を被覆したことを特徴とする発光ディスプレイ。 - 透明基板上に少なくとも透明電極層、発光層、金属電極層が順次積層されてなる発光ディスプレイであって、
前記基板上に前記透明電極層を形成した状態において、前記透明電極表面の異物が付着した部分又は破損した部分に絶縁膜を被膜したことを特徴とする発光ディスプレイ。 - 前記発光層及び金属電極層は蒸着により積層されることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光ディスプレイ。
- 前記発光層は有機化合物を含んでなることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光ディスプレイ。
- 透明基板上に少なくとも透明電極層、発光層、金属電極層が順次積層されてなる発光ディスプレイの製造方法であって、
前記基板上に前記透明電極層を形成する工程の後、前記透明電極表面の異物が付着した部分又は破損した部分に絶縁膜を被膜する工程を行うことを特徴とする発光ディスプレイの製造方法。 - 透明基板上に少なくとも透明電極層、発光層、金属電極層が順次積層されてなる発光ディスプレイの製造方法であって、
前記基板上に前記透明電極層を形成する工程の後、少なくとも前記透明電極上に感光性絶縁材料を被膜する工程と、
該感光性絶縁材料に前記透明基板を通じて光を照射する工程と、
現像処理の工程を順次行うことにより、前記透明電極表面の異物が付着した部分又は破損した部分に絶縁膜を被膜することを特徴とする発光ディスプレイの製造方法。 - 透明基板上に少なくとも透明電極層、発光層、金属電極層が順次積層されてなる発光ディスプレイの製造方法であって、
前記基板上に前記透明電極層を形成する工程の後、少なくとも前記透明電極上に非感光性絶縁材料と感光性フォトレジストを順次被膜する工程と、
該感光性フォトレジストに前記透明基板を通じて光を照射する工程と、
現像により前記感光性フォトレジストの光が照射された部分を除去する工程
と、
前記非感光性絶縁材料上の前記感光性フォトレジストが除去されたことにより露出された部分をエッチングにより除去する工程とを行うことで、
前記透明電極表面の異物が付着した部分及び破損した部分に絶縁膜を被膜することを特徴とする発光ディスプレイの製造方法。 - 前記絶縁膜を被膜した工程の後、前記発光層及び金属電極層を順次蒸着により積層することを特徴とする請求項5乃至は7のいずれか一に記載の発光ディスプレイの製造方法。
- 前記発光層は有機化合物を含んでなることを特徴とする請求項5乃至は8のいずれか一に記載の発光ディスプレイの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21797197A JP3599964B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 発光ディスプレイ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21797197A JP3599964B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 発光ディスプレイ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1154286A JPH1154286A (ja) | 1999-02-26 |
JP3599964B2 true JP3599964B2 (ja) | 2004-12-08 |
Family
ID=16712609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21797197A Expired - Lifetime JP3599964B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | 発光ディスプレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3599964B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001126865A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-05-11 | Fuji Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法 |
TWI270919B (en) * | 2002-04-15 | 2007-01-11 | Semiconductor Energy Lab | Display device and method of fabricating the same |
KR100722100B1 (ko) * | 2005-10-31 | 2007-05-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광소자 및 그 제조방법 |
KR100759663B1 (ko) | 2005-11-08 | 2007-09-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광표시장치 및 그 제조방법 |
JP5173985B2 (ja) | 2009-11-05 | 2013-04-03 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイの製造方法 |
CN102334384B (zh) | 2010-02-22 | 2015-01-28 | 松下电器产业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
US8963415B2 (en) | 2010-11-15 | 2015-02-24 | Panasonic Corporation | Organic EL element, display panel, and display device |
JP5860677B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2016-02-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子、発光素子の作製方法、及び照明装置 |
JP2015109136A (ja) * | 2012-03-14 | 2015-06-11 | 旭硝子株式会社 | 有機led素子、透光性基板、および透光性基板の製造方法 |
JP5994139B2 (ja) * | 2012-06-21 | 2016-09-21 | 株式会社Joled | 有機el表示装置およびその製造方法 |
CN104756274B (zh) | 2012-09-18 | 2017-06-09 | 荷兰应用自然科学研究组织Tno | 电光器件堆叠体 |
JP6049556B2 (ja) | 2013-07-01 | 2016-12-21 | 株式会社東芝 | 太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法 |
FR3037723B1 (fr) * | 2015-06-16 | 2019-07-12 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de realisation d'un empilement du type premiere electrode / couche active / deuxieme electrode. |
KR102317821B1 (ko) * | 2015-07-29 | 2021-10-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 |
-
1997
- 1997-07-29 JP JP21797197A patent/JP3599964B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1154286A (ja) | 1999-02-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040907 |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080924 Year of fee payment: 4 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090924 Year of fee payment: 5 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100924 Year of fee payment: 6 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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