JP2001126865A

JP2001126865A - 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法

Info

Publication number: JP2001126865A
Application number: JP30157799A
Authority: JP
Inventors: Makoto Uchiumi; 誠内海; Yotaro Shiraishi; 洋太郎白石
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 1999-10-22
Filing date: 1999-10-22
Publication date: 2001-05-11

Abstract

(57)【要約】【課題】従来のパターニング方法における種々の問題
点を解消して、ショートや劣化を引き起こすことなく有
機ＥＬ層および陰極のパターニングを行うことができ、
良好な素子性能を有する有機ＥＬ素子を得ることができ
る有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの
製造方法を提供する。【解決手段】基板１と、該基板１上に形成された複数
の第一電極２と、該第一電極２を被覆する有機エレクト
ロルミネッセンス層３と、該有機エレクトロルミネッセ
ンス層３上に形成された複数の第二電極４とを有し、該
第一電極２と、該エレクトロルミネッセンス層３と、該
第二電極４との重なった部分を夫々発光画素とする有機
エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方
法である。有機エレクトロルミネッセンス層３の少なく
とも１層を隣接する発光画素間で分断することなく形成
する工程と、第二電極４を複数の開口部を有するシャド
ーマスクを用いて形成する工程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、情報機器用モノク
ロまたはカラーディスプレイ、標識、テレビジョンな
ど、種々の表示機器として用いられる有機エレクトロル
ミネッセンス（以下、「有機ＥＬ」とも称する）ディス
プレイパネルの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、有機物層を含む発光デバイスであ
る有機エレクトロルミネッセンス素子が注目されてお
り、ディスプレイ等への利用に向けて研究が進められて
いる。有機発光素子は全固体の自発発光素子として、高
輝度、低電圧、高発光応答性といった特徴を活かした高
視認性ディスプレイとして注目を集めている。有機ＥＬ
素子は、一般に、基板上に第一電極と、有機ＥＬ層と、
第二電極とを積層した構造を最低限有しており、かかる
第一電極と第二電極との間に直流電圧を印可して有機Ｅ
Ｌ媒体に直流電流を通電することで、所望の発光を得る
ものである。

【０００３】一般に、有機ＥＬ素子の製造過程におい
て、有機ＥＬ層や第二電極をフォトリソグラフ工程によ
りマイクロパターニングすることは、材料の耐熱性や耐
溶剤性、耐湿性の低さのために困難である。そこで、蒸
着マスクを用いたパターニング方法が種々提案されてお
り、例えば、特開平８−３１５９８１号公報には、基板
上に第一表示電極を形成した後、この第一電極と直交す
る方向にオーバーハング部を有する電気絶縁性の隔壁を
形成して、有機ＥＬ層および第二電極を蒸着する方法が
記載されている。この方法によれば、隔壁のオーバーハ
ング部により形成された影の部分には第二電極材料は蒸
着形成されず、互いに絶縁された複数の第二電極を形成
することができる。

【０００４】また、蒸着マスクを隔壁の上面に載置し
て、有機ＥＬ層をその開口部を介して第一電極上に堆積
させ、隣接する第一電極上に順次成膜を繰り返すことに
より、異なる有機ＥＬ材料の塗り分けを行うことが可能
であることも提案されている。

【０００５】さらに、特開平１０−３１９８７０号公報
には、一枚のシャドーマスクのみを用いて有機ＥＬ層お
よび陰極をパターニングする方法が示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
隔壁を形成して有機ＥＬ層および第二電極をパターニン
グする方法においては、隔壁により有機ＥＬ層および第
二電極材料の不連続な面が形成されるため、隔壁の端部
と形成された有機ＥＬ層又は第二電極層との間から、雰
囲気中の水分等、有機ＥＬ素子の表示性能を低下させる
因子が層中に浸入する場合があった。また、隔壁材料が
含有している残留溶剤や水分等が有機ＥＬ層中に浸入す
ることにより、素子の表示性能を低下させるという問題
もあった。

【０００７】さらに、隔壁近傍では被着粒子の流れが遮
られるために、有機層や陰極の膜厚が急激に変化する。
即ち、各材料により隔壁近傍での回り込みの具合が異な
ることや、隔壁形状の不良のため回り込みの異常な個所
が発生するといった欠陥のために、隔壁近傍においては
陽極と陰極との間の短絡が発生しやすく、また、有機層
の膜厚の小さな部位に電流が集中する結果、非発光部位
が発生、成長するという問題点も存在していた。

【０００８】これら問題点を防止するためには、有機層
を十分に回り込んで形成させるための成膜方法の工夫
や、隔壁の下部に短絡を防ぐための保護膜を形成する必
要があるが、大面積にわたり欠陥の発生を防ぐことは困
難であった。

【０００９】一方、特開平１０−３１９８７０号公報に
開示されているように、シャドーマスクのみでパターニ
ングを行った場合には、基板とシャドーマスクとの密着
性やギャップ調整の不良により、被着粒子の回り込みが
発生する。このため、特に、開口部が大きなマスクを用
いた場合には、マスク強度が不足してマスクが撓む等の
問題により、粒子の回り込みが著しくなり、高精細なパ
ターンの作製は困難であった。また、基板とシャドーマ
スクとを強制的に密着させた場合には、マスクとの接触
により有機ＥＬ層が傷つき、開口部や膜厚の小さな部分
が形成されて第一電極と第二電極とのショートが発生す
るという問題も生じていた。

【００１０】そこで本発明の目的は、上述のような従来
のパターニング方法における種々の問題点を解消して、
ショートや劣化を引き起こすことなく有機ＥＬ層および
陰極のパターニングを行うことができ、良好な素子性能
を有する有機ＥＬ素子を得ることができる有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法を提供
することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法
は、基板と、該基板上に形成された複数の第一電極と、
該第一電極を被覆する有機エレクトロルミネッセンス層
と、該有機エレクトロルミネッセンス層上に形成された
複数の第二電極とを有し、該第一電極と、該エレクトロ
ルミネッセンス層と、該第二電極との重なった部分を夫
々発光画素とする有機エレクトロルミネッセンスディス
プレイパネルの製造方法において、前記有機エレクトロ
ルミネッセンス層の少なくとも１層を隣接する発光画素
間で分断することなく形成する工程と、前記第二電極を
複数の開口部を有するシャドーマスクを用いて形成する
工程とを含むことを特徴とするものである。

【００１２】本発明の製造方法においては、前記第二電
極の形成位置を、前記シャドーマスクの開口部と前記基
板との相対的な位置合わせにより決定することが好まし
く、また、前記第二電極の形成工程を、前記シャドーマ
スクの開口部を介して第二電極材料を堆積させる工程
と、該シャドーマスク又は前記基板を該開口部と該基板
との相対的な位置合わせにより移動せしめる工程とを順
次繰り返すことにより行うことも好ましい。

【００１３】また、前記シャドーマスクの厚さが、前記
シャドーマスクの開口部の幅よりも大きいことが好まし
い。これにより、被着粒子の方向を制限することがで
き、シャドーマスク強度および精度の向上を図ることが
可能となる。さらに、前記シャドーマスクの開口部の幅
が、厚さ方向に変化していることも好ましい。これによ
っても開口部の一部分を狭めて被着粒子の方向を制限す
ることができ、上記と同様の効果が得られる。

【００１４】さらにまた、第二電極材料の蒸発源と前記
シャドーマスクとの間にコリメーターを設置しているこ
とが好ましい。これにより、蒸発源からの被着粒子のう
ち、基板に対してほぼ垂直な成分のみを取り出すことが
でき、高精細パターンの作製が可能となる。

【００１５】さらに、本発明においては、前記第二電極
の形成工程を、開口部の位置が異なる複数のシャドーマ
スクを用いて第二電極材料を堆積させる工程を複数回繰
り返すことにより行うことも好ましい。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。一般に、有機ＥＬデ
ィスプレイパネルは、マトリクス状に配置された複数の
発光画素を有しており、夫々の画素が赤、青、緑を表示
する場合や、同一色を表示する場合を考えることができ
る。以下の説明では、典型的な積層型低分子系有機ＥＬ
ディスプレイパネルを例に挙げるが、有機ＥＬ層の材
料、形成法等はこの限りではない。

【００１７】図１に示す本発明に係る一構成例としての
有機ＥＬディスプレイパネルは、基板１上に第一電極２
と、有機ＥＬ層３と、第二電極４とが積層された構成を
基本構造とする。図示するように、基板１上には、ＩＴ
Ｏなどからなる複数の第一電極２を互いに平行な複数の
ストライプ状に配列させて形成する。基板１としては、
ガラス基板やフレキシブル基板、カラーフィルターや色
変換材料が形成された基板等を用いることができる。ま
た、第一電極２に用いる材料としては、透明導電性材料
としてＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物や酸化スズなどが
挙げられるほか、第二電極３を透明電極とする場合に
は、第一電極材料としてＡｌ、Ｌｉ、Ｍｇまたはこれら
の合金を用いることができる。さらに、第一電極２は、
複数の導電性材料の積層により形成してもよい。

【００１８】第一電極２が基板１に接する部分の角度
（テーパー角度）は、小さい方が好ましい。電極端部
の、基板に接する部分の角度が鋭角なほど、電界集中の
生じにくい素子の形成が可能であり、また、素子の封止
を行う際にも、外部からの水や酸素などの浸入を防ぐこ
とが可能である。

【００１９】また、基板１の辺部には、外部駆動回路と
第一電極２および第二電極４とを接続するための端子パ
ッド（図示せず）を形成する。端子パッドの材料は、第
一電極２と同一か、あるいは異なっていてもよく、抵抗
が低く、外気に対して安定な材料であることが好まし
い。第一電極２と端子パッドの形成順は問わない。尚、
端子パッドと第一電極２とは、バスラインを形成するな
どして接続してもよい。

【００２０】第一電極２上には、電気絶縁膜を形成する
などして、発光領域を明確に規定することもできる。電
気絶縁膜としては、例えばＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４等の無
機膜や、ポリイミドなどの有機膜を用いることができ
る。

【００２１】尚、第一電極２を形成した後の基板１に対
しては、有機ＥＬ層を形成する前に紫外線照射処理やプ
ラズマ処理等を行ってもよい。

【００２２】次に、表面処理された第一電極付き基板を
成膜室に移送して、この基板上に有機ＥＬ層３を連続的
に形成する。有機ＥＬ層３には既知のものを用いること
ができ、例えば、有機発光層の単一層や、有機正孔輸送
層、有機発光層および有機電子輸送層の３層構造の媒
体、または、有機正孔輸送層および有機発光層の２層構
造等とすることができる。本発明においては、有機ＥＬ
層のうちの少なくとも１層を、表示領域においてベタ状
に、即ち、隣接する発光画素間で分断することなく形成
することにより、第一電極２上を保護して、ショートや
非発光領域の発生を防ぐことができる。好ましくは、第
一電極に接する層、または、第二電極に接する層を連続
状に形成する。

【００２３】有機ＥＬ材料を表示領域にベタ状に成膜し
た場合、単色の発光が得られるが、色変換層を形成した
基板上に発光層を形成することにより、３元色発光が可
能となる。また、シャドーマスクを用いて発光層を塗り
分けることによっても、３元色発光が可能である。

【００２４】有機ＥＬ層３に用いる材料としては、例え
ば、銅（Ｃｕ）フタロシアニン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ’−ビス（３メチルフェニル）−１，１’−ビ
フェニル−４，４’−ジアミン、トリス（８−キノリノ
ール）アルミニウムなどが挙げられるが、これらに限定
されるものではない。

【００２５】次に、本発明に係る第二電極４の形成工程
について詳しく説明する。上述のようにして第一電極２
および有機ＥＬ層３を形成した基板１を、第二電極を形
成するための第二電極成膜室に移送する。第二電極材料
は、成膜室下部に設置された加熱ボード上に準備してお
く。加熱ボードは１個または複数個とすることができ、
基板上で膜厚を均一に形成できるように配置する。基板
１は、基板ホルダーの規定の位置に設置する。

【００２６】本発明に係る第二電極の形成は、複数の開
口部を有するシャドーマスク６を用いて行う。かかるシ
ャドーマスク６は、図２（イ）に示すように、厚さｃ
を、開口部の幅ｂよりも大きくすることが好ましく、特
には、開口部の幅ｂの２倍以上とすることが好ましい。
シャドーマスク６の厚さを十分大きくとることにより、
基板に入射する粒子流のほぼ垂直な成分のみを取り出す
ことができ、かつ、撓みや歪みのないマスクを作製する
ことが可能となるため、有機ＥＬ層３に接することなく
基板との規定のギャップを形成することができる。かか
る効果により、第二電極４のパターン精度を向上させる
ことが可能である。また、本発明においては、図２
（ロ）に示すように、シャドーマスク６の開口部の幅ｂ
が、厚さｃ方向に変化している構造とすることもでき
る。図中のａは開口部の長さを表す。尚、幅の変化は、
図２（ロ）中のように開口部の上部で形成する場合には
限られず、例えば、図６（イ）〜（ハ）に示すように、
開口部の中間部に設定したり（イ）、階段状（ロ）や連
続的（ハ）に変化させることも可能である。

【００２７】シャドーマスク６は、同じ位置に開口部が
形成されている複数のマスクを重ね合わせることによっ
ても厚くすることができる。さらに、シャドーマスク６
の開口部以外の部位には、マスクの歪みを抑えるための
補強手段を施してもよい。

【００２８】本発明においては、第二電極４の形成位置
を、シャドーマスク６の開口部と基板１との相対的な位
置合わせにより決定することが好ましい。かかるシャド
ーマスクと基板との位置合わせ方法としては、例えば、
図３に示すような方法を用いることができる。図中の基
板ホルダー５は、基板端部のうち基準とする２辺の位置
を規定量に制御して位置合わせを行う位置決めピン等の
位置合わせ機構１１を有しており、また、成膜室内に
は、かかる基板ホルダー５自体を規定位置に微動させ制
御する、例えばネジ送り機構等の基板ホルダー制御機構
１２が備えつけられている。また、シャドーマスク６の
位置についても、同様のシャドーマスク制御機構１３に
より、成膜室内の規定位置に微動し制御される。これに
より、各基板上の電極パターン等は、基板端部のうち基
準とする２辺の位置から正確に規定の距離の位置に形成
することができ、また、このような方法で基板およびマ
スクの位置を設定することにより、簡便に位置合わせを
行うことができる。尚、位置の確認は、基板上のマーカ
ーおよびマスク上のマーカーを用いて、例えば、フォト
センサー等の位置検出機構１４により行われる。

【００２９】本発明においては、第二電極４の形成工程
を、シャドーマスク６の開口部を介して第二電極材料を
堆積させる工程と、シャドーマスク６又は基板１を開口
部と基板との相対的な位置合わせにより移動せしめる工
程とを順次繰り返すことにより行うことが好ましい。例
えば、シャドーマスクの開口部のピッチを目的とするパ
ターンの２倍で形成した場合には、図４（イ）〜（ハ）
に示すように、１回目の第二電極材料の成膜を行った後
（イ）、シャドーマスク６あるいは基板１を第二電極４
のピッチ方向に目的とするピッチ分だけ移動して
（ロ）、再度第二電極材料を蒸着することにより
（ハ）、目的の第二電極４を形成することができる。こ
の方法によれば、シャドーマスク６面内における開口部
の割合を小さくすることができ、マスクの歪みを抑え、
パターン精度を向上させることが可能である。例えば、
シャドーマスク６の開口部のピッチを目的とする第二電
極パターンのｎ倍とすれば、同様にして、成膜をｎ回、
位置の移動をｎ−１回、夫々交互に繰り返すことによ
り、精度の高い第二電極パターンを形成することができ
る。

【００３０】また、本発明においては、第二電極４の形
成工程を、開口部の位置が異なる複数のシャドーマスク
を組み合わせて目的のパターンを形成することにより行
うこともできる。この場合には、各マスクごとに第二電
極材料を堆積させる工程を複数回繰り返すことにより第
二電極を形成する。

【００３１】さらに、図５に示すように、第二電極材料
の粒子の蒸発源８とシャドーマスクとの間にコリメータ
ー７を設置することにより、基板１に対する粒子流の方
向を制限することも好ましい。コリメーター７の寸法
は、図５に示すようにコリメーターの開口部の幅の対角
線と厚さとのなす角度θが、粒子源８と基板１の端部と
のなす角度αよりも小さくなるように設定する。コリメ
ーター７を設置することにより、粒子源８と基板１との
間の距離を十分にとることができない場合においても粒
子流の方向を制限することが可能となり、マスク部にお
ける回り込みを抑制して、パターン精度を向上させるこ
とが可能となる。コリメーター７としては、例えば、メ
ッシュが５００μｍで、長さ方向に１０ｍｍのＳＵＳ製
のものを、図示するように、粒子源と基板の間に設置し
て好適に用いることができる。なお、第２電極の材料と
してはＭｇＡｇ等の既知の材料でよく、特に制限される
べきものではない。

【００３２】また、第二電極を形成した後、雰囲気中の
水分等が素子中に浸入するのを防ぐために、発光領域上
に封止膜を形成してもよい。かかる封止膜の材質として
は、ＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４、Ａｌ_２Ｏ_３等を挙げること
ができ、これらをスパッタ法やＣＶＤ法により成膜する
ことができる。

【００３３】以上のようにして第二電極までを形成した
後、基板を不活性ガス雰囲気で満たされた封止室へ移動
して封止板を張り合せる。さらに、作製した基板を駆動
回路に接続することにより、本発明に係る有機ＥＬディ
スプレイパネルが完成する。

【００３４】

【実施例】以下、本発明を、実施例に基づき説明する。実施例１３００×３００×１．１ｍｍ厚のガラス基板を用いて、
画素数が３２０×２４０で、表示部が対角５インチとな
るパネルを、以下に述べるようにして４箇所作製した。
尚、有機ＥＬ層の材料としては、Ｃｕフタロシアニン、
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３メチルフェ
ニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミンお
よびトリス（８−キノリノール）アルミニウムを、ま
た、陰極（第二電極）の材料としてはＭｇＡｇを用い
た。

【００３５】ガラス透明基板上に、金属膜としてのＭｏ
膜を、スパッタ法により膜厚３００ｎｍにて室温で成膜
し、ポジ型フォトレジスト（ＯＦＰＲ−８００、東京応
化工業（株）製）をスピンコーターを用いて約１μｍの
厚さに塗布した後に、温風循環式オーブンにてプリベー
クし、表示部でのピッチが１１０μｍ、幅が１０μｍで
あるパターンのフォトマスクを用いて露光した。次い
で、現像液（ＮＭＤ−３、東京応化工業（株）製）によ
り現像を行い、さらに、燐酸と硝酸と酢酸との混合液を
用いてＭｏ膜のエッチングを行った後、フォトレジスト
を剥離して金属パターンを形成した。

【００３６】このＭｏパターンは、第一電極の外部信号
線との接合部まで配設されており、第一電極の抵抗を低
減するバスラインとして機能する。また、第二電極の端
子パッド部分に形成した。

【００３７】この基板上に、第一電極としての透明導電
性膜を、インジウム亜鉛酸化物（ＩＤＩＸＯ、出光興産
（株）製）をスパッタリング法により室温で膜厚約１０
０ｎｍにて成膜することにより作製した。次に、Ｍｏの
場合と同様の方法でレジストの形成を行い、シュウ酸を
用いてエッチングを行った後、フォトレジストを剥離し
て、第一電極を形成した。インジウム亜鉛酸化物のパタ
ーンは、Ｍｏを完全に被覆するように形成した。この電
極付き基板を、図７に示すようにして基板ホルダーに設
置した。基板ホルダーには基板支持部に３点の位置決め
ピン１５が設置されており、基板は基板端部の基準とな
る二辺がピンに接するように置いた。基板の対辺はバネ
おさえ１７により固定した。

【００３８】基板ホルダーおよび電極付き基板を紫外線
照射装置に搬入して、洗浄を行った。雰囲気として酸素
および窒素混合ガスを用いて、大気圧において行った。
また、紫外線ランプとしては低圧水銀ランプを用いた。

【００３９】洗浄を行った後、基板ホルダーおよび電極
付き基板を成膜室に搬送した。尚、本実施例で用いた成
膜装置は、センターチャンバーを介し、洗浄室、成膜室
を基板が移動できる構造になっており、洗浄後の基板を
大気に触れさせることなく、有機ＥＬ層および陰極を形
成することが可能である。

【００４０】続いて、正孔注入層であるＣｕフタロシア
ニンを加熱して蒸発させ、基板ホルダーおよび電極付き
基板の陽極上に正孔注入層を成膜した。

【００４１】この後、正孔注入層の成膜と同様にして、
正孔輸送層であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビ
ス（３メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，
４’−ジアミンと、発光層であるトリス（８−キノリノ
ール）アルミニウムとを、ベタ状に成膜した。

【００４２】次に、上述の基板ホルダーおよび電極付き
基板を第二電極成膜室に移動した。基板ホルダー５をロ
ボットアームにより成膜室のガイド１６上に置いた後
に、３点のネジ送り機構２０により位置を微調整し、フ
ォトセンサーにより検出される位置まで移動した。シャ
ドーマスク６は、上下昇降機構を有するシャドーマスク
ホルダー１８に設置した。シャドーマスクホルダー１８
にも基板ホルダー５と同様の位置決めピンを設置し、シ
ャドーマスク６の位置を固定した（図７参照）。成膜室
下部に設置された４個所の加熱ボート上には、ＭｇＡｇ
を規定量設置しておいた。シャドーマスクは、ＭｇＡｇ
を設置するのと同時に設置した。基板ホルダーと粒子源
との直線距離は約１５００ｍｍである。用いたシャドー
マスクは、開口部の幅が３００μｍ、ピッチ３３０μｍ
で２４０ラインが形成された１ｍｍ厚のマスクであり、
パターンから離れた位置に補強が施されている。このシ
ャドーマスクは、０．２５ｍｍ厚のマスクを４膜重ねる
ことにより作製したものである。上下昇降機構により、
かかるシャドーマスクを基板から５０μｍの位置に設置
して、ＭｇＡｇを蒸着した。幅約３０８μｍ、ピッチ３
３０μｍのパターンが形成された。

【００４３】最後に、この基板を封止処理室へ移動し、
基板の端部に室温硬化型接着剤を塗布して、ガラス基板
を貼り合わせ、封止を行った。

【００４４】実施例２実施例１と同様の方法で、透明導電膜付き基板上に有機
ＥＬ層を形成した。次に、基板を第二電極成膜室に移動
して、実施例１と同様にして基板およびシャドーマスク
の位置を固定した。成膜室下部に設置された４個所の加
熱ボート上には、ＭｇＡｇを規定量設置しておいた。シ
ャドーマスクは、ＭｇＡｇと同時に設置した。基板ホル
ダーと粒子源との直線距離は約１５００ｍｍである。用
いたシャドーマスクは、開口部の幅が３００μｍ、ピッ
チ６６０μｍで１２０ラインが形成された１ｍｍ厚のマ
スクであり、パターンから離れた位置に補強が施されて
いる。このシャドーマスクは、０．２５ｍｍ厚のマスク
を４膜重ねることにより作製したものである。上下昇降
機構により、かかるシャドーマスクを基板から５０μｍ
の位置に設置して、ＭｇＡｇを蒸着した。

【００４５】次に、同様にしてシャドーマスクを陰極ピ
ッチ方向に３３０μｍ移動して、再びＭｇＡｇを蒸着し
た。幅約３０５μｍ、ピッチ３３０μｍのパターンが形
成された。

【００４６】最後に、この基板を実施例１と同様の方法
で封止処理室へ移動し、基板の端部に室温硬化型接着剤
を塗布して、ガラス基板を貼り合わせ、封止を行った。

【００４７】実施例３実施例１と同様の方法で、透明導電膜付き基板上に有機
ＥＬ層を形成した。次に、基板を第二電極成膜室に移動
して、実施例１と同様にして基板およびシャドーマスク
の位置を固定した。成膜室下部に設置された４個所の加
熱ボート上にＭｇＡｇを規定量設置しておいた。シャド
ーマスクは、ＭｇＡｇと同時に設置した。また、基板の
約１０ｍｍ下方には、メッシュ０．５ｍｍ、長さ１０ｍ
ｍのコリメーターを設置した。基板ホルダーと粒子源と
の直線距離は約１５００ｍｍである。用いたシャドーマ
スクは、開口部の幅が３００μｍ、ピッチ６６０μｍで
１２０ラインが形成された１ｍｍ厚のマスクであり、パ
ターンから離れた位置に補強が施されている。このシャ
ドーマスクは０．２５ｍｍ厚のマスクを４膜重ねること
により作製したものである。上下昇降機構により、かか
るシャドーマスクを基板から５０μｍの位置に設置し
て、ＭｇＡｇを蒸着した。

【００４８】次に、同様にしてシャドーマスクを陰極ピ
ッチ方向に３３０μｍ移動して、再びＭｇＡｇを蒸着し
た。幅約３００μｍ、ピッチ３３０μｍのパターンが形
成された。

【００４９】最後に、この基板を実施例１と同様の方法
で封止処理室へ移動し、基板の端部に室温硬化型接着剤
を塗布して、ガラス基板を貼り合わせ、封止を行った。

【００５０】上記実施例１〜３においては、ショートや
劣化を引き起こすことなく有機ＥＬ層および陰極のパタ
ーニングを行うことができ、良好な素子性能を有する有
機ＥＬディスプレイパネルを得ることができた。

【００５１】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の製造
方法によれば、有機ＥＬ層の少なくとも１層が隣接する
画素間で連続して形成されるために、発光特性の劣化の
少ない良好なディスプレイパネルを製造することができ
る。また、厚さが開口部の幅よりも大きいシャドーマス
クを用いることにより、シャドーマスクの歪みや撓みを
小さくすることができ、ガラス基板とのギャップを目的
の位置に制御することができる。これにより、蒸着材料
の粒子流のうち基板に対して概ね垂直な成分を取り出す
ことが可能となり、微細ピッチで高精度の第二電極パタ
ーンを得ることができる。即ち、本発明によれば、従来
に比してより優れた有機ＥＬディスプレイパネルの製造
方法を提供することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイパネルの一構成例を示す概略斜視図である。

【図２】本発明に係るシャドーマスクの一構成例を示す
斜視図である。

【図３】本発明に係る位置合わせ機構の例を示す概略図
である。

【図４】本発明に係る第二電極の形成工程の一例を示す
説明図である。

【図５】本発明におけるコリメーターの設置状態の一例
を示す概略図である。

【図６】本発明に係るシャドーマスクの開口部の幅を変
化させた具体例を示す断面図である。

【図７】実施例における具体的な位置合わせの方法を示
す説明図である。

【符号の説明】

１基板２第一電極３有機エレクトロルミネッセンス層４第二電極５基板ホルダー６シャドーマスク７コリメーター８粒子源１１位置合わせ機構１２基板ホルダー制御機構１３シャドーマスク制御機構１４位置検出機構１５位置決めピン１６ガイド１７バネおさえ１８シャドーマスクホルダー２０ネジ送り機構

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、該基板上に形成された複数の第
一電極と、該第一電極を被覆する有機エレクトロルミネ
ッセンス層と、該有機エレクトロルミネッセンス層上に
形成された複数の第二電極とを有し、該第一電極と、該
エレクトロルミネッセンス層と、該第二電極との重なっ
た部分を夫々発光画素とする有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネルの製造方法において、前記有機エレクトロルミネッセンス層の少なくとも１層
を隣接する発光画素間で分断することなく形成する工程
と、前記第二電極を複数の開口部を有するシャドーマス
クを用いて形成する工程とを含むことを特徴とする有機
エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方
法。
【請求項２】前記第二電極の形成位置を、前記シャド
ーマスクの開口部と前記基板との相対的な位置合わせに
より決定する請求項１記載の製造方法。
【請求項３】前記第二電極の形成工程を、前記シャド
ーマスクの開口部を介して第二電極材料を堆積させる工
程と、該シャドーマスク又は前記基板を該開口部と該基
板との相対的な位置合わせにより移動せしめる工程とを
順次繰り返すことにより行う請求項１又は２記載の製造
方法。
【請求項４】前記シャドーマスクの厚さが、前記シャ
ドーマスクの開口部の幅よりも大きい請求項１〜３のう
ちいずれか一項記載の製造方法。
【請求項５】前記シャドーマスクの開口部の幅が、厚
さ方向に変化している請求項１〜４のうちいずれか一項
記載の製造方法。
【請求項６】第二電極材料の蒸発源と前記シャドーマ
スクとの間にコリメーターを設置する請求項１〜５のう
ちいずれか一項記載の製造方法。
【請求項７】前記第二電極の形成工程を、開口部の位
置が異なる複数のシャドーマスクを用いて第二電極材料
を堆積させる工程を複数回繰り返すことにより行う請求
項１〜６のうちいずれか一項記載の製造方法。