JP2001148289A - 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法Info
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 第１電極上にオーバーハング部を有する絶縁
物が存在した場合においても、第１表示電極と第２表示
電極間でショートを起こさない有機ＥＬディスプレイパ
ネル、およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板２上に形成された複数の第１表示電
極３と、前記第１表示電極３上に形成された有機化合物
からなる発光層を含む１以上の有機ＥＬ媒体層８と、有
機ＥＬ媒体層８上に形成された第２表示電極９と、から
なる有機ＥＬディスプレイパネルであって、第１表示電
極３上のオーバーハング部を有する絶縁物が存在する位
置において、絶縁物の根本部にある有機ＥＬ媒体層８
が、前記第２表示電極９が形成されていない領域を有し
てなることを特徴とする。
物が存在した場合においても、第１表示電極と第２表示
電極間でショートを起こさない有機ＥＬディスプレイパ
ネル、およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板２上に形成された複数の第１表示電
極３と、前記第１表示電極３上に形成された有機化合物
からなる発光層を含む１以上の有機ＥＬ媒体層８と、有
機ＥＬ媒体層８上に形成された第２表示電極９と、から
なる有機ＥＬディスプレイパネルであって、第１表示電
極３上のオーバーハング部を有する絶縁物が存在する位
置において、絶縁物の根本部にある有機ＥＬ媒体層８
が、前記第２表示電極９が形成されていない領域を有し
てなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、電流の注入によって発
光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス（以
下、ＥＬという）を利用して、かかる有機ＥＬ材料の薄
膜からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子の複数をマトリ
クス状に配置した有機ＥＬディスプレイパネルに関す
る。
光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス（以
下、ＥＬという）を利用して、かかる有機ＥＬ材料の薄
膜からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子の複数をマトリ
クス状に配置した有機ＥＬディスプレイパネルに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に有機ＥＬ素子を作成する場合、第
1表示電極が形成された基板上に、有機ＥＬ媒体を真空
蒸着法などの方法により成膜することにより有機ＥＬ媒
体層を形成し、第２表示電極の材料となる金属を有機Ｅ
Ｌ媒体層上に、真空蒸着法やスパッタリング法などの方
法により成膜することにより第２表示電極を形成する。
なお、真空蒸着法は一般的に蒸発源から蒸発した、成膜
される材料の粒子が同一角度で対象物に入射し、成膜さ
れる。
1表示電極が形成された基板上に、有機ＥＬ媒体を真空
蒸着法などの方法により成膜することにより有機ＥＬ媒
体層を形成し、第２表示電極の材料となる金属を有機Ｅ
Ｌ媒体層上に、真空蒸着法やスパッタリング法などの方
法により成膜することにより第２表示電極を形成する。
なお、真空蒸着法は一般的に蒸発源から蒸発した、成膜
される材料の粒子が同一角度で対象物に入射し、成膜さ
れる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】第１表示電極上にオー
バーハング部を有する絶縁物が存在した場合、上記のよ
うな一般的な真空蒸着法にて有機ＥＬ媒体層を成膜し、
有機ＥＬ媒体層上に第２表示電極を成膜すると、絶縁物
の根本部において、第2表示電極が有機ＥＬ媒体のエッ
ジをはみ出して第1表示電極上に成膜される、いわゆる
第２表示電極のエッジが有機ＥＬ媒体層のエッジをオー
バーラップする箇所が発生する。
バーハング部を有する絶縁物が存在した場合、上記のよ
うな一般的な真空蒸着法にて有機ＥＬ媒体層を成膜し、
有機ＥＬ媒体層上に第２表示電極を成膜すると、絶縁物
の根本部において、第2表示電極が有機ＥＬ媒体のエッ
ジをはみ出して第1表示電極上に成膜される、いわゆる
第２表示電極のエッジが有機ＥＬ媒体層のエッジをオー
バーラップする箇所が発生する。
【０００４】第２表示電極のエッジが有機ＥＬ媒体層の
エッジをオーバーラップすると、その箇所において第１
表示電極と第２表示電極が接触することとなり、有機Ｅ
Ｌ素子発光時にその箇所でショートを起こしてしまう。
第１表示電極と第２表示電極がショートした場合、ショ
ートした有機ＥＬ素子が破壊されるばかりか、有機ＥＬ
素子の複数をマトリクス状に配置した有機ＥＬディスプ
レイパネルの場合には、そのショートした素子を含んだ
１ラインが非発光になってしまうなどの影響を及ぼす。
エッジをオーバーラップすると、その箇所において第１
表示電極と第２表示電極が接触することとなり、有機Ｅ
Ｌ素子発光時にその箇所でショートを起こしてしまう。
第１表示電極と第２表示電極がショートした場合、ショ
ートした有機ＥＬ素子が破壊されるばかりか、有機ＥＬ
素子の複数をマトリクス状に配置した有機ＥＬディスプ
レイパネルの場合には、そのショートした素子を含んだ
１ラインが非発光になってしまうなどの影響を及ぼす。
【０００５】本発明は、このような問題を解決すべくな
され、本発明の目的は第１電極上にオーバーハング部を
有する絶縁物が存在した場合においても、第１表示電極
と第２表示電極間でショートを起こさない有機ＥＬディ
スプレイパネル、およびその製造方法を提供することに
ある。
され、本発明の目的は第１電極上にオーバーハング部を
有する絶縁物が存在した場合においても、第１表示電極
と第２表示電極間でショートを起こさない有機ＥＬディ
スプレイパネル、およびその製造方法を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された複数の第１表示電極と、前記第１表示電極上に形
成された有機化合物からなる発光層を含む１以上の有機
ＥＬ媒体層と、前記有機ＥＬ媒体層上に形成された第２
表示電極と、からなる有機ＥＬディスプレイパネルであ
って、前記第１表示電極上のオーバーハング部を有する
絶縁物が存在する位置において、前記絶縁物の根本部に
ある前記有機ＥＬ媒体層が、前記第２表示電極が形成さ
れていない領域を有してなることを特徴とする。
された複数の第１表示電極と、前記第１表示電極上に形
成された有機化合物からなる発光層を含む１以上の有機
ＥＬ媒体層と、前記有機ＥＬ媒体層上に形成された第２
表示電極と、からなる有機ＥＬディスプレイパネルであ
って、前記第１表示電極上のオーバーハング部を有する
絶縁物が存在する位置において、前記絶縁物の根本部に
ある前記有機ＥＬ媒体層が、前記第２表示電極が形成さ
れていない領域を有してなることを特徴とする。
【０００７】上記有機ＥＬディスプレイパネルの製造方
法において、基板上に形成された複数の第１表示電極
と、前記第１表示電極上に形成された有機化合物からな
る発光層を含む１以上の有機ＥＬ媒体層と、前記有機Ｅ
Ｌ媒体層上に形成された第２表示電極と、からなる有機
ＥＬディスプレイパネルの製造方法であって、前記基板
上に、複数の前記第１表示電極を形成するパターニング
工程と、前記第１表示電極上に有機ＥＬ媒体を堆積さ
せ、少なくとも１層の前記有機ＥＬ媒体層を形成する発
光層形成工程と、前記有機ＥＬ媒体層の複数の上に前記
第２表示電極を形成する工程とからなり、前記発光層形
成工程において、前記基板を自公転させること、及び／
または前記有機ＥＬ媒体材料の粒子を多方向から蒸発せ
しめる複数の蒸発源を用いること、によって前記有機Ｅ
Ｌ媒体を堆積させるとともに、前記第２表示電極を形成
する工程において、前記第２表示電極材料の粒子を前記
基板と略垂直に、前記有機ＥＬ媒体層上に被着させるこ
と、によって前記第２表示電極を形成する、ことを特徴
とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
法において、基板上に形成された複数の第１表示電極
と、前記第１表示電極上に形成された有機化合物からな
る発光層を含む１以上の有機ＥＬ媒体層と、前記有機Ｅ
Ｌ媒体層上に形成された第２表示電極と、からなる有機
ＥＬディスプレイパネルの製造方法であって、前記基板
上に、複数の前記第１表示電極を形成するパターニング
工程と、前記第１表示電極上に有機ＥＬ媒体を堆積さ
せ、少なくとも１層の前記有機ＥＬ媒体層を形成する発
光層形成工程と、前記有機ＥＬ媒体層の複数の上に前記
第２表示電極を形成する工程とからなり、前記発光層形
成工程において、前記基板を自公転させること、及び／
または前記有機ＥＬ媒体材料の粒子を多方向から蒸発せ
しめる複数の蒸発源を用いること、によって前記有機Ｅ
Ｌ媒体を堆積させるとともに、前記第２表示電極を形成
する工程において、前記第２表示電極材料の粒子を前記
基板と略垂直に、前記有機ＥＬ媒体層上に被着させるこ
と、によって前記第２表示電極を形成する、ことを特徴
とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下に、本発明による実施の形態
例を図面を参照しつつ説明する。図１に示すように、実
施例の有機ＥＬディスプレイパネルはマトリクス状に配
置されかつ各々が赤Ｒ、緑Ｇ及び青Ｂの発光部からなる
発光画素１の複数からなる画像表示配列を有している。
また、ＲＧＢの発光部に代えてすべてを単色の発光部と
してモノクロムディスプレイパネルを形成できる。
例を図面を参照しつつ説明する。図１に示すように、実
施例の有機ＥＬディスプレイパネルはマトリクス状に配
置されかつ各々が赤Ｒ、緑Ｇ及び青Ｂの発光部からなる
発光画素１の複数からなる画像表示配列を有している。
また、ＲＧＢの発光部に代えてすべてを単色の発光部と
してモノクロムディスプレイパネルを形成できる。
【０００９】図２に示すように、この有機ＥＬディスプ
レイパネルの基板２上には、ＩＴＯなどからなる第１表
示電極ライン３が設けられている。第１表示電極ライン
３は互いに平行な複数のストライプ状に配列されてい
る。さらに基板２上から突出する複数の絶縁性の隔壁７
が、図２及び図３に示すように、第１表示電極ライン３
に直交するように基板２及び第１表示電極ライン３上に
わたって形成されている。すなわち、隔壁７が少なくと
も第１表示電極ライン３の一部分を露出せしめるよう
に、形成されている。
レイパネルの基板２上には、ＩＴＯなどからなる第１表
示電極ライン３が設けられている。第１表示電極ライン
３は互いに平行な複数のストライプ状に配列されてい
る。さらに基板２上から突出する複数の絶縁性の隔壁７
が、図２及び図３に示すように、第１表示電極ライン３
に直交するように基板２及び第１表示電極ライン３上に
わたって形成されている。すなわち、隔壁７が少なくと
も第１表示電極ライン３の一部分を露出せしめるよう
に、形成されている。
【００１０】隔壁７の上部に基板に平行な方向に突出す
るオーバーハング部７ａが、隔壁７の伸長方向に沿って
形成されている。露出している第１表示電極ライン３の
部分の各々上に、少くとも１層の有機ＥＬ媒体８の薄膜
が形成されている。たとえば、有機ＥＬ媒体８は、有機
発光層の単一層、あるいは有機正孔輸送層、有機発光層
及び有機電子輸送層の３層構造の媒体、または有機正孔
輸送層及び有機発光層２層構造の媒体などである。
るオーバーハング部７ａが、隔壁７の伸長方向に沿って
形成されている。露出している第１表示電極ライン３の
部分の各々上に、少くとも１層の有機ＥＬ媒体８の薄膜
が形成されている。たとえば、有機ＥＬ媒体８は、有機
発光層の単一層、あるいは有機正孔輸送層、有機発光層
及び有機電子輸送層の３層構造の媒体、または有機正孔
輸送層及び有機発光層２層構造の媒体などである。
【００１１】有機ＥＬ媒体８の薄膜上にその伸長方向に
沿って第２表示電極ライン９が形成されている。この様
に、第１及び第２表示電極ラインが交差して挾まれた有
機ＥＬ媒体の部分が発光部に対応する。この単純マトリ
クス型のパネルの第２表示電極９の上には保護膜１０ま
たは保護基板が設けられることが好ましい。また、上記
実施例の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、基板及
び第１表示電極が透明であり、発光は基板側から放射さ
れるので、図３に示すように、発光効率を高めるために
第２表示電極上または保護膜を介して反射膜２１を設け
ることが好ましい。逆に、他の実施例の有機ＥＬディス
プレイパネルにおいて、第２表示電極を透明材料で構成
して、発光を第２表示電極側から放射させることもでき
る。この場合、発光効率を高めるために第１表示電極の
外側に反射膜を設けることが好ましい。
沿って第２表示電極ライン９が形成されている。この様
に、第１及び第２表示電極ラインが交差して挾まれた有
機ＥＬ媒体の部分が発光部に対応する。この単純マトリ
クス型のパネルの第２表示電極９の上には保護膜１０ま
たは保護基板が設けられることが好ましい。また、上記
実施例の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、基板及
び第１表示電極が透明であり、発光は基板側から放射さ
れるので、図３に示すように、発光効率を高めるために
第２表示電極上または保護膜を介して反射膜２１を設け
ることが好ましい。逆に、他の実施例の有機ＥＬディス
プレイパネルにおいて、第２表示電極を透明材料で構成
して、発光を第２表示電極側から放射させることもでき
る。この場合、発光効率を高めるために第１表示電極の
外側に反射膜を設けることが好ましい。
【００１２】次に、有機ＥＬディスプレイパネル製造工
程を説明する。図４に示すように、パターニング工程に
より、第１表示電極３としてＩＴＯ等からなる導電性透
明膜（例えば、０．３mmピッチ、０．２８mm幅、０．２
μｍ膜厚）が複数本平行に成膜されているガラス等の透
明基板２を用意する。次に、隔壁形成工程では、隔壁材
料の非感光性のポリイミド７０を、例えばスピンコート
法で３μｍ膜厚に透明基板２の第１表示電極３上に形成
し、さらに隔壁の上部のオーバーハング部の材料のＳｉ
Ｏ2７１を、ポリイミド膜７０上に例えばスパッタ法で
０．５μｍ膜厚に形成する。
程を説明する。図４に示すように、パターニング工程に
より、第１表示電極３としてＩＴＯ等からなる導電性透
明膜（例えば、０．３mmピッチ、０．２８mm幅、０．２
μｍ膜厚）が複数本平行に成膜されているガラス等の透
明基板２を用意する。次に、隔壁形成工程では、隔壁材
料の非感光性のポリイミド７０を、例えばスピンコート
法で３μｍ膜厚に透明基板２の第１表示電極３上に形成
し、さらに隔壁の上部のオーバーハング部の材料のＳｉ
Ｏ2７１を、ポリイミド膜７０上に例えばスパッタ法で
０．５μｍ膜厚に形成する。
【００１３】次に、図５（ａ）に示すように、ＳｉＯ2
膜７１上に、フォトレジストをスピンコートで例えば１
μｍ膜厚に成膜して、例えば２０μｍの幅のフォトレジ
ストリッジ７２を残すように通常のフォトリソグラフィ
法等の手法を用いてフォトレジストパターンを形成す
る。続いて図５（ｂ）に示すように、該フォトレジスト
リッジ７２をマスクとして、リアクティブイオンエッチ
ング等を手法を用いてＳｉＯ2膜７１をフォトレジスト
と同一のパターン形状にエッチングする。このリアクテ
ィブイオンエッチングを行う時は、例えばエッチングガ
スはＣＦ4を用いてガス流量１００ｓｃｃｍ、ＲＦパワ
ー１００Ｗで１０分間でエッチングが完了する。
膜７１上に、フォトレジストをスピンコートで例えば１
μｍ膜厚に成膜して、例えば２０μｍの幅のフォトレジ
ストリッジ７２を残すように通常のフォトリソグラフィ
法等の手法を用いてフォトレジストパターンを形成す
る。続いて図５（ｂ）に示すように、該フォトレジスト
リッジ７２をマスクとして、リアクティブイオンエッチ
ング等を手法を用いてＳｉＯ2膜７１をフォトレジスト
と同一のパターン形状にエッチングする。このリアクテ
ィブイオンエッチングを行う時は、例えばエッチングガ
スはＣＦ4を用いてガス流量１００ｓｃｃｍ、ＲＦパワ
ー１００Ｗで１０分間でエッチングが完了する。
【００１４】その後、図５（ｃ）に示すように、ドライ
エッチング又はウエットエッチングを用いて、ポリイミ
ド膜７０の隔壁本体及びその上部に基板に平行な方向に
突出するオーバーハング部７ａのＳｉＯ2膜７１からな
る断面が略Ｔ字型の隔壁７を形成する。Ｔ字型の隔壁７
の基板からの高さは、後に形成される第２表示電極の陰
極９とＩＴＯ陽極３が電気的に短絡されない様な高さで
あればいくらでもよい。具体的には１μｍ以上１０μｍ
以下が望ましい。またＴ字の横方向のオーバーハング部
７ａも同様の理由で、片側約１μｍ幅で０．２μｍ以上
程度の膜厚があれば十分である。
エッチング又はウエットエッチングを用いて、ポリイミ
ド膜７０の隔壁本体及びその上部に基板に平行な方向に
突出するオーバーハング部７ａのＳｉＯ2膜７１からな
る断面が略Ｔ字型の隔壁７を形成する。Ｔ字型の隔壁７
の基板からの高さは、後に形成される第２表示電極の陰
極９とＩＴＯ陽極３が電気的に短絡されない様な高さで
あればいくらでもよい。具体的には１μｍ以上１０μｍ
以下が望ましい。またＴ字の横方向のオーバーハング部
７ａも同様の理由で、片側約１μｍ幅で０．２μｍ以上
程度の膜厚があれば十分である。
【００１５】このＴ字型隔壁７は、図６（ａ）に示すよ
うに、初めにＯ2などのガスを用いてリアクティブイオ
ンエッチング（異方性エッチング）を行い、ポリイミド
膜７０をアンダーカットがないように垂直にドライエッ
チングし、その後図６（ｂ）に示すように、アルカリ溶
液で３０秒間程度ウエットエッチングを行いポリイミド
膜７０の側面７０ａを等方的にエッチングすることで形
成できる。この２段階エッチングプロセスでは、均一な
サイドエッチングが行える。図７（ａ）はこの２段階工
程で作成したＴ字型隔壁７の断面図である。
うに、初めにＯ2などのガスを用いてリアクティブイオ
ンエッチング（異方性エッチング）を行い、ポリイミド
膜７０をアンダーカットがないように垂直にドライエッ
チングし、その後図６（ｂ）に示すように、アルカリ溶
液で３０秒間程度ウエットエッチングを行いポリイミド
膜７０の側面７０ａを等方的にエッチングすることで形
成できる。この２段階エッチングプロセスでは、均一な
サイドエッチングが行える。図７（ａ）はこの２段階工
程で作成したＴ字型隔壁７の断面図である。
【００１６】ポリイミド膜７０をエッチングする他の方
法としては、異方性エッチングを予め行わず、ポリイミ
ドのエッチャントであるアルカリ溶液で１〜２分間、等
方的にエッチングを行うことでＳｉＯ2膜７１をマスク
としてポリイミド膜７０がエッチングできる。この時ウ
エットエッチングでポリイミドをエッチングするので、
等方性エッチングとなり、図７（ｂ）に示すように、ア
ンダーカットの状態となる。
法としては、異方性エッチングを予め行わず、ポリイミ
ドのエッチャントであるアルカリ溶液で１〜２分間、等
方的にエッチングを行うことでＳｉＯ2膜７１をマスク
としてポリイミド膜７０がエッチングできる。この時ウ
エットエッチングでポリイミドをエッチングするので、
等方性エッチングとなり、図７（ｂ）に示すように、ア
ンダーカットの状態となる。
【００１７】尚、これまでポリイミドと称していたの
は、イミド化する前の前駆体状態の物質であり図３の状
態の段階で３００℃で硬化せしめると本当のポリイミド
となるのはもちろんである。しかし、強度その他不都合
がなければ、その物質を硬化させなくても構わない。ま
た、ポリイミド及びＳｉＯ2の代わりの材質としては、
下部の隔壁材料と上部のオーバーハング部の材料がそれ
ぞれエッチングされる際に、これら自体がエッチングさ
れない絶縁物であれば何でもよく、有機ＥＬ媒体の成膜
前に強度を保持できる電気絶縁性物質を用いることが出
来る。
は、イミド化する前の前駆体状態の物質であり図３の状
態の段階で３００℃で硬化せしめると本当のポリイミド
となるのはもちろんである。しかし、強度その他不都合
がなければ、その物質を硬化させなくても構わない。ま
た、ポリイミド及びＳｉＯ2の代わりの材質としては、
下部の隔壁材料と上部のオーバーハング部の材料がそれ
ぞれエッチングされる際に、これら自体がエッチングさ
れない絶縁物であれば何でもよく、有機ＥＬ媒体の成膜
前に強度を保持できる電気絶縁性物質を用いることが出
来る。
【００１８】また、このような２層構造隔壁の代わり
に、図７（ｃ）〜（ｈ）に示すように、フォトレジスト
をクロルベンゼン処理する等の方法でＴ字形状断面ある
いは、逆テーパ断面（図７（ｃ），（ｄ））を有する隔
壁など上部のオーバーハング部を有する隔壁を形成して
も構わない。その後、図８（ａ）〜（ｄ）に示すよう
に、発光層形成工程にて、露出した第１表示電極３の部
分の各々上に有機ＥＬ媒体を堆積させ、少くとも１層の
有機ＥＬ媒体の薄膜を形成し、つぎの第２表示電極形成
工程にて、有機ＥＬ媒体の薄膜の複数の上に第２表示電
極を形成する。図ではＲＧＢ３色の２画素のみの説明で
あるが、実際は２次元に複数個の画素を同時に形成す
る。
に、図７（ｃ）〜（ｈ）に示すように、フォトレジスト
をクロルベンゼン処理する等の方法でＴ字形状断面ある
いは、逆テーパ断面（図７（ｃ），（ｄ））を有する隔
壁など上部のオーバーハング部を有する隔壁を形成して
も構わない。その後、図８（ａ）〜（ｄ）に示すよう
に、発光層形成工程にて、露出した第１表示電極３の部
分の各々上に有機ＥＬ媒体を堆積させ、少くとも１層の
有機ＥＬ媒体の薄膜を形成し、つぎの第２表示電極形成
工程にて、有機ＥＬ媒体の薄膜の複数の上に第２表示電
極を形成する。図ではＲＧＢ３色の２画素のみの説明で
あるが、実際は２次元に複数個の画素を同時に形成す
る。
【００１９】まず、発光層形成工程では図８（ａ）に示
すように、隔壁７が形成された基板２の凹部の各１つに
成膜用マスク３０の各１つの穴部３１を位置合わせした
後、隔壁上にマスクを載置して、１番目（例えば赤色）
の有機ＥＬ媒体８ａを例えば蒸着などの方法を用いて所
定厚さに成膜する。基板は有機ＥＬ媒体の蒸気流に対し
て自由な角度で行っても良いが、蒸気流が隔壁のオーバ
ーハング部を回り込む様にする。
すように、隔壁７が形成された基板２の凹部の各１つに
成膜用マスク３０の各１つの穴部３１を位置合わせした
後、隔壁上にマスクを載置して、１番目（例えば赤色）
の有機ＥＬ媒体８ａを例えば蒸着などの方法を用いて所
定厚さに成膜する。基板は有機ＥＬ媒体の蒸気流に対し
て自由な角度で行っても良いが、蒸気流が隔壁のオーバ
ーハング部を回り込む様にする。
【００２０】図８（ｂ）の工程では、例えば成膜用マス
クを左に隔壁１個分ずらして位置合わせをした後、隔壁
上にマスクを載置して２番目（例えば緑色）の有機ＥＬ
媒体８ｂを所定膜厚に成膜する。図８（ｃ）の工程で残
った１個の凹部に成膜用マスクを位置合わせをした後、
隔壁上にマスクを載置して３番目（例えば青色）の有機
ＥＬ媒体８ｃを所定膜厚に成膜する。このように、１つ
の開口が１つの第１表示電極上からその隣接する第１表
示電極上へ配置されるようにマスクを順次移動せしめる
発光層形成工程を順次繰り返す。また、隔壁７があるの
で、成膜用マスクの位置合わせ、移動載置した蒸着の際
に、マスクによる有機ＥＬ媒体層を傷つけることがな
い。
クを左に隔壁１個分ずらして位置合わせをした後、隔壁
上にマスクを載置して２番目（例えば緑色）の有機ＥＬ
媒体８ｂを所定膜厚に成膜する。図８（ｃ）の工程で残
った１個の凹部に成膜用マスクを位置合わせをした後、
隔壁上にマスクを載置して３番目（例えば青色）の有機
ＥＬ媒体８ｃを所定膜厚に成膜する。このように、１つ
の開口が１つの第１表示電極上からその隣接する第１表
示電極上へ配置されるようにマスクを順次移動せしめる
発光層形成工程を順次繰り返す。また、隔壁７があるの
で、成膜用マスクの位置合わせ、移動載置した蒸着の際
に、マスクによる有機ＥＬ媒体層を傷つけることがな
い。
【００２１】図８（ｄ）の第２表示電極形成工程では、
ＲＧＢ３種類の有機ＥＬ媒体を所定の個所に成膜した
後、成膜用マスクを取り除き、ステップカバレッジのな
い方法（例えば蒸着等）で、金属蒸気を、基板と略垂直
に真上から、３種類の有機ＥＬ媒体の各々の上に所定厚
に被着させ、第２表示電極の陰極９を形成する。金属蒸
気の垂直入射により、隔壁のオーバーハング部７ａで陰
極９が分断され、その結果、図８（ｄ）のように隔壁両
側の陰極９は電気的に絶縁される。また、金属蒸気が隔
壁のオーバーハング部７ａを回り込む程度が、有機ＥＬ
媒体材料粒子流の程度よりも小さくなり、図８（ｄ）の
ように有機ＥＬ媒体８が陰極９からはみ出し、陰極９と
ＩＴＯ陽極３とのショートを生じさせない。この電気的
に導通する陰極９の膜厚は、支障のない限り厚く被着さ
せても構わない。陰極の材質は電気的に導通のあるもの
ならなんでもよいが、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕなど抵抗率の低
い金属が望ましいのはもちろんである。
ＲＧＢ３種類の有機ＥＬ媒体を所定の個所に成膜した
後、成膜用マスクを取り除き、ステップカバレッジのな
い方法（例えば蒸着等）で、金属蒸気を、基板と略垂直
に真上から、３種類の有機ＥＬ媒体の各々の上に所定厚
に被着させ、第２表示電極の陰極９を形成する。金属蒸
気の垂直入射により、隔壁のオーバーハング部７ａで陰
極９が分断され、その結果、図８（ｄ）のように隔壁両
側の陰極９は電気的に絶縁される。また、金属蒸気が隔
壁のオーバーハング部７ａを回り込む程度が、有機ＥＬ
媒体材料粒子流の程度よりも小さくなり、図８（ｄ）の
ように有機ＥＬ媒体８が陰極９からはみ出し、陰極９と
ＩＴＯ陽極３とのショートを生じさせない。この電気的
に導通する陰極９の膜厚は、支障のない限り厚く被着さ
せても構わない。陰極の材質は電気的に導通のあるもの
ならなんでもよいが、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕなど抵抗率の低
い金属が望ましいのはもちろんである。
【００２２】次に、他の実施例である有機ＥＬディスプ
レイパネル製造方法を説明する。図９（ａ）に示すよう
に、予めＩＴＯ陽極３が所定の形状にパターニングされ
た基板２上に、逆テーパー断面形状をもった隔壁７を、
その上部のオーバーハング部７ａが後の金属蒸着におけ
る陰極縁部９ａを遮るように、形成する。図９（ｂ）に
示すように、上記同様に、この基板２に蒸着マスク３０
を用いて、ＲＧＢの有機ＥＬ媒体をそれぞれ蒸着する。
有機ＥＬ媒体の蒸着は基板と蒸着マスクを密着させて行
うが、このとき、隔壁がスペーサとなり蒸着マスクとＩ
ＴＯ上の有機ＥＬ媒体の間に隙間ができるので、両者が
接触して有機ＥＬ媒体に損傷を与えることはない。更
に、この蒸着は基板を自公転させたり、複数の蒸発源を
用いて多方向から行ったりして、逆テーパーの隔壁の根
本付近まで回り込ませる。これは、後に陰極材料を蒸着
した際、陰極が有機ＥＬ媒体層をはみ出して、ＩＴＯ陽
極とショートするのを防ぐためである。
レイパネル製造方法を説明する。図９（ａ）に示すよう
に、予めＩＴＯ陽極３が所定の形状にパターニングされ
た基板２上に、逆テーパー断面形状をもった隔壁７を、
その上部のオーバーハング部７ａが後の金属蒸着におけ
る陰極縁部９ａを遮るように、形成する。図９（ｂ）に
示すように、上記同様に、この基板２に蒸着マスク３０
を用いて、ＲＧＢの有機ＥＬ媒体をそれぞれ蒸着する。
有機ＥＬ媒体の蒸着は基板と蒸着マスクを密着させて行
うが、このとき、隔壁がスペーサとなり蒸着マスクとＩ
ＴＯ上の有機ＥＬ媒体の間に隙間ができるので、両者が
接触して有機ＥＬ媒体に損傷を与えることはない。更
に、この蒸着は基板を自公転させたり、複数の蒸発源を
用いて多方向から行ったりして、逆テーパーの隔壁の根
本付近まで回り込ませる。これは、後に陰極材料を蒸着
した際、陰極が有機ＥＬ媒体層をはみ出して、ＩＴＯ陽
極とショートするのを防ぐためである。
【００２３】次に、図９（ｃ）に示すように、陰極材料
を基板面に対して略垂直な方向から蒸着する。図のよう
に、逆テーパー形状断面隔壁のオーバーハング部７ａが
陰極縁部９ａを遮るため、隔壁の上面と隔壁の根本で陰
極が分断され、隣り合った陰極パターンは電気的に絶縁
される。最後に防湿封止を行い、有機ＥＬフルカラーデ
ィスプレイが完成する。
を基板面に対して略垂直な方向から蒸着する。図のよう
に、逆テーパー形状断面隔壁のオーバーハング部７ａが
陰極縁部９ａを遮るため、隔壁の上面と隔壁の根本で陰
極が分断され、隣り合った陰極パターンは電気的に絶縁
される。最後に防湿封止を行い、有機ＥＬフルカラーデ
ィスプレイが完成する。
【００２４】図９（ｂ）及び図８（ａ）〜（ｃ）の工程
で３色の有機ＥＬ媒体ではなく１色分の有機ＥＬ媒体を
全面に成膜すれば、単色のディスプレイができるのは明
らかである。また、この１色の色を白色にして、ＲＧＢ
のフィルターと組み合わせれば、フルカラーディスプレ
イにもなる。本発明による有機ＥＬディスプレイは、有
機ＥＬ媒体層成膜後に湿式の工程がないため本来の特性
を損なうことが無く高効率である。更に、陰極を略垂直
方向から成膜するため任意の陰極パターンの形状が可能
である。また、逆テーパーの隔壁は通常、フォトリソグ
ラフィーの技術を用いて作るため、１０μｍ以下の微細
なパターニングが可能である。
で３色の有機ＥＬ媒体ではなく１色分の有機ＥＬ媒体を
全面に成膜すれば、単色のディスプレイができるのは明
らかである。また、この１色の色を白色にして、ＲＧＢ
のフィルターと組み合わせれば、フルカラーディスプレ
イにもなる。本発明による有機ＥＬディスプレイは、有
機ＥＬ媒体層成膜後に湿式の工程がないため本来の特性
を損なうことが無く高効率である。更に、陰極を略垂直
方向から成膜するため任意の陰極パターンの形状が可能
である。また、逆テーパーの隔壁は通常、フォトリソグ
ラフィーの技術を用いて作るため、１０μｍ以下の微細
なパターニングが可能である。
【００２５】この発明の特徴は、有機ＥＬディスプレイ
用基板上に、Ｔ字断面形状または断面形状の１部もしく
は全部が逆テーパーであるオーバーハング部を有する隔
壁などの絶縁物を有する場合、その逆テーパーの絶縁物
の根本で、陰極金属材料の粒子流よりも有機ＥＬ媒体材
料の粒子流の方が回り込みが大きいことである。 （実施例１）化学増幅型レジストを隔壁材料として用い有機ＥＬディ
スプレイパネル製造した場合 ストライプ状にＩＴＯがパターニングされたガラス基板
を十分洗浄し、日本ゼオン製ネガフォトレジストＬＡＸ
−１を５．６μｍスピンコートした。次に、温風循環式
オーブンにてプリベークをした後、ＩＴＯと直交するス
トライプ状のフォトマスク（陰極ギャップ２０μｍ）を
用いて、露光を行った。更に、温風循環式オーブンにて
Ｐ．Ｅ．Ｂをしてから現像を行い、幅２０μｍ高さ５．
６μｍの隔壁を形成した（図１０の図面代用写真参
照）。この基板を回転しながら、ＴＰＤを７００オング
ストローム、Ａｌｑ3を５５０オングストローム蒸着し
た後、基板の回転を止めて基板面に対して垂直な方向か
らＡｌを１０００オングストーム蒸着した（図１１の図
面代用写真参照）。図１１に示すように隔壁の上面と根
本でＡｌ膜は切れており、隣同士の陰極ラインは完全に
絶縁されていた。更に、有機ＥＬ媒体層のエッジはＡｌ
のエッジよりはみ出ていたのでＡ１−ＩＴＯ間でのショ
ートは起きなかった。 （実施例２）Ｃ6 Ｈ5 Ｃｌ処理したレジストを用い有機ＥＬディスプレ
イパネル製造した場合 ストライプ状にＩＴＯがパターニングされたガラス基板
を十分洗浄し、ヘキスト製ポジフォトレジストＡＺ６１
１２を約１μｍスピンコートし、温風循環式オーブンに
てプリベークをした後、３２℃のＣ6Ｈ5Ｃｌ溶液中に３
０分浸した。次に、ＩＴＯと直交するストライプ状のフ
ォトマスク（陰極ギャップ２μｍ）を用いて露光を行っ
てから、現像を行って、幅２μｍ高さ１μｍの隔壁を形
成した（図１２の図面代用写真参照）。後は、実施例１
と同様の工程で蒸着を行った。その結果、隔壁の上面と
根本でＡ１膜は切れており隣同士の陰極ラインは完全に
絶縁されていた。更に、有機ＥＬ媒体層のエッジはＡｌ
のエッジよりはみ出ていたのでＡ１−ＩＴＯ間でのショ
ートは起きなかった。
用基板上に、Ｔ字断面形状または断面形状の１部もしく
は全部が逆テーパーであるオーバーハング部を有する隔
壁などの絶縁物を有する場合、その逆テーパーの絶縁物
の根本で、陰極金属材料の粒子流よりも有機ＥＬ媒体材
料の粒子流の方が回り込みが大きいことである。 （実施例１）化学増幅型レジストを隔壁材料として用い有機ＥＬディ
スプレイパネル製造した場合 ストライプ状にＩＴＯがパターニングされたガラス基板
を十分洗浄し、日本ゼオン製ネガフォトレジストＬＡＸ
−１を５．６μｍスピンコートした。次に、温風循環式
オーブンにてプリベークをした後、ＩＴＯと直交するス
トライプ状のフォトマスク（陰極ギャップ２０μｍ）を
用いて、露光を行った。更に、温風循環式オーブンにて
Ｐ．Ｅ．Ｂをしてから現像を行い、幅２０μｍ高さ５．
６μｍの隔壁を形成した（図１０の図面代用写真参
照）。この基板を回転しながら、ＴＰＤを７００オング
ストローム、Ａｌｑ3を５５０オングストローム蒸着し
た後、基板の回転を止めて基板面に対して垂直な方向か
らＡｌを１０００オングストーム蒸着した（図１１の図
面代用写真参照）。図１１に示すように隔壁の上面と根
本でＡｌ膜は切れており、隣同士の陰極ラインは完全に
絶縁されていた。更に、有機ＥＬ媒体層のエッジはＡｌ
のエッジよりはみ出ていたのでＡ１−ＩＴＯ間でのショ
ートは起きなかった。 （実施例２）Ｃ6 Ｈ5 Ｃｌ処理したレジストを用い有機ＥＬディスプレ
イパネル製造した場合 ストライプ状にＩＴＯがパターニングされたガラス基板
を十分洗浄し、ヘキスト製ポジフォトレジストＡＺ６１
１２を約１μｍスピンコートし、温風循環式オーブンに
てプリベークをした後、３２℃のＣ6Ｈ5Ｃｌ溶液中に３
０分浸した。次に、ＩＴＯと直交するストライプ状のフ
ォトマスク（陰極ギャップ２μｍ）を用いて露光を行っ
てから、現像を行って、幅２μｍ高さ１μｍの隔壁を形
成した（図１２の図面代用写真参照）。後は、実施例１
と同様の工程で蒸着を行った。その結果、隔壁の上面と
根本でＡ１膜は切れており隣同士の陰極ラインは完全に
絶縁されていた。更に、有機ＥＬ媒体層のエッジはＡｌ
のエッジよりはみ出ていたのでＡ１−ＩＴＯ間でのショ
ートは起きなかった。
【００２６】この様に本発明よって、隔壁の上部と有機
ＥＬ媒体が成膜された部分との電気的絶縁が確保され、
後にフォトリソグラフィ等の工程を経ずに自動的に陰極
のパターニングが完了する。また、隔壁とマスクとを突
き合わせて有機ＥＬ媒体を成膜することで、有機ＥＬ媒
体を劣化させる事なく、また隔壁があるため隣接した画
素に成膜された有機ＥＬ媒体が回り込まずに微細な領域
に塗り分けることが可能となり、高精彩なフルカラーデ
ィスプレイが実現できる。 （実施例３）他に微細なピッチのディスプレイを実現す
るものとして、図１３に示すように、第２表示電極に接
続された非線形素子（たとえば薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）、コンデンサなど）が、データ信号ライン及び走査
信号ラインとともに基板平面上に形成したフルカラーデ
ィスプレイがある。図示するように、上記実施例と同様
にＩＴＯ膜３、有機ＥＬ媒体層８及び第２表示電極９を
成膜した前面ガラス基板２を形成し、そして、この前面
基板とは別に所定の画素数だけ第２表示電極と接続すべ
きＴＦＴなどの非線形素子１０１を作り込んである裏面
用ガラス基板１０２を形成し、両基板を非線形素子１０
１が対応する第２表示電極９だけと電気的に導通するよ
うに異方導電性接着剤１０３にて張り合わせてディスプ
レイとする。
ＥＬ媒体が成膜された部分との電気的絶縁が確保され、
後にフォトリソグラフィ等の工程を経ずに自動的に陰極
のパターニングが完了する。また、隔壁とマスクとを突
き合わせて有機ＥＬ媒体を成膜することで、有機ＥＬ媒
体を劣化させる事なく、また隔壁があるため隣接した画
素に成膜された有機ＥＬ媒体が回り込まずに微細な領域
に塗り分けることが可能となり、高精彩なフルカラーデ
ィスプレイが実現できる。 （実施例３）他に微細なピッチのディスプレイを実現す
るものとして、図１３に示すように、第２表示電極に接
続された非線形素子（たとえば薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）、コンデンサなど）が、データ信号ライン及び走査
信号ラインとともに基板平面上に形成したフルカラーデ
ィスプレイがある。図示するように、上記実施例と同様
にＩＴＯ膜３、有機ＥＬ媒体層８及び第２表示電極９を
成膜した前面ガラス基板２を形成し、そして、この前面
基板とは別に所定の画素数だけ第２表示電極と接続すべ
きＴＦＴなどの非線形素子１０１を作り込んである裏面
用ガラス基板１０２を形成し、両基板を非線形素子１０
１が対応する第２表示電極９だけと電気的に導通するよ
うに異方導電性接着剤１０３にて張り合わせてディスプ
レイとする。
【００２７】この方法でディスプレイを作製する際は、
画素ひとつひとつに独立した陰極が有機ＥＬ媒体の上部
に成膜されしかも他の画素の陰極とは絶縁されていなけ
ればならない。この条件を実現するためには、上記した
ようなＴ字型の隔壁を２次元マトリクス状に作製して解
決出来る。
画素ひとつひとつに独立した陰極が有機ＥＬ媒体の上部
に成膜されしかも他の画素の陰極とは絶縁されていなけ
ればならない。この条件を実現するためには、上記した
ようなＴ字型の隔壁を２次元マトリクス状に作製して解
決出来る。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、第１電極上にオーバー
ハング部を有する絶縁物が存在した場合においても、第
１表示電極と第２表示電極間でショートを起こさない有
機ＥＬディスプレイパネルを製造することが可能とな
る。
ハング部を有する絶縁物が存在した場合においても、第
１表示電極と第２表示電極間でショートを起こさない有
機ＥＬディスプレイパネルを製造することが可能とな
る。
【図１】 本発明による有機ＥＬディスプレイパネルの
概略部分拡大平面図。
概略部分拡大平面図。
【図２】 本発明による有機ＥＬディスプレイパネルの
概略部分斜視図。
概略部分斜視図。
【図３】 本発明による有機ＥＬディスプレイパネルの
概略部分断面図。
概略部分断面図。
【図４】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネルの基板の概略斜視図。
パネルの基板の概略斜視図。
【図５】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネル製造工程における基板の概略部分断面図。
パネル製造工程における基板の概略部分断面図。
【図６】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネル製造工程における基板の概略部分拡大断面図。
パネル製造工程における基板の概略部分拡大断面図。
【図７】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネルにおける隔壁の概略部分拡大断面図。
パネルにおける隔壁の概略部分拡大断面図。
【図８】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネル製造工程における基板の概略部分断面図。
パネル製造工程における基板の概略部分断面図。
【図９】 本発明による他の実施例の有機ＥＬディスプ
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
【図１０】 本発明による実施例１の有機ＥＬディスプ
レイパネルにおける隔壁を撮影した図面代用顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）写真。
レイパネルにおける隔壁を撮影した図面代用顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）写真。
【図１１】 本発明による実施例１の有機ＥＬディスプ
レイパネルにおける隔壁付近を撮影した図面代用顕微鏡
（ＳＥＭ）写真。
レイパネルにおける隔壁付近を撮影した図面代用顕微鏡
（ＳＥＭ）写真。
【図１２】 本発明による実施例２の有機ＥＬディスプ
レイパネルにおける隔壁を撮影した図面代用顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）写真。
レイパネルにおける隔壁を撮影した図面代用顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）写真。
【図１３】 本発明による実施例３の有機ＥＬディスプ
レイパネルの概略部分断面図。
レイパネルの概略部分断面図。
【符号の説明】 １ 発光画素 ２ 基板 ３ 第１表示電極ライン ７ 隔壁 ７ａ オーバーハング部 ８ 有機ＥＬ媒体 ９ 第２表示電極ライン １０ 保護膜
【手続補正書】
【提出日】平成１２年１０月１１日（２０００．１０．
１１）
１１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】上記有機ＥＬディスプレイパネルの製造方
法において、基板上に形成された複数の第１表示電極
と、前記第１表示電極上に形成された有機化合物からな
る発光層を含む１以上の有機ＥＬ媒体層と、前記有機Ｅ
Ｌ媒体層上に形成された第２表示電極と、からなる有機
ＥＬディスプレイパネルの製造方法であって、前記基板
上に、複数の前記第１表示電極を形成するパターニング
工程と、前記第１表示電極上に有機ＥＬ媒体を堆積さ
せ、少なくとも１層の前記有機ＥＬ媒体層を形成する発
光層形成工程と、前記有機ＥＬ媒体層の複数の上に前記
第２表示電極を形成する工程とからなり、前記発光層形
成工程において、前記基板を自公転させること、及び／
または前記有機ＥＬ媒体材料の粒子を多方向から蒸発せ
しめる複数の蒸発源を用いること、によって前記有機Ｅ
Ｌ媒体を堆積させるとともに、前記第２表示電極を形成
する工程において、前記第２表示電極材料の粒子を前記
基板と略垂直に、前記有機ＥＬ媒体層上に被着させるこ
と、によって前記第２表示電極を形成する、ことを特徴
とする。
法において、基板上に形成された複数の第１表示電極
と、前記第１表示電極上に形成された有機化合物からな
る発光層を含む１以上の有機ＥＬ媒体層と、前記有機Ｅ
Ｌ媒体層上に形成された第２表示電極と、からなる有機
ＥＬディスプレイパネルの製造方法であって、前記基板
上に、複数の前記第１表示電極を形成するパターニング
工程と、前記第１表示電極上に有機ＥＬ媒体を堆積さ
せ、少なくとも１層の前記有機ＥＬ媒体層を形成する発
光層形成工程と、前記有機ＥＬ媒体層の複数の上に前記
第２表示電極を形成する工程とからなり、前記発光層形
成工程において、前記基板を自公転させること、及び／
または前記有機ＥＬ媒体材料の粒子を多方向から蒸発せ
しめる複数の蒸発源を用いること、によって前記有機Ｅ
Ｌ媒体を堆積させるとともに、前記第２表示電極を形成
する工程において、前記第２表示電極材料の粒子を前記
基板と略垂直に、前記有機ＥＬ媒体層上に被着させるこ
と、によって前記第２表示電極を形成する、ことを特徴
とする。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に形成された複数の第１表示電極
と、前記第１表示電極上に形成された有機化合物からな
る発光層を含む１以上の有機エレクトロルミネッセンス
媒体層と、前記有機エレクトロルミネッセンス媒体層上
に形成された第２表示電極と、からなる有機エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイパネルであって、 前記第１表示電極上のオーバーハング部を有する絶縁物
が存在する位置において、前記絶縁物の根本部にある前
記有機エレクトロルミネッセンス媒体層が、前記第２表
示電極が形成されていない領域を有してなることを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネ
ル。 - 【請求項２】 基板上に形成された複数の第１表示電極
と、前記第１表示電極上に形成された有機化合物からな
る発光層を含む１以上の有機エレクトロルミネッセンス
媒体層と、前記有機エレクトロルミネッセンス媒体層上
に形成された第２表示電極と、からなる有機エレクトロ
ルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法であっ
て、 前記基板上に、複数の前記第１表示電極を形成するパタ
ーニング工程と、 前記第１表示電極上に有機エレクトロルミネッセンス媒
体を堆積させ、少なくとも１層の前記有機エレクトロル
ミネッセンス媒体層を形成する発光層形成工程と、 前記有機エレクトロルミネッセンス媒体層の複数の上に
前記第２表示電極を形成する工程とからなり、 前記発光層形成工程において、前記基板を自公転させる
こと、及び／または前記有機エレクトロルミネッセンス
媒体材料の粒子を多方向から蒸発せしめる複数の蒸発源
を用いること、によって前記有機エレクトロルミネッセ
ンス媒体を堆積させるとともに、 前記第２表示電極を形成する工程において、前記第２表
示電極材料の粒子を前記基板と略垂直に、前記有機エレ
クトロルミネッセンス媒体層上に被着させること、によ
って前記第２表示電極を形成する、ことを特徴とする有
機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000298385A JP3568890B2 (ja) | 1995-03-13 | 2000-09-29 | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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