JP3736179B2 - 有機薄膜発光素子 - Google Patents

有機薄膜発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP3736179B2
JP3736179B2 JP04551799A JP4551799A JP3736179B2 JP 3736179 B2 JP3736179 B2 JP 3736179B2 JP 04551799 A JP04551799 A JP 04551799A JP 4551799 A JP4551799 A JP 4551799A JP 3736179 B2 JP3736179 B2 JP 3736179B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
organic thin
partition
light emitting
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP04551799A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2000243577A (ja
Inventor
祐子 仲俣
豊 寺尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Holdings Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Holdings Ltd filed Critical Fuji Electric Holdings Ltd
Priority to JP04551799A priority Critical patent/JP3736179B2/ja
Priority to US09/506,097 priority patent/US6570323B1/en
Priority to GB0003652A priority patent/GB2348050B/en
Publication of JP2000243577A publication Critical patent/JP2000243577A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3736179B2 publication Critical patent/JP3736179B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はフラットパネルディスプレイ等に用いられる有機薄膜発光素子に係り, 特に製造に際して上部電極パターン相互に導通の発生がなく生産性の高い有機薄膜発光素子の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機薄膜発光素子は有機薄膜電界発光(EL,Electroluminescence)素子とも称され、電場を印加して有機薄膜に電子と正孔を注入しその再結合により発光させる。有機層は一般に多層化して用いられる。
【０００３】
図３は従来の有機薄膜発光素子を示し、（ａ）は二層型の断面図、（ｂ）は三層型の断面図である。（ａ）に示す有機薄膜発光素子は透明基板１上にITO からなる透明電極の陽極２、有機層４である正孔輸送層４ａ、発光層４ｂ、金属電極である陰極５を順次形成したもので有機層が２層構造のものである(Appl. Phys. Lett. 51 巻, 913 頁, 1987年) 。（ｂ）に示す有機薄膜発光素子はさらに陰極３と発光層４ｂの間に電子輸送層４ｃを形成したもので有機層が３層構造のものである。また最近ではさらに陽極２と正孔輸送層４ａの間に正孔注入層を形成した４層構造のものも知られている( 例えばSID 97 DIGEST, 1073 頁, 1997年) 。
【０００４】
図４は従来の有機薄膜発光素子を示す破断斜視図である。
この有機薄膜発光素子は、X,Y マトリクス型( 単純マトリクス型) と称されるものである。透明ガラス基板１上に、ITO 等の複数の透明電極からなる陽極２、電気絶縁層６、有機EL媒体層４、透明電極に直交する上部電極である金属陰極５を順に積層して形成される。有機EL媒体層４を挟持して互いに対向する陽極２および金属陰極５によって有機薄膜発光素子となる発光部が形成される。透明陽極２及び金属陰極５の各々が互いに対向して交差する交差領域の発光部を１単位として１画素が形成される。この様な有機薄膜発光素子の複数個を画素数に応じ一枚の素子基板上に形成したパネルをその周囲から引き出された透明陽極２及び金属陰極５を介して駆動することによりフラットパネルディスプレイ装置が構成される。一般に陽極２のパターニングは、基板上に陽極材料を成膜した後にフォトリソグラフィ法により行われる。すなわち陽極膜上にフォトレジストを塗布、露光、現像し、レジストを所望の形状にパターニングした後に陽極材料をエッチングし、レジストを剥離する。
【０００５】
一方、電荷注入層や発光層等の有機EL媒体層を形成する有機EL媒体は耐熱性，耐溶剤性，耐湿性が低いために上部電極をフォトリソグラフィ法によってパターニングすることは極めて困難である。そこで特開平9 −320758号公報に開示されているように蒸着マスクを用いてパターニングする方法もあるが、基板とマスクの密着不良による蒸着物の回り込みによるパターンぼけが生じたり、マスク部の細い微細なパターンを形成しようとすると、マスクの強度不足によりマスクが撓むこと等の問題が生じ、精度の良いパターン形成が出来ない。さらにエキシマレーザやYAG レーザ等を用いたレーザ加工も考えられるが( 特開平9 50888 号公報) 、陰極膜の下地に有機膜がある場所とない場所での加工性の違いによる生産性の悪さや、加工してできた陰極ラインエッヂ周辺にばりが生じ、それが陽極と短絡する原因になったり、さらにレーザ光照射部周辺の有機層が、レーザ光によるダメージを受けるという問題があった。
【０００６】
この問題を解決する方法として、特開平5 −275172号公報に開示されている、いわゆるシャドウマスク法がある。この技術は、ITO パターニング後の基板上に平行に配置したストライプ状の数〜数１０μm の高さの隔壁を作製し、この隔壁ラインに対して垂直方向，あるいは基板面に対して斜め方向から有機EL媒体や陰極材料を蒸着することにより陰極または有機EL媒体をパターニングする方法である。
【０００７】
また特開平8 −315981号公報に開示されている方法は、基板面に平行な方向に突出するオーバーハング部を上部に有する電機絶縁性の隔壁、すなわち逆テーパ断面を有する隔壁をITO ラインに直行するように、基板及びITO ライン上に形成し、その後有機EL媒体層、陰極を順次成膜して陰極を隔壁のオーバーハング部により分断し、隔壁両側の陰極ラインを電気的に絶縁させるものである。この方法は、陽極であるITO と陰極との短絡を防ぐために、発光層成膜時に有機EL媒体の蒸気流が隔壁のオーバーハング部を回り込む工夫をし、その後の陰極成膜時に、金属蒸気が隔壁オーバーハング部を回り込む程度が、有機EL媒体の回り込みの程度より小さくする。陽極と陰極との短絡、特に陰極エッヂでの短絡を防ぐために、オーバーハング部を有する隔壁の下部に絶縁膜を配置することも示されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
この方法により陰極及び有機層の微細加工を行うことはできるが、逆テーパ形状の隔壁にレジストを用いると、隔壁が剥離しやすくそのために上部電極が相互に連通して良好な上部電極パターンが形成されないという問題があった。
【０００９】
この発明は上述の点に鑑みてなされその目的は、シャドウマスクである隔壁につきその端部を残さないようにして、隔壁の端部剥離を防止し、任意の形状にパターニングされた上部電極を確実に製造することが可能な有機薄膜発光素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上述の目的は第一の発明によれば、複数の発光部からなる画像表示配列を有する有機薄膜発光素子であって、基板と、基板上に並行に配置された複数の第一電極と、第一電極の電極パターン上に形成された有機物質からなる電界発光層と、電界発光層上に形成され複数の第一電極と直交する複数の第二電極と、絶縁膜とその上に形成された逆テーパ形状を成すレジストとから形成された電気絶縁性の隔壁とを備え、該隔壁は、第二電極の電極パターンのギャップ部分に設けられた隔壁ライン部と、該隔壁ライン部の端部である隔壁ライン端部とからなり、該隔壁ライン端部は、互いに連結されてなるものとすることにより達成される。
【００１１】
第二の発明によれば第一の発明において、隔壁ライン端部の幅を隔壁の端部での剥離が生じない程度に前記第二電極パターンのギャップの幅よりも広くすることが有効である。
【００１２】
【発明の実施の形態】
第二電極の電極パターンのギャップ部分に設けられた隔壁ライン部は、電気絶縁性の隔壁の隔壁ライン端部に連結される。
以下に本発明の実施例につき、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
図１はこの発明の実施例に係る有機薄膜発光素子を示し、（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ矢視局部断面図である。基板1 上にITO 等からなる複数の下部電極（第一電極）2 がストライプ状に配列され、その上に有機EL媒体層4 が積層される。有機EL媒体層4 の上には複数の上部電極( 第二電極)5が下部電極（第一電極）2 と直行してストライプ状に積層して配列される。上部電極( 第二電極)5は上部電極と同じ幅の引き出し電極6 に接続する。次いで電気絶縁性の隔壁3 の隔壁ライン端部が下部電極2 の端部と引き出し電極6 の上に形成される。電気絶縁性の隔壁3 の隔壁ライン部が上部電極5 のギャップに設けられるとともに隔壁ライン端部に接続される。
【００１４】
有機EL媒体層4 は発光層の単一層、正孔輸送層と発光層の2 層構造、または正孔輸送層、発光層、電子輸送層の3 層構造である。下部電極2 ラインと上部電極5 ラインが交差して挟まれた有機EL媒体層の部分が発光部となる。
【００１５】
基板1 には石英やガラス板の他にポリエステル，ポリメタクリルアクリレート，ポリカーボネート，ポリサルホン等の透明な合成樹脂板を用いることができる。
また金属板や金属箔，プラスティックフィルム等も用いることができる。
【００１６】
本発明の有機薄膜発光素子は、下部電極2 が陽極として正孔注入の役割を果たす。陽極としては、前記ITO(インジウムスズ酸化物,In2O3+SnO2)の他にインジウム亜鉛酸化物(In2O3+ZnO) を用いてもよい。さらにこれら透明導電膜と金属膜との積層体でもよい。
【００１７】
また有機薄膜発光素子は基板1 及び下部電極2 が透明であり、発光は基板側から取り出されるが、上部電極を透明電極で構成し、発光を上部電極から取り出すこともできる。この場合に光の取り出し効率を高めるために、下部電極に金属を用いるか基板の成膜面と反対側に反射膜を形成することが好ましい。
【００１８】
次に有機薄膜発光素子の製造工程を説明する。
図２はこの発明の実施例に係る有機薄膜発光素子の製造工程を示し、（ａ）は絶縁膜を示す要部断面図、（ｂ）は絶縁膜とレジストを示す要部断面図、（ｃ）は隔壁を示す要部断面図である。
【００１９】
ガラス等の透明基板1 上にITO 等をスパッタリング法等により成膜し、フォトリソグラフィ法により、ストライプ状に加工し、透明な下部電極2 ラインを形成した。下部電極2 は、膜厚約100nm ，線幅90μｍ，ギャップ20μm となるように形成した。このとき下部電極2 ラインのラインエッヂがテーパ形状になるように形成した。ストライプ状にITO 等の下部電極2 がパターニングされた基板上にスパッタ法やPECVD 法等でSi3N4 やSiO2等の絶縁膜を300nm 程度成膜し、ポジ型レジストをその上に成膜しパターニングした後に、ドライエッチング等の異方性エッチングで絶縁膜をパターニングし、絶縁膜3Aラインを形成した( 図2(a)) 。
【００２０】
その上に日本ゼオン製のレジストＺＰＮ１１００を用いて、レジスト膜３Ｃを４〜５μｍ程度成膜し、（図２（ｂ））、絶縁膜３Ａラインと重なるように露光、現像し、オーバーハング形状の側面を持ったレジストライン３Ｂを形成し、絶縁膜ライン３Ａとレジストライン３Ｂによって電気絶縁性の隔壁３ラインを形成した（図２（ｃ））。電気絶縁性の隔壁３ラインはライン端部を残さない形状としている。上述のレジストライン３ＢはレジストはＺＰＮ１１００を用いたが、信越化学製ポジ型レジストＳＩＰＲ−９６９１を用いてもよい。電気絶縁性の隔壁３の隔壁ライン端部は、上部電極５の引出しのために引き出し電極６の内側を一部残して形成し、隔壁３の隔壁ライン端部の幅は引き出し電極６と充分に重なるように、上部電極ギャップ（数１０μｍ）よりも広く形成した。
【００２１】
有機EL媒体の蒸着は、基板上の画素部分で下部電極が露出しないように成膜する。有機EL媒体層の蒸着は以下のように行った。まずN,N'- ジフェニル-N,N'-ビス(3メチルフェニル)-1,1'- ビフェニル-4,4'-ジアミン（TPD ）からなる有機正孔輸送層4aと、トリス(8- キノリノール) アルミニウム（Alq3）から成る発光層4bをそれぞれ膜厚約50nmで成膜した。上部電極5 としては、Al-Li 合金を膜厚約100nm で成膜した。
【００２２】
【発明の効果】
この発明によれば、複数の発光部からなる画像表示配列を有する有機薄膜発光素子であって、基板と、基板上に並行に配置された複数の第一電極と、第一電極の電極パターン上に形成された有機物質からなる電界発光層と、電界発光層上に形成され複数の第一電極と直交する複数の第二電極と、絶縁膜とその上に形成された逆テーパ形状を成すレジストとから形成された電気絶縁性の隔壁とを備え、該隔壁は、第二電極の電極パターンのギャップ部分に設けられた隔壁ライン部と、該隔壁ライン部の端部である隔壁ライン端部とからなり、該隔壁ライン端部は、互いに連結されてなるので、電気絶縁性隔壁の隔壁ライン部は隔壁ライン端部により機械的に補強され、その結果、隔壁ライン部の剥離が防止され、上部電極相互の導通が回避される。このようにして生産効率に優れる有機薄膜発光素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例に係る有機薄膜発光素子を示し、（ａ）は透視平面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ矢視局部断面図
【図２】有機薄膜発光素子の製造工程を示し、（ａ）は絶縁膜を示す要部断面図、（ｂ）は絶縁膜とレジストを示す要部断面図、（ｃ）は隔壁を示す要部断面図
【図３】従来の有機薄膜発光素子を示し、（ａ）は二層型の断面図、（ｂ）は三層型の断面図
【図４】従来の有機薄膜発光素子を示す破断斜視図
【符号の説明】
１ 基板
２ 下部電極
３ 電気絶縁性の隔壁
3A 絶縁膜
3B レジストライン
3C レジスト膜
４ 有機EL媒体層
4a 正孔輸送層
4b 発光層
4c 電子輸送層
５ 上部電極
６ 引き出し電極

Claims (2)

  1. 複数の発光部からなる画像表示配列を有する有機薄膜発光素子であって、基板と、基板上に並行に配置された複数の第一電極と、第一電極の電極パターン上に形成された有機物質からなる電界発光層と、電界発光層上に形成され複数の第一電極と直交する複数の第二電極と、絶縁膜とその上に形成された逆テーパ形状を成すレジストとから形成された電気絶縁性の隔壁とを備え、該隔壁は、第二電極の電極パターンのギャップ部分に設けられた隔壁ライン部と、該隔壁ライン部の端部である隔壁ライン端部とからなり、該隔壁ライン端部は、互いに連結されてなることを特徴とする有機薄膜発光素子。
  2. 隔壁ライン端部の幅を隔壁の端部での剥離が生じない程度に前記第二電極パターンのギャップの幅よりも広くした請求項１に記載の有機薄膜発光素子。
JP04551799A 1999-02-23 1999-02-23 有機薄膜発光素子 Expired - Lifetime JP3736179B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04551799A JP3736179B2 (ja) 1999-02-23 1999-02-23 有機薄膜発光素子
US09/506,097 US6570323B1 (en) 1999-02-23 2000-02-17 Organic thin-film light-emitting device
GB0003652A GB2348050B (en) 1999-02-23 2000-02-18 Organic thin-film light-emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP04551799A JP3736179B2 (ja) 1999-02-23 1999-02-23 有機薄膜発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000243577A JP2000243577A (ja) 2000-09-08
JP3736179B2 true JP3736179B2 (ja) 2006-01-18

Family

ID=12721619

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP04551799A Expired - Lifetime JP3736179B2 (ja) 1999-02-23 1999-02-23 有機薄膜発光素子

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6570323B1 (ja)
JP (1) JP3736179B2 (ja)
GB (1) GB2348050B (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW472503B (en) * 2000-04-26 2002-01-11 Ritdisplay Corp Manufacture method of photosensitive polyimide pattern definition layer for organic light-emitting diodes display
JP2002100469A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
KR100437769B1 (ko) * 2001-09-13 2004-06-30 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 제조방법
DE10152919A1 (de) * 2001-10-26 2003-05-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Organisches elektrolumineszierendes Display
JP2003142258A (ja) * 2001-10-31 2003-05-16 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネル
JP3718770B2 (ja) * 2002-01-11 2005-11-24 株式会社日立製作所 アクティブマトリックス型の表示装置
TW581991B (en) * 2002-10-25 2004-04-01 Ritdisplay Corp OLED device and packaging method thereof
JP2004273310A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌディスプレイ
KR100499509B1 (ko) * 2003-04-16 2005-07-05 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 디스플레이 패널의 제조방법
US20050099114A1 (en) * 2003-11-12 2005-05-12 Chao-Chin Wu Organic electroluminescent panel and method for manufacturing the panel
JP2005317229A (ja) 2004-04-27 2005-11-10 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置の製造方法及び電子機器
KR100659055B1 (ko) * 2004-06-23 2006-12-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 박막 트랜지스터를 구비한 능동 구동형 유기전계발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR101264328B1 (ko) * 2006-02-17 2013-05-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드
US9059416B2 (en) * 2011-03-30 2015-06-16 Ocean's King Lighting Science & Technology Co., Ltd. Substrate, manufacturing method thereof, and organo-electroluminescent device using the same
CN108415614B (zh) * 2018-04-26 2020-03-13 京东方科技集团股份有限公司 触控显示基板及其制备方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0041040B1 (en) * 1980-05-08 1985-01-09 Sandoz Ag Sulphofree basic azo compounds in metal complex form, in metal-free form and method for preparing the same
US5276380A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
US5701055A (en) 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
JP3813217B2 (ja) * 1995-03-13 2006-08-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
JP3401356B2 (ja) * 1995-02-21 2003-04-28 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法
JP4142117B2 (ja) 1995-10-06 2008-08-27 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法
US6037712A (en) * 1996-06-10 2000-03-14 Tdk Corporation Organic electroluminescence display device and producing method thereof
JP3839874B2 (ja) * 1996-07-10 2006-11-01 株式会社エクセディ フライホイール組立体
JP3304287B2 (ja) * 1997-06-30 2002-07-22 出光興産株式会社 有機ｅｌ多色発光表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB2348050B (en) 2003-11-12
GB0003652D0 (en) 2000-04-05
JP2000243577A (ja) 2000-09-08
GB2348050A (en) 2000-09-20
US6570323B1 (en) 2003-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3641963B2 (ja) 有機ｅｌ素子とその製造方法
JP3736179B2 (ja) 有機薄膜発光素子
JP4103045B2 (ja) 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法
JP4684592B2 (ja) 有機電界発光素子の製造方法
US7221094B2 (en) Electroluminescent device and method of manufacturing the same
US6717357B2 (en) Organic electroluminescent display panel
JP3900675B2 (ja) 電界発光素子及びその製造方法
US5936344A (en) Organic electroluminescent element
JP2003282238A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
JPH1187052A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20070235767A1 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
JP2001085167A (ja) 有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP3663876B2 (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
JP2009187774A (ja) 有機エレクトロルミネセンス素子
US6107736A (en) Organic electroluminescent display device and method of fabrication
JP4457697B2 (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
JPH11307268A (ja) 有機薄膜発光素子およびその製造方法
JP2914355B2 (ja) 有機ｅｌ素子
JP2008108680A (ja) 有機ｅｌ素子の製造方法
WO2013014790A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイスおよび有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法
JP3128538B2 (ja) 有機電界発光装置の製造方法
KR100612117B1 (ko) 보조 전극을 덮는 절연막이 형성된 유기 전계 발광 소자및 그 제조 방법
JP2000148090A (ja) 有機ｅｌ素子およびその製造方法
KR100661161B1 (ko) 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
JP2000100557A (ja) 電場発光ディスプレイパネル及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20040809

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041018

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050705

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050725

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20050902

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20051004

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20051017

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091104

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101104

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111104

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111104

Year of fee payment: 6

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111104

Year of fee payment: 6

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104

Year of fee payment: 7

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104

Year of fee payment: 7

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121104

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131104

Year of fee payment: 8

EXPY Cancellation because of completion of term