JP2005317229A - 有機el装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板2上の膜形成領域Mを挟むように隔壁4を形成する工程と、隔壁4の近傍に区画部11を形成する工程と、隔壁4と区画部11に囲まれる膜形成領域Mに電極形成材料を含む液滴を吐出する工程と、を有する。
【選択図】 図12
Description
一般に真空蒸着法などによって成膜する場合に膜厚を厚くすると、膜応力等により剥離したり、または長時間の成膜のために蒸着源からの輻射熱により発光層が劣化することがあった。よって、真空蒸着法にて成膜された陰極は膜厚が薄く制限される。従って電極の電気抵抗が大きくならざるを得なかった。
陰極の電気抵抗が大きい場合、電圧降下によって表示領域の中央に近い部分ほど有機EL素子に印加される電圧が低くなり、それに起因して輝度むらが生じる。この電圧降下は、特に大型の有機EL表示装置の場合に顕著であり、表示品質が低下するという問題が生じる。
ところが、この構成では、液滴が膜形成領域から流出して隔壁を隔てて形成される隣り合う電極同士が隔壁の長さ方向端部において接触する虞がある。この場合、電極同士が電気的に接続されてしまい短絡の原因となることがある。
本発明の有機EL装置の製造方法は、基板上の膜形成領域を挟んで隔壁を形成する工程と、前記膜形成領域に電極形成材料を含む液滴を吐出する工程とを有する有機EL装置の製造方法であって、前記隔壁の端部近傍に前記膜形成領域と非膜形成領域とを区画して、吐出した前記液滴の流出を阻止する区画部を形成する工程を有することを特徴とするものである。
区画部を第2隔壁で構成する場合には、前記隔壁と前記第2隔壁とを同一工程で形成することにより、製造工程を削減することが可能になり、生産性の向上に寄与できる。
また、隔壁としては、上方に向かうに従って漸次拡径する逆テーパ状に形成する構成を採用できる。
この場合、電極の膜厚をさらに大きくすることが可能になり、電極における電気抵抗を一層小さくできる。
従って、本発明では製膜された電極が短絡せず、また輝度むら等が生じない表示品質に優れた電子機器を得ることができる。
図1〜図3は、本実施形態に係るパッシブマトリクス型の有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を模式的に表した模式図であり、図1は平面図、図2は有機EL装置1の内部構成図、図3は図1のI−I’の矢視図である。
これらの図に示すように、本有機EL装置1は、基板2上に所定方向(Y軸方向)に帯状に延在する複数の第1電極(陽極)3と、第1電極の延在方向に対して直交する方向(X軸方向)に延在する複数のカソードセパレータ(隔壁)4と、カソードセパレータ4の下方に設置されるバンク層10と、カソードセパレータ4同士の間の膜形成領域Mに形成される第2電極(陰極)5と、第1電極3と第2電極5との交差領域(発光領域)Aに第1電極3及び第2電極5に上下に挟まれた有機機能層6と、第1電極3、カソードセパレータ4、第2電極5及び有機機能層6等を缶封止するための封止部7とを主な構成要素としている。
第1電極形成工程は、Y軸方向に帯状に延在する第1電極3を基板2上に複数形成する工程である。この第1電極形成工程では、図4(a),(b)に示すように、ITOやIZO等の金属酸化物からなる第1電極3をスパッタリングによって基板2上に複数形成する。これによって、短冊状の第1電極3がX軸方向に所定の間隔を有して複数形成され、その一方の端部3a(図4(a)における上側)は、基板2の端部2aに届くように形成されている。なお、第1電極形成工程において、接続端子8も形成される。この接続端子8は、図示するように、一端部8bが基板2の端部2bに届き、他端部8cがバンク形成領域Bの端部Baよりも基板2の中心寄りに位置するように形成される。
絶縁膜形成工程は、図5(a),(b)に示すように、発光領域Aの第1電極3、第1電極3の端部3a近傍、接続部8a及び接続端子8の端部8b近傍が露出するようにパターニングされた絶縁膜9を基板2、第1電極3及び接続端子8上に形成する工程である。この絶縁膜形成工程では、テトラエトキシシランや酸素ガス等を原料としてプラズマCVD法によって絶縁膜9が形成される。なお、絶縁膜9は、接続部8aがカソードセパレータ形成領域Bの端部Baより基板2の中心寄りに位置するようにパターニングされる。
バンク層形成工程は、図6(a),(b)に示すように、接続部8aを被覆せず、かつ、発光領域Aに対応した位置に開口部10aが形成されたバンク層10をカソードセパレータ形成領域Bに形成する工程である。このバンク層形成工程では、上述した第1電極3及び絶縁膜9が形成された基板上にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する感光性材料(有機材料)を有機機能層6の厚み以上、かつ、カソードセパレータ4の厚み以下で塗布し、フォトリソグラフィティー技術によって発光領域Aに対応した位置に開口部10aを形成する。
カソードセパレータ及び区画壁形成工程は、図7(a),(b)に示すように、第1電極3の延在方向に対して直交した方向(X軸方向)に帯状に延在する複数のカソードセパレータ4を膜形成領域Mを挟んだ両側に所定の間隔で形成するとともに、セパレータ4の端部同士を接続して第2電極5の膜形成領域Mを区画する区画壁11を形成する工程である。このカソードセパレータ及び区画壁形成工程では、まず、基板2上にポリイミド等の感光性樹脂をスピンコート等によって所定の厚みで塗布する。そして、この所定の厚みで塗布されたポリイミド等の感光性樹脂をフォトリソグラフィティー技術によってエッチングすることで、幅方向の断面が逆テーパ状に形状設定されたカソードセパレータ4及び区画壁11をカソードセパレータ形成領域Bに同一工程で複数形成する。なお、このようなカソードセパレータ4は、カソードセパレータ4間に接続部8aが位置するように、また、カソードセパレータ4の幅方向の端部4bがバンク層10の端部10cよりも発光領域Aの外側寄りに位置するように形成される。
プラズマ処理工程では、第1電極3の表面を活性化すること、更にバンク層10及びカソードセパレータ4、区画壁11の表面を表面処理する事を目的として行われる。具体的には、周知のように、まずO2プラズマ処理を行うことによって、露出した第1電極3(ITO)上の洗浄、更に仕事関数の調整を行うと共に、バンク層10の表面、露出した第1電極3の表面及びカソードセパレータ4、区画壁11の表面が親液化する。続いて、CF4プラズマ処理を行うことによってバンク層10及びカソードセパレータ4、区画壁11の表面を撥液化する。
正孔注入/輸送層形成工程は、露出した第1電極3上、すなわちバンク層10の開口部10a内に正孔注入/輸送層62を液滴吐出法のよって形成する工程である。この正孔注入/輸送層形成工程では、例えば、インクジェット装置を用いることによって、正孔注入/輸送層材料を第1電極3上に吐出する。その後、乾燥処理及び熱処理を行うことによって第1電極3上に、図8(a),(b)に示すような正孔注入/輸送層62を形成する。
発光層形成工程は、図9(a),(b)、図10(a),(b)に示すように、第1電極3上に形成された正孔注入/輸送層62上に低分子材料からなる発光層61を形成する工程である。この発光層形成工程では、まず、青色発光領域Acに対応したバンク層10の開口部10a内に、例えば、インクジェット装置を用いた液滴吐出法によって青色発光層材料を吐出させることによって、図9(a),(b)に示すような青色発光層61cを形成する。続いて、赤色発光領域Aaに対応したバンク層10の開口部10a内に赤色発光層材料を吐出させることによって赤色発光層61aを形成し、緑色発光領域Abに対応したバンク層10の開口部10aに緑色発光層材料を吐出させることによって、緑色発光層61bを形成する(図10(a),(b)参照)。
電子注入/輸送層形成工程は、図11(a),(b)に示すように、発光層61上に電子注入/輸送層63を形成する工程である。この電子注入/輸送層形成工程では、例えば、インクジェット装置を用いた液滴吐出法によって電子注入/輸送層材料を発光層61上に吐出することによって、電子注入/輸送層63を形成する。なお、正孔注入/輸送層形成工程、発光層形成工程及び電子注入/輸送層形成工程を合わせた工程が、有機機能層形成工程である。
第2電極形成工程は、図12(a),(b)に示すように、隣り合うカソードセパレータ4同士の間の膜形成領域Mに第2電極5を形成する工程である。この第2電極形成工程では、上述したインクジェット装置を用いた液滴吐出法によって電極形成材料を含む液滴(例えば金属分散系インク)を膜形成領域Mに吐出することによって第2電極5を形成する。このとき、膜形成領域Mは、Y軸方向についてはカソードセパレータ4によって囲われ、またX軸方向については区画壁11によって囲われているため、吐出された液滴は各膜形成領域Mに収まり、隣り合う膜形成領域Mの液滴同士が接触することが回避される。この後、乾燥処理及び熱処理を行うことによって有機機能層6上に、図3に示したような第2電極5を形成する。
最後に、上述した工程によって第1電極3、有機機能層6及び第2電極5等が形成された基板2と封止缶7bとを封止樹脂7aを介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂7aを基板2の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止缶7bを配置する(図3参照)。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、第2電極5にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が第2電極5に侵入して第2電極5が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
続いて、本発明に係る有機EL装置の製造方法の第2実施形態について説明する。
上記第1実施形態では、膜形成領域Mを区画する区画部として区画壁11を設ける構成としたが、第2実施形態では区画部として撥液膜を用いる場合について説明する。
図13に示すように、本実施の形態では、カソードセパレータの長さ方向端部の間には電極形成材料の液滴に対して撥液性を有する撥液膜(区画部)11’が製膜されており、撥液膜11’によって膜形成領域Mは非膜形成領域Hと区画されている。
この撥液膜11’は、上述したプラズマ処理等により形成することが可能である。
なお、図13では膜形成領域Mと非膜形成領域Hとの境界部分(ハッチングを付した箇所)のみに撥液膜11’を設けているが、非膜形成領域H全体を撥液膜としてもよい。
第3実施形態として、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図14(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図14(a)において、600は携帯電話本体を示し、601は上記実施形態の有機EL装置1を備えた表示部を示している。
図14(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図14(b)において、700は情報処理装置、701はキーボードなどの入力部、703は情報処理本体、702は上記実施形態の有機EL装置1を備えた表示部を示している。
図14(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図14(c)において、800は時計本体を示し、801は上記実施形態の有機EL装置1を備えた表示部を示している。
図14(a)〜(c)に示す電子機器は、上記実施形態の有機EL装置1を備えたものであるので、製膜された電極が短絡せず、また輝度むら等が生じない表示品質に優れたものとなる。
また、上記実施形態において、発光層61として低分子系の材料を用いたが、高分子系の材料を用いても良い。なお、高分子系の発光層材料としては、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、9,10-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等をドープして用いることができる。
Claims (7)
- 基板上の膜形成領域を挟むように隔壁を形成する工程と、
前記隔壁の近傍に区画部を形成する工程と、
前記隔壁と前記区画部に囲まれる前記膜形成領域に電極形成材料を含む液滴を吐出する工程と、
を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。
- 請求項1記載の有機EL装置の製造方法において、
前記区画部は、前記液滴に対して撥液性を有する撥液膜であることを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 請求項1記載の有機EL装置の製造方法において、
前記区画部は、前記膜形成領域を挟んで配置された前記隔壁の前記端部同士を接続する第2隔壁であることを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 請求項3記載の有機EL装置の製造方法において、
前記隔壁と前記第2隔壁とを同一工程で形成することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 請求項1から4のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法において、
前記隔壁は、上方に向かうに従って漸次拡径する逆テーパ状に形成されることを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 請求項1から5のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法において、
前記液滴を前記膜形成領域に吐出する工程と、吐出した前記液滴を乾燥・焼成する工程とを複数回繰り返して行うことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 請求項1から6のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法により製造された有機EL装置を備えることを特徴とする電子機器。
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