JP2005310534A - 有機el装置の製造方法及び有機el装置並びに電子機器 - Google Patents
有機el装置の製造方法及び有機el装置並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005310534A JP2005310534A JP2004125400A JP2004125400A JP2005310534A JP 2005310534 A JP2005310534 A JP 2005310534A JP 2004125400 A JP2004125400 A JP 2004125400A JP 2004125400 A JP2004125400 A JP 2004125400A JP 2005310534 A JP2005310534 A JP 2005310534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- organic
- separators
- substrate
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【解決手段】 有機EL装置は、対向する電極3,5間に有機機能層6が形成されてなり、一方の電極5を帯状にセパレートするための複数のセパレータ4を有する。その一方の電極5を形成する工程は、複数のセパレータ4同士間に液滴吐出法により電極材料を配置する工程と、複数のセパレータ4同士間に配置された電極材料を乾燥する工程とを含む。
【選択図】 図13
Description
電極材料が金属分散系インクであると一度に多量の材料配置が可能となる。
電極の厚膜化により、この製造方法で製造された有機EL装置は、電極における電圧降下が抑制され、画質の均一化が図られる。したがって、この製造方法は、基板の大型化に好ましく適用される。
この場合、例えば、電極材料に対するセパレータ表面の接触角が60°以上であるのが好ましい。
セパレータの表面が撥液性を有することにより、電極材料の配置の際に、複数のセパレータ同士間に電極材料が良好に流れ込み、溢れるのが防止される。そのため、電極の厚膜化をより図りやすくなる。
これにより、電極がさらに厚膜化される。
本発明の有機EL装置は、電極の厚膜化により、電極における電圧降下が抑制され、画質の均一化が図られ、基板の大型化に好ましく適用される。
上記の製造方法を用いて製造される本発明の有機EL装置は、例えば、次のような形態上の特徴を有する。
図1〜図3は、本実施形態に係るパッシブマトリクス型の有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置を模式的に表した模式図であり、図1は平面図、図2は有機EL装置1の内部構成図、図3は図1のI−I’の矢視図である。これらの図に示すように、本有機EL装置1は、基板2上に所定方向に短冊状(帯状)に延在する複数の第1電極(陽極)3と、第1電極の延在方向に対して直交する方向に延在する複数のカソードセパレータ(セパレータ)4と、カソードセパレータ4の下方に設置されるバンク層10と、カソードセパレータ4同士の間に形成される第2電極(陰極)5と、第1電極3と第2電極5との交差領域(発光領域)Aに第1電極3及び第2電極5に上下に挟まれた有機機能層6と、第1電極3、カソードセパレータ4、第2電極5及び有機機能層6等を缶封止するための封止部7とを主な構成要素としている。
第1電極形成工程は、所定方向に短冊状(帯状)に延在する第1電極3を基板2上に複数形成する工程である。この第1電極形成工程では、図4(a),(b)に示すように、ITOやIZO等の金属酸化物からなる第1電極3をスパッタリングによって基板2上に複数形成する。これによって、短冊状の第1電極3が所定の間隔を有して複数形成され、その一方の端部3a(図4(a)における上側)は、基板2の端部2aに届くように形成される。なお、第1電極形成工程において、接続端子8も形成される。この接続端子8は、図示するように、一端部8bが基板2の端部2bに届き、他端部8cがバンク形成領域Bの端部Baよりも基板2の中心寄りに位置するように形成される。
絶縁膜形成工程は、図5(a),(b)に示すように、発光領域Aの第1電極3、第1電極3の端部3a近傍、接続部8a及び接続端子8の端部8b近傍が露出するようにパターニングされた絶縁膜9を基板2、第1電極3及び接続端子8上に形成する工程である。この絶縁膜形成工程では、テトラエトキシシランや酸素ガス等を原料としてプラズマCVD法によって絶縁膜9が形成される。なお、絶縁膜9は、接続部8aがカソードセパレータ形成領域Bの端部Baより基板2の中心寄りに位置するようにパターニングされる。
バンク層形成工程は、図6(a),(b)に示すように、接続部8aを被覆せず、かつ、発光領域Aに対応した位置に開口部10aが形成されたバンク層10をカソードセパレータ形成領域Bに形成する工程である。このバンク層形成工程では、上述した第1電極3及び絶縁膜9が形成された基板上にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する感光性材料(有機材料)を有機機能層6の厚み以上、かつ、カソードセパレータ4の厚み以下で塗布し、フォトリソグラフィ技術によって発光領域Aに対応した位置に開口部10aを形成する。
カソードセパレータ形成工程は、図7(a),(b)に示すように、第1電極3の延在方向に対して直交した方向に帯状に延在する複数のカソードセパレータ4を所定の間隔で形成する工程である。このカソードセパレータ形成工程では、まず、基板2上にポリイミド等の感光性樹脂をスピンコート等によって所定の厚みで塗布する。そして、この所定の厚みで塗布されたポリイミド等の感光性樹脂をフォトリソグラフィ技術によってエッチングすることで、幅方向の断面が逆テーパ状に形状設定されたカソードセパレータ4をカソードセパレータ形成領域Bに複数形成する。なお、このようなカソードセパレータ4は、カソードセパレータ4間に接続部8aが位置するように、また、カソードセパレータ4の幅方向の端部4bがバンク層10の端部10c(縁部)よりも発光領域Aの外側寄りに位置するように形成される。なお、カソードセパレータ4の形状は逆テーパ状に限らず他の形状でもよい。
プラズマ処理工程では、第1電極3の表面を活性化すること、更にバンク層10及びカソードセパレータ4の表面を表面処理する事を目的として行われる。具体的には、まずO2プラズマ処理を行うことによって、露出した第1電極3(ITO)上の洗浄、更に仕事関数の調整を行うと共に、バンク層10の表面、露出した第1電極3の表面及びカソードセパレータ4の表面が親液化する。続いて、CF4プラズマ処理を行うことによってバンク層10及びカソードセパレータ4の表面を撥液化する。撥液化においては、後述する第2電極5の形成材料に対してカソードセパレータ4の表面の接触角が60°以上であるのが好ましい。
正孔注入/輸送層形成工程は、露出した第1電極3上、すなわちバンク層10の開口部10a内に正孔注入/輸送層62を液滴吐出法を用いて形成する工程である。この正孔注入/輸送層形成工程では、例えば、インクジェット装置を用いることによって、正孔注入/輸送層材料を第1電極3上に吐出する。その後、乾燥処理及び熱処理を行うことによって第1電極3上に、図8(a),(b)に示すような正孔注入/輸送層62を形成する。
発光層形成工程は、図9(a),(b)、図10(a),(b)に示すように、第1電極3上に形成された正孔注入/輸送層62上に低分子材料からなる発光層61を形成する工程である。この発光層形成工程では、まず、青色発光領域Acに対応したバンク層10の開口部10a内に、例えば、インクジェット装置を用いた液滴吐出法によって青色発光層材料を吐出させることによって、図9(a),(b)に示すような青色発光層61cを形成する。続いて、赤色発光領域Aaに対応したバンク層10の開口部10a内に赤色発光層材料を吐出させることによって赤色発光層61aを形成し、緑色発光領域Abに対応したバンク層10の開口部10aに緑色発光層材料を吐出させることによって、緑色発光層61bを形成する(図10(a),(b)参照)。
電子注入/輸送層形成工程は、図11(a),(b)に示すように、発光層61上に電子注入/輸送層63を形成する工程である。この電子注入/輸送層形成工程では、例えば、インクジェット装置を用いた液滴吐出法によって電子注入/輸送層材料を発光層61上に吐出することによって、電子注入/輸送層63を形成する。なお、正孔注入/輸送層形成工程、発光層形成工程及び電子注入/輸送層形成工程を合わせた工程が、有機機能層形成工程である。
第2電極形成工程は、図12及び図13(a),(b)に示すように、隣り合うカソードセパレータ4同士の間に第2電極5を形成する工程であり、電極材料を配置する工程と、配置された電極材料を乾燥する工程とを含む。電極材料を配置する工程では、インクジェット装置を用いた液滴吐出法によって第2電極5の形成材料を電子注入/輸送層63上に配置する。
最後に、上述した工程によって第1電極3、有機機能層6及び第2電極5等が形成された基板2と封止缶7bとを封止樹脂7aを介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂7aを基板2の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止缶7bを配置する(図3参照)。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、第2電極5にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が第2電極5に侵入して第2電極5が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
なお、電極材料の配置は、液滴吐出法に限らず、スクリーン印刷法や、オフセット印刷法を用いてもよい。
次に、本有機EL装置の第2実施形態について図14を用いて説明する。
本実施形態においては、図14に示すように、第2電極5が複数の膜(第1膜5a、第2膜5a)による積層構造からなる。このような有機EL装置1を製造する場合には、第2電極5の形成工程において、液滴吐出法により電極材料を配置する工程と、配置された電極材料を乾燥する工程とを繰り返す(本例では2度繰り返す)。このように構成された有機EL装置1においては、第1実施形態に比べてさらに第2電極5の厚膜化がなされることから、第2電極5における電圧降下がより確実に抑制される。
次に、本有機EL装置の第3実施形態について図15を用いて説明する。
図15に示すように、本例の有機EL装置11は、配線基板20と、有機EL基板(発光素子基板)30とをSUFTLA(Surface Free Technology by Laser Ablation)(登録商標)と呼ばれる転写技術を用いて接合した構成となっている。なお、上記転写技術については、例えば、特開平10−125929号公報、特開平10−125930号公報、特開平10−125931号公報等に記載されている。
ここで、TFT接続部25は、TFT24の端子パターンに応じて形成されるものであり、例えば、無電解メッキ処理等によって形成されたバンプ(導電性突起部)25aと、バンプ25a上に配置される接合材25bとから構成される。
有機EL基板30は、発光光が透過する透明基板32と、ITO等の透明金属からなる第1電極(陽極)33と、有機機能層(正孔注入/輸送層34、発光層35)と、第2電極(陰極)36と、カソードセパレータ37とを含んで構成されている。発光層35と第2電極36との間に電子注入/輸送層を形成してもよい。
さらに、配線基板20と有機EL基板30との間には、封止ペースト38が充填されているとともに、有機EL接続部26及び陰極36間を電気的に導通させる導電性ペースト39が設けられている。
図16は、本発明の電子機器の一実施形態を示している。本実施形態の電子機器は、先の図1から図3に示した有機EL装置1を表示手段として搭載している。図16は、携帯電話の一例を示した斜視図で、符号1000は携帯電話本体を示し、符号1001は上記の有機EL装置1を用いた表示部を示している。このように本発明に係る電子機器は、電極における電圧降下が抑制される結果、画質の均一化が図られた表示部を備えた電子機器を提供することが可能となる。
Claims (9)
- 対向する電極間に有機機能層が形成されてなる有機EL装置の製造方法であって、
一方の電極を帯状にセパレートするための複数のセパレータを形成する工程と、
前記複数のセパレータ同士間に液滴吐出法により電極材料を配置する工程と、
前記複数のセパレータ同士間に配置された前記電極材料を乾燥する工程と、を有することを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 前記電極材料は、金属分散系インクであることを特徴とする請求項1に記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記電極材料を配置する工程より前に、セパレータの表面に撥液化を与える工程を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記電極材料を配置する工程と、前記電極材料を乾燥する工程とを繰り返すことを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法。
- 請求項1から請求項4のいずれかに記載の有機EL装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする有機EL装置。
- 対向する電極間に有機機能層が形成されてなる有機EL装置であって、
一方の電極が複数のセパレータ同士間に帯状に形成されており、
前記複数のセパレータの各頂面には導電膜が非形成状態にあることを特徴とする有機EL装置。 - 前記一方の電極は、前記複数のセパレータ同士間において隣り合う2つのセパレータの少なくとも一方に接触して形成されていることを特徴とする請求項6に記載の有機EL装置。
- 前記一方の電極は、液滴吐出法を用いて形成されたものであることを特徴とする請求項6または請求項7に記載の有機EL装置。
- 請求項5から請求項8のうちのいずれかに記載の有機EL装置を表示装置として備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004125400A JP2005310534A (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 有機el装置の製造方法及び有機el装置並びに電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004125400A JP2005310534A (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 有機el装置の製造方法及び有機el装置並びに電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009283196A Division JP2010062161A (ja) | 2009-12-14 | 2009-12-14 | 有機el装置及び電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005310534A true JP2005310534A (ja) | 2005-11-04 |
Family
ID=35439064
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004125400A Pending JP2005310534A (ja) | 2004-04-21 | 2004-04-21 | 有機el装置の製造方法及び有機el装置並びに電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005310534A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010532080A (ja) * | 2007-07-04 | 2010-09-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | パターン化された層を基板上に形成する方法 |
JP2015109190A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
-
2004
- 2004-04-21 JP JP2004125400A patent/JP2005310534A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010532080A (ja) * | 2007-07-04 | 2010-09-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | パターン化された層を基板上に形成する方法 |
US9105867B2 (en) | 2007-07-04 | 2015-08-11 | Koninklijke Philips N.V. | Method for forming a patterned layer on a substrate |
JP2015109190A (ja) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4225237B2 (ja) | 有機el装置及び有機el装置の製造方法並びに電子機器 | |
KR100712630B1 (ko) | 유기 el 장치의 제조 방법 및 유기 el 장치 및 전자기기 | |
US7754275B2 (en) | Device, method for manufacturing device, and method for forming film | |
JP2006253443A (ja) | 有機el装置、その製造方法および電子機器 | |
JP5678740B2 (ja) | 有機el表示装置および電子機器 | |
JP2006310106A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP2008234989A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、及びラインヘッド | |
JP2004004610A (ja) | 配線基板、電子装置、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP2007103033A (ja) | 発光装置、及び発光装置の製造方法 | |
US9048207B2 (en) | Bubble discharging structure, reverse printing block, display device, printing method, and method of manufacturing display device | |
JP2006221839A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法および電子機器 | |
US7514281B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence device and electronic apparatus | |
JP4411828B2 (ja) | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP4677817B2 (ja) | 有機el装置、有機el装置の製造方法及びこれを用いた電子機器 | |
JP2004004611A (ja) | 配線基板、電子装置、電気光学装置、並びに電子機器 | |
JP2005310534A (ja) | 有機el装置の製造方法及び有機el装置並びに電子機器 | |
JP2004235014A (ja) | 電気光学表示装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP2010062161A (ja) | 有機el装置及び電子機器 | |
JP2008234990A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
JP2004303699A (ja) | 有機el装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP2004303700A (ja) | 有機el装置及びその製造方法並びに電子機器 | |
JP2004303698A (ja) | 有機el装置の製造方法及び有機el装置並びに電子機器 | |
JP4978543B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法 | |
JP2013004188A (ja) | 有機el装置、及び電子機器 | |
JP2008140573A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置、エレクトロルミネッセンス装置の製造方法並びに電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20060522 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091005 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091013 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091214 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20091214 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100119 |