JP2004303698A

JP2004303698A - 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置並びに電子機器

Info

Publication number: JP2004303698A
Application number: JP2003098264A
Authority: JP
Inventors: Hirobumi Sakai; 寛文酒井
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2003-04-01
Filing date: 2003-04-01
Publication date: 2004-10-28

Abstract

【課題】確実にセパレータ形成領域Ｂ内に第２電極の材料を蒸着させることによって第２電極同士が接触することにより生じる短絡を防止する。
【解決手段】開口部の端部Ｘ１ａ，Ｘ１ｂがカソードセパレータ形成領域Ｂよりセパレータの高さ以上だけ基板の中心寄りに位置するように設定されたマスクＸを介して第２電極の材料を基板上に蒸着させる。
【選択図】図１２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法及び有機ＥＬ装置並びに電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、ノートパソコン、携帯電話機、電子手帳等の電子機器において、情報を表示する手段として有機エレクトロルミネッセンス（以下有機ＥＬと称す）素子を画素に対応させて備える有機ＥＬ装置等といった表示装置が提案されている。
【０００３】
このような有機ＥＬ装置の１つにパッシブマトリクス型（単純マトリクス型）の有機ＥＬ装置がある。一般的に、このパッシブマトリクス型の有機ＥＬ装置は、基板上に複数形成された所定方向に帯状に延在する第１電極と、該第１電極に対して直交する方向に帯状に複数配置された第２電極と、第１電極と第２電極との交差領域において第１電極及び第２電極に上下に挟み込まれた有機機能層とを備えている。この有機機能層は、第１電極及び第２電極に電流が流れた場合に発光する発光層を含んでおり、パッシブマトリクス型の有機ＥＬ装置は、発光層を含む有機機能層を１画素に対応させて複数備えることによって構成されている。
【０００４】
このような、パッシブマトリクス型の有機ＥＬ装置の製造方法は、一般的に、まず基板上に第１電極を形成する第１電極形成工程と、その第１電極上に第１電極と直交する方向に帯状に延在する所定の高さを有した絶縁物質からなるセパレータを所定間隔で複数形成するセパレータ形成工程と、その後、第１電極上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、基板に対して一方の側が対向配置されたマスクの他方の側から第２電極材料をセパレータが形成された基板に蒸着させることによってセパレータ間に第１電極と直交する帯状の第２電極を複数形成する第２電極形成工程と、第１電極、有機機能層、セパレータ及び第２電極が形成された基板を封止部によって封止する封止工程を有している。
【０００５】
【特許文献１】
特開２０００−２９４３７１号公報
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、第２電極の材料をセパレータに蒸着させる場合に、第２電極の材料が基板上の複数のセパレータが形成されたセパレータ形成領域の外部（セパレータの端部より外側）に蒸着すると隣り合う第２電極同士が接触し、短絡の原因となる。このため、セパレータ上にセパレータ形成領域と同じ単一の開口部を有するマスクを配置し、該マスクを介して第２電極の材料を蒸着させている。
【０００７】
上述のようにマスクの開口部はセパレータ形成領域と同じ大きさに形状設定されているので、セパレータの延在方向に対応した端部は、セパレータの端部の真上に位置することとなる。ところが、周知のように、セパレータはセパレータの上部に蒸着した第２電極の材料とセパレータ間の底部に付着した第２電極の材料とが接触しないように充分な高さを有するように形状設定されているため、マスクの一方側の面とセパレータ間の底部との間にセパレータの高さ分の隙間が生じる。これに加え、第２電極の材料は、通常、蒸着源から放射状に放出される。このため、第２電極の材料がマスク開口部の端部に斜方から入り込むことによってマスクとセパレータ間の底部との隙間に入り込み、セパレータ形成領域の外部に第２電極の材料が蒸着される場合があった。
【０００８】
本発明は、上述する問題点に鑑みてなされたもので、確実にセパレータ形成領域内に第２電極の材料を蒸着させることによって第２電極同士が接触することにより生じる短絡を防止することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、電極間に有機機能層が形成されてなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、複数の第１電極を基板上に形成する第１電極形成工程と、第１電極と交差する方向に絶縁物質からなるセパレータを形成するセパレータ形成工程と、第１電極上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、第２電極をセパレータ間に形成する第２電極形成工程と、第１電極、有機機能層、セパレータ及び第２電極が形成された基板を封止部によって封止する封止工程と、を有し、第２電極形成工程において、第２電極の両端部がセパレータの両端部より外側に突出しないように前記第２電極を形成することを特徴とする。
【００１０】
このような有機ＥＬ装置の製造方法によると、第２電極の両端部がセパレータの両端部より外側に突出しないように形成されるので、セパレータ形成領域の外部において第２電極同士が接触することにより生じる短絡を防止することが可能となる。なお、ここで言うセパレータ形成領域とは、基板上の複数のセパレータが形成された領域であるが、より詳しくは、セパレータ及びセパレータ間が存在する全領域のことである。
【００１１】
また、第２電極形成工程において、開口部の端部がセパレータの延在方向の両端部よりセパレータの高さ以上基板の中心寄りに位置するように設定されたマスクを用いて第２電極を形成すると、蒸着源から放射状に放出された第２電極の材料が、マスクの開口部の端部に斜方から入り込む場合であってもセパレータ形成領域の内部に第２電極の材料を蒸着させることが可能となる。
【００１２】
また、マスクの開口部の端部がセパレータの延在方向の両端部よりセパレータの高さ以上基板の中心寄りに位置するように設定されているので、蒸着源から放出された第２電極の材料がマスクに対して鋭角にマスク開口部に入り込む場合であっても確実に第２電極の材料をセパレータ形成領域の内部に蒸着させることが可能となる。
【００１３】
本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板の外部に電気的に接続するための接続部がセパレータの延在方向の両端部より基板の中心寄りに設置されており、上記第２電極形成工程によって、第２電極と接続端子は電気的に接続されることを特徴とする。
【００１４】
このような有機ＥＬ装置の製造方法によると、接続部がセパレータの延在方向の両端部より基板の中心寄り、すなわち、セパレータ形成領域の内部に設置されている。このため、第２電極形成工程によって第２電極材料をセパレータ形成領域の内部に蒸着させることで、第２電極を形成すると同時に第２電極と接続部を接続させることが可能となる。
【００１５】
次に、本発明に係る有機ＥＬ装置は、本発明に係る有機ＥＬ表示の製造方法によって製造されることを特徴とする。このような本有機ＥＬ装置によれば、確実にセパレータ形成領域の外部において第２電極同士が接触することにより生じる短絡を防止した有機ＥＬ装置を提供することが可能となるので、例えば、有機ＥＬ装置の製造コストを低くすることが可能となる。
【００１６】
次に、本発明に係る電子機器は、上述した有機ＥＬ装置を表示手段として備えることを特徴とする。本発明の電子機器としては、例えば、ノートパソコン、携帯電話機、電子手帳、時計、ワープロなどの情報処理装置等を例示することができる。このような電子機器の表示部に本発明に係る有機ＥＬ装置を採用することにより、セパレータ形成領域の外部において第２電極同士が接触することにより生じる短絡を防止した表示部を備えた電子機器を提供することが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明に係る有機ＥＬ装置の製造方法及び有機ＥＬ装置並びに電子機器の一実施形態について説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
【００１８】
（第１実施形態）
図１〜図３は、本実施形態に係るパッシブマトリクス型の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を模式的に表した模式図であり、図１は平面図、図２は有機ＥＬ装置１の内部構成図、図３は図１のＩ−Ｉ’の矢視図である。これらの図に示すように、本有機ＥＬ装置１は、基板２上に所定方向に帯状に延在する複数の第１電極（陽極）３と、第１電極の延在方向に対して直交する方向に延在する複数のカソードセパレータ（セパレータ）４と、カソードセパレータ４同士の間に形成される第２電極（陰極）５と、第１電極３と第２電極５との交差領域（発光領域）Ａに第１電極３及び第２電極５に上下に挟まれた有機機能層６と、第１電極３、カソードセパレータ４、第２電極５及び有機機能層６等を缶封止するための封止部７とを主な構成要素としている。なお、図２において、Ｂは基板２上におけるカソードセパレータ４が形成される範囲であるカソードセパレータ形成領域を表しており、このカソードセパレータ形成領域Ｂの一端部Ｂａの近傍には、図示するように、カソードセパレータ４同士に挟まれるように、かつ、カソードセパレータ４の両端部より基板の中心寄りに接続部８ａが複数形成されている。なお、接続部８ａは接続端子８の一部分をなすものであり、第２電極と直接接続されている。また、上述のように、カソードセパレータ形成領域Ｂは、基板２上の複数のカソードセパレータ４が形成された領域であるが、より詳しくは、カソードセパレータ４及びカソードセパレータ４間が存在する全領域のことである。
【００１９】
また、第１電極３及び接続端子８は、第１電極３の一端部３ａ及び接続端子８の一端部８ｂが封止部７の外部に位置するように延在しており、第１電極３の一端部３ａにはシフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１００が接続され、接続端子８の一端部８ｂには、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０１が接続されている。
【００２０】
図３に示すように、有機機能層６は、自らを上下に挟む第１電極３及び第２電極５に電流が流れた場合に所定の波長の光を発光する発光層６１を含んでおり、有機ＥＬ装置１は、このような発光層６１を含む有機機能層が形成される発光領域Ａをマトリクス状に複数備えることによって表示装置としての機能を有している。なお、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１において、基板２及び第１電極３は透光性を有しており、発光層６１から発光された光は基板２側から出射されるように構成されている。
【００２１】
透光性を有する基板２の材料としては、例えばガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特に、安価なソーダガラス基板が好適に用いられる。第１電極３は、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の金属酸化物からなる透光性の導電材料によって形成されており、短冊状に形状設定され、かつ、各々が所定間隔を空けて複数形成されている。この第１電極３は、有機機能層６に正孔を注入する役割を果たす。接続端子８は、導電性を有した金属材によって形成されており、矩形状に形状設定され、かつ、図示するように、自らの端部８ｃがカソードセパレータ４同士の間に位置するように配置されている。
【００２２】
この第１電極３及び接続端子８が形成された基板２上には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）からなる絶縁膜９が形成されている。そして、この絶縁膜９は、発光領域Ａの第１電極３、第１電極３の端部３ａ近傍、接続部８ａ及び接続端子８の端部８ｂ近傍が露出するようにパターニングされている。なお、絶縁膜９は、接続部８ａがカソードセパレータ４の端部４ａ（カソードセパレータ形成領域Ｂの一端部Ｂａ）より基板２の中心寄りに位置するようにパターニングされている。カソードセパレータ４は、ポリイミド等の感光性樹脂によって形成されており、所定の高さｈ（例えば、６μｍ）で幅方向の断面が逆テーパー状に形状設定され、かつ、各々が所定間隔を空けて複数形成されている。
【００２３】
有機機能層６は正孔注入／輸送層６２、発光層６１及び電子注入／輸送層６３を積層した積層体である。正孔注入／輸送層６２は、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物によって形成されている。この正孔注入／輸送層６２は発光層６１に正孔を注入すると共に正孔を正孔注入／輸送層６２の内部において輸送する機能を有している。
【００２４】
発光層６１は、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層６１ａ、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層６１ｂ及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層６１ｃの３種類を有し、各発光層６１ａ〜６１ｃがモザイク配置されている。発光層６１の材料としては、例えば、アントラセンやピレン、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ＤＣＭ、ＤＣＪ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。
【００２５】
電子注入／輸送層６３は、電子を発光層６１に注入する機能を有すると共に、電子を電子注入／輸送層６３内部において輸送する機能を有する。この電子注入／輸送層６３としては、例えばリチウムキノリノールやフッ化リチウム或いはバソフェンセシウム等を好適に用いることができる。また、仕事関数が４ｅＶ以下の金属、例えばＭｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｙｂ、Ｓｍなども用いることができる。
【００２６】
第２電極５は、例えばＡｌ膜やＡｇ膜等の高反射率の金属膜が用いられており、発光層６１から第２電極５側に発光された光を基板２側に効率的に出射させるようになっている。なお、第２電極５上には必要に応じてＳｉＯ，ＳｉＯ_２，ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００２７】
封止部７は、基板２に塗布された封止樹脂７ａと、封止缶（封止部材）７ｂとから構成されている。封止樹脂７ａは、基板２と封止缶７ｂを接着する接着剤であり、例えばマイクロディスペンサ等により基板２の周囲に環状に塗布されている。この封止樹脂７ａは、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。また、この封止樹脂７ａには酸素や水分を通しにくい材料が用いられており、基板２と封止缶７ｂの間から封止缶７ｂ内部への水又は酸素の侵入を防いで、第２電極５または発光層６１の酸化を防止するようになっている。
【００２８】
封止缶７ｂは、その内側に第１電極３、有機機能層６及び第２電極５等を収納する凹部７ｂ１が設けられており、封止樹脂７ａを介して基板２に接合されている。なお、封止缶７ｂの内面側には、必要に応じて、カソードセパレータ形成領域Ｂの外側に、酸素や水分を吸収又は除去するゲッター材を設けることができる。このゲッター材としては、例えば、Ｌｉ，Ｎａ，Ｒｂ，Ｃｓ等のアルカリ金属、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ等のアルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物等を好適に用いることができる。アルカリ土類金属の酸化物は、水と反応して水酸化物に変化することにより、脱水材として作用する。アルカリ金属や、アルカリ土類金属は、酸素と反応して水酸化物に変化するとともに水と反応して酸化物に変化するため、脱水材としてだけでなく脱酸素材としても作用する。これにより、有機機能層６等の酸化を防止でき、装置の信頼性を高めることができる。
【００２９】
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法を図面を参照して説明する。本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法は、例えば、（１）第１電極形成工程、（２）絶縁膜形成工程、（３）カソードセパレータ形成工程、（４）正孔注入／輸送層形成工程、（５）発光層形成工程、（６）電子注入／輸送層形成工程、（７）第２電極形成工程及び（８）封止工程とを具備して構成されている。なお、製造方法はこれに限られるものではなく必要に応じてその他の工程が除かれる場合、また追加される場合もある。
【００３０】
（１）第１電極形成工程
第１電極形成工程は、所定方向に帯状に延在する第１電極３を基板２上に複数形成する工程である。この第１電極形成工程では、図４（ａ），（ｂ）に示すように、ＩＴＯやＩＺＯ等の金属酸化物からなる第１電極３をスパッタリングによって基板２上に複数形成する。これによって、短冊状の第１電極３が所定の間隔を有して複数形成され、その一方の端部３ａ（図４（ａ）における上側）は、基板２の端部２ａに届くように形成されている。なお、第１電極形成工程において、接続端子８も形成される。この接続端子８は、図示するように、一端部８ｂが基板２の端部２ｂに届き、他端部８ｃがカソードセパレータ形成領域Ｂの端部Ｂａよりも基板２の中心寄りに位置するように形成される。
【００３１】
（２）絶縁膜形成工程
絶縁膜形成工程は、図５（ａ），（ｂ）に示すように、発光領域Ａの第１電極３、第１電極３の端部３ａ近傍、接続部８ａ及び接続端子８の端部８ｂ近傍が露出するようにパターニングされた絶縁膜９を基板２、第１電極３及び接続端子８上に形成する工程である。この絶縁膜形成工程では、テトラエトキシシランや酸素ガス等を原料としてプラズマＣＶＤ法によって絶縁膜９が形成される。なお、絶縁膜９は、接続部８ａがカソードセパレータ形成領域Ｂの端部Ｂａより基板２の中心寄りに位置するようにパターニングされる。
【００３２】
（３）カソードセパレータ形成工程
カソードセパレータ形成工程は、図６（ａ），（ｂ）に示すように、第１電極３の延在方向に対して直交した方向に帯状に延在する複数のカソードセパレータ４を所定の間隔で形成する工程である。このカソードセパレータ形成工程では、まず、基板２上にポリイミド等の感光性樹脂をスピンコート等によって所定の厚み（カソードセパレータ４の高さｈ）で塗布する。そして、この所定の厚みで塗布されたポリイミド等の感光性樹脂をフォトリソグラフィティー技術によってエッチングすることで、幅方向の断面が逆テーパー状に形状設定されたカソードセパレータ４をカソードセパレータ形成領域Ｂに複数形成する。なお、このようなカソードセパレータ４は、カソードセパレータ４間に接続部８ａが位置するように形成される。
【００３３】
（４）正孔注入／輸送層形成工程
正孔注入／輸送層形成工程は、図７（ａ），（ｂ）に示すように、露出した第１電極３上に正孔注入／輸送層６２を形成する工程である。この正孔注入／輸送層形成工程では、各発光領域Ａに対応した開口部を有する蒸着マスクを介して正孔注入／輸送層材料を第１電極３上に蒸着させることによって、正孔注入／輸送層６２を形成する。
【００３４】
（５）発光層形成工程
発光層形成工程は、図８（ａ），（ｂ）、図９（ａ），（ｂ）に示すように、第１電極３上に形成された正孔注入／輸送層６２上に低分子材料からなる発光層６１を形成する工程である。この発光層形成工程では、まず、青色発光層６１ｃが形成されることとなる青色発光領域Ａｃに対応した開口部を有する蒸着マスクを介して気化させた青色発光層材料を正孔注入／輸送層６２ｃ上に蒸着させることによって、図８（ａ），（ｂ）に示すような青色発光層６１ｃを形成する。続いて、赤色発光領域Ａａに対応した開口部を有する蒸着マスクを介して気化させた赤色発光層材料を正孔注入／輸送層６２ａ上に蒸着させることによって赤色発光層６１ａを形成し、緑色発光領域Ａｂに対応した開口部を有する蒸着マスクを介して気化させた緑色発光層材料を正孔注入／輸送層６２ｂ上に蒸着させることによって緑色発光層６１ｂを形成する（図９（ａ），（ｂ）参照）。
【００３５】
（６）電子注入／輸送層形成工程
電子注入／輸送層形成工程は、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、発光層６１上に電子注入／輸送層６３を形成する工程である。この電子注入／輸送層形成工程では、各発光領域Ａに対応した開口部を有する蒸着マスクを介して気化させた電子注入／輸送層材料を発光層６１上に蒸着することによって、電子注入／輸送層６３を形成する。なお、正孔注入／輸送層形成工程、発光層形成工程及び電子注入／輸送層形成工程を合わせた工程が、有機機能層形成工程である。
【００３６】
（７）第２電極形成工程
第２電極形成工程は、図１１（ａ），（ｂ）に示すように、隣り合うカソードセパレータ４同士の間に第２電極５を形成する工程である。この第２電極形成工程では、図１２に示すような単一の開口部Ｘ１を有した蒸着マスクＸが用いられる。この蒸着マスクＸの開口部Ｘ１は、カソードセパレータ形成領域Ｂの形状とほぼ同一に形状設定されているが、カソードセパレータ４の延在方向に対応した端部Ｘ１ａ，Ｘ１ｂがカソードセパレータ４の高さｈ分以上の寸法（ｈ＋α）だけ各々蒸着マスクＸの中心寄りに位置するように設定されている。
【００３７】
このように形成された蒸着マスクＸの一方側の面Ｘ１ｃをカソードセパレータ４の上面４ａに当接させ、他方側の面Ｘ１ｄ側から第２電極材料を蒸着させることによって第２電極５をカソードセパレータ４間に形成する。図１３は、第２電極５材料を蒸着する際の模式図である。例えば、この図に示すように、蒸着マスクＸの端部Ｘ１ａに蒸着源（図示せず）から放出された第２電極材料５ａが斜方から入る場合であっても、端部Ｘ１ａは、カソードセパレータ４の高さｈ分以上の寸法（ｈ＋α）だけ各々蒸着マスクＸの中心寄りに位置しているために斜方から入り込む第２電極材料５ａは、確実にカソードセパレータ形成領域Ｂ内に蒸着される。また、端部Ｘ１ｂもカソードセパレータ４の高さｈ分以上の寸法（ｈ＋α）だけ各々蒸着マスクＸの中心寄りに位置しているために斜方から入り込む第２電極材料５ａは、確実にカソードセパレータ形成領域Ｂ内に蒸着される。
【００３８】
このように、蒸着マスクＸを介して第２電極材料を蒸着させることによって、第２電極５は、カソードセパレータ４の端部より基板２の中心寄りに形成されるため、カソードセパレータ４の端部より外側で第２電極５同士が接触するに起因する短絡を防止することが可能となる。
【００３９】
また、接続部８ａは、カソードセパレータ形成領域Ｂより基板２の中心寄りに位置しているため、上述の蒸着マスクＸを用いた第２電極形成工程によって接続部８ａ上にも第２電極材料が蒸着される。結果、接続部８ａと第２電極５とは、第２電極形成工程によって直接接続される。このように、接続部８ａがカソードセパレータ４間に位置しているため、第２電極形成工程のみで第２電極５と接続部８ａとを接続することが可能となる。
【００４０】
なお、第２電極材料５ａは、カソードセパレータ形成領域Ｂの内側に蒸着されれば良いので、第２電極材料５ａが開口部Ｘ１の端部Ｘ１ａ，Ｘ１ｂに入り込む角度によっては、端部Ｘ１ａ，Ｘ１ｂをカソードセパレータ４の高さｈ分以下の寸法だけ各々蒸着マスクＸの中心寄りに位置させるという構成を採用することができる。
【００４１】
（８）封止工程
最後に、上述した工程によって第１電極３、有機機能層６及び第２電極５等が形成された基板２と封止缶７ｂとを封止樹脂７ａを介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂７ａを基板２の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止缶７ｂを配置する（図３参照）。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、第２電極５にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が第２電極５に侵入して第２電極５が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【００４２】
この後、基板２上あるいは外部に設けられるデータ側駆動回路１００基板２と第１電極３とを接続すると共に、基板２上あるいは外部に設けられる走査側駆動回路１０１と第２電極５とを接続することによって、本実施形態の有機ＥＬ装置１が完成する。
【００４３】
すなわち、上述の製造工程によれば、確実にセパレータ形成領域内に第２電極の材料を蒸着させるので、第２電極同士がカソードセパレータ形成領域の外部で接触することにより生じる短絡を防止することが可能となる。
【００４４】
（第２実施形態）
次に、本有機ＥＬ装置の第２実施形態について図１４を用いて説明する。第１実施形態においては、発光層６１として低分子系の材料を用いたのに対し、本実施形態においては、発光層６１として高分子系の材料を用いる。なお、本実施形態においては第１実施形態と異なる部分について説明する。
【００４５】
本実施形態における発光層６１は高分子材料であるため、本実施形態においては、発光層６１及び正孔注入／輸送層６２は、いわゆる液滴吐出法によって形成する。このため、本実施形態に係る絶縁膜９とカソードセパレータ４との間にバンク層１０が形成されている。このバンク層１０には、フォトリソグラフィティー技術によって各発光領域Ａに対応した開口部１０ａが形成されている。そして、バンク層１０の上にカソードセパレータ４を形成し、その後、開口部１０ａに露出した第１電極５上に正孔注入／輸送層６１、発光層６１の順に各々が液滴吐出法によって形成される。なお、カソードセパレータ４を形成する前工程として、ＣＦ４プラズマ等によるプラズマ処理を行うことによって、バンク層１０の表面を撥液化させるとより好ましい。
【００４６】
そして、正孔注入／輸送層６２を液滴吐出法によって形成する場合には、例えばインクジェット装置を用いることによって、正孔注入／輸送層材料を第１電極３上に吐出する。その後、乾燥処理及び熱処理を行うことによって第１電極３上に正孔注入／輸送層６２を形成する。このインクジェット装置は、インクジェットヘッドに備えられる吐出ノズルから１滴あたりの液量が制御された材料を吐出すると共に、吐出ノズルを吐出面に対向させ、さらに吐出ノズルと基板２とを相対移動させることによって、吐出面上に材料を吐出するものである。そして、例えば、このインクジェット装置を用いて正孔注入／輸送層６２上に発光層材料を吐出し、その後に乾燥処理及び熱処理を行うことによって発光層６１を形成する。
【００４７】
バンク層１０としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する感光性材料（有機材料）を用いることができる。また、高分子系の発光層材料としては、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン係色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００４８】
このように構成された有機ＥＬ装置１においては、第１実施形態と同様の効果が得られると共に、液滴吐出法によって正孔注入／輸送層６２及び発光層６１を形成するので高精彩の有機ＥＬ装置１を製造することが可能になる。
【００４９】
（第３実施形態）
次に、本有機ＥＬ装置の第３実施形態について図３を用いて説明する。第１実施形態においては、有機機能層６から発した光が基板２側から放出されるようになっているのに対し、本実施形態においては封止缶７ｂの上側（観測者側）に放出されるようになっている。本実施形態と第１実施形態との相違点は主として材料構成であり、本実施形態においては第１実施形態と異なる部分について説明する。
【００５０】
本実施形態は、基板２の対向側である封止部７側から発光を取り出す構成であるので、基板２としては透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【００５１】
また、第１電極３としては、必ずしも透明性材料に限る必要がなく、陽極の機能を満たす好適な材料が用いられ、また、光反射性を有する材料が好ましく、Ａｌ等が採用される。なお、第１電極３として透明金属のＩＴＯ等を採用する場合には、その下層にＡｌ薄膜等を形成し、光反射性を有する構成が好ましい。
【００５２】
また、第２電極５の材料としては、透明性を有する必要があり、ＩＴＯ等の透明金属が採用される。ここで、ＩＴＯと電子注入／輸送層６３との間には、透明性を有する膜厚でＡｌ薄膜を形成してもよい。透明性を有する膜厚としては、５０ｎｍ以下が好ましい。このようなＡｌ薄膜を形成することによって、電子注入／輸送層６３への電子注入性を促進させるだけでなく、ＩＴＯをスパッタで形成する際のプラズマダメージを抑制し、また、第２電極５を透過・侵入する水分や酸素から有機機能層６を保護することができる。また、封止缶７ｂの材料としては、透明性を有する好適な材料が採用される。
【００５３】
このように構成された有機ＥＬ装置においては、第１実施形態と同様の効果が得られると共に、封止部７側から有機機能層６の発光を放出させることが可能になる。
【００５４】
（第４実施形態）
図１５は、本発明の電子機器の一実施形態を示している。本実施形態の電子機器は、上述した有機ＥＬ装置１を表示手段として搭載している。図１５は、携帯電話の一例を示した斜視図で、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。このように本発明に係る電子機器は、確実にセパレータ形成領域の外部において第２電極同士が接触することにより生じる短絡を防止した有機ＥＬ装置１を搭載しているので、例えば、製造コストを低くすることが可能となる。
【００５５】
以上、本発明の各実施形態を示したが、本発明はこれらに限定されることなく、特許請求の範囲に記載した事項の範囲内で適宜変更可能である。このような特許請求の範囲に記載した事項の範囲内で適宜変更したものそれぞれについて本発明の効果を奏することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の有機ＥＬ装置の平面図。
【図２】本発明の有機ＥＬ装置の内部構成図。
【図３】図１におけるＩ−Ｉ’矢視図。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための説明図。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための説明図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための説明図。
【図７】有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための説明図。
【図８】有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための説明図。
【図９】有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための説明図。
【図１０】有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための説明図。
【図１１】有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための説明図。
【図１２】本発明の一実施形態に係るマスクＸの斜視図。
【図１３】有機ＥＬ装置の製造方法を説明するための説明図。
【図１４】本発明の第２実施形態を説明するための説明図。
【図１５】本発明の電子機器の実施形態を示す斜視図。
【符号の説明】
１……有機ＥＬ装置、２……基板、３……第１電極、４……カソードセパレータ（セパレータ）、５……第２電極、６……有機機能層、７……封止部、８……接続端子、９……絶縁膜、Ａ……発光領域、Ｂ……カソードセパレータ形成領域、Ｘ……マスク、Ｘ１……開口部、Ｘ１ａ，Ｘ１ｂ……端部

Claims

電極間に有機機能層が形成されてなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、
複数の第１電極を基板上に形成する第１電極形成工程と、
第１電極と交差する方向に絶縁物質からなるセパレータを形成するセパレータ形成工程と、
第１電極上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
第２電極をセパレータ間に形成する第２電極形成工程と、
第１電極、有機機能層、セパレータ及び第２電極が形成された基板を封止部によって封止する封止工程と、
を有し、
第２電極形成工程において、第２電極の両端部がセパレータの両端部より外側に突出しないように前記第２電極を形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
第２電極形成工程において、開口部の端部がセパレータの延在方向の両端部よりセパレータの高さ以上基板の中心寄りに位置するように設定されたマスクを用いて第２電極を形成することを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
基板の外部に電気的に接続する接続部は、セパレータの延在方向の両端部より基板の中心寄りに設置されており、前記第２電極形成工程によって、第２電極と接続部は接続されることを特徴とする請求項１または２記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
請求項１〜３いずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法によって製造されることを特徴とする有機ＥＬ装置。
請求項４記載の有機ＥＬ装置を搭載することを特徴とする電子機器。