JP2002151255A

JP2002151255A - 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル及びその製造方法

Info

Publication number: JP2002151255A
Application number: JP2000343768A
Authority: JP
Inventors: Tomonori Akai; 伴教赤井
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2000-11-10
Filing date: 2000-11-10
Publication date: 2002-05-24

Abstract

(57)【要約】【課題】第二電極が隣同士で短絡することもなく、ま
たクロストークもない良好な有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネルを得ることを課題とする。【解決手段】予め第一電極が形成された基板上に、第
二電極分離形成用の隔壁及び有機物層形成用のシャドウ
マスクの支持壁をそれぞれ所定のパターンに形成し、前
記支持壁にシャドウマスクを支持させながら第一電極上
に有機物層材料を蒸着させることにより少なくとも発光
層を含む有機物層を形成し、次いで、シャドウマスクを
除去した後、前記有機物層上に第二電極材料を蒸着させ
ることにより第二電極分離形成用の隔壁のパターンに基
づいて分割された第二電極を形成ことにより、上記の課
題を解決する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に第一電極
／少なくとも発光層を含む有機物層／第二電極から構成
される有機エレクトロルミネッセンス素子を画素発光部
として形成されてなる有機エレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイパネル及びその製造方法に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】有機エレクトロルミネッセンス（以下、
有機ＥＬという）素子は、薄型、全固体型、面状自発
光、高速応答といった特徴を有する発光素子であり、こ
の素子を画素発光部に用いた有機ＥＬディスプレイパネ
ルは、液晶ディスプレイパネルに代わる次世代のディス
プレイパネルとして期待されている。有機ＥＬ素子を画
素発光部に用いた有機ＥＬディスプレイパネル、例えば
単純マトリックス型フルカラーディスプレイパネルとす
るには、第一電極及び第二電極をそれぞれ所定形状にパ
タンニングする必要がある。また、有機物層も、Ｒ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の発光色の異なる画素発光
部を形成するためにパタンニングする必要がある。

【０００３】単純マトリックス型ディスプレイパネルの
場合、通常、第一電極と第二電極とはそれぞれストライ
プラインパタンが直行するような構成となる。基板上に
形成される第一電極としては、多くの場合ＩＴＯ（酸化
インジウム錫）等の透明導電膜が用いられており、公知
のフォトリソグラフィー法でパタンニングできる。しか
しながら、有機物層については有機溶剤や水分、酸素分
等により侵食や特性低下などのダメージを受けやすく、
物理的強度も弱いので、フォトリソグラフィー法でパタ
ンニングすることは非常に困難であった。また、有機物
層上に形成される第二電極に関しても、下地の有機物層
が損傷するためにフォトリソグラフィー法でパタンニン
グすることが困難であった。

【０００４】このようなことから、現在ではフルカラー
ディスプレイパネルを作製する場合は、シャドウマスク
を用いたマスク蒸着法により有機物層及び第二電極をパ
タンニングしている。しかしながら、シャドウマスクを
用いた方法では、ディスプレイパネルの高精細化による
マスクの加工精度や位置合わせの方法が難しいこと、ま
た、マスクの強度不足によってマスク自体にたわみが生
じることによりマスクの裏側に蒸発物が回り込んでしま
うという問題があった。有機物層形成用のシャドウマス
クは例えばＲ、Ｇ、Ｂの画素配列をデルタにする等によ
り、第二電極形成用のシャドウマスクに比べて強度が維
持されているが、第二電極形成用のシャドウマスクはパ
タンがストライプ形状であるため強度を維持するのが極
めて難しい。

【０００５】そこで、第二電極のパタンニング方法とし
て、基板上に有機物層を形成する前にあらかじめ第二電
極分離用の隔壁を形成しておき、第二電極を蒸着すると
きに隔壁の影を利用してパタンニングする方法が、特開
平８−３１５９８１号公報で開示されている。前記隔壁
の断面は、基板に対して平行方向に突出するオーバーハ
ング部を上部に有する逆テーパー型の形状を有する。従
って、逆テーパーの影の部分には第二電極材料が蒸着さ
れず、第二電極を分離でき、電気的な短絡を防ぐことが
できる。またこの方法によれば、パタン形状は制限され
ず、精度よく第二電極を形成することができる。

【０００６】また、同公報においては、有機物層は、従
来通りのシャドウマスクを用いた蒸着法により形成され
ている。有機物層形成用のシャドウマスクを第二電極分
離形成用の隔壁と密着させることにより、有機物材料が
マスク裏側へ回り込むことを防止している。なお、第二
電極分離形成用の隔壁の高さ（膜厚）は１〜１０ミクロ
ンであり、マスクを密着させる土台として用いると、有
機物層形成用のシャドウマスクが基板上の第一電極に直
接触れないため、画素部の有機物層の損傷を防ぐことも
できる。図５に、従来の第二電極分離形成用の隔壁が形
成された半導体基板の模式図を示す。基板（５０１）上
に第一電極（５０２）が模式図の横方向にストライプ形
状にパタンニングされている。第一電極（５０２）上に
第二電極分離形成用の隔壁（５０３）が第一電極（５０
２）と直行する方向にストライプ形状にパタンニングさ
れている。この第二電極分離形成用の隔壁（５０３）
は、上部にオーバーハング部を有する逆テーパー形状の
断面を有する。

【０００７】このような第二電極分離形成用の隔壁を基
板上に形成した後、シャドウマスクを用いて有機物層を
形成する。図６は従来の方法による有機物層の形成方法
を示す模式図である。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ中のある任意
の有機物層を形成するためのシャドウマスク（６０４）
を第二電極分離形成用の隔壁（６０３）に密着させた
後、一般的な蒸着法にて蒸着材料（６０５）を蒸着する
ことにより所定の画素発光部にのみ有機物層を成膜でき
るようにしている。次いで、隣の画素発光部が成膜でき
るように、シャドウマスクをずらすか、あるいは別のシ
ャドウマスクに交換して他の種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の有機
物層を形成することにより、Ｒ、Ｇ、Ｂを塗り分けるこ
とができる。

【０００８】次いで、図７に示すように、端子取り出し
部や封止部等を除いた全面に、第二電極形成用のシャド
ウマスク（７０６）を用いて第二電極形成用の蒸着材料
（７０７）を蒸着して、第二電極を形成する。このと
き、第二電極分離形成用の隔壁（７０３）により第二電
極は所定形状にパタンニングされる。しかしながら、以
上のような方法では、第二電極分離形成用の隔壁は、そ
の構造上、物理的強度が弱く、しかも損傷しやすいとい
う欠点を有していた。すなわち、第二電極分離形成用の
隔壁はオーバーハング部を有する断面形状を有し、しか
も基板と接触している領域が小さい。そのため、この隔
壁は、有機物層を形成するとき、特に、画素発光部の発
光色塗り分けに伴うマスク移動時に損傷を受けやすい。
このため、第二電極分離形成用の隔壁が損傷を受けると
第二電極の分離が不十分となり、電気的に短絡するおそ
れがある。

【０００９】また、このような方法では、パーティクル
（微小なゴミ）等が有機ＥＬディスプレイパネル作製時
に隔壁部に付着することにより、電気的に短絡してしま
うという問題もあった。すなわち、有機物層形成用のシ
ャドウマスクの隔壁と密着する側には蒸着材料が多量に
付着しているので、このマスクを第二電極分離形成用の
隔壁に密着させると蒸着材料が隔壁に付着し、パーティ
クルとなっていた。このような問題を解決するために、
特開平１０−３２１３７２号公報においては、第二電極
分離形成用の隔壁の突出上部に凹部を形成するか、ある
いは所定間隔をおいて複数の第二電極分離形成用の隔壁
を形成する方法が提案されている。すなわち、この方法
は、隔壁の一部に欠陥がある場合やパーティクルが付着
した場合においてもオーバーハング部の数を多くするこ
とにより、第二電極分離の信頼性を高めるようにしたも
のである。この方法により形成される第二電極分離形成
用の隔壁を図８に示す。

【００１０】図８に示されるように、基板（８０１）上
に形成される第一電極（８０２）については図５に示さ
れたものと同じであるが、第二電極分離形成用の隔壁
（８０３）のオーバーハング部の数が多くなっている。
このようにオーバーハング部を多くすることにより、第
二電極を確実に分離形成できる確率が高くなっている。
しかしながら、このような方法においても、有機物層を
Ｒ、Ｇ、Ｂに塗り分ける際に、有機物層形成用のシャド
ウマスクを第二電極分離形成用の隔壁に密着させるプロ
セスがあり、また、第二電極分離形成用の隔壁自体に凹
部がある場合は物理的強度がさらに低くなっている。従
って、このような第二電極分離形成用の隔壁に、例えば
メタル製のシャドウマスクを密着させると、隔壁に大き
な負荷がかかり、損傷を起こす可能性が非常に高くなる
という問題がある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】従って、第二電極分離
形成用の隔壁の損傷を防ぎ、第二電極を確実に分離形成
できる確率を高くするに、いったん形成された隔壁に
は、それ以降、物理的な力がかからないようにし、特に
前記隔壁に有機物層形成用のシャドウマスクを密着させ
ないようにすることが要求される。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題点を
解決するためのものであり、第二電極分離形成用の隔壁
にはプロセスを通して負荷がかからないようにするた
め、基板上に有機物層形成用のシャドウマスクの支持壁
を別途設けるようにした。

【００１３】かくして本発明によれば、基板上に第一電
極／少なくとも発光層を含む有機物層／第二電極から構
成される有機エレクトロルミネッセンス素子を画素発光
部として形成されてなる有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルを製造するに際し、予め第一電極が
形成された基板上に、第二電極分離形成用の隔壁及び有
機物層形成用のシャドウマスクの支持壁をそれぞれ所定
のパターンに形成し、前記支持壁にシャドウマスクを支
持させながら第一電極上に有機物層材料を蒸着させるこ
とにより少なくとも発光層を含む有機物層を形成し、次
いで、シャドウマスクを除去した後、前記有機物層上に
第二電極材料を蒸着させることにより第二電極分離形成
用の隔壁のパターンに基づいて分割された第二電極を形
成する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルの製造方法が提供され
る。また、本発明によれば、上記方法により製造される
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが提
供される。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態により
さらに詳しく説明するが、これにより本発明は限定され
ることはない。また、以下の実施の形態では、第二電極
分離形成用の隔壁を「隔壁」、有機物層形成用シャドウ
マスクの支持壁を「支持壁」と略称する。

【００１５】［実施の形態］基板上に第一電極／少なく
とも発光層を含む有機物層／第二電極から構成される有
機エレクトロルミネッセンス素子を画素発光部として形
成されてなる単純マトリックス型フルカラーディスプレ
イパネルの製造工程図を図２〜図４に示す。図２では、
基板（２０１）上に第一電極（２０２）が模式図の横方
向にストライプ形状にパタンニングされている。基板と
しては、例えば半導体や配線や絶縁膜などがあらかじめ
積層・形成されているものであってもよい。第一電極
は、公知の方法、例えばフォトリソグラフィー法等によ
りパタンニングすることができ、例えば幅５０〜３００
ミクロン程度、ピッチ１００〜４００ミクロン程度、具
体的には幅２００ミクロン、ピッチ３００ミクロンのス
トライプ形状にパタンニングされたものが挙げられる。

【００１６】有機ＥＬディスプレイパネルは基板と第一
電極側より発光を取り出すことが多い。従って、その場
合は基板と第一電極を構成する材料としては、可視光を
透過（すなわち透明）するものが用いられる。具体的に
は、例えばガラス（例えば、ホウケイ酸ガラス等）、石
英、透明プラスチック等を基板材料として用いることが
でき、また例えばＣｕＩ、ＩＴＯ、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ等
の透明導電膜を第一電極材料として用いることができ
る。なお、単純マトリックス型ディスプレイパネルとす
るには、シート抵抗値が５〜２０Ω／□程度、具体的に
は１０Ω／□程度のＩＴＯを用いるのが好ましい。

【００１７】また図２では、基板（２０１）及び第一電
極（２０２）上に隔壁（２０３）及び支持壁（２０８）
が第一電極（２０２）と直行する方向にストライプ形状
にパタンニングされる。隔壁（２０３）は、公知の方
法、例えばスピンコート法などによりフォトレジストを
塗布し、プリベークした後、フォトリソグラフィー法等
により所定の形状にパタンニングすることができ、例え
ば幅１０〜３０ミクロン程度、ピッチ１００〜４００ミ
クロン程度、具体的には幅２０ミクロン、ピッチ３００
ミクロンのストライプ形状にパタンニングされたものが
挙げられる。また、隔壁（２０３）はドライエッチング
法によってもパタンニングすることができる。

【００１８】また、隔壁（２０３）の高さ（膜厚）は、
従来の高さ（１〜１０ミクロン）よりもさらに小さくす
ることが可能であり、１ミクロン以下が好ましく、素子
の構成により適宜調節されるが例えば０．４〜１ミクロ
ン程度がより好ましい。具体的には、ガラス基板上に陽
極としてのＩＴＯを１５０ｎｍ、有機物層［ホール注入
層：ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）１０ｎｍ、ホール輸
送層：ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’（３−
メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，４’−
ジアミン）４０ｎｍ、発光層：Ａｌｑ₃（トリス（８−
キノリノール）アルミニウム７０ｎｍ］を１２０ｎｍ、
陰極としてのアルミニウムを１５０ｎｍの膜厚で成膜さ
れた一般的な有機ＥＬ素子においては、隔壁（２０３）
の高さは上記積層層のトータル４２０ｎｍ（＝０．４２
ミクロン）以上であれば十分である。

【００１９】フォトレジストを用いて隔壁の高さを小さ
くするためには、例えばスピンコート時の回転数を高く
したり、あるいはレジスト液を希釈して液粘度を低くし
たりすることで充分対応できる。隔壁（２０３）の断面
は、第二電極を分割することができる形状であれば特に
限定されないが、オーバーハング部を有するものが好ま
しい。具体的には、例えば上部にオーバーハング部を含
む逆テーパー形状が挙げられる。支持壁（２０８）は、
隔壁（２０３）に隣接するように形成されているのが好
ましい。支持壁は、隔壁に対する本数や組合わせについ
て特に限定されず、例えば隔壁の片側又は両側に形成さ
れていてもよい。

【００２０】支持壁（２０８）は、公知の方法、例えば
スピンコート法などによりフォトレジストを塗布し、プ
リベークした後、フォトリソグラフィー法等により所定
の形状にパタンニングすることができ、例えば幅１０〜
３０ミクロン程度、ピッチ１００〜４００ミクロン程
度、具体的には幅２０ミクロン、ピッチ３００ミクロン
のストライプ形状にパタンニングされたものが挙げられ
る。また、支持壁（２０８）は、ドライエッチング法に
よってもパタンニングすることができる。

【００２１】ここで、支持壁はシャドウマスクを隔壁に
密着させないように支えることができるものであれば、
その形状は特に限定されない。例えば、上記のストライ
プ形状は一本につながっていなくてもよく、点線形状の
ラインパタンであってもよい。図１には、基板（１０
１）上に第一電極（１０２）、隔壁（１０３）及び支持
壁（１０８）が形成された状態を上から見た模式図が示
されている。ここでは、隔壁（１０３）のラインパタン
は一本につながっているのに対し、支持壁（１０８）は
第一電極のない基板上にだけ形成され、第一電極に対し
て直行する方向で点線形状のラインパタンを有してい
る。

【００２２】また、支持壁の高さ（膜厚）は、隔壁の高
さ（膜厚）より１０ミクロン以下の範囲で高くなってい
ることが好ましい。支持壁の高さが隔壁の高さ以下であ
ると、シャドウマスクが隔壁（２０３）と密着し、隔壁
を損傷することになる。なお、支持壁の高さが隔壁より
も１０ミクロンより高くなると、隔壁と有機物層形成用
シャドウマスクとの距離が大きくなり、マスク裏側への
まわり込み現象が発生するので、高精細化に対応できな
くなり好ましくない。支持壁の断面は、シャドウマスク
を支持することができる形状であれば特に制限されな
い。例えば、図２に示すような順テーパー型であっても
よく、また、オーバーハング部を有する逆テーパー型
や、四角柱状であってもよい。

【００２３】隔壁や支持壁を構成する材料については、
有機系でも無機系でも構わないが、有機系のフォトレジ
ストを用いると画素発光部を汚染することがなく良好な
有機ＥＬディスプレイパネルを製造することができるの
で好ましい。有機系材料としては、具体的には日本ゼオ
ン株式会社製のネガタイプのリフトオフ用フォトレジス
ト（製品名：ＺＰＮ１１００）等を隔壁に用いることが
できる。また、具体的には東京応化工業株式会社製のイ
ソプロピレンゴム系のネガタイプフォトレジスト（製品
名：ＯＭＲ）等を支持壁に用いることができる。支持壁
と隔壁は、第一電極に交わるようにパタンニングされて
いれば特に直行方向に限定されず、例えば第一電極に対
して斜線状にパタンニングされていてもよい。

【００２４】支持壁と隔壁との間隔は、間隔が大きい場
合は、機械的強度の弱いシャドウマスクが隔壁と接触し
てしまい、隔壁を損傷してしまうことがある。そのた
め、支持壁と隔壁との間隔は小さい方がよく、１００ミ
クロン以下が好ましく、１０〜１００ミクロン程度がよ
り好ましく、１０〜６０ミクロン程度がさらに好まし
い。図３では、隔壁（３０３）及び支持壁（３０８）が
形成された基板（３０１）を洗浄処理し、蒸着機にセッ
トした後、有機物層形成用のシャドウマスク（３０４）
を用いて有機物層を真空蒸着法にて形成する工程が示さ
れている。

【００２５】Ｒ、Ｇ、Ｂの塗り分けを行う有機物層形成
用のシャドウマスク（３０４）は、隔壁（３０３）には
密着させず、支持壁（３０８）に密着させているので、
隔壁（３０３）を損傷させることはない。有機物層は、
少なくとも発光層が含まれていれば特に限定されず、発
光層に、電荷輸送層（電子注入層、電子輸送層、ホール
注入層、ホール輸送層等）が積層されたものであっても
よい。これらの各積層層に用いられる材料については特
に制限はなく、通常用いられるものが使用可能である。
成膜方法としては、基板上に隔壁が存在するので、真空
蒸着法が好ましい。一般的な成膜方法であるスピンコー
ト法は、隔壁の逆テーパー部に溶液が溜まるので好まし
くない。

【００２６】発光層に用いられる材料としては、特に制
限はなく例えばトリス（８−ヒドロキシナト）アルミニ
ウム（Ａｌｑ₃）や、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム
（ＢＡｌｑ）や、ベンゾオキサゾール系や、ベンゾチア
ゾール系材料等が挙げられる。また、発光色の変更や特
性向上のためにドーピングをすることが可能であり、キ
ナクリドンや、ルブレンや、４−ジシアノメチレン−２
−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスリチル）−４Ｈ
−ピラン（ＤＣＭ）や、クマリン誘導体等を適宜用いる
ことができる。また、ホール輸送層やホール注入層に用
いられる材料についても特に制限はないが、例えばＮ，
Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’（３−メチルフェニル）−
１,１’−ジフェニル−４,４’−ジアミン（ＴＰＤ）
や、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ,Ｎ’−ビス（α−ナフ
チル）−１,１’−ビフェニル−４,４’−ジアミン（α
−ＮＰＤ）や、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）や、オキ
サジアゾールや、ピラゾリン系や、ヒドラゾン系材料等
が挙げられる。

【００２７】また、電子輸送層や電子注入層に用いられ
る材料についても特に制限はないが、例えばオキサジア
ゾール誘導体や、トリス（８−ヒドロキシナト）アルミ
ニウム（Ａｌｑ₃）や、トリアゾール誘導体等が挙げら
れる。シャドウマスクと画素部のパターン合わせについ
ては特に限定されず、通常のＣＣＤカメラを用いたアラ
イメント方法を用いることができる。図４では、有機物
層を形成するためのシャドウマスクを除去した後、第二
電極を形成する工程が示されている。基板（４０１）と
蒸着源（図示せず）との間には、ディスプレイパネルの
端子取り出し部（図示せず）や後の封止処理時の貼付領
域（図示せず）等が形成される程度の第二電極形成用の
シャドウマスク（４０６）が設置される。次いで第二電
極用の蒸着材料（４０７）を基板（４０１）上に蒸着さ
せることにより、隔壁（４０３）のパターンに基づいて
分割された第二電極が形成される。

【００２８】第二電極を構成する材料としては、有機物
層に電荷を注入できるものであれば特に規定はないが、
多くの場合は、マグネシウム、アルミニウム、アルミニ
ウム：リチウム合金などが用いられる。なお、本実施の
形態においては第一電極は陽極となり、第二電極は陰極
となる。次に、紫外線硬化型樹脂と金属キャップを用い
た封止処理を行うことにより有機ＥＬディスプレイパネ
ル（例えば、単純マトリックス型ディスプレイパネル
等）が製造される。以上の工程により製造される有機Ｅ
Ｌディスプレイパネルにおいては、全く損傷していない
隔壁を用いて第二電極が形成されるため、第二電極は確
実に分割されることとなる。したがって、本実施の形態
で得られる有機ＥＬディスプレイパネルは、第二電極が
隣同士で短絡することもなく、またクロストークもない
良好なものである。

【００２９】

【発明の効果】本発明の方法により製造された単純マト
リックス型有機ＥＬディスプレイパネルは、第二電極が
隣同士で短絡することもなく、またクロストークもな
く、良好で見栄えのよいものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第二電極分離形成用の隔壁と有機物層
形成用のシャドウマスクの支持壁が形成された基板を上
面から見た模式図である。

【図２】本発明の方法に用いられる第二電極分離形成用
の隔壁と有機物層形成用のシャドウマスクの支持壁とを
示す模式図である。

【図３】本発明の方法における有機物層の形成工程を示
す模式図である。

【図４】本発明の方法における第二電極の形成工程を示
す模式図である。

【図５】従来の第二電極分離形成用の隔壁を示す模式図
である。

【図６】従来の方法における有機物層の形成工程を示す
模式図である。

【図７】従来の方法における第二電極の形成工程を示す
模式図である。

【図８】従来の第二電極分離形成用の隔壁を示す模式図
である。

【符号の説明】

１０１、２０１、３０１、４０１、５０１、６０１、７
０１、８０１基板１０２、２０２、３０２、４０２、５０２、６０２、７
０２、８０２第一電極１０３、２０３、３０３、４０３、５０３、６０３、７
０３、８０３第二電極分離形成用の隔壁３０４、６０４有機物形成用のシャドウマスク３０５、６０５蒸着材料４０６、７０６第二電極形成用のシャドウマスク４０７、７０７蒸着材料１０８、２０８、３０８、４０８有機物層形成用のシャ
ドウマスクの支持壁

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に第一電極／少なくとも発光層を
含む有機物層／第二電極から構成される有機エレクトロ
ルミネッセンス素子を画素発光部として形成されてなる
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルを製
造するに際し、予め第一電極が形成された基板上に、第二電極分離形成
用の隔壁及び有機物層形成用のシャドウマスクの支持壁
をそれぞれ所定のパターンに形成し、前記支持壁にシャドウマスクを支持させながら第一電極
上に有機物層材料を蒸着させることにより少なくとも発
光層を含む有機物層を形成し、次いで、シャドウマスクを除去した後、前記有機物層上
に第二電極材料を蒸着させることにより第二電極分離形
成用の隔壁のパターンに基づいて分割された第二電極を
形成する工程を含むことを特徴とする有機エレクトロル
ミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】第二電極分離形成用の隔壁が形成され、
次いで有機物層形成用のシャドウマスクの支持壁が形成
される請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】有機物層形成用のシャドウマスクの支持
壁が、第二電極分離形成用の隔壁の高さより１０ミクロ
ン以下の範囲で高い高さを有するように形成される請求
項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンスディ
スプレイパネルの製造方法。
【請求項４】有機物層形成用のシャドウマスクの支持
壁が、順テーパー型の断面形状を有するように形成され
る請求項１〜３のいずれかに記載の有機エレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】有機物層形成用のシャドウマスクの支持
壁が、点線形状のラインパタンに形成される請求項１〜
４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】第二電極分離形成用の隔壁が、オーバー
ハング部を含む断面形状を有するように形成される請求
項１〜５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】第二電極分離形成用の隔壁が、１ミクロ
ン以下の高さを有するように形成される請求項１〜６の
いずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンスディス
プレイパネルの製造方法。
【請求項８】第二電極分離形成用の隔壁と有機物層形
成用のシャドウマスクの支持壁とが、１００ミクロン以
下の間隔をおいて形成される請求項１〜７のいずれかに
記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネ
ルの製造方法。
【請求項９】第二電極分離形成用の隔壁と有機物層形
成用のシャドウマスクの支持壁とが、それぞれフォトリ
ソグラフィー法により形成される請求項１〜８のいずれ
かに記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルの製造方法。
【請求項１０】第二電極が真空蒸着法により形成され
る請求項１〜９のいずれかに記載の有機エレクトロルミ
ネッセンスディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】透明の基板及び透明の第一電極が用い
られる請求項１〜１０のいずれかに記載の有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１２】請求項１〜１１のいずれかの方法によ
り製造されることを特徴とする有機エレクトロルミネッ
センスディスプレイパネル。