JP2006054146A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006054146A JP2006054146A JP2004236376A JP2004236376A JP2006054146A JP 2006054146 A JP2006054146 A JP 2006054146A JP 2004236376 A JP2004236376 A JP 2004236376A JP 2004236376 A JP2004236376 A JP 2004236376A JP 2006054146 A JP2006054146 A JP 2006054146A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- organic
- sealing
- base material
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 108
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 57
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- -1 tris (8-quinolinol) aluminum Chemical compound 0.000 description 13
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 6
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 5
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 2,2,3,3,3-pentafluoropropanal Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C=O IRPGOXJVTQTAAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K Aluminum fluoride Inorganic materials F[Al](F)F KLZUFWVZNOTSEM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 3
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N alumane;zinc Chemical compound [AlH3].[Zn] HXFVOUUOTHJFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K aluminum;4-(4-cyanophenyl)phenolate Chemical compound [Al+3].C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1 ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N ethyl benzoate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1 MTZQAGJQAFMTAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 2
- QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N methyl benzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1 QPJVMBTYPHYUOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5-tetraphenylcyclopenta-1,4-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C Chemical compound CC(C)(C)[Cu](C(C)(C)C)(C(C)(C)C)C(C)(C)C OOQAPGNOZVHVDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMNSBGIGCYLELB-UHFFFAOYSA-N [P].C1=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45 Chemical compound [P].C1=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45 LMNSBGIGCYLELB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPSJTUBQDJEBDZ-UHFFFAOYSA-N [P].O1CC=CC=C1 Chemical compound [P].O1CC=CC=C1 DPSJTUBQDJEBDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 150000005010 aminoquinolines Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N benzo[de]isoquinoline-1,3-dione Chemical compound C1=CC(C(=O)NC2=O)=C3C2=CC=CC3=C1 XJHABGPPCLHLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001572 beryllium Chemical class 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N copper lithium Chemical compound [Li].[Cu] OPHUWKNKFYBPDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N cyclohexylbenzene Chemical compound [CH]1CCCC[C@@H]1C1=CC=CC=C1 HHNHBFLGXIUXCM-GFCCVEGCSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940095102 methyl benzoate Drugs 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000012508 resin bead Substances 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000013020 steam cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Abstract
【課題】封止基材側から発光を取りだすトップエミッション型有機EL素子に適用できる、耐湿性に優れ、薄型、軽量、且つ廉価な有機EL素子を提供すること。
【解決手段】支持基材1上に陽極層2、有機発光媒体層3、陰極層4、接着層5、封止基材6が積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、支持基材と封止基材の周縁端部に互いにかみ合うような凹凸が設けられていること。凹凸の一部又は全部が角度45度以下の順テーパーであること。凹凸は支持基材と封止基材の周縁端部に連続して設けられていること。
【選択図】図2
【解決手段】支持基材1上に陽極層2、有機発光媒体層3、陰極層4、接着層5、封止基材6が積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、支持基材と封止基材の周縁端部に互いにかみ合うような凹凸が設けられていること。凹凸の一部又は全部が角度45度以下の順テーパーであること。凹凸は支持基材と封止基材の周縁端部に連続して設けられていること。
【選択図】図2
Description
本発明は、情報表示端末などのディスプレイや面発光光源として幅広い用途が期待される有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子とする)に関するものである。
有機EL素子は、広視野角、応答速度が速い、低消費電力などの利点から、ブラウン管や液晶ディスプレイに変わるフラットパネルディスプレイとして期待されている。
有機EL素子は、どちらか一方が透光性を有する2枚の電極(陽極と陰極)の間に、有機発光媒体層を挟持した構造であり、両電極間に電流を流すことにより有機発光媒体層で発光が生じる自発光型の表示素子である。有機発光媒体層は、通常機能分離された複数の層から構成され、その典型的な例としては、正孔注入層に銅フタロシアニン、正孔輸送層にN,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N'−ジフェニル−1,1’−ビフェニル−4,4'−ジアミン、蛍光体層にトリス(8−キノリノール)アルミニウムをそれぞれ積層した低分子系EL素子や、正孔輸送層にポリチオフェン誘導体、発光層にポリアルキルフルオレン誘導体を積層した高分子系EL素子がある。
有機EL素子は、有機発光媒体層や陰極層を大気暴露させた状態で放置すると、大気中の水分や酸素により劣化することが知られている。具体的な代表例として、ダークスポットと呼ばれる非発光領域が発生し、時間の経過と共に拡大するといった現象がある。
この問題を解決する方法として、乾燥剤を内包したガラス製もしくは金属製の封止キャップ(封止基材)により、乾燥窒素雰囲気下で有機EL素子を被覆封止する方法がある(特許文献1、2参照)。しかし、この方法では、乾燥剤を内包する空間を設けるために封止キャップを加工するコストが高いといった問題や、有機EL素子を薄型・軽量化するのが困難であるといった問題があった。
また近年では、大型・高精細パネル向けにアクティブマトリックス型有機EL素子が主流となり、開口率向上のため、TFT基板と反対側(封止基材側)から光を取り出すトップエミッション型の素子構造が必須であると言われており、従来用いられてきた非透光性の乾燥剤(BaO、CaO)と金属製の封止キャップ(封止基材)を用いた封止に替わる封止法が求められているのが現状である。
また、有機EL素子の全面に接着剤を塗布し、板状の封止基材を貼り合わせることにより、ギャップのない完全固体封止の有機EL素子を作製することができるが、この方法の場合には、接着剤層の厚みと封止幅により有機EL素子の保存寿命が左右され、狭額縁化により封止幅を狭くすると、大幅に寿命が低下するといった問題があった。
特開平5−182759号公報
特開平5−36475号公報
本発明の課題は、封止基材側から発光を取りだすトップエミッション型有機EL素子に適用できる、耐湿性に優れ、薄型、軽量、且つ廉価な有機EL素子を提供することにある
。
。
本発明は、少なくとも、支持基材上に陽極層、有機発光媒体層、陰極層、接着層、封止基材が積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、支持基材と封止基材の周縁端部に互いにかみ合うような凹凸が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
また、本発明は、上記発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記凹凸の一部又は全部が角度45度以下の順テーパーであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
また、本発明は、上記発明による有機エレクトロルミネッセンス素子において、前記凹凸は支持基材と封止基材の周縁端部に連続して設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子である。
本発明によれば、有機EL素子の周縁端部で十分に湿度の侵入を防ぐことができるので、封止基材側からでも発光を高効率に取り出すことが可能である。すなわち、有機EL素子の光取り出し面積を狭めることなく、封止幅を広げることができるので、パネルの額縁を狭くしても水分の侵入を抑制することができ、有機EL素子の全平面積に対する発光面積の割合が大きく、薄型・軽量化が容易である有機EL素子を提供することが可能である。
以下に、本発明の最良の実施形態について説明する。本発明における、支持基材1および封止基材6の凹凸の一例を図1に示す。図1(a)、(b)のように、凹部を有する支持基材1と凸部を有する封止基材6の組み合わせでも良く、(c)のように、凸部を有する支持基材1と封止基材6を互い違いになるよう貼り合わせても良く、(d)のように、凸部を有する支持基材1に凹部を有する封止基材を貼り合わせても良い。これにより、額縁幅が同じでも、封止基材の接触面積が増えることにより、水分の侵入経路が長くなり、より長寿命の有機EL素子が得られる。なお本発明で述べる周縁端部とは、有機EL素子の支持基材と封止基材の外周であって、有機EL素子の封止のために両基材が貼り合わされる部分を指す。
また、図1では、例として、凹凸の形状を四角形状としたが、三角形状でもその他多角形状でも良く、角度も直角だけでなく傾斜面や曲面であっても良い。
ただし、支持基材は、マスク蒸着時や、高分子EL材料を塗工・印刷する場合には、支持基材表面に凸部があることは好ましくなく、また、取り出し電極を形成する必要があるために、少なくとも取り出し電極のテーパ−角度(図2(a)に示すθ)は45度以下であることがより好ましい。
ただし、支持基材は、マスク蒸着時や、高分子EL材料を塗工・印刷する場合には、支持基材表面に凸部があることは好ましくなく、また、取り出し電極を形成する必要があるために、少なくとも取り出し電極のテーパ−角度(図2(a)に示すθ)は45度以下であることがより好ましい。
また、本実施形態は、有機EL素子の光取り出し方向によらず、いかなる素子構造においても使用可能である。例えば、1)透光性支持基材/透光性陽極層/有機発光媒体層/陰極層/封止基材の順に積層し、透光性支持基材側から光を取り出しても良く、2)(透光性)支持基材/陽極層/有機発光媒体層/透光性陰極層/透光性封止基材、もしくは(透光性)支持基材/陰極層/有機発光媒体層/透光性陽極層/透光性封止基材の順に積層し、透光性封止基材側から光を取り出しても良く、3)透光性支持基材/透光性陽極層/有機発光媒体層/透光性陰極層/透光性封止基材、もしくは透光性支持基材/透光性陰極層/有機発光媒体層/透光性陽極層/透光性封止基材の順に積層し、両面から光を取り出
しても良い。
しても良い。
以下に、一例として、支持基材/陽極層/有機発光媒体層/陰極層/封止基材の順に積層した場合の本発明の有機EL素子を図2に基づいて説明する。
本実施形態において、支持基材1としては絶縁性を有する基板であれば如何なる基材も使用することができる。例えば、ガラスや石英や、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートが挙げられる。陽極側から光を取り出す場合には、これに透光性も有することが好ましい。これに酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素金属酸化物や、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化マグネシウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物や、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化クロムなどの金属窒化物や、酸窒化珪素などの金属酸窒化物や、アルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属材料や、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を、透光性に支障が無い範囲で、単層もしくは積層して用いることができる。
特に、金属酸化物などの無機薄膜が透明性とバリア性において好ましいが、ピンホールなどの膜欠陥を生じやすく、たとえ厚膜化しても下地の膜欠陥を反映してしまうため、無機薄膜の単独膜ではなく、高分子樹脂膜などとの積層膜を用いることがより好ましい。また、これらの基材には、必要に応じて、あらかじめ加熱処理を行うことにより、基材内部や表面に吸着した水分を極力低減することがより好ましい。また、支持基材1に積層される材料に応じて、密着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ処理、UVオゾン処理などの表面処理を施すことが好ましく、さらには透光性に支障が無い範囲内で、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素などの無機絶縁薄膜や、クロム、チタンなどの金属薄膜などの薄膜を挿入することがより好ましい。
また、支持基材1上には、必要に応じて、カラーフィルタ層や色変換層などを設けても良い。カラーフィルタ層や色変換層の材料としては、樹脂中に顔料、光開始剤、モノマー等を分散した顔料分散型フォトレジストを用いることが好ましく、さらに、塗工性向上のために界面活性剤を混入したり、散乱性をもたせるために樹脂ビーズなどの透明微粒子を適量混入しても良い。カラーフィルタ層や色変換層上には、カラーレジスト層間の段差や、表面の微小突起を平滑化するために、オーバーコート層を積層することがより好ましい。
オーバーコート層は、段差や突起を平滑化できれば、特に材料の指定は無いが、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ブチラ―ル樹脂、スチレンーマレイン酸共重合体、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、感光性樹脂などを用いることができる。さらに、レジスト中の水分や不純物が高分子系EL素子に拡散するのを防ぐために、オーバーコート層上にパッシベーション層を積層することがより好ましい。
パッシベーション層の材料としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、窒化珪素などの金属酸化物や、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化クロム、酸化マグネシウムなどの金属酸化物、弗化アルミニウム、弗化マグネシウムなどの金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化クロムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物を用いることができる。さらに、オーバーコート層とパッシベーション層を数段繰り返し積層しても良い。
また、支持基材1上には、必要に応じて、薄膜トランジスタ(TFT)を形成して用いても良い。TFTの材料としては、ポリチオフェンやポリアニリン、銅フタロシアニンや
ペリレン誘導体等の有機TFTを用いてもよく、アモルファスシリコンやポリシリコンTFTを用いてもよい。また、TFTの駆動用電極としては、金やクロムなどの金属材料を、蒸着法やスパッタ法で形成しても良く、金属ナノ粒子、バインダー樹脂中に金属粒子を分散させたペーストなどを、印刷法やインクジェット法を用いて形成しても良い。
ペリレン誘導体等の有機TFTを用いてもよく、アモルファスシリコンやポリシリコンTFTを用いてもよい。また、TFTの駆動用電極としては、金やクロムなどの金属材料を、蒸着法やスパッタ法で形成しても良く、金属ナノ粒子、バインダー樹脂中に金属粒子を分散させたペーストなどを、印刷法やインクジェット法を用いて形成しても良い。
以下に、本発明の有機EL素子の製造方法について説明する。
まず、支持基材1に陽極層2を成膜した(図2(a))後に、所定の形状にパターニングし、陰極の取り出し電極2’を形成する(図1(b))。陽極層2の材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層して使用することができる。また、陽極層2の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として、陽極層2に併設してもよい。支持基材1側から光を取り出す場合には透光性のある材料を用いることが好ましい。
まず、支持基材1に陽極層2を成膜した(図2(a))後に、所定の形状にパターニングし、陰極の取り出し電極2’を形成する(図1(b))。陽極層2の材料としては、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属材料や、これら金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層して使用することができる。また、陽極層2の配線抵抗を低くするために、銅やアルミニウムなどの金属材料を補助電極として、陽極層2に併設してもよい。支持基材1側から光を取り出す場合には透光性のある材料を用いることが好ましい。
また、有機発光媒体層3を成膜する前に、陽極層2の表面を、超音波洗浄、イソプロピルアルコール等への浸漬もしくは蒸気洗浄、酸、アルカリ水溶液による湿式洗浄や、プラズマ処理、UV/O3 処理などの乾式処理をすることが好ましい。
陽極層2の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。陽極層2のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。
陽極層2の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。陽極層2のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。
陰極の取り出し電極2’は、有機EL素子の封止部を横切って形成されることになるため、支持基材と封止基材の周縁端部、すなわち、封止部に設けられた凹凸があまり急角度であるとパターニングしづらく、また断線の原因にもなる。
そのため、支持基材と封止基材の周縁端部に設けられた凹凸の角度は、陰極の取り出し電極2’が設けられた周辺においては、少なくとも順テーパーであること、好ましくは45度以下であることが求められる。
そのため、支持基材と封止基材の周縁端部に設けられた凹凸の角度は、陰極の取り出し電極2’が設けられた周辺においては、少なくとも順テーパーであること、好ましくは45度以下であることが求められる。
次に、有機発光媒体層3を形成する(図2(c))。本発明における有機発光媒体層3としては、発光物質を含む単層膜、あるいは多層膜で形成することができる。多層膜で形成する場合の構成例としては、1)正孔注入輸送層、電子輸送性発光層、または正孔輸送性発光層、電子輸送層からなる2層構成や、2)正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層からなる3層構成や、3)さらには、注入層と輸送層を分けたり、電子ブロック層や正孔ブロック層などを挿入することにより、さらに多層で形成することも可能である。
正孔注入輸送材料の例としては、銅フタロシアニン、テトラ(t−ブチル)銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン類及び無金属フタロシアニン類、キナクリドン化合物、1,1−ビス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサン、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス(3−メチルフェニル)−1,1'−ビフェニル−4,4'−ジアミン、N,N'−ジ(1−ナフチル)−N,N'−ジフェニル−1,1'−ビフェニル−4,4'−ジアミン等の芳香族アミン系低分子正孔注入輸送材料や、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリビニルカルバゾール、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物などの高分子正孔輸送材料、ポリチオフェンオリゴマー材料、その他既存の正孔輸送材料の中から選ぶことができる。
発光材料としては、9,10−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペ
リレン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノリノラート)亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス〔8−(パラ−トシル)アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、N,N'−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、N,N'−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等、Ir錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料や、ポリフルオレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリスピロなどの高分子材料や、これら高分子材料に前記低分子材料の分散または共重合した材料や、その他既存の発光材料を用いることができる。
リレン、ルブレン、1,1,4,4−テトラフェニルブタジエン、トリス(8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、ビス(8−キノリノラート)亜鉛錯体、トリス(4−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−トリフルオロメチル−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、ビス(2−メチル−5−シアノ−8−キノリノラート)[4−(4−シアノフェニル)フェノラート]アルミニウム錯体、トリス(8−キノリノラート)スカンジウム錯体、ビス〔8−(パラ−トシル)アミノキノリン〕亜鉛錯体及びカドミウム錯体、1,2,3,4−テトラフェニルシクロペンタジエン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−2,5−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、クマリン系蛍光体、ペリレン系蛍光体、ピラン系蛍光体、アンスロン系蛍光体、ポルフィリン系蛍光体、キナクリドン系蛍光体、N,N'−ジアルキル置換キナクリドン系蛍光体、ナフタルイミド系蛍光体、N,N'−ジアリール置換ピロロピロール系蛍光体等、Ir錯体等の燐光性発光体などの低分子系発光材料や、ポリフルオレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリスピロなどの高分子材料や、これら高分子材料に前記低分子材料の分散または共重合した材料や、その他既存の発光材料を用いることができる。
電子輸送材料の例としては、2−(4−ビフィニルイル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、オキサジアゾール誘導体やビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム錯体、トリアゾール化合物等を用いることができる。
有機発光媒体層3の膜厚は、単層または積層により形成する場合においても1000nm以下であり、好ましくは50〜150nmである。特に、高分子系EL素子の正孔輸送材料は、支持基材1や陽極層2の表面突起を覆う効果が大きく、50〜100nm程度厚い膜を成膜することがより好ましい。
有機発光媒体層3の形成方法としては、材料に応じて、真空蒸着法や、スピンコート、スプレーコート、フレキソ、グラビア、マイクログラビア、凹版オフセットなどのコーティング法、印刷法やインクジェット法などを用いることができる。高分子発光媒体層を溶液化する際には、形成方法に応じて、溶剤の蒸気圧、固形分比、粘度などを制御することが好ましい。溶剤としては、水、キシレン、アニソール、シクロヘキサノン、メシチレン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、安息香酸メチル、安息香酸エチル、トルエン、エタノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの単独溶媒でも、混合溶媒でも良い。また、塗工性向上のために、必要に応じて界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤などの添加剤を適量混合することがより好ましい。塗布液の乾燥方法としては、EL特性に支障のない程度に溶剤を取り除ければ良く、加熱しても、減圧しても、加熱減圧しても良い。
次に、陰極層4を形成する(図1(d))。陰極層4の材料としては電子注入効率の高い物質を用いる。具体的にはMg、Al、Yb等の金属単体を用いたり、発光媒体と接する界面にLiや酸化Li、LiF等の化合物を1nm程度挟んで、安定性・導電性の高いAlやCuを積層して用いる。封止基材6側から光を取り出す場合には透光性のある材料を選択するのが好ましい。
または、電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いLi、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb等の金属1種以上と、安定なAg、Al、Cu等の金属元素との合金系が用いられる。具体的にはMgAg、AlLi、CuLi等の合金が使用できる。
または、電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いLi、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb等の金属1種以上と、安定なAg、Al、Cu等の金属元素との合金系が用いられる。具体的にはMgAg、AlLi、CuLi等の合金が使用できる。
陰極層4の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法を用いることができる。陰極層4の厚さは、10nm〜1000nm程度が望ましいが、陰極層4を透光性とする場合には、これら金属材料を1〜10nm程度の薄膜として積層した後に、、ITO(インジウムスズ複合酸化物)やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物を10〜150nm積層し、電子注入性と透光性の両立を図ることが好ましい。
最後に、接着層5を介して、封止基材6を積層する(図(d))。この時、支持基材1および封止基材6の凹凸部よりも内側で、かつ、陽極層2(取り出し電極部を除く)、有機発光媒体層3、陰極層4の外周部に、塗布によって形成された吸湿層を設けることがより好ましい。吸湿層は、少なくとも外周に設けられておれば良く、発光に支障が無ければ、陽極層2や有機発光媒体層3や陰極層4や陰極の取り出し電極2’と重なった部分を有しても良い。また、外周部に枠状に形成されていれば形状に特に制約はなく、円状でも、四角状でもその他多角形状であっても良い。
また、後述の封止基材6側に形成して用いても良い。吸湿層の材料としては、化学吸着系でも物理吸着系でもよく、酸化カルシウム、酸化バリウム、ゼオライト、シリカゲルなど既存の乾燥剤を、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化型接着性樹脂、光硬化型接着性樹脂、熱可塑型接着性樹脂などに分散させて用いてもよく、また、有機金属錯体などを有機発光媒体層3に不溶な有機溶媒やオイル等に分散または溶解させ、液状として用いても良く、塗布後乾燥させて用いてもよい。吸湿層の形成方法としては、ロールコート、スピンコート、スクリーン印刷法、スプレーコートなどのコーティング法、印刷法、インクジェット法などを用いて形成することができる。
接着層5の材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン、フェノール樹脂などの熱硬化型接着性樹脂、光硬化型接着性樹脂、熱可塑型接着性樹脂などを用いることができる。特に、耐湿性、耐水性に優れ、硬化時の収縮が少ないエポキシ樹脂系接着性樹脂を用いることが好ましい。接着層5の形成方法としては、材料に応じて、ロールコート、スピンコート、スクリーン印刷法、スプレーコートなどのコーティング法、印刷法を用いることができる。接着層5は、含有水分を極力少なくすることが好ましい。
接着層5の膜厚は、0.001mm〜1mmが好ましい。これは、接着層5の厚みが1mmよりも厚いと、端部からの透湿量の増加により有機EL素子が劣化するといった問題が生じたり、硬化収縮量が大きくなるといった問題、封止基材側から光を取り出す場合、色ずれや光の吸収が大きいといった問題が生じるからである。逆に0.001mmよりも薄いと、有機EL素子が封止基材6と接触するといった問題がある。
また、接着層5内部には、硬化時の残留応力を緩和し接着性を向上するために、プラスチック微粒子、アクリルゴム、ニトリルゴムなどのゴム微粒子を、単成分もしくは多成分のフィラーを混入しても良い。
また、接着層5内部には、硬化時の残留応力を緩和し接着性を向上するために、プラスチック微粒子、アクリルゴム、ニトリルゴムなどのゴム微粒子を、単成分もしくは多成分のフィラーを混入しても良い。
封止基材6としては、防湿性に優れた材料が好ましく、ガラスや、ポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレート、ポリカーボネートなどのプラスチックフィルム上に、酸化珪素、酸化アルミニウムなどの金属酸化物や、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物や、弗化アルミニウムなどの金属弗化物や、アルミニウム、ニッケル、銅などの金属や合金を蒸着したフィルムや、これら金属材料からなる金属箔や合金箔、ガラス板、金属板などを用いることができる。光取り出しを上部から行う場合(トップエミッション型)には、透光性の封止基材を用いる。
接着層5との接着性を向上させるために、超音波洗浄処理、コロナ放電処理、プラズマ
処理、UVオゾン処理などの表面処理を施すことが好ましく、さらには透光性に支障が無い範囲内で、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素などの無機絶縁薄膜や、クロム、チタンなどの金属薄膜などの薄膜を挿入しても良い。
また、封止基材6側から光を取り出すトップエミッション型とする場合には、封止基材上に必要に応じて、カラーフィルター層や色変換層、反射防止フィルム、偏向フィルム、防汚フィルム、耐擦傷フィルムなどを設けて用いても良い。
処理、UVオゾン処理などの表面処理を施すことが好ましく、さらには透光性に支障が無い範囲内で、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素などの無機絶縁薄膜や、クロム、チタンなどの金属薄膜などの薄膜を挿入しても良い。
また、封止基材6側から光を取り出すトップエミッション型とする場合には、封止基材上に必要に応じて、カラーフィルター層や色変換層、反射防止フィルム、偏向フィルム、防汚フィルム、耐擦傷フィルムなどを設けて用いても良い。
また、支持基材、封止基材への凹凸の形成は、例えば、支持基材、封止基材がガラスの場合にはサンドブラスト法やエッチング法によって形成することができる。
まず、支持基材1として支持基材の周縁端部にテ−パ−角θが45度となる凹部をエッチング法により設けたガラス基材を用い、スパッタリング法で陽極層2としてITO膜を支持基材全面に150nm形成した後(図2(a))に、フォトリソグラフィー法及びウェットエッチング法によって、ITO膜をパターニングし、取り出し電極2’を形成した(図2(b))。
次に、有機発光媒体層3として、正孔輸送層にポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物(20nm)、蛍光体層にポリ[2−メトキシ−5−(2'−エチル−ヘキシロキシ)−1,4−フェニレンビニレン](MEHPPV)(100nm)を、それぞれスピンコート法により形成した(図1(c))。
次に、有機発光媒体層3として、正孔輸送層にポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルホン酸との混合物(20nm)、蛍光体層にポリ[2−メトキシ−5−(2'−エチル−ヘキシロキシ)−1,4−フェニレンビニレン](MEHPPV)(100nm)を、それぞれスピンコート法により形成した(図1(c))。
次に、陰極層4として、真空蒸着法によりCa(5nm)とAg(100nm)をこの順に積層した(図1(c))。次に、接着層5として、UV硬化型のエポキシ接着剤を塗布し、封止基材6として支持基材の凹部に対応するように周縁端部にテ−パ−角θが45度となる凸部をエッチング法により設けたガラス基板を貼り合わせ、接着層5を硬化させた(図1(d))。こうして製作したボトムエミッション型の有機EL素子に4.5Vの電圧を印可した結果、100cd/m2 の発光が支持基材1側から得られた。また、60℃90%RH下に5000時間保存した結果、ダークスポットの拡大は観察されなかった。
実施例1の陰極層に代わり、Ca(5nm)とITO(100nm)を積層し、封止基材6からも光を取り出せる構造とした。この有機EL素子に4.5Vの電圧を印可した結果、支持基材1および封止基材6の両面から100cd/m2 の発光が得られた。また、この有機EL素子を60℃90%RH下に5000時間保存した結果、ダークスポットの拡大や画素幅の縮小は観察されなかった。
実施例3は、実施例1と比較するための例である。実施例1の支持基材1および封止基材6として、凹凸部を有さない平板ガラスを用いて有機EL素子を作製した。この有機EL素子に4.5Vの電圧を印可した結果、100cd/m2 の発光が支持基材1側から得られた。また、60℃90%RH下に5000時間保存した結果、封止端部側の劣化が進行し、発光画素面積が50%減少した。
1・・・支持基材
2・・・陽極層
2’・・・陰極の取り出し電極
3・・・有機発光媒体層
4・・・陰極層
5・・・接着層
6・・・封止基材
2・・・陽極層
2’・・・陰極の取り出し電極
3・・・有機発光媒体層
4・・・陰極層
5・・・接着層
6・・・封止基材
Claims (3)
- 少なくとも、支持基材上に陽極層、有機発光媒体層、陰極層、接着層、封止基材が積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス素子において、支持基材と封止基材の周縁端部に互いにかみ合うような凹凸が設けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記凹凸の一部又は全部が角度45度以下の順テーパーであることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
- 前記凹凸は支持基材と封止基材の周縁端部に連続して設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004236376A JP2006054146A (ja) | 2004-08-16 | 2004-08-16 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004236376A JP2006054146A (ja) | 2004-08-16 | 2004-08-16 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006054146A true JP2006054146A (ja) | 2006-02-23 |
Family
ID=36031476
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004236376A Pending JP2006054146A (ja) | 2004-08-16 | 2004-08-16 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006054146A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008089634A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
KR100859071B1 (ko) | 2006-03-28 | 2008-09-17 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기발광장치 및 그 제조 방법 |
JP2010118326A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
JP2012109225A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
JP2021018952A (ja) * | 2019-07-23 | 2021-02-15 | 株式会社小糸製作所 | 車両用ランプ |
-
2004
- 2004-08-16 JP JP2004236376A patent/JP2006054146A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100859071B1 (ko) | 2006-03-28 | 2008-09-17 | 캐논 가부시끼가이샤 | 유기발광장치 및 그 제조 방법 |
JP2008089634A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
JP2010118326A (ja) * | 2008-11-11 | 2010-05-27 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光表示装置 |
US9246126B2 (en) | 2008-11-11 | 2016-01-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
JP2012109225A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 照明装置 |
US9188323B2 (en) | 2010-10-20 | 2015-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device |
JP2021018952A (ja) * | 2019-07-23 | 2021-02-15 | 株式会社小糸製作所 | 車両用ランプ |
JP7286459B2 (ja) | 2019-07-23 | 2023-06-05 | 株式会社小糸製作所 | 車両用ランプ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007220646A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2008135318A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
JP2014203707A (ja) | 有機elディスプレイの製造方法及び有機elディスプレイ | |
JP4325249B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP4736676B2 (ja) | アクティブマトリクス駆動型有機エレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JP2007194061A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
US8022437B2 (en) | Organic electroluminescence element and method for manufacturing thereof | |
JP4178887B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4325248B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2007095342A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
JP2012199207A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 | |
JP2006054147A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4609135B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2008071608A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
JP2013077460A (ja) | 有機elパネルの製造方法、有機elパネル及び有機elディスプレイ | |
JP2011076759A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法およびパッシベーション層成膜用マスク | |
JP2004171806A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2012059553A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 | |
JP2006054146A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2007287613A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
JP2013069615A (ja) | 有機elディスプレイ及びその製造方法 | |
JP5987407B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネル | |
JP2007200801A (ja) | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP4211277B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び面発光光源、並びにディスプレイ、液晶ディスプレイ | |
JP2006228493A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 |