JP4663224B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
本発明における銅を含む配線の作製方法について、図1を用いて説明する。
本実施の形態2では、表示装置の画素部に形成され、ソース側駆動回路からの信号を各画素に入力するための信号線(本実施の形態においては、電流供給線も含む)に銅を含む配線を用いる場合について説明する。なお、本実施の形態に示す表示装置には、一対の電極間に電界発光層をはさんで形成された発光素子を有する発光装置の場合について説明する。
なお、各画素は、信号線201、電流供給線202、走査線203、複数のTFT(204、205)、容量素子206、および発光素子207をそれぞれ有する。なお各TFT(204、205)は、シングルゲート構造に限らず、ダブルゲート構造やトリプルゲート構造といったマルチゲート構造を有していてもよい。
本実施の形態では図6を参照して、ゲート電極に銅を含む配線を適応した例を説明する。
本発明の作製方法により得られる配線は、表示装置の引き回し配線に用いることもできる。
本実の形態5では、本発明の半導体装置のうちアクティブマトリクス型の発光装置の外観図について、図8により説明する。なお、図8(A)は、発光装置を示す上面図、図8(B)は図8(A)をA−A’で切断した断面図である。点線で示された801は駆動回路部(ソース側駆動回路)、802は画素部、803は駆動回路部(ゲート側駆動回路)である。また、804は封止基板、805はシール剤であり、シール剤805で囲まれた内側807は、空間になっている。
本発明の配線を用いて作製された半導体装置を用いて様々な電気器具を完成させることができる。その具体例について図9を用いて説明する。
102 第1の導電膜
103 マスク
104 第2の導電膜
105 レジスト
106 配線
Claims (9)
- 銅の拡散に対するバリア性を有する第1の導電膜をエッチング法により所望の形状とし、
所望の形状とした前記第1の導電膜上に、開口部を有するマスクを用いて銅を主成分とする第2の導電膜を形成し、
ドライエッチング法により前記第2の導電膜の幅を細くして、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜の積層膜からなる配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に銅の拡散に対するバリア性を有する第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜をエッチング法により所望の形状とし、
所望の形状とした前記第1の導電膜上に開口部を有するマスクを用いて銅を主成分とする第2の導電膜を形成し、
ドライエッチング法により前記第2の導電膜の幅を細くして、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜の積層膜からなる配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、前記第1の導電膜として、TiN、TaN、WN、
TiC、TaC、または珪素を含む導電膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、前記第1の導電膜として、TiN、TaN、WN、
TiC、TaC、または珪素を含む導電膜のいずれか一種とTiを主成分とする材料との積層膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1または請求項2において、前記第1の導電膜として、Ti、Al、Ta、Wのいずれか一種又は複数種で形成された導電膜上に、TiN、TaN、WN、TiC、TaC、または珪素を含む導電膜のいずれか一種からなる導電膜が形成された積層膜を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至5のいずれか一において、前記第2の導電膜を覆って、窒化珪素、窒化酸化珪素、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、ダイヤモンドライクカーボン膜、または窒化炭素からなる絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記第1の導電膜の幅は、30〜40μmであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至7のいずれか一において、前記第2の導電膜の幅は、5〜20μmであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至8のいずれか一において、前記第2の導電膜の膜厚は、0.1〜1μmであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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