JP2001049423A - 金属膜の形成方法 - Google Patents
金属膜の形成方法Info
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- JP2001049423A JP2001049423A JP11218545A JP21854599A JP2001049423A JP 2001049423 A JP2001049423 A JP 2001049423A JP 11218545 A JP11218545 A JP 11218545A JP 21854599 A JP21854599 A JP 21854599A JP 2001049423 A JP2001049423 A JP 2001049423A
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- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】樹脂フィルム上に金属膜を形成するに際して、
反りの発生を抑制し、高精度な金属膜のパターン形成を
行うことができる金属膜の形成方法を提供する。 【解決手段】樹脂フィルム上への金属膜の形成方法であ
って、少なくとも、金属膜を形成する部分に所望形状の
複数の開口部を設けたマスクを用い、該マスクを樹脂フ
ィルム上に重ね合わせて、上記マスクの開口部に相当す
る所望の形状で部分的に複数の領域に分けた金属膜を真
空蒸着法により形成する工程を含む金属膜の形成方法と
する。さらに、上記複数の領域に分けて形成した金属膜
および樹脂フィルム上に、所望形状のフォトレジストパ
ターンを形成する工程と、化学エッチング法またはプラ
ズマエッチング法もしくはイオンビームエッチング法に
より、上記複数の領域に分けて形成した金属膜の一部を
除去し、所望形状の金属膜パターンを形成する工程とを
含む金属膜の形成方法とする。
反りの発生を抑制し、高精度な金属膜のパターン形成を
行うことができる金属膜の形成方法を提供する。 【解決手段】樹脂フィルム上への金属膜の形成方法であ
って、少なくとも、金属膜を形成する部分に所望形状の
複数の開口部を設けたマスクを用い、該マスクを樹脂フ
ィルム上に重ね合わせて、上記マスクの開口部に相当す
る所望の形状で部分的に複数の領域に分けた金属膜を真
空蒸着法により形成する工程を含む金属膜の形成方法と
する。さらに、上記複数の領域に分けて形成した金属膜
および樹脂フィルム上に、所望形状のフォトレジストパ
ターンを形成する工程と、化学エッチング法またはプラ
ズマエッチング法もしくはイオンビームエッチング法に
より、上記複数の領域に分けて形成した金属膜の一部を
除去し、所望形状の金属膜パターンを形成する工程とを
含む金属膜の形成方法とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気配線や端子接
続用の電極等として用いられる金属膜の形成方法に係
り、特に、金属膜と樹脂フィルムとの熱膨張係数の差に
よる反りや、クラックの発生を抑制することが可能で、
精度の良い金属膜パターンを形成することができる金属
膜の形成方法に関する。
続用の電極等として用いられる金属膜の形成方法に係
り、特に、金属膜と樹脂フィルムとの熱膨張係数の差に
よる反りや、クラックの発生を抑制することが可能で、
精度の良い金属膜パターンを形成することができる金属
膜の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来では、図３に示すように、電子ビー
ム法やスパッタ法等の真空蒸着法で、樹脂フィルム４上
の全面に金属膜５を形成して、この金属膜５をパターン
形成する方法が一般的に用いられている。しかしなが
ら、上記の従来の方法では、真空蒸着時に樹脂フィルム
が加熱されるため、金属膜形成後に空気中に取り出した
際に、金属膜と樹脂フィルムとの熱膨張係数の差によ
り、反り９が発生する。この金属膜を実際に使用する場
合には、金属膜形成の工程の後に、フォトレジストを用
いたフォトリソグラフィー工程により、金属膜をパター
ン形成する必要がある。しかし、上記の反りのために、
精度良く金属膜をパターン形成することには限界があ
り、また、金属膜を形成した樹脂フィルムの反りをなく
すように平板に接着固定し、フォトレジストを用いて金
属膜をパターン形成しようとすると、金属膜に応力が掛
かるためクラックが生じるという問題がある。また、従
来のスパッタ法等で全面に金属膜を形成してパターン形
成する方法の他に、先にレジストパターンを形成してお
き、金属膜を形成する方法もあるが、この方法では蒸着
工程における熱の影響でレジストが損傷を被ったり、ま
た、温度を十分に上げておかないと金属膜と樹脂フィル
ムとの密着力が弱くなったりする問題が生じる。その他
の方法として、無電解めっきによる方法や、薄い金属シ
ートを張り合わせる方法等があるが、前者ではめっき応
力による反りが発生しやすく、また、後者では作製工程
が複雑になる等の問題がある。
ム法やスパッタ法等の真空蒸着法で、樹脂フィルム４上
の全面に金属膜５を形成して、この金属膜５をパターン
形成する方法が一般的に用いられている。しかしなが
ら、上記の従来の方法では、真空蒸着時に樹脂フィルム
が加熱されるため、金属膜形成後に空気中に取り出した
際に、金属膜と樹脂フィルムとの熱膨張係数の差によ
り、反り９が発生する。この金属膜を実際に使用する場
合には、金属膜形成の工程の後に、フォトレジストを用
いたフォトリソグラフィー工程により、金属膜をパター
ン形成する必要がある。しかし、上記の反りのために、
精度良く金属膜をパターン形成することには限界があ
り、また、金属膜を形成した樹脂フィルムの反りをなく
すように平板に接着固定し、フォトレジストを用いて金
属膜をパターン形成しようとすると、金属膜に応力が掛
かるためクラックが生じるという問題がある。また、従
来のスパッタ法等で全面に金属膜を形成してパターン形
成する方法の他に、先にレジストパターンを形成してお
き、金属膜を形成する方法もあるが、この方法では蒸着
工程における熱の影響でレジストが損傷を被ったり、ま
た、温度を十分に上げておかないと金属膜と樹脂フィル
ムとの密着力が弱くなったりする問題が生じる。その他
の方法として、無電解めっきによる方法や、薄い金属シ
ートを張り合わせる方法等があるが、前者ではめっき応
力による反りが発生しやすく、また、後者では作製工程
が複雑になる等の問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、樹脂フ
ィルム上に真空蒸着法で金属膜を全面に形成しようとす
ると、金属膜には反りが発生してしまい、高精度な金属
膜のパターン形成が困難となる問題があった。
ィルム上に真空蒸着法で金属膜を全面に形成しようとす
ると、金属膜には反りが発生してしまい、高精度な金属
膜のパターン形成が困難となる問題があった。
【０００４】本発明の目的は、従来技術における問題点
を解消するものであって、樹脂フィルム上に金属膜を形
成するに際して、金属膜の反りの発生を抑制し、高精度
な金属膜のパターン形成を行うことができる金属膜の形
成方法を提供することにある。
を解消するものであって、樹脂フィルム上に金属膜を形
成するに際して、金属膜の反りの発生を抑制し、高精度
な金属膜のパターン形成を行うことができる金属膜の形
成方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記した本発明の目的を
達成するために、特許請求の範囲に記載のような構成と
するものである。すなわち、本発明は、請求項１に記載
のように、樹脂フィルム上への金属膜の形成方法であっ
て、少なくとも、金属膜を形成する部分に、所望の形状
で部分的に複数の開口部を設けたマスクを用い、該マス
クを樹脂フィルム上に重ね合わせて、真空蒸着法によ
り、上記マスクの開口部に相当する所望の形状で部分的
に複数の領域に分けた金属膜を形成する工程を含む金属
膜の形成方法とするものである。また、請求項２に記載
のように、樹脂フィルム上への金属膜の形成方法であっ
て、少なくとも、金属膜を形成する部分に、所望の形状
で部分的に複数の開口部を設けたマスクを用い、該マス
クを樹脂フィルム上に重ね合わせて、真空蒸着法によ
り、上記マスクの開口部に相当する所望の形状で部分的
に複数の領域に分けた金属膜を形成する工程と、上記樹
脂フィルム上の複数の領域に部分的に形成した金属膜お
よび該樹脂フィルム上に、フォトレジストをパターン形
成する工程と、化学エッチング法またはプラズマエッチ
ング法もしくはイオンビームエッチング法により、上記
複数の領域に部分的に形成した金属膜の一部を除去し、
所望の形状の金属膜パターンを形成する工程とを含む金
属膜の形成方法とするものである。
達成するために、特許請求の範囲に記載のような構成と
するものである。すなわち、本発明は、請求項１に記載
のように、樹脂フィルム上への金属膜の形成方法であっ
て、少なくとも、金属膜を形成する部分に、所望の形状
で部分的に複数の開口部を設けたマスクを用い、該マス
クを樹脂フィルム上に重ね合わせて、真空蒸着法によ
り、上記マスクの開口部に相当する所望の形状で部分的
に複数の領域に分けた金属膜を形成する工程を含む金属
膜の形成方法とするものである。また、請求項２に記載
のように、樹脂フィルム上への金属膜の形成方法であっ
て、少なくとも、金属膜を形成する部分に、所望の形状
で部分的に複数の開口部を設けたマスクを用い、該マス
クを樹脂フィルム上に重ね合わせて、真空蒸着法によ
り、上記マスクの開口部に相当する所望の形状で部分的
に複数の領域に分けた金属膜を形成する工程と、上記樹
脂フィルム上の複数の領域に部分的に形成した金属膜お
よび該樹脂フィルム上に、フォトレジストをパターン形
成する工程と、化学エッチング法またはプラズマエッチ
ング法もしくはイオンビームエッチング法により、上記
複数の領域に部分的に形成した金属膜の一部を除去し、
所望の形状の金属膜パターンを形成する工程とを含む金
属膜の形成方法とするものである。
【０００６】本発明の金属膜の形成方法は、金属膜を形
成したい領域にのみ穴を開けたマスクを用い、このマス
クを、ポリイミド等の樹脂フィルムに重ね合わせて、真
空蒸着法により、金属膜を部分的に複数の領域に分けて
形成する方法であり、さらに、樹脂フィルム上の複数の
領域に部分的に形成した金属膜および該樹脂フィルム上
に、フォトレジストをパターン形成して、化学エッチン
グ法またはプラズマエッチング法もしくはイオンビーム
エッチング法で、上記金属膜の不要な部分を除去して、
所望の形状の金属膜パターンを形成する方法である。こ
のように、樹脂フィルム上に部分的に複数の領域に分け
た金属膜を形成しているため、金属膜と樹脂フィルムと
の熱膨張係数の差による反りの発生を効果的に抑制する
ことができるので、精度の良い金属膜パターンを高歩留
まりで形成できる効果がある。本発明の金属膜の形成方
法は、電極用金属材料として、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕ膜やＣｒ／Ｐｔ／Ａｕ膜等、配線用金属材料として、
Ｃｕ膜、Ａｕ膜等の形成に好適に用いることができる。
成したい領域にのみ穴を開けたマスクを用い、このマス
クを、ポリイミド等の樹脂フィルムに重ね合わせて、真
空蒸着法により、金属膜を部分的に複数の領域に分けて
形成する方法であり、さらに、樹脂フィルム上の複数の
領域に部分的に形成した金属膜および該樹脂フィルム上
に、フォトレジストをパターン形成して、化学エッチン
グ法またはプラズマエッチング法もしくはイオンビーム
エッチング法で、上記金属膜の不要な部分を除去して、
所望の形状の金属膜パターンを形成する方法である。こ
のように、樹脂フィルム上に部分的に複数の領域に分け
た金属膜を形成しているため、金属膜と樹脂フィルムと
の熱膨張係数の差による反りの発生を効果的に抑制する
ことができるので、精度の良い金属膜パターンを高歩留
まりで形成できる効果がある。本発明の金属膜の形成方
法は、電極用金属材料として、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａ
ｕ膜やＣｒ／Ｐｔ／Ａｕ膜等、配線用金属材料として、
Ｃｕ膜、Ａｕ膜等の形成に好適に用いることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図１およ
び図２に示す。図１に、樹脂フィルムに部分的に金属膜
を形成するためのマスクの構成の一例を示す。金属ある
いは樹脂等からなるマスク基板１に、金属膜を形成した
い部分に穴２を開けたマスク３を作製する。図２は、上
記マスク３を用いて金属膜のパターンを形成する過程を
示す工程図である。図２（ａ）に示す樹脂フィルム（ポ
リイミド膜等、厚さ１００〜２００μｍ）４の上に、マ
スク３を密着させ〔図２（ｂ）〕、電子ビーム法やスパ
ッタ法等による真空蒸着法で金属膜（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ
膜、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ膜、Ｃｕ膜等）５を形成した〔図
２（ｃ）〕。金属膜５の膜厚は、端子接続用の電極とし
ては、約１μｍ以下、電気配線の場合には約数μｍ〜数
十μｍ程度の膜厚範囲に設定した。次に、上記マスク３
を取り外し、金属層６を形成する〔図２（ｄ）〕。フォ
トレジスト７をパターン形成した後〔図２（ｅ）〕、化
学エッチング法またはプラズマエッチング法あるいはイ
オンビームエッチング法で、金属膜６の不要な部分を除
去して、所望の金属膜パターン８を形成する〔図２
（ｆ）〕。なお、本実施の形態では、図１に示すマスク
基板１に、長方形の穴を２４個設けたマスク３を用いた
場合を例に示したが、最終的な所望の金属膜パターンよ
り大きめの穴を、部分的に複数個形成していればよく、
穴の形状や数に制限されるものではない。また、本実施
の形態ではフィルム状の樹脂を用いたが、基板上に形成
した樹脂フィルムの場合であっても本発明を適用できる
ことは自明である。
び図２に示す。図１に、樹脂フィルムに部分的に金属膜
を形成するためのマスクの構成の一例を示す。金属ある
いは樹脂等からなるマスク基板１に、金属膜を形成した
い部分に穴２を開けたマスク３を作製する。図２は、上
記マスク３を用いて金属膜のパターンを形成する過程を
示す工程図である。図２（ａ）に示す樹脂フィルム（ポ
リイミド膜等、厚さ１００〜２００μｍ）４の上に、マ
スク３を密着させ〔図２（ｂ）〕、電子ビーム法やスパ
ッタ法等による真空蒸着法で金属膜（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ
膜、Ｃｒ／Ｐｔ／Ａｕ膜、Ｃｕ膜等）５を形成した〔図
２（ｃ）〕。金属膜５の膜厚は、端子接続用の電極とし
ては、約１μｍ以下、電気配線の場合には約数μｍ〜数
十μｍ程度の膜厚範囲に設定した。次に、上記マスク３
を取り外し、金属層６を形成する〔図２（ｄ）〕。フォ
トレジスト７をパターン形成した後〔図２（ｅ）〕、化
学エッチング法またはプラズマエッチング法あるいはイ
オンビームエッチング法で、金属膜６の不要な部分を除
去して、所望の金属膜パターン８を形成する〔図２
（ｆ）〕。なお、本実施の形態では、図１に示すマスク
基板１に、長方形の穴を２４個設けたマスク３を用いた
場合を例に示したが、最終的な所望の金属膜パターンよ
り大きめの穴を、部分的に複数個形成していればよく、
穴の形状や数に制限されるものではない。また、本実施
の形態ではフィルム状の樹脂を用いたが、基板上に形成
した樹脂フィルムの場合であっても本発明を適用できる
ことは自明である。
【０００８】
【発明の効果】本発明の金属膜の形成方法は、金属膜を
形成したい部分にのみ穴を開けたマスクを用い、このマ
スクを樹脂フィルムに重ね合わせ金属膜を部分的に形成
した後、さらに、樹脂フィルム上の金属膜および該樹脂
フィルム上に、フォトレジストをパターン形成し、化学
エッチング法またはプラズマエッチング法もしくはイオ
ンビームエッチング法で不要な部分の金属膜を除去し、
所望の金属膜パターンを形成しているため、金属膜と樹
脂フィルムとの熱膨張係数の差による反りの発生を抑制
することができるので、精度の良い金属膜パターンを形
成できる効果がある。
形成したい部分にのみ穴を開けたマスクを用い、このマ
スクを樹脂フィルムに重ね合わせ金属膜を部分的に形成
した後、さらに、樹脂フィルム上の金属膜および該樹脂
フィルム上に、フォトレジストをパターン形成し、化学
エッチング法またはプラズマエッチング法もしくはイオ
ンビームエッチング法で不要な部分の金属膜を除去し、
所望の金属膜パターンを形成しているため、金属膜と樹
脂フィルムとの熱膨張係数の差による反りの発生を抑制
することができるので、精度の良い金属膜パターンを形
成できる効果がある。
【図１】本発明の実施の形態で例示した金属膜の形成方
法に用いられるマスクの一例を示す模式図。
法に用いられるマスクの一例を示す模式図。
【図２】本発明の実施の形態で例示した金属膜の形成方
法の過程を示す工程図。
法の過程を示す工程図。
【図３】従来の金属膜の形成方法の過程を示す工程図。
１…マスク基板 ２…穴 ３…マスク ４…樹脂フィルム ５…金属膜 ６…金属層 ７…フォトレジスト ８…金属膜パターン ９…反り
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石沢 鈴子 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 石橋 重喜 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 高原 秀行 東京都千代田区大手町二丁目３番１号 日 本電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 4K029 AA11 AA25 BA01 BA05 BA13 BA17 BD02 CA03 CA05 GA02 HA03 HA07 4M104 BB04 BB13 BB14 DD34 DD37 DD62 DD64 DD65 EE18
Claims (2)
- 【請求項１】樹脂フィルム上への金属膜の形成方法であ
って、少なくとも、 金属膜を形成する部分に、所望の形状で部分的に複数の
開口部を設けたマスクを用い、該マスクを樹脂フィルム
上に重ね合わせて、真空蒸着法により、上記マスクの開
口部に相当する所望の形状で部分的に複数の領域に分け
た金属膜を形成する工程を含むことを特徴とする金属膜
の形成方法。 - 【請求項２】樹脂フィルム上への金属膜の形成方法であ
って、少なくとも、 金属膜を形成する部分に、所望の形状で部分的に複数の
開口部を設けたマスクを用い、該マスクを樹脂フィルム
上に重ね合わせて、真空蒸着法により、上記マスクの開
口部に相当する所望の形状で部分的に複数の領域に分け
た金属膜を形成する工程と、 上記樹脂フィルム上の複数の領域に部分的に形成した金
属膜および該樹脂フィルム上に、フォトレジストをパタ
ーン形成する工程と、 化学エッチング法またはプラズマエッチング法もしくは
イオンビームエッチング法により、上記複数の領域に部
分的に形成した金属膜の一部を除去し、所望の形状の金
属膜パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする
金属膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11218545A JP2001049423A (ja) | 1999-08-02 | 1999-08-02 | 金属膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11218545A JP2001049423A (ja) | 1999-08-02 | 1999-08-02 | 金属膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001049423A true JP2001049423A (ja) | 2001-02-20 |
Family
ID=16721622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11218545A Pending JP2001049423A (ja) | 1999-08-02 | 1999-08-02 | 金属膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001049423A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004134788A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| CN109119329A (zh) * | 2018-07-16 | 2019-01-01 | 华天慧创科技（西安）有限公司 | 一种降低晶圆翘曲度的镀膜方法 |
-
1999
- 1999-08-02 JP JP11218545A patent/JP2001049423A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004134788A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法 |
| JP4663224B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2011-04-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| CN109119329A (zh) * | 2018-07-16 | 2019-01-01 | 华天慧创科技（西安）有限公司 | 一种降低晶圆翘曲度的镀膜方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041026 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050301 |