JPH08176799A - 選択成膜マスク及びその製造方法 - Google Patents
選択成膜マスク及びその製造方法Info
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- JPH08176799A JPH08176799A JP32020294A JP32020294A JPH08176799A JP H08176799 A JPH08176799 A JP H08176799A JP 32020294 A JP32020294 A JP 32020294A JP 32020294 A JP32020294 A JP 32020294A JP H08176799 A JPH08176799 A JP H08176799A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、マスクと被成膜基板との間に隙間
が生じにくく、且つ微細なマスクパターン加工ができる
ようにした選択成膜マスク及びその製造方法を提供す
る。 【構成】 本発明によると、マスク材料として異方性エ
ッチングが可能な半導体基板を用いて、被成膜用基板を
保持する溝と選択成膜する開口部とを形成してなること
を特徴とする選択成膜マスクが提供される。また、本発
明によると、半導体基板の表面に被成膜用基板の位置出
し用となる第１の溝を形成する工程と、前記半導体基板
の裏面に前記被成膜用基板に選択成膜するための成膜パ
ターン用となる第２の溝を形成する工程とを具備してな
ることを特徴とする選択成膜マスクの製造方法が提供さ
れる。
が生じにくく、且つ微細なマスクパターン加工ができる
ようにした選択成膜マスク及びその製造方法を提供す
る。 【構成】 本発明によると、マスク材料として異方性エ
ッチングが可能な半導体基板を用いて、被成膜用基板を
保持する溝と選択成膜する開口部とを形成してなること
を特徴とする選択成膜マスクが提供される。また、本発
明によると、半導体基板の表面に被成膜用基板の位置出
し用となる第１の溝を形成する工程と、前記半導体基板
の裏面に前記被成膜用基板に選択成膜するための成膜パ
ターン用となる第２の溝を形成する工程とを具備してな
ることを特徴とする選択成膜マスクの製造方法が提供さ
れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種の成膜プロセスに
適用される選択成膜マスクに係り、特にマスク材料とし
てそれ自体が半導体プロセスで加工できる半導体基板を
用いた選択成膜マスク及びその製造方法に関するもので
ある。
適用される選択成膜マスクに係り、特にマスク材料とし
てそれ自体が半導体プロセスで加工できる半導体基板を
用いた選択成膜マスク及びその製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体プロセスにおける成膜用の
マスクは金属製のマスクが用いられていた。この金属性
マスクは所定のマスクパターンが得られるようにレーザ
加工、ワイヤーカット等の機械加工により製作されてお
り、被成膜用の半導体基板をマスクとホルダーで挟み固
定する。
マスクは金属製のマスクが用いられていた。この金属性
マスクは所定のマスクパターンが得られるようにレーザ
加工、ワイヤーカット等の機械加工により製作されてお
り、被成膜用の半導体基板をマスクとホルダーで挟み固
定する。
【０００３】その後、成膜を行うと、金属製マスクのマ
スクパターンに従い半導体基板上に成膜されるが、この
手法には以下の問題点がある。 （１）金属製マスクの加工時にバリが生じ半導体基板と
金属製マスクとが密着しない。
スクパターンに従い半導体基板上に成膜されるが、この
手法には以下の問題点がある。 （１）金属製マスクの加工時にバリが生じ半導体基板と
金属製マスクとが密着しない。
【０００４】これは金属製マスクの加工時に生じたバリ
により金属製マスクと基板との間に隙間が生じるため、
半導体基板上に成膜すると、その隙間から成膜成分が回
り込んでしまうので、精度の良い選択成膜をすることが
できないという欠点をもたらす。
により金属製マスクと基板との間に隙間が生じるため、
半導体基板上に成膜すると、その隙間から成膜成分が回
り込んでしまうので、精度の良い選択成膜をすることが
できないという欠点をもたらす。
【０００５】また、このバリを無くすためにはバリ取り
を行う必要があり、手間がかかり、コスト高になるとい
う問題がある。 （２）熱膨張によりパターン精度が悪くなる。
を行う必要があり、手間がかかり、コスト高になるとい
う問題がある。 （２）熱膨張によりパターン精度が悪くなる。
【０００６】これは金属製マクが熱膨張のため反り等の
変形を起こして半導体基板との間に隙間が生じるため、
半導体基板上に成膜すると、その隙間から成膜成分が回
り込んでしまうので、上述と同様に精度の良い選択成膜
とすることができないという欠点をもたらす。
変形を起こして半導体基板との間に隙間が生じるため、
半導体基板上に成膜すると、その隙間から成膜成分が回
り込んでしまうので、上述と同様に精度の良い選択成膜
とすることができないという欠点をもたらす。
【０００７】（３）微細なマスクパターン加工が困難で
ある。これは金属マスクは機械加工で数十μｍ単位のマ
スクパターン加工が困難で、材料の厚さが厚いほど難し
くなり、四角形の角部が丸くなるなどの問題が生じる。
ある。これは金属マスクは機械加工で数十μｍ単位のマ
スクパターン加工が困難で、材料の厚さが厚いほど難し
くなり、四角形の角部が丸くなるなどの問題が生じる。
【０００８】その反対に材料の厚さを薄くすれば金属製
マスクに歪が生じ易くなってしまうという問題がある。
また、特開平５−１７９４２２号公報に開示されている
ように２枚の金属板を異なるパターンでエッチングし重
ね合わせるマスクが提案されている。
マスクに歪が生じ易くなってしまうという問題がある。
また、特開平５−１７９４２２号公報に開示されている
ように２枚の金属板を異なるパターンでエッチングし重
ね合わせるマスクが提案されている。
【０００９】これは、２枚の金属板を重ね合わす位置精
度が悪いと精度の良いパターンを形成することができな
いと共に、金属材料なので等方性エッチングされるため
に板厚の厚い材料ほどパターン精度が悪くなり、板厚以
下の幅でのエッチングは不可能である。
度が悪いと精度の良いパターンを形成することができな
いと共に、金属材料なので等方性エッチングされるため
に板厚の厚い材料ほどパターン精度が悪くなり、板厚以
下の幅でのエッチングは不可能である。
【００１０】すなわち、用いる金属板の板厚が４００μ
ｍであれば、４００μｍ以下のマスクパターンを形成す
ることができない。この結果、高いパターン精度が要求
されない場合は従来技術でもよいが、高い精度が要求さ
れるパターンには従来技術を適用することができない。
ｍであれば、４００μｍ以下のマスクパターンを形成す
ることができない。この結果、高いパターン精度が要求
されない場合は従来技術でもよいが、高い精度が要求さ
れるパターンには従来技術を適用することができない。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は以上
のような点に鑑みてなされたもので、上記従来技術の問
題点は金属製マスクと被成膜用基板との間に隙間が生じ
易く、しかも金属製マスクは微細なマスクパターン加工
が困難なことから生じるため、マスクと被成膜基板との
間に隙間が生じにくく微細なマスクパターン加工ができ
るようにした選択成膜マスク及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
のような点に鑑みてなされたもので、上記従来技術の問
題点は金属製マスクと被成膜用基板との間に隙間が生じ
易く、しかも金属製マスクは微細なマスクパターン加工
が困難なことから生じるため、マスクと被成膜基板との
間に隙間が生じにくく微細なマスクパターン加工ができ
るようにした選択成膜マスク及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によると、上記課
題を解決するために、マスク材料として異方性エッチン
グが可能な半導体基板を用いて、被成膜用基板を保持す
る溝と選択成膜する開口部とを形成してなることを特徴
とする選択成膜マスクが提供される。
題を解決するために、マスク材料として異方性エッチン
グが可能な半導体基板を用いて、被成膜用基板を保持す
る溝と選択成膜する開口部とを形成してなることを特徴
とする選択成膜マスクが提供される。
【００１３】また、本発明によると、半導体基板の表面
に被成膜用基板の位置出し用となる第１の溝を形成する
工程と、前記半導体基板の裏面に前記被成膜用基板に選
択成膜するための成膜パターン用となる第２の溝を形成
する工程とを具備してなることを特徴とする選択成膜マ
スクの製造方法が提供される。
に被成膜用基板の位置出し用となる第１の溝を形成する
工程と、前記半導体基板の裏面に前記被成膜用基板に選
択成膜するための成膜パターン用となる第２の溝を形成
する工程とを具備してなることを特徴とする選択成膜マ
スクの製造方法が提供される。
【００１４】また、本発明によると、前記第１及び第２
の溝を形成する工程はそれぞれ異方性エッチングで行う
ことを特徴とする選択成膜マスクの製造方法が提供され
る。また、本発明によると、前記第１及び第２の溝を形
成する工程はそれぞれ前記半導体基板の表面及び裏面に
形成する酸化膜または窒化膜をマスクとして異方性エッ
チングで行うことを特徴とする選択成膜マスクの製造方
法が提供される。
の溝を形成する工程はそれぞれ異方性エッチングで行う
ことを特徴とする選択成膜マスクの製造方法が提供され
る。また、本発明によると、前記第１及び第２の溝を形
成する工程はそれぞれ前記半導体基板の表面及び裏面に
形成する酸化膜または窒化膜をマスクとして異方性エッ
チングで行うことを特徴とする選択成膜マスクの製造方
法が提供される。
【００１５】また、本発明によると、前記第１及び第２
の溝を形成する工程はそれぞれ前記半導体基板の表面及
び裏面に形成する酸化膜または窒化膜上に保護用のフォ
トレジストを形成する工程を含むことを特徴とする選択
成膜マスクの製造方法が提供される。
の溝を形成する工程はそれぞれ前記半導体基板の表面及
び裏面に形成する酸化膜または窒化膜上に保護用のフォ
トレジストを形成する工程を含むことを特徴とする選択
成膜マスクの製造方法が提供される。
【００１６】さらに、本発明によると、前記第１の溝を
形成する工程は、前記第１の溝を形成した後で、該第１
の溝部を保護するフォトレジストを形成する工程を含む
ことを特徴とする選択成膜マスクの製造方法が提供され
る。
形成する工程は、前記第１の溝を形成した後で、該第１
の溝部を保護するフォトレジストを形成する工程を含む
ことを特徴とする選択成膜マスクの製造方法が提供され
る。
【００１７】
【作用】この発明によれば、マスク材料として用いる半
導体基板に対して予め成膜パターンを考慮し溝の形状、
位置などを決定した後、異方性エッチングで形成された
被成膜用基板の位置出し用とホルダーを兼ねる第１の溝
と、被成膜用基板に対する成膜パターン用となる第２の
溝により、被成膜用基板に対する成膜位置が制御され
る。
導体基板に対して予め成膜パターンを考慮し溝の形状、
位置などを決定した後、異方性エッチングで形成された
被成膜用基板の位置出し用とホルダーを兼ねる第１の溝
と、被成膜用基板に対する成膜パターン用となる第２の
溝により、被成膜用基板に対する成膜位置が制御され
る。
【００１８】そして、以上のような本発明による選択成
膜マスクを用いて成膜するとマスクの変形による成膜パ
ターン精度不良が減少すると共にマスクとホルダーを一
体型にしたので、選択成膜マスクへの被成膜基板のセッ
トが容易にでき、ホルダーの取扱いが容易になる。
膜マスクを用いて成膜するとマスクの変形による成膜パ
ターン精度不良が減少すると共にマスクとホルダーを一
体型にしたので、選択成膜マスクへの被成膜基板のセッ
トが容易にでき、ホルダーの取扱いが容易になる。
【００１９】
【実施例】図１に本発明の一実施例による選択成膜マス
クを用いた成膜工程を示し、図２はその工程により成膜
されたパターンを示す。この成膜パターンの形成はマス
ク材料として用いる半導体基板（Ｓｉウェハ）１に半導
体プロセスとして知られている異方性エッチングにより
形成した開口面積の異なる２つの溝３，４を有する選択
成膜マスク１０を用いて行う。
クを用いた成膜工程を示し、図２はその工程により成膜
されたパターンを示す。この成膜パターンの形成はマス
ク材料として用いる半導体基板（Ｓｉウェハ）１に半導
体プロセスとして知られている異方性エッチングにより
形成した開口面積の異なる２つの溝３，４を有する選択
成膜マスク１０を用いて行う。
【００２０】ここで、溝３は被成膜用基板６の位置出し
用ホルダとして機能し、溝４は成膜パターン用である。
また、溝３，４の形成時には、それらの溝３，４の位置
を考慮して形成し、位置合せが容易にできるようにす
る。
用ホルダとして機能し、溝４は成膜パターン用である。
また、溝３，４の形成時には、それらの溝３，４の位置
を考慮して形成し、位置合せが容易にできるようにす
る。
【００２１】そして、選択成膜マスク１０の溝３に被成
膜用基板６をセットし、必要な場合は被成膜用基板６の
上に押さえ部材１３として適当なものをおいて、成膜を
行うことにより、選択成膜マスク１０の溝４のマスクパ
ターンに従った成膜が実行される。
膜用基板６をセットし、必要な場合は被成膜用基板６の
上に押さえ部材１３として適当なものをおいて、成膜を
行うことにより、選択成膜マスク１０の溝４のマスクパ
ターンに従った成膜が実行される。
【００２２】次に、成膜パターンを形成するための本発
明の選択成膜マスクの製造方法の一実施例について説明
する。図３はその製造方法による工程を示した図であ
り、図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は溝３を形成する工程
図、図３（ｄ），（ｅ），（ｆ）は溝４を形成する工程
図で、図３（ｆ）は完成図でもある。
明の選択成膜マスクの製造方法の一実施例について説明
する。図３はその製造方法による工程を示した図であ
り、図３（ａ），（ｂ），（ｃ）は溝３を形成する工程
図、図３（ｄ），（ｅ），（ｆ）は溝４を形成する工程
図で、図３（ｆ）は完成図でもある。
【００２３】なお、上述した図１では選択成膜マスクの
完成図を示し、図１（ａ）には選択成膜マスク１０の全
容を、図１（ｂ）には被成膜用基板６をセットして成膜
を実行する際の詳細を示す。
完成図を示し、図１（ａ）には選択成膜マスク１０の全
容を、図１（ｂ）には被成膜用基板６をセットして成膜
を実行する際の詳細を示す。
【００２４】本発明における選択成膜マスク１０は従来
のようにステンレスなどの金属を用いて機械加工により
製作するのではなく、半導体プロセスによる異方性エッ
チングの可能な材料を用いればよいものであるが、この
実施例ではＳｉウェハを用いる場合について説明する。
のようにステンレスなどの金属を用いて機械加工により
製作するのではなく、半導体プロセスによる異方性エッ
チングの可能な材料を用いればよいものであるが、この
実施例ではＳｉウェハを用いる場合について説明する。
【００２５】まず、図３（ａ）に示すようにＳｉウェハ
１全面にスパッタ法、Ｐ−ＣＶＤ法、熱酸化法などによ
り、ＳｉＯ2 膜９などの酸化膜またはＳｉＮｘなどの窒
化膜を２〜３μｍ成膜する。
１全面にスパッタ法、Ｐ−ＣＶＤ法、熱酸化法などによ
り、ＳｉＯ2 膜９などの酸化膜またはＳｉＮｘなどの窒
化膜を２〜３μｍ成膜する。
【００２６】これらの膜は、エッチング時のマスクとし
て用いるので後工程への影響を考慮するとＳｉＯ2 膜９
が適切である。次に、Ｓｉウェハ１の表面及び裏面側に
フォトレジスト７を全面に塗布して保護する。
て用いるので後工程への影響を考慮するとＳｉＯ2 膜９
が適切である。次に、Ｓｉウェハ１の表面及び裏面側に
フォトレジスト７を全面に塗布して保護する。
【００２７】このフォトレジスト７はポジティブとネガ
ティブとがあるが、耐久性を考慮しネガティブを用い
る。その後、Ｓｉウェハ１表面に被成膜用基板６のサイ
ズに適合した溝３をフォトレジスト８をマスクとして形
成する。
ティブとがあるが、耐久性を考慮しネガティブを用い
る。その後、Ｓｉウェハ１表面に被成膜用基板６のサイ
ズに適合した溝３をフォトレジスト８をマスクとして形
成する。
【００２８】このフォトレジスト８としてもネガティブ
を用いる。そして、成膜パターンは仕上がり形状を考慮
し、予めフォトレジスト形成用のマスク設計の段階で充
分検討しておく必要がある。
を用いる。そして、成膜パターンは仕上がり形状を考慮
し、予めフォトレジスト形成用のマスク設計の段階で充
分検討しておく必要がある。
【００２９】例えば面方位（１１０）ウェハの場合には
図１（ａ）に示す向きにすると（１１１）方向２がウェ
ハ表裏面に対し垂直にエッチングされる。その後、図３
（ｂ）に示すように、ウェットエッチングにより、Ｓｉ
Ｏ2 膜９に溝３を掘る。
図１（ａ）に示す向きにすると（１１１）方向２がウェ
ハ表裏面に対し垂直にエッチングされる。その後、図３
（ｂ）に示すように、ウェットエッチングにより、Ｓｉ
Ｏ2 膜９に溝３を掘る。
【００３０】この際、エッチャントはＨＦ／ＮＨ4 Ｆな
どのＨＦ系を用い、エッチング残りが無いようにＳｉウ
ェハ１の面が出るようにする。次に、リムーバなどの有
機溶剤またはキャロスにより、一度フォトレジスト７を
全て除去する。
どのＨＦ系を用い、エッチング残りが無いようにＳｉウ
ェハ１の面が出るようにする。次に、リムーバなどの有
機溶剤またはキャロスにより、一度フォトレジスト７を
全て除去する。
【００３１】そして、フォトレジスト７を除去したら図
３（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2 膜９をマスクにして異
方性エッチングでＳｉウェハ１に溝３を掘る。このエッ
チングはドライ、ウェットのどちらでも良いが、エッチ
ングレート、加工精度などを考慮し決定する。
３（ｃ）に示すように、ＳｉＯ2 膜９をマスクにして異
方性エッチングでＳｉウェハ１に溝３を掘る。このエッ
チングはドライ、ウェットのどちらでも良いが、エッチ
ングレート、加工精度などを考慮し決定する。
【００３２】この実施例ではウェットのアルカリエッチ
ングによる場合について説明する。この際、エッチャン
トとしては一般的にＫＯＨを用いて３００μｍ程度溝３
を掘った後、図３（ｄ）に示すようにＳｉウェハ１表面
に再度フォトレジスト１１を塗布してその全面を保護す
る。
ングによる場合について説明する。この際、エッチャン
トとしては一般的にＫＯＨを用いて３００μｍ程度溝３
を掘った後、図３（ｄ）に示すようにＳｉウェハ１表面
に再度フォトレジスト１１を塗布してその全面を保護す
る。
【００３３】次に、裏面に塗布するフォトレジスト１２
をマスクとして溝４を形成する。このとき、表面の溝３
との位置が合うように、両面マスクアライナ−などを用
いる。
をマスクとして溝４を形成する。このとき、表面の溝３
との位置が合うように、両面マスクアライナ−などを用
いる。
【００３４】この後、図３（ｅ）に示すように、再度Ｈ
Ｆ系のエッチャントで表面と同様に裏面のＳｉＯ2 膜９
に溝４を掘り、同様にフォトレジスト１１，１２を除去
する。
Ｆ系のエッチャントで表面と同様に裏面のＳｉＯ2 膜９
に溝４を掘り、同様にフォトレジスト１１，１２を除去
する。
【００３５】次に、図３（ｆ）に示すように表面と同様
にＳｉウェハ１の裏面に対して異方性エッチングとして
ウェットのアルカリエッチングにより溝４を掘るが、両
側が貫通するまで掘り進めて、最後にＳｉウェハ１両面
に残っているＳｉＯ2 膜９をＨＦ系のエッチャントで全
て除去してやると、所定の成膜パターンを有する選択成
膜マスク１０が完成される。
にＳｉウェハ１の裏面に対して異方性エッチングとして
ウェットのアルカリエッチングにより溝４を掘るが、両
側が貫通するまで掘り進めて、最後にＳｉウェハ１両面
に残っているＳｉＯ2 膜９をＨＦ系のエッチャントで全
て除去してやると、所定の成膜パターンを有する選択成
膜マスク１０が完成される。
【００３６】このようにして製作したマスクの溝３に図
１（ｂ）に示すように被成膜用基板６をセットして成膜
を行うことにより、溝４の成膜パターンに従った成膜が
実行される。
１（ｂ）に示すように被成膜用基板６をセットして成膜
を行うことにより、溝４の成膜パターンに従った成膜が
実行される。
【００３７】以下に実際に加工した例を記述する。図１
（ａ）に示す被成膜用基板６としてはガラス基板を用
い、そのサイズは□５０ｍｍで厚さは５０μｍである。
（ａ）に示す被成膜用基板６としてはガラス基板を用
い、そのサイズは□５０ｍｍで厚さは５０μｍである。
【００３８】このガラス製被成膜用基板６に選択成膜可
能なＳｉマスクを製作した。まず、図１（ａ）に示すＳ
ｉウェハ１は面方位（１１０）、厚さ４００μｍの３イ
ンチウェハを用い溝３，４のエッチング用マスクには熱
酸化法で成膜したＳｉＯ2 膜９（３μｍ）を採用した。
能なＳｉマスクを製作した。まず、図１（ａ）に示すＳ
ｉウェハ１は面方位（１１０）、厚さ４００μｍの３イ
ンチウェハを用い溝３，４のエッチング用マスクには熱
酸化法で成膜したＳｉＯ2 膜９（３μｍ）を採用した。
【００３９】次に、Ｓｉウェハ１裏面の保護用のフォト
レジスト７、Ｓｉウェハ１表面の溝３形成用のフォトレ
ジスト８は共にネガティブを用い１μｍ塗布し、溝３形
成用のフォトマスクパーン寸法はガラス製被成膜用基板
６が入るように縦５０．５ｍｍ×横５１．５ｍｍとし
た。
レジスト７、Ｓｉウェハ１表面の溝３形成用のフォトレ
ジスト８は共にネガティブを用い１μｍ塗布し、溝３形
成用のフォトマスクパーン寸法はガラス製被成膜用基板
６が入るように縦５０．５ｍｍ×横５１．５ｍｍとし
た。
【００４０】このとき、溝３の向きは図１（ａ）に示す
通りで（１１１）方向２にパターンの長手方向が向くよ
うにした。続いて、ＨＦ／ＮＨ4 Ｆの混合液を用いてＳ
ｉＯ2 膜９をエッチングしキャロスでフォトレジスト８
を剥離した。
通りで（１１１）方向２にパターンの長手方向が向くよ
うにした。続いて、ＨＦ／ＮＨ4 Ｆの混合液を用いてＳ
ｉＯ2 膜９をエッチングしキャロスでフォトレジスト８
を剥離した。
【００４１】続いて、Ｓｉエッチングにおいては、ＫＯ
Ｈ／Ｈ2 Ｏのエッチャントで３００μｍエッチングし
た。このＳｉウェハ表面と同様に裏面にもフォトプロセ
スを施しＳｉエッチングを行うと両面から５０μｍエッ
チングされたところで溝が貫通する。
Ｈ／Ｈ2 Ｏのエッチャントで３００μｍエッチングし
た。このＳｉウェハ表面と同様に裏面にもフォトプロセ
スを施しＳｉエッチングを行うと両面から５０μｍエッ
チングされたところで溝が貫通する。
【００４２】このように製作したホルダーを兼ねる選択
成膜マスク１０にガラス製被成膜用基板６をセットし、
ダミーガラスを押さえ部材１３として用いて、実際にＮ
ｉ／Ａｕ膜１４を成膜したパターンを図２（ｂ）に示
す。
成膜マスク１０にガラス製被成膜用基板６をセットし、
ダミーガラスを押さえ部材１３として用いて、実際にＮ
ｉ／Ａｕ膜１４を成膜したパターンを図２（ｂ）に示
す。
【００４３】この成膜は図１（ｂ）に示すように蒸着ビ
ーム５を発生するＥＢ蒸着法を用いた。Ｓｉの熱膨張係
数はステンレスと比較すると約１／６と小さく、成膜後
は従来のように熱膨張によるマスクの変形が少なく、被
成膜用基板６に密着しＮｉ／Ａｕ膜７が精度良く成膜さ
れた。
ーム５を発生するＥＢ蒸着法を用いた。Ｓｉの熱膨張係
数はステンレスと比較すると約１／６と小さく、成膜後
は従来のように熱膨張によるマスクの変形が少なく、被
成膜用基板６に密着しＮｉ／Ａｕ膜７が精度良く成膜さ
れた。
【００４４】そして、以上説明したような本発明による
選択成膜マスクを用いて成膜するとマスクの変形による
成膜パターン精度不良が減少すると共に、マスクとホル
ダーを一体型にしたので、選択成膜マスクへの被成膜基
板のセットが容易にでき、ホルダーの取扱いが容易にな
る。
選択成膜マスクを用いて成膜するとマスクの変形による
成膜パターン精度不良が減少すると共に、マスクとホル
ダーを一体型にしたので、選択成膜マスクへの被成膜基
板のセットが容易にでき、ホルダーの取扱いが容易にな
る。
【００４５】
【発明の効果】従って、以上詳述したように本発明によ
れば、従来技術の問題点は金属製マスクと被成膜用基板
との間に隙間が生じ易く、しかも金属製マスクは微細な
マスクパターン加工が困難なことから生じるため、マス
クと被成膜基板との間に隙間が生じにくく微細なマスク
パターン加工ができるようにした選択成膜マスク及びそ
の製造方法を提供することが可能となる。
れば、従来技術の問題点は金属製マスクと被成膜用基板
との間に隙間が生じ易く、しかも金属製マスクは微細な
マスクパターン加工が困難なことから生じるため、マス
クと被成膜基板との間に隙間が生じにくく微細なマスク
パターン加工ができるようにした選択成膜マスク及びそ
の製造方法を提供することが可能となる。
【図１】本発明の一実施例による選択成膜マスクを用い
る成膜工程を示す図で、（ａ）図は外観図、（ｂ）図は
拡大断面図。
る成膜工程を示す図で、（ａ）図は外観図、（ｂ）図は
拡大断面図。
【図２】本発明により成膜されたパターン図で、（ａ）
図は外観図、（ｂ）図は拡大図。
図は外観図、（ｂ）図は拡大図。
【図３】本発明のＳｉウェハを用いた選択成膜マスクの
製作方法を工程毎に順次示す図。
製作方法を工程毎に順次示す図。
１…Ｓｉウェハ、２…（１１１）方位、３…溝、４…溝
成膜パターン用、５…蒸着ビーム、６…被成膜用基板、
７，８…フォトレジスト、９…ＳｉＯ2 膜、１０…選択
成膜マスク、１３…押さえ部材、１４…Ｎｉ／Ａｕ膜。
成膜パターン用、５…蒸着ビーム、６…被成膜用基板、
７，８…フォトレジスト、９…ＳｉＯ2 膜、１０…選択
成膜マスク、１３…押さえ部材、１４…Ｎｉ／Ａｕ膜。
Claims (6)
- 【請求項１】 マスク材料として異方性エッチングが可
能な半導体基板を用いて、被成膜用基板を保持する溝と
選択成膜する開口部とを形成してなることを特徴とする
選択成膜マスク。 - 【請求項２】 半導体基板の表面に被成膜用基板の位置
出し用となる第１の溝を形成する工程と、 前記半導体基板の裏面に前記被成膜用基板に選択成膜す
るための成膜パターン用となる第２の溝を形成する工程
とを具備してなることを特徴とする選択成膜マスクの製
造方法。 - 【請求項３】 前記第１及び第２の溝を形成する工程は
それぞれ異方性エッチングで行うことを特徴とする請求
項２に記載の選択成膜マスクの製造方法。 - 【請求項４】 前記第１及び第２の溝を形成する工程は
それぞれ前記半導体基板の表面及び裏面に形成する酸化
膜または窒化膜をマスクとして異方性エッチングで行う
ことを特徴とする請求項２または３に記載の選択成膜マ
スクの製造方法。 - 【請求項５】 前記第１及び第２の溝を形成する工程は
それぞれ前記半導体基板の表面及び裏面に形成する酸化
膜または窒化膜上に保護用のフォトレジストを形成する
工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の選択成膜
マスクの製造方法。 - 【請求項６】 前記第１の溝を形成する工程は、前記第
１の溝を形成した後で、該第１の溝部を保護するフォト
レジストを形成する工程を含むことを特徴とする請求項
２乃至５のいずれかに記載の選択成膜マスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32020294A JPH08176799A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 選択成膜マスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32020294A JPH08176799A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 選択成膜マスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08176799A true JPH08176799A (ja) | 1996-07-09 |
Family
ID=18118853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32020294A Pending JPH08176799A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | 選択成膜マスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08176799A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6893575B2 (en) | 2001-09-20 | 2005-05-17 | Seiko Epson Corporation | Mask and method of manufacturing the same, electro-luminescence device and method of manufacturing the same, and electronic instrument |
| WO2009054366A1 (ja) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | 燃料電池用セパレータの製造方法及び燃料電池の製造方法 |
| KR101244310B1 (ko) * | 2006-06-21 | 2013-03-18 | 삼성전자주식회사 | 광대역 부호화 및 복호화 방법 및 장치 |
| JP5459632B1 (ja) * | 2013-01-08 | 2014-04-02 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP32020294A patent/JPH08176799A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6893575B2 (en) | 2001-09-20 | 2005-05-17 | Seiko Epson Corporation | Mask and method of manufacturing the same, electro-luminescence device and method of manufacturing the same, and electronic instrument |
| KR100501974B1 (ko) * | 2001-09-20 | 2005-07-20 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 마스크 및 그 제조 방법 |
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| JP2014148744A (ja) * | 2013-01-08 | 2014-08-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク |
| JP2014148745A (ja) * | 2013-01-08 | 2014-08-21 | Dainippon Printing Co Ltd | 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040427 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20041019 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |