KR100501974B1 - 마스크 및 그 제조 방법 - Google Patents
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- 단결정 기판에서 미러 지수의 {110}으로 표시되는 표면에, 각 변이 {111}로 표시되는 그룹의 면 중의 어느 한 면에 평행하게 위치하는 다각형을 이루는 복수의 개구가 형성된 내(耐)에칭막을 형성하고,상기 개구 내에서, 상기 단결정 기판에 에너지 빔에 의해 작은 관통 구멍을 형성한 후에, 상기 작은 관통 구멍을 에칭에 의해 확대하여, 상기 단결정 기판에 복수의 관통홀을 형성하는 것을 포함하며,상기 에칭은, {111}면에 대한 에칭 속도가 {100}면 및 {110}면에 대한 에칭 속도보다도 느리다는 결정의 면방위 의존성이 있는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 단결정 기판에서 미러 지수의 {110}으로 표시되는 경면(鏡面) 연마되어 이루어지는 표면에, 각 변이 {111}로 표시되는 그룹의 면 중의 어느 한 면에 평행하게 위치하는 다각형을 이루는 복수의 개구가 형성된 내에칭막을 형성하고,에칭에 의해, 상기 개구 내에서 상기 단결정 기판에 복수의 관통홀을 형성하는 것을 포함하며,상기 에칭은, {111}면에 대한 에칭 속도가 {100}면 및 {110}면에 대한 에칭 속도보다도 느리다는 결정의 면방위 의존성이 있는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 단결정 기판에서 미러 지수의 {110}으로 표시되는 표면에, 각 변이 {111}로 표시되는 그룹의 면 중의 어느 한 면에 평행하게 위치하는 다각형을 이루는 복수의 개구가 형성된 내에칭막을 형성하는 것,에칭에 의해, 상기 개구 내에서 상기 단결정 기판에 복수의 관통홀을 형성하는 것, 및상기 단결정 기판에서의 상기 복수의 관통홀을 형성하는 영역에 박층부를 형성하는 것을 포함하고,상기 내에칭막을, 상기 박층부를 형성하고자 하는 영역을 피한 제 1 부분과, 상기 박층부를 형성하고자 하는 영역에 배치되어 상기 제 1 부분보다도 얇은 제 2 부분을 갖고, 상기 제 2 부분에 상기 개구를 갖도록 형성하고,상기 내에칭막의 두께를 감소시켜, 상기 제 2 부분을 제 1 부분보다 먼저 제거하고, 상기 단결정 기판에서의 상기 제 1 부분으로부터의 노출면을 에칭함으로써, 상기 박층부를 형성하고,상기 에칭은, {111}면에 대한 에칭 속도가 {100}면 및 {110}면에 대한 에칭 속도보다도 느리다는 결정의 면방위 의존성이 있는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 제 33 항 또는 제 34 항에 있어서,상기 단결정 기판의 양면이 {110}면이고,상기 복수의 개구가 형성된 상기 내에칭막을 상기 양면의 각각에 형성하고,상기 단결정 기판의 상기 양면으로부터 상기 에칭을 진행시키고, 에칭에 의해 형성된 요부(凹部)를 관통시켜, 각각의 상기 관통홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 제 36 항에 있어서,상기 단결정 기판의 상기 양면의 각각에 형성된 상기 내에칭막에는, 한쪽 면 측에서의 제 1 상기 개구와 다른쪽 면 측에서의 제 2 상기 개구를 대응시켜 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 제 37 항에 있어서,상기 제 2 개구를 상기 제 1 개구보다 작게, 또한 상기 제 1 개구의 투사 영역의 내측에 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 제 33 항 내지 제 35 항 중의 어느 한 항에 있어서,각각의 상기 개구의 형상은 평행사변형인 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 제 39 항에 있어서,상기 단결정 기판의 두께 W와 상기 평행사변형의 긴 변의 길이 L은,의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 제 33 항 내지 제 35 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 단결정 기판은 단결정 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 제 33 항 내지 제 35 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 내에칭막은 산화실리콘 및 질화실리콘 중의 어느 하나인 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 제 33 항 내지 제 35 항 중의 어느 한 항에 있어서,에칭액으로서, 유기 아민계 알칼리 수용액 및 무기 알칼리 수용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 제 33 항 내지 제 35 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 관통홀을 형성한 후에, 상기 단결정 기판에 자성체막을 형성하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 제 35 항에 있어서,상기 박층부를 상기 단결정 기판의 단부(端部)를 피하여 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 제 35 항에 있어서,상기 관통홀을 형성한 후에, 상기 박층부를 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 제 35 항에 있어서,상기 박층부를 결정의 면방위 의존성이 없는 에칭에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 제 35 항에 있어서,상기 단결정 기판에 복수의 상기 박층부를 형성하고,1 그룹의 상기 관통홀이 형성된 영역마다 각각의 상기 박층부를 형성하는 것을 특징으로 하는 마스크의 제조 방법.
- 표리면이 미러 지수의 {110}면으로 이루어진 단결정 기판을 갖고,상기 단결정 기판의 {110}으로 표시되는 상기 면은 경면 연마되어 이루어지고,상기 단결정 기판에는 복수의 관통홀이 형성되고,각각의 상기 관통홀의 개구 형상은, 각 변이 {111}로 표시되는 그룹의 면 중의 어느 한 면에 평행하게 위치하는 다각형이고,각각의 상기 관통홀의 벽면은 {111}면인 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 49 항에 있어서,각각의 상기 개구의 형상은 평행사변형인 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 50 항에 있어서,상기 단결정 기판의 두께 W와 상기 평행사변형의 긴 변의 길이 L은,의 관계를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 49 항 내지 제 51 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 단결정 기판은 단결정 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 49 항 내지 제 51 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 단결정 기판에 형성된 자성체막을 더 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 49 항 내지 제 51 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 단결정 기판에서의 상기 관통홀이 형성된 영역에 박층부가 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 54 항에 있어서,상기 박층부는 상기 단결정 기판의 단부를 피하여 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크.
- 제 54 항에 있어서,상기 단결정 기판에는 복수의 상기 박층부가 형성되고,1 그룹의 상기 관통홀이 형성된 영역마다 각각의 상기 박층부가 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크.
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US7470622B2 (en) * | 2005-06-17 | 2008-12-30 | Hymite A/S | Fabrication and use of polished silicon micro-mirrors |
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CN105803388B (zh) * | 2012-01-12 | 2018-11-06 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法 |
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CN109913802B (zh) * | 2013-03-26 | 2021-12-21 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、及它们的制造方法 |
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KR102411539B1 (ko) | 2015-10-26 | 2022-06-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
KR102424976B1 (ko) | 2015-11-12 | 2022-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 조립체, 이를 이용한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
EP3419074B1 (en) * | 2016-02-16 | 2021-04-14 | LG Innotek Co., Ltd. | Metal plate, mask for deposition and manufacturing method therefor |
KR101817246B1 (ko) * | 2016-04-22 | 2018-01-10 | (주)포인트엔지니어링 | 유기발광다이오드용 마스크 |
CN106435473A (zh) * | 2016-11-11 | 2017-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制作方法、有机发光二极管显示器的制作方法 |
EP3705599A4 (en) * | 2017-10-27 | 2021-08-25 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | DEPOSIT MASK AND DEPOSIT MASK MANUFACTURING METHOD |
CN107587106A (zh) * | 2017-11-02 | 2018-01-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、蒸镀掩模板组件、蒸镀设备及掩模板的制作方法 |
CN108333864A (zh) * | 2018-02-28 | 2018-07-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、曝光设备及掩模板的制造方法 |
CN110783493A (zh) * | 2018-07-26 | 2020-02-11 | 永恒光实业股份有限公司 | 掩模结构及其制造方法及工作件加工系统 |
KR102217996B1 (ko) * | 2020-02-12 | 2021-02-19 | 풍원정밀(주) | 유기 발광 표시 장치용 메탈 마스크 제조방법 |
KR102220552B1 (ko) * | 2020-07-10 | 2021-02-25 | 풍원정밀(주) | Oled 증착용 메탈 마스크 및 그의 제조방법 |
JP2022071292A (ja) * | 2020-10-28 | 2022-05-16 | キヤノン株式会社 | 蒸着マスク、蒸着マスクを用いたデバイスの製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57126967A (en) * | 1981-01-29 | 1982-08-06 | Fujitsu Ltd | Method for holding mask for film formation |
JPH04236758A (ja) * | 1991-01-16 | 1992-08-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 蒸着用マスク |
JPH08176799A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-09 | Nippondenso Co Ltd | 選択成膜マスク及びその製造方法 |
JP2001195009A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 |
JP2002313564A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Nec Corp | シャドウマスク、該シャドウマスクの製造方法、およびディスプレイ |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3841261A (en) * | 1973-01-22 | 1974-10-15 | Gen Motors Corp | Self-aligning etch-out spray mask |
JPS5379775A (en) | 1976-12-24 | 1978-07-14 | Matsushima Kogyo Kk | Thin film forming musk |
US5198031A (en) * | 1991-08-21 | 1993-03-30 | Derstine Russell L | Mask for door hinges |
JPH0885868A (ja) | 1994-07-20 | 1996-04-02 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
US5883012A (en) * | 1995-12-21 | 1999-03-16 | Motorola, Inc. | Method of etching a trench into a semiconductor substrate |
JP3755228B2 (ja) * | 1997-04-14 | 2006-03-15 | 株式会社ニコン | 荷電粒子線露光装置 |
US6165269A (en) * | 1997-05-07 | 2000-12-26 | Kathe; Robert D. | Hardware paint protectors |
US6609652B2 (en) * | 1997-05-27 | 2003-08-26 | Spheretek, Llc | Ball bumping substrates, particuarly wafers |
JPH11187214A (ja) | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Nikon Corp | 書画入力装置 |
JP3024641B1 (ja) | 1998-10-23 | 2000-03-21 | 日本電気株式会社 | シャドウマスク及びその製造方法並びにシャドウマスクを用いた有機elディスプレイの製造方法 |
US6469439B2 (en) * | 1999-06-15 | 2002-10-22 | Toray Industries, Inc. | Process for producing an organic electroluminescent device |
JP2001185350A (ja) | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 被着用マスク、その製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 |
JP2002047560A (ja) | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 真空蒸着用マスク、それを用いた薄膜パターンの形成方法及びel素子の製造方法 |
JP2002220656A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-08-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 蒸着用マスクおよびその製造方法 |
JP4092914B2 (ja) * | 2001-01-26 | 2008-05-28 | セイコーエプソン株式会社 | マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
JP3740444B2 (ja) * | 2001-07-11 | 2006-02-01 | キヤノン株式会社 | 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体 |
JP3775493B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2006-05-17 | セイコーエプソン株式会社 | マスクの製造方法 |
JP3651432B2 (ja) * | 2001-09-25 | 2005-05-25 | セイコーエプソン株式会社 | マスク及びその製造方法並びにエレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
JP3596502B2 (ja) * | 2001-09-25 | 2004-12-02 | セイコーエプソン株式会社 | マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP3856123B2 (ja) * | 2002-04-17 | 2006-12-13 | セイコーエプソン株式会社 | マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器 |
JP4222035B2 (ja) * | 2003-01-20 | 2009-02-12 | セイコーエプソン株式会社 | 成膜用精密マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法、電子機器 |
JP2005042133A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Seiko Epson Corp | 蒸着マスク及びその製造方法、表示装置及びその製造方法、表示装置を備えた電子機器 |
JP3794407B2 (ja) * | 2003-11-17 | 2006-07-05 | セイコーエプソン株式会社 | マスク及びマスクの製造方法、表示装置の製造方法、有機el表示装置の製造方法、有機el装置、及び電子機器 |
JP2005179742A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Seiko Epson Corp | マスク、マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器 |
JP2005276480A (ja) * | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Seiko Epson Corp | マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
JP3765314B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2006-04-12 | セイコーエプソン株式会社 | マスク、マスクの製造方法、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
-
2001
- 2001-09-20 JP JP2001287019A patent/JP3775493B2/ja not_active Expired - Fee Related
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2002
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-
2004
- 2004-09-14 US US10/939,381 patent/US20050051516A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57126967A (en) * | 1981-01-29 | 1982-08-06 | Fujitsu Ltd | Method for holding mask for film formation |
JPH04236758A (ja) * | 1991-01-16 | 1992-08-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | 蒸着用マスク |
JPH08176799A (ja) * | 1994-12-22 | 1996-07-09 | Nippondenso Co Ltd | 選択成膜マスク及びその製造方法 |
JP2001195009A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 |
JP2002313564A (ja) * | 2001-04-17 | 2002-10-25 | Nec Corp | シャドウマスク、該シャドウマスクの製造方法、およびディスプレイ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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