JP2006201538A - マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 マスク強度の向上及び、配線パターンとなるパターン領域を高解像度で、かつ、大面積のパターン領域を一括でパターニングすることができるマスクを提供する。
【解決手段】 本発明のマスクは、基板上に所定パターンを形成するためのマスクであって、所定パターンに対応する開口部１６が設けられたパターン形成部材１０と、前記パターン形成部材１０の一面に重ねて設けられたパターン保持部材１２と、を備えることを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法に関する。

従来から、半導体集積回路等の微細な配線パターンを形成する方法としては、例えば、フォトリソグラフィー処理が広く利用されている。このフォトリソグラフィー処理を利用した配線パターンの形成方法では、真空装置、露光装置等の大規模な設備が必要となる。そして、上記装置では所定パターンからなる配線等を形成するために、複雑な工程を必要とし、また材料使用効率も数％程度でそのほとんどを廃棄せざるを得ず、製造コストが高いという課題がある。

これに対して、液体吐出ヘッドから液体材料を液滴状に吐出する液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を用いて基板上に配線パターンを形成する方法が提案されている。このインクジェット法では、パターン用の液体材料（機能液）を基板に直接パターン配置し、その後熱処理やレーザ照射を行って配線パターンに変換する。従って、この方法によれば、フォトリソグラフィー工程が不要となり、プロセスが大幅に簡略化されるとともに、パターン位置に原材料を直接配置することができるので、機能液の使用量も削減できるというメリットがある。

ところで、インクジェット法により配線パターンを形成する場合には、配線パターンの線幅を高精度とするため、基板上に撥液領域と親液領域とを予めパターニングしておき、機能液を配線パターン領域となる親液領域に選択的に配置する方法が提案されている。基板上に撥液領域と親液領域をそれぞれ選択的に形成する方法として、以下に示す方法が提案されている。
（１）結像光学方式による配線パターン形成方法が挙げられる。結像光学方式は、結像光学系とマスクを組み合わせ、光量がマスクで変調されるレーザビームの面照射によって基板上にパターニングを行う方式である。例えば、エキシマレーザーを使用してパターン一括照射した場合には、基板に溝形状がシャープに形成される。また、溝の形成とレーザ照射による溝部変質によって親液性が増す効果も認められる（特許文献１参照）。
（２）フォトマスクを用いた配線パターン形成方法が挙げられる。レジストに配線パターンに対応した溝部をパターニングしたマスクを基板上に接触させて配置し、マスクを介してレーザ光を照射して配線パターンの溝部を形成する方式である（特許文献２参照）。
（３）メタルマスクを用いたパターン形成方法が挙げられる。メタルマスクとは、ステンレススチール等の金属から構成され、パターンに対応した開口部が形成されたマスクである。本方式では、メタルマスクにレーザ光を照射し、メタルマスクの開口部を透過したレーザ光により、基板上にパターンを形成する（特許文献３参照）。
特開平６−２６７９８６号公報 特開平１１−６５１２４号公報 特開２００４−１３４４４６号公報

しかしながら、上記特許文献に記載の発明では、以下のような問題があった。
（１）特許文献１に開示される結像光学方式では、基板全面に配線パターンを形成する場合には、結像光学系（レンズ）を大口径化しなければならず、コスト高となる。また、パターンを複数に分割してレーザを照射するスキャン方式を採用した場合には、各分割パターンにレーザを照射するために高い位置合わせ精度が要求される。
（２）特許文献２に開示されるフォトマスクを用いた方式では、基板とレジストとの接触面はパターン形成面となるため、繰り返し使用時での基板との接触でパターンの磨耗が発生する。また、レーザ照射時に飛散物が発生した場合、マスクに飛散物が付着し、マスクを汚染する場合がある。
（３）特許文献３に開示されるメタルマスクを用いた方式では、メタルマスクはエッチング法、メッキ法、レーザ加工法等でくり貫き加工によって形成されるが、基板が厚くなるため、くり貫き部の微細化が困難であり、高解像度のパターン形成が難しい。また、メタルマスクはガラス基板等と比較して、剛性や面平坦度も低いため、基板との密着性が悪く、解像度も大きくすることができず、抜け構造によりマスクが変形する。さらに、中抜きのパターンを形成することができない。
（４）また、上記特許文献１から特許文献３に記載される発明に共通する問題として、コンタクトマスクに配線パターンに対応する貫通穴を形成するため、コンタクトマスクの強度が弱くなるという問題があった。
本願発明は上記課題を解決するために鑑みなされたもので、マスク強度の向上及び、配線パターンとなるパターン領域を高解像度で、かつ、大面積のパターン領域を一括でパターニングすることができるマスクを提供することを目的とする。

本発明は上記課題を解決するために、基板上に所定パターンを形成するためのマスクであって、前記所定パターンに対応する開口部が設けられたパターン形成部材と、前記パターン形成部材の一面に重ねて設けられたパターン保持部材と、を備えることを特徴とする。

この構成によれば、パターン形成部材の一面にパターン保持部材が積層されて設けられているため、マスクの強度が向上する。つまり、本発明のようにマスクを２層構造とすることで、パターン形成部材に作用する負荷がパターン保持部材に分散され、マスク全体で平均化されマスクの強度が向上する。さらに、これに伴いマスクの耐久性が高くなり、マスクの再利用が可能となり、低コスト化を図ることができる。
また、本発明のマスクは、上述したように２層構造により構成されるため、パターン形成部材及びパターン保持部材の膨張、収縮による撓み等の変形を防止でき、高精度のマスクを形成することができる。これにより、マスクとマスクを配置する基板との間に間隙が生じ難くなり、高解像度（高分解能）で基板上に所定パターンを形成することが可能となる。
また、パターン保持部材に複数のパターン形成部材を設けることにより、マスクの大型化を図ることができ、基板上に大面積のパターンを一括で形成することができる。
さらに、パターン形成部材はパターン保持部材に保持されるため、例えば、中抜きのパターンを形成した場合でもパターン保持部材によって保持される（中抜きパターンが抜け落ちない）。従って、種々のパターンを形成することができる。

また本発明のマスクは、前記パターン形成部材がレーザ光を遮断又は減衰可能であり、前記パターン保持部材が前記レーザ光を透過可能であることも好ましい。
この構成によれば、積層構造であるマスクにレーザ光を照射した場合、パターン形成部材においてはパターン形成部材に設けられた開口部のみレーザ光が透過する。これにより、パターン保持部材はレーザ光を遮断等することなく透過させるため、基板にはパターン形成部材の開口部に対応したパターンを形成することができる。

また本発明のマスクは、前記パターン形成部材の前記開口部に対応する位置にパターン保持部材が存在していることも好ましい。
この構成によれば、パターン保持部材は、開口部の空隙が存在しない一枚板状で形成される。つまり、パターン保持部材はレーザ光を透過するため、パターン形成部材の開口パターンに対応させてパターン保持部材に開口パターンを形成する必要がない。従って、パターン保持部材自体の強度を向上させることができ、これに伴いマスク全体としての強度を向上させることができる。

また本発明のマスクは、前記パターン形成部材の前記開口部が、前記パターン形成部材の一面から他面方向にテーパー状に貫通して設けられることも好ましい。
この構成によれば、例えばパターン形成部材の一面側からレーザ光を照射した場合、直進するレーザ光が、テーパー状に設けられるテーパー部（斜面）で反射される。そして、反射されたレーザ光が、パターン形成部材の他面側で集光される。これにより、レーザ光の強度をより強くすることができるとともに、パターンのぼけを回避することができる。

また本発明のマスクは、前記パターン形成部材が、シリコン又はガラスを含む材料からなることも好ましい。
この構成によれば、例えば、パターン形成部材にレーザ光が照射された場合に、レーザ光を減衰させてパターン保持部材を通過させるか、又は遮断させることができる。さらに、パターン形成部材は、シリコン又はガラスを含む材料から形成され強度が強いため、マスクを再利用した際にもマスクの磨耗を防止することができる。

また本発明のマスクは、前記パターン保持部材が、ソーダガラス、低アルカリガラス、石英ガラス、水晶、又はシリコンのいずれかを含む材料からなることも好ましい。
この構成によれば、パターン保持部材にレーザ光が照射された場合に、レーザ光を透過させることができる。

また本発明のマスクは、前記パターン保持部材が、アルカリ金属イオンを含むガラスからなることも好ましい。
この構成によれば、パターン形成部材とパターン保持部材とを加熱処理し、電圧を印加することにより、パターン形成部材とパターン保持部材との間に静電引力が発生し、両部材の界面で化学結合（陽極結合）する。これにより、パターン形成部材とパターン保持部材とを互いに積層させて固定させることができる。

また本発明のマスクの製造方法は、基材に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜を所定パターンにパターニングするパターニング工程と、前記パターニングした前記絶縁膜をマスクとして前記基材を除去し、前記基材に前記所定パターンからなる開口部を形成する開口部形成工程と、前記絶縁膜を前記基材から剥離する剥離工程と、を有するパターン形成部材の形成工程と、前記パターン形成部材の一面にパターン保持部材を重ねて接合する接合工程と、を有することを特徴とする。
この方法によれば、耐久性の高いマスクを容易に製造することが可能となる。

また本発明のマスクの製造方法は、前記接合工程において、前記パターン保持部材はアルカリ金属イオンを含むガラスからなり、前記パターン形成部材の一面に前記パターン保持部材を重ねて陽極接合を行うことも好ましい。
この方法によれば、接着剤を使用しなくともパターン形成部材とパターン保持部材とを積層して固定することが可能となる。

また本発明のパターン形成方法は、上記マスクを用いて基板上に所定パターンを形成するパターン形成方法であって、前記マスクを基板上に配置するマスク配置工程と、前記マスクを介して前記基板にレーザ光を照射し、前記パターン形成部材に形成された前記所定パターンの開口部に対応したパターン領域を前記基板上に形成するパターン領域形成工程と、を有することを特徴とする。
この方法によれば、本発明のマスクを用いることにより、基板上に所定のパターン領域を形成することができる。つまり、レーザ加工により、基板上に溝部を形成することも可能であるし、親液領域及び撥液領域を形成することも可能である。従って、このパターン領域を利用することにより、所望の配線パターンを形成することができる。

また本発明のパターン形成方法は、前記パターン領域形成工程において、前記レーザ光にエキシマレーザー、ガスレーザ、又は固体レーザのいずれかを用いることも好ましい。
この方法によれば、上記レーザを基板に照射することにより、アブレーションが発生し、基板上に所定のパターン領域を形成することができる。

また本発明のパターン形成方法は、前記パターン領域形成工程において、前記基板に対する前記レーザ光による照射を複数回に分割して行うことも好ましい。
この方法によれば、レーザ光の照射を複数回に分割することにより、レーザ光のエネルギー密度を高めて基板上にパターン領域を形成することができる。また、基板が大面積の場合にも対応することが可能となる。

また本発明のパターン形成方法は、前記基板は有機材料を含む材料からなり、前記パターン領域形成工程後、前記基板から前記マスクを離反させた後に、硫酸と過酸化水素水とを含む洗浄液により前記マスクを洗浄するマスク洗浄工程を有することも好ましい。
この方法によれば、レーザ光の照射により、有機材料からなる基板の一部が剥離してマスクに付着した場合に、硫酸と過酸化水素水とを含む洗浄液により、付着物を除去して洗浄することができる。従って、マスクに付着物を除去することができるため、付着物によるレーザ光の遮断等を回避して高解像度のパターン領域を形成することができる。

また本発明の配線パターン形成方法は、上記パターン形成方法により前記基板上に形成された前記パターン形成領域に、液滴吐出法により機能液を配置して配線パターンを形成することを特徴とする。
この方法によれば、フォトリソグラフィー工程が不要となり、パターン形成工程を大幅に簡略化することができる。また、インクジェット法によれば、所望の領域に機能液を配置することができ、微細なパターンを形成することができるとともに、機能液の使用量も削減できるというメリットがある。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。

<コンタクトマスク>
まず、本実施形態のコンタクトマスクの構造について図１（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。図１（ａ）、（ｂ）は、本実施形態のコンタクトマスク９の構造を模式的に示した図である。
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、コンタクトマスク９（マスク）は、パターン形成部材１０とパターン保持部材１２とを備えている。
パターン形成部材１０には、形成しようとするパターン、例えば配線基板１４上に形成する配線パターンに対応した複数の貫通穴１６（開口部）が形成されている。貫通穴１６は、パターン保持部材１２の面方向に対して垂直方向に貫通している。また、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、貫通穴１６の短手方向の幅ｄ１は、形成する配線パターンと略等しく形成されている。パターン形成部材１０は、面方位が（１００）であるシリコン（単結晶シリコン）により形成されている。これにより、後述するように、パターン形成部材１０にレーザ光２２が照射された場合、非貫通穴１６部分ではレーザ光２２が遮断又は減衰され、貫通穴１６部分ではレーザ光２２が透過される。

パターン保持部材１２は、板状に形成され、パターン形成部材１０とは異なり貫通穴１６等の空隙が形成されていない。つまり、パターン保持部材１２は一枚板で、パターン形成部材１０と接合されるパターン保持部材１２の接合面１０ａは平坦に形成されている。そして、パターン保持部材１２は、上記パターン形成部材１０の平面視面積と等しいか又は略大きくなるように平面視矩形状に形成され、パターン形成部材１０の全面を被覆してパターン形成部材１０を保持することができるようになっている。また、パターン保持部材１２は、ソーダガラス、低アルカリガラス、石英ガラス、水晶等のいずれかの材料、又はこれらを主成分として形成されている。これにより、後述するように、パターン保持部材１２にレーザ光２２が照射された場合、ガラスからなるパターン保持部材１２ではレーザ光２２が透過される。なお、上記ガラス等からなるパターン保持部材１２には、ナトリウム、リチウム等のアルカリ金属イオンが添加されたパイレックス（登録商標）ガラス等を用いることが好ましい。

本実施形態においては、上記パターン形成部材１０と上記パターン保持部材１２とは、パターン形成部材１０の接合面１０ａとパターン保持部材１２の接合面１２ａとを互いに当接させて陽極接合により接合されている。つまり、コンタクトマスク９は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、配線パターンに対応する開口部が形成されたパターン形成部材１０と、このパターン形成部材１０を保持するパターン保持部材１２とが互いに積層されて固定されている。

本実施形態によれば、パターン形成部材１０にパターン保持部材１２が積層されて設けられているため、コンタクトマスク９の強度が向上する。つまり、コンタクトマスク９を２層構造とすることで、パターン形成部材１０に作用する負荷がパターン保持部材１２に分散され、コンタクトマスク９全体で平均化されコンタクトマスク９の強度が向上する。さらに、これに伴いコンタクトマスク９の耐久性が向上し、コンタクトマスク９の再利用が可能となり、低コスト化を図ることができる。
また、本発明のコンタクトマスク９は、２層構造により構成されるため、パターン形成部材１０及びパターン保持部材１２の膨張、収縮による撓み等の変形を防止でき、高精度のコンタクトマスク９を形成することができる。これにより、コンタクトマスク９と基板との間に間隙が生じ難くなり、高解像度（高分解能）で基板上に所定パターンを形成することが可能となる。
また、パターン保持部材に複数のパターン形成部材を設けることにより、マスクの大型化を図ることができ、基板上に大面積のパターンを一括で形成することができる。
さらに、パターン形成部材１０はパターン保持部材１２に保持されるため、例えば、中抜きのパターンを形成した場合でもパターン保持部材によって保持される（中抜きパターンが抜け落ちない）。従って、種々のパターンを形成することができる。

<コンタクトマスクの形成方法>
次に、本実施形態のコンタクトマスクの形成方法について図２（ａ）〜（ｆ）を参照して詳細に説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、面方位が（１００）であるシリコンウエハ１０（単結晶シリコン基板，基材）を用意する。そして、熱酸化法等により、シリコンウエハ１０の表面全体に、例えば１μｍ程度の膜厚のシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２，絶縁膜）を形成する。なお、シリコンウエハ１０の表面全体に形成する膜は、後述するアルカリ水溶液を用いて行うシリコンウエハ１０の結晶異方性エッチングにおいて、耐久性のある膜であれば良いので、ＣＶＤ法による窒化シリコン膜、スパッタ法によるＡｕやＰｔ膜等をシリコンウエハ１０の表面全体に形成しても良い。

次に、図２（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜１８上の一面にレジストを塗布する。そして、配線パターンに対応したフォトマスクを用いてフォトリソグラフィー処理し、レジストをパターニングする。次に、上記レジストをマスクとして、シリコン酸化膜１８をエッチング処理する。これにより、配線パターンに対応する領域のシリコン酸化膜１８を除去してシリコンウエハ１０を露出させ、開口２０を形成する。

次に、図２（ｃ）に示すように、配線パターンに対応してエッチング処理されたシリコン酸化膜１８をマスクとして、結晶異方性ウエットエッチング処理を行う。まず、シリコンウエハ１０を例えば、８０℃に加熱した３５重量％の水酸化カリウム水溶液に所定時間浸漬させる。これにより、露出した開口２０の部分のシリコン、つまり、シリコン酸化膜１８に被覆されていない部分が、結晶方位依存性によって異方性ウエットエッチングされる。その結果、図２（ｃ）に示すように、配線パターンに対応した貫通穴１６がシリコンウエハ１０に形成される。この貫通穴１６は、シリコンウエハ１０の面方向に対して垂直方向に形成される。なお、シリコンウエハ１０の表面に形成されるシリコン酸化膜１８は、シリコンウエハ１０よりもエッチング速度が遅いため、ウエットエッチング処理によっては除去されない。

次に、図２（ｄ）に示すように、シリコンウエハ１０をフッ酸系エッチング液へ浸漬し、シリコンウエハ１０の表面に形成されるシリコン酸化膜１８を除去する。これにより、配線パターンに対応した開口２０が形成されたパターン形成部材１０が形成される。

次に、図２（ｅ）に示すように、まず、ナトリウムが添加されたパイレックス（登録商標）ガラスからなるパターン保持部材１２を用意する。そして、このパターン保持部材１２を配線パターンが形成されたパターン形成部材１０上に位置合わせして積層する。次に、パターン形成部材１０とパターン保持部材１２の両部材を３００〜４００℃に加熱するとともに、パターン形成部材１０とパターン保持部材１２との間に５００Ｖ〜１ｋＶの電圧を印加する。すると、パターン形成部材１０とパターン保持部材１２間に大きな静電引力が発生し、両部材の界面で化学結合（陽極結合）する。このようにして、パターン形成部材１０とパターン保持部材１２とを互いに接合させて固定させることで、積層構造によるコンタクトマスク９が形成される。

ここで、位置合わせの方法としては、例えば、アライメントマークを用いた方法を採用することができる。まず、パターン形成部材１０の接合面１０ａに、配線パターンに対応する開口部とは重ならない領域、例えばパターン形成部材１０の周縁部にアライメントマークとなる貫通穴１６を形成する。このアライメントマークは、配線パターンに対応する貫通穴１６の形成と同時に形成される。次に、パターン保持部材１２の接合面１２ａに、例えばフォトリソグラフィー法によりレジストからなるアライメントマークを形成する。次に、ＣＣＤを搭載したカメラを用いて位置合わせを行う。位置合わせは、パターン形成部材１０のアライメントマークと、パターン保持部材１２に形成されるアライメントマークとが重なるようにして行う。次に、位置合わせした後、パターン保持部材１２上にパターン形成部材１０を配置する。

<配線パターン領域の形成方法>
次に、配線パターン形成領域２４を配線基板１４（基板）上に形成する方法について図３（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、上記方法により形成したコンタクトマスク９を配線基板１４上の所定位置に位置合わせして配置する。位置合わせの方法としては、上述したようにコンタクトマスク９及び配線基板１４の双方にアライメントマークを形成し、ＣＣＤを搭載したカメラを用いて位置合わせする方法が挙げられる。配線基板１４には、例えば、ポリイミド、エポキシ、液晶ポリマー等の樹脂材料を用いた可撓性基板であるフレキシブル基板（Flexible Printed Circuit）を用いる。なお、配線基板１４は、石英、パイレックス（登録商標）、低アルカリ、無アルカリ、ソーダ、水晶等の透明無機材料、各種セラミックスの基板を用いることも好ましい。

次に、図３（ｂ）に示すように、配線基板１４上にコンタクトマスク９の上面側からレーザ光２２を照射する。照射されたレーザ光２２は、コンタクトマスク９のガラスからなるパターン保持部材１２を透過し、パターン形成部材１０に到達する。パターン形成部材１０に到達したレーザ光２２は、シリコンからなるパターン形成部材１０の貫通穴１６を透過し、配線基板１４上を照射する。一方、パターン形成部材１０の非貫通穴領域では、レーザ光２２は遮断され配線基板１４上には到達しないか、又は減衰されて配線基板１４上に到達する。

そして、図３（ｃ）に示すように、配線基板１４上に照射されるレーザ光２２は、レーザアブレーションにより、配線基板１４上の照射された領域に溝パターンを形成する。つまり、配線基板１４上のレーザ光２２により照射された領域は、レーザ光２２のエネルギーによって変質し、溝パターンが形成される。本実施形態において、この溝パターンは、配線パターンに対応したパターン形成領域２４である。なお、コンタクトマスク９のパターン形成部材１０の非貫通穴領域を透過したレーザ光は、パターン形成部材１０で減衰されエネルギー密度が弱いため、配線基板１４にはほとんど影響を与えない。

なお、レーザ光の照射は、例えば、酸素濃度２０％以上の高濃度酸素雰囲気等の親液化し易い雰囲気中で行うことが好ましい。また、レーザ光２２としては、ＣＯ_２レーザ等のガスレーザ、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー又はＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌ等のエキシマレーザーなど種々のレーザ光２２を使用することが好ましい。

次に、図３（ｄ）に示すように、レーザ光２２の照射が終了した後、コンタクトマスク９を配線基板１４から離反させる。このようにして、コンタクトマスク９を用いることにより配線基板１４上に配線パターンに対応した溝パターンが形成される。

なお、コンタクトマスク９は、配線基板１４から離反させた後に洗浄することも好ましい。配線基板１４にレーザ光２２を照射した場合、配線基板１４は樹脂等の有機材料により形成されているため、レーザ光２２の照射により配線基板１４の一部が飛散し、コンタクトマスク９に有機材料が付着する。そこで、コンタクトマスク９を洗浄することにより、コンタクトマスクに付着した有機材料を除去する。具体的には、配線基板１４上から離反させたコンタクトマスク９を、硫酸と過酸化水素水等を主成分とする洗浄液に所定時間浸漬させる。これにより、コンタクトマスク９の付着物を除去することができ、コンタクトマスク９を再利用することによって、低コスト化を図ることができる。

<液滴吐出装置>
次に、配線基板１４上のパターン形成領域２４に機能液を吐出するための液滴吐出装置５０について、図４〜図６を参照して具体的に説明する。図４に示すように、液滴吐出装置５０は、インクジェットヘッド群（吐出ヘッド）１と、インクジェットヘッド群１をＸ方向に駆動するためのＸ方向ガイド軸（ガイド）２と、Ｘ方向ガイド軸２を回転させるＸ方向駆動モータ３とを備えている。また、液滴吐出装置５０は、配線基板１４を載置するための載置台４と、載置台４をＹ方向に駆動するためのＹ方向ガイド軸５と、Ｙ方向ガイド軸５を回転させるＹ方向駆動モータ６とを備えている。また、液滴吐出装置５０は、Ｘ方向ガイド軸２とＹ方向ガイド軸５とが、各々所定の位置に固定される基台７を備え、その基台７の下部に制御装置８を備えている。さらに、液滴吐出装置５０は、クリーニング機構部５４及びヒータ１５を備えている。

ここで、Ｘ方向ガイド軸２、Ｘ方向駆動モータ３、Ｙ方向ガイド軸５、Ｙ方向駆動モータ６及び載置台４は、その載置台４にアライメントされた配線基板１４に対して、インクジェットヘッド群１を相対的に移動させるヘッド移動機構を構成している。またＸ方向ガイド軸２は、インクジェットヘッド群１からの液滴吐出動作時に、配線基板１４の長手方向（Ｙ方向）に対して略直角に交わる方向（Ｘ方向）にインクジェットヘッド群１を移動させるガイドである。

インクジェットヘッド群１は、例えば導電性微粒子を含有する分散液（液状体）をノズル（吐出口）から吐出して所定間隔で配線基板１４に付与する複数のインクジェットヘッドを備えている。そして、これら複数のインクジェットヘッド各々は、制御装置８から出力される吐出電圧に応じて個別に分散液を吐出できるようになっている。インクジェットヘッド群１はＸ方向ガイド軸２に固定され、Ｘ方向ガイド軸２には、Ｘ方向駆動モータ３が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＸ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｘ方向ガイド軸２を回転させるようになっている。そして、Ｘ方向ガイド軸２が回転させられると、インクジェットヘッド群１が基台７に対してＸ軸方向に移動するようになっている。

ここで、インクジェットヘッド群１を構成する複数のインクジェットヘッドの詳細について説明する。図５は、インクジェットヘッド３０を示す図であり、図５（ａ）は要部斜視図であり、図５（ｂ）は要部断面図である。図４はインクジェットヘッド３０の底面図である。
インクジェットヘッド３０は、図５（ａ）に示すように例えばステンレス製のノズルプレート３２と振動板３３とを備え、両者を仕切部材（リザーバプレート）３４を介して接合したものである。ノズルプレート３２と振動板３３との間には、仕切部材３４によって複数の空間３５と液溜まり３６とが形成されている。各空間３５と液溜まり３６の内部は液状体で満たされており、各空間３５と液溜まり３６とは供給口３７を介して連通したものとなっている。また、ノズルプレート３２には、空間３５から液状体を噴射するためのノズル孔３８が縦横に整列させられた状態で複数形成されている。一方、振動板３３には、液溜まり３６に液状体を供給するための孔３９が形成されている。

また、振動板３３の空間３５に対向する面と反対側の面上には、図５（ｂ）に示すように圧電素子（ピエゾ素子）４０が接合されている。この圧電素子４０は、一対の電極４１の間に位置し、通電するとこれが外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。そして、このような構成のもとに圧電素子４０が接合されている振動板３３は、圧電素子４０と一体になって同時に外側へ撓曲するようになっており、これによって空間３５の容積が増大するようになっている。従って、空間３５内に増大した容積分に相当する液状体が、液溜まり３６から供給口３７を介して流入する。また、このような状態から圧電素子４０への通電を解除すると、圧電素子４０と振動板３３はともに元の形状に戻る。従って、空間３５も元の容積に戻ることから、空間３５内部の液状体の圧力が上昇し、ノズル孔３８から基板に向けて液状体の液滴４２が吐出される。

図４に戻り、載置台４は、この液滴吐出装置５０によって分散液を塗布される配線基板１４を載置させるもので、この配線基板１４を基準位置に固定する機構（アライメント機構）を備えている。載置台４はＹ方向ガイド軸５に固定され、Ｙ方向ガイド軸５には、Ｙ方向駆動モータ６、５６が接続されている。Ｙ方向駆動モータ６、５６は、ステッピングモータ等であり、制御装置８からＹ軸方向の駆動パルス信号が供給されると、Ｙ方向ガイド軸５を回転させるようになっている。そして、Ｙ方向ガイド軸５が回転させられると、載置台４が基台７に対してＹ軸方向に移動するようになっている。

液滴吐出装置５０は、インクジェットヘッド群１をクリーニングするクリーニング機構部５４を備えている。クリーニング機構部５４は、Ｙ方向の駆動モータ５６によってＹ方向ガイド軸５に沿って移動するようになっている。クリーニング機構部５４の移動も、制御装置８によって制御されている。次に、液滴吐出装置５０のフラッシングエリア５２ａ，５２ｂについて説明する。

ヒータ１５は、ここではランプアニールにより配線基板１４を熱処理（乾燥処理又は焼成処理）する手段である。すなわち、ヒータ１５は、配線基板１４上に吐出された液状体の蒸発・乾燥を行うとともに導電膜に変換するための熱処理を行うことができる。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置８によって制御されるようになっている。

本実施形態の液滴吐出装置５０において、所定の配線形成領域に分散液を吐出するためには、制御装置８から所定の駆動パルス信号をＸ方向駆動モータ３及び／又はＹ方向駆動モータ６に供給し、インクジェットヘッド群１及び／又は載置台４を移動させることにより、インクジェットヘッド群１と配線基板１４（載置台４）とを相対移動させる。そして、この相対移動の間にインクジェットヘッド群１における所定のインクジェットヘッド３０に制御装置８から吐出電圧を供給し、当該インクジェットヘッド３０から分散液を吐出させる。

本実施形態の液滴吐出装置５０において、インクジェットヘッド群１の各インクジェットヘッド３０からの液滴の吐出量は、制御装置８から供給される吐出電圧の大きさによって調整できる。また、配線基板１４に吐出される液滴のピッチは、インクジェットヘッド群１と配線基板１４（載置台４）との相対移動速度及びインクジェットヘッド群１からの吐出周波数（吐出電圧供給の周波数）によって決定される。

本実施形態の液滴吐出装置５０によれば、Ｘ方向ガイド軸２又はＹ方向ガイド軸５に沿ってインクジェットヘッド群１を移動させることで、配線基板１４の所望領域における任意の位置に液滴を着弾させてパターンを形成することができる。そして、１つの所望領域についてパターン形成した後に、配線基板１４を長手方向（Ｙ方向）にずらすことにより、極めて簡便に他の所望領域についてパターン形成することができる。

なお、本実施形態では、液滴吐出法の吐出技術としてピエゾ方式を採用しているが、帯電制御方式、加圧振動方式、電気熱変換方式、静電吸引方式等の吐出技術を採用することが可能である。例えば、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。

<配線パターン形成方法>
次に、上記液滴吐出装置を用いて配線基板１４上のパターン形成領域２４に機能液を吐出し、配線パターンを形成する方法について図３，４（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。

（機能液配置工程）
上述の液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線基板１４上の溝パターンで構成されるパターン形成領域２４に機能液を吐出する。これにより、吐出された機能液の表面張力、溝パターンの深さ、溝壁面の親液性によって、溝パターンであるパターン形成領域２４に機能膜が形成される。また、溝パターン以外の領域に撥液処理を施した場合には、撥液処理された領域においては機能液が弾かれ、溝パターンに良好に濡れ広がる。なお、液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４ｎｇ／ｄｏｔ、インク速度（吐出速度）５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、機能液を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。

本実施の形態において配線パターン用の機能液としては、導電性微粒子を分散媒に溶解、分散させたものを使用している。導電性微粒子としては、例えば、金、銀、銅、パラジウム、及びニッケルのうちのいずれかを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。

分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。

上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物の吐出ノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えると吐出ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。

上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には吐出ノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、吐出ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。

（中間乾燥工程）
次に、配線基板１４上のパターン形成領域２４に配置した機能膜中の分散媒を除去するため、必要に応じて乾燥処理を施す。乾燥処理での加熱温度は、機能液中の導電性微粒子が互いに結合しない程度の温度、すなわち焼結温度以下の温度とする。この乾燥処理は、例えば配線基板１４を通常のホットプレート、電気炉、ランプアニール等により加熱して行う。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが好適に用いられる。この乾燥処理により、機能液中の分散媒が除去され、配線基板１４上には銀を導電性微粒子として含む機能液の層が形成される。

（焼結処理／光処理工程）
次に、微粒子間の電気的接触をよくするとともに、分散媒を完全に除去するため、機能液に熱処理又は光処理を施す。具体的には、例えば、処理温度を３５０℃〜４５０℃の範囲内に設定し、酸素、窒素、又はＨ_２Ｏの雰囲気中の大気圧下において所定時間、機能液にに熱処理を施す。なお、熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。また、導電性微粒子の表面に分散性を向上させるために有機物などのコーティング材がコーティングされている場合には、このコーティング材も除去する。
以上説明した処理により、配線基板１４上のパターン形成領域２４に例えば銀からなる配線パターンが形成される。

本実施形態によれば、フォトリソグラフィー工程が不要となり、配線パターン形成工程を大幅に簡略化することができる。また、液滴吐出法によれば、所望の領域に的確に機能液を配置することができ、微細なパターンを形成することができるとともに、機能液の使用量も削減できるというメリットがある。

［第２の実施の形態］
次に、本実施形態について図６（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
上記実施形態では、コンタクトマスク９に形成する配線パターンに対応した貫通穴１６は、コンタクトマスク９の面方向に対して垂直な壁面を持つように形成されていた。これに対し、本実施形態では、貫通穴１６は、コンタクトマスク９の面方向に対してテーパー状となる壁面を持つように形成する点において異なる。なお、その他のコンタクトマスク９の基本構成は、上記第１実施形態と同様であり、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
（コンタクトマスク）

図６（ａ）は、本実施形態のコンタクトマスク９の概略構成を示す断面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）の二点鎖線領域を示したコンタクトマスク９の拡大断面図である。
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、コンタクトマスク９は、パターン形成部材１０とパターン保持部材１２とを備えている。パターン形成部材１０には、配線基板１４上に形成する配線パターンに対応した複数の貫通穴１６が形成されている。貫通穴１６の壁面１０ｃは、パターン形成部材１０の接合面１０ａに対して所定の角度で傾斜し、接合面１０ａから他面１０ｂ方向に先細りになるようにして形成されている。つまり、パターン形成部材１０の接合面１０ａ側の開口幅ｄ１は、他面１０ｂ側の開口幅ｄ２よりも幅広に形成されている。このように、貫通穴１６は、パターン保持部材１２の接合面１０ａから他面１０ｂ方向にテーパー状に貫通して形成されている。そして、貫通穴１６の他面１０ｂ側の開口幅ｄ２は、配線基板１４上に形成する配線パターンの配線幅と等しくなるように形成されている。つまり、配線基板１４上にパターン形成部材１０の他面１０ｂを接触させて配置し、この他面１０ｂに形成される貫通穴１６の開口幅ｄ２を基準として配線基板１４上にパターン形成領域２４を形成する。

本実施形態においては、上記第１実施形態と同様に、パターン形成部材１０と上記パターン保持部材１２とは、パターン形成部材１０の接合面１０ａとパターン保持部材１２の接合面１２ａとを互いに当接され、陽極接合により接合されて固定されている。このように、コンタクトマスク９は、配線パターンに対応する開口部が形成されたパターン形成部材１０と、このパターン形成部材１０を保持するためのパターン保持部材１２との積層構造により形成されている。

（コンタクトマスクの形成方法）
次に、本実施形態のコンタクトマスク９の製造方法の一例について上記第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
配線パターンに対応してエッチング処理されたシリコン酸化膜をマスクとして、結晶異方性ウエットエッチング処理を行う。シリコンウエハを例えば、８０℃に加熱した３５重量％の水酸化カリウム水溶液に所定時間浸漬させる。これにより、露出した開口の部分のシリコン、つまり、シリコン酸化膜に被覆されていない部分が、結晶方位依存性によって異方性ウエットエッチングされる。このとき、パターン形成部材１０の接合面１０ａから他面１０ｂ方向に向かって液圧が低くなるため、結果的に接合面１０ａ側から俯瞰すると、次第に貫通穴１６の開口部が小さくなっている。その結果、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、配線パターンに対応したテーパー状の貫通穴１６がパターン形成部材１０に形成される。

本実施形態によれば、例えば配線基板１４とは反対側からレーザ光２２を照射した場合、直進するレーザ光２２が、貫通穴１６の壁面１０ｃで反射される。そして、反射されたレーザ光２２が、配線基板１４上で集光される。これにより、より強度の強いレーザ光２２を配線基板１４上に照射することができるとともに、形成するパターン形成領域のボケを防止することができる。

［第３の実施の形態］
次に、本実施形態について図７を参照して説明する。
上記実施形態では、配線基板１４に配線パターンに対応した溝パターンを形成していた。これに対し、本実施形態では、配線基板１４上に予め撥液処理を施して撥液膜を形成する点において異なる。なお、その他のパターン形成方法、配線パターン形成方法については、上記第１実施形態と同様であるため、共通の構成要素、製造工程については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

まず、配線基板１４にコンタクトマスク９を配置する前に、ＵＶ（紫外線）照射、水等の溶媒、超音波、プラズマ照射等により洗浄する。
次に、図７（ａ）に示すように、配線基板１４の洗浄後に、配線基板１４の所望領域に撥液処理を施して撥液膜２６を形成する。撥液化処理の方法の一つとしては、基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する方法が挙げられる。自己組織化膜とは、基板など下地層等構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、該直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。即ち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性等を付与することができる。
撥液化処理の他の方法として、常圧でプラズマ照射する方法が挙げられる。プラズマ処理に用いるガス種は、基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等のフルオロカーボン系ガスを処理ガスとして使用できる。この場合、基板の表面に、撥液性のフッ化重合膜を形成することができる。

次に、図７（ｂ）に示すように、配線基板１４上にコンタクトマスク９を配置し、レーザ光２２をコンタクトマスク９の上面側から照射して、撥液膜２６を部分的に破壊・除去する。これにより、図７（ｃ）に示すように、照射した配線基板１４上の領域を露出させ、配線パターンに対応する溝からなるパターン形成領域２４を形成する。このパターン形成領域２４は、他の領域と比較して相対的に親液性である。なお、レーザ光２２の照射は、例えば、酸素濃度２０％以上の高濃度酸素雰囲気等の親液化しやすい雰囲気中で行うことが好ましい。

次に、上記液滴吐出装置５０を用いて、配線基板１４上のパターン形成領域２４に沿って機能液を吐出する。これにより、配線基板１４上に配線パターンが形成される。
本実施形態によれば、非パターン形成領域２４には撥液膜が形成されているため、かかる領域においては機能液を弾く。一方、パターン形成領域２４は他の領域と比較して親液性となっているため、配置された機能液がパターン形成領域２４で濡れ広がる。これにより、配線基板１４上に配線パターンを形成することができる。

［第４の実施の形態］
次に、本実施形態について図８を参照して説明する。
上記第１実施形態では、配線基板１４に配線パターンに対応した溝パターンを形成していた。これに対し、本実施形態では、配線基板１４上に予め撥液処理を施して撥液膜を形成し、配線基板１４及び撥液膜に溝を形成する点において異なる。つまり、本実施形態は、上記第１実施形態と第３実施形態とを組み合わせた例である。なお、その他のパターン形成方法、配線パターン形成方法については、上記第１又は第２実施形態と同様であるため、共通の構成要素、製造工程については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

まず、配線基板１４にコンタクトマスク９を配置する前に、ＵＶ（紫外線）照射、水等の溶媒、超音波、プラズマ照射等により洗浄する。
次に、図８（ａ）に示すように、配線基板１４の洗浄後に、配線基板１４の所望領域に撥液処理を施して撥液膜２６を形成する。

次に、図８（ｂ）に示すように、配線基板１４上にコンタクトマスク９を配置し、レーザ光２２をコンタクトマスク９の上面側から照射する。これにより、図８（ｃ）に示すように、配線基板１４上の照射した撥液膜２６及び配線基板１４を部分的に破壊・除去し、配線基板１４上に配線パターンに対応する溝からなるパターン形成領域２４を形成する。

次に、上記液滴吐出装置５０を用いて、配線基板１４上のパターン形成領域２４に沿って機能液を吐出する。これにより、配線基板１４上に配線パターンが形成される。
本実施形態によれば、第３実施形態と同様の作用効果を奏するとともに、パターン形成領域２４が撥液膜２６及び配線基板１４による溝部により形成されるため、良好に配線パターンを形成することができる。

［第５の実施の形態］
次に、本実施形態について図９（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
上記第１実施形態では、レーザ光照射方式は、全面一括方式を採用していた。これに対し、本実施形態においてレーザ光照射方式は、スキャン方式を採用している点において異なる。なお、その他のパターン形成方法、配線パターン形成方法については、上記第１実施形態と同様であるため、共通の構成要素、製造工程については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

まず、図９（ａ）に示すように、レーザ光２２を照射するレーザ装置（図示省略）を照射領域Ｔ１に移動させる。そして、照射領域Ｔ１の配線基板１４上にコンタクトマスク９の上面側からレーザ光２２を照射する。これにより、図９（ａ）に示すように、照射領域Ｔ１の配線基板２８上に溝パターンからなる配線パターン領域２４が形成される。

次に、図９（ｂ）に示すように、レーザ光２２を照射するレーザ装置（図示省略）を照射領域Ｔ２まで移動させる。そして、照射領域Ｔ２の配線基板１４上にレーザ光２２を照射する。これにより、図９（ｂ）に示すように、照射領域Ｔ２の配線基板２８上に溝パターンからなる配線パターン領域２４が形成される。

レーザ光２２の全面一括照射では、配線基板１４全面を照射対象とするため、レーザ光２２のエネルギー密度が低くなる場合があった。これに対し、本実施形態では、スキャン方式を採用することにより、配線基板１４を複数の領域（照射領域Ｔ１，Ｔ２）に分割して、照射対象領域を狭くするため、エネルギー密度の高いレーザ光を照射することができる。これにより、種々の材料から形成される基板ごとにレーザ光２２のエネルギー密度を変化させ、パターン形成領域を形成することができる。また、配線基板１４が大面積であり一括でレーザ光２２を照射することができない場合でも、本実施形態では照射領域を複数に分割してレーザ光２２を照射する。そのため、大面積の配線基板１４に対しても良好にパターン形成領域２４を形成することができる。

<電気光学装置>
次に、上述した配線パターン形成方法により配線パターンが形成されたフレキシブルプリント配線基板（Flexible Printed Circuit；以下「ＦＰＣ」という。）を備える液晶表示装置（電気光学装置）について説明する。
図１０は、ＣＯＦ（Chip On Film）構造の液晶表示装置の分解斜視図である。液晶表示装置１０１は、カラー表示用の液晶パネル１１２と、液晶パネル１１２に接続されるＦＰＣ１３０と、ＦＰＣ１３０に実装される液晶駆動用ＩＣ１００とを備えている。なお、必要に応じて、バックライト等の照明装置やその他の付帯機器が、液晶パネル１１２に付設される。

液晶パネル１１２は、シール材１０４によって接着された一対の基板１０５ａ及び基板１０５ｂを有し、これらの基板１０５ｂと基板１０５ｂとの間に形成される間隙、所謂セルギャップに液晶が封入される。つまり、液晶は基板１０５ａと基板１０５ｂとによって挟持されている。これらの基板１０５ａ及び基板１０５ｂは、一般には透光性材料、例えばガラス、合成樹脂等によって形成される。基板１０５ａ及び基板１０５ｂの外側表面には偏光板１０６ａが貼り付けられている。

また、基板１０５ａの内側表面には電極１０７ａ（画素電極）が形成され、基板１０５ｂの内側表面には電極１０７ｂ（共通電極）が形成される。これらの電極１０７ａ，１０７ｂは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等の透光性材料によって形成される。基板１０５ａは基板１０５ｂに対して張り出した張り出し部を有し、この張り出し部に複数の端子１０８が形成されている。これらの端子１０８は、基板１０５ａ上に電極１０７ａを形成するときに電極１０７ａと同時に形成される。従って、これらの端子１０８は、例えばＩＴＯによって形成される。これらの端子１０８には、電極１０７ａから一体に延びるもの、及び導電材（不図示）を介して電極１０７ｂに接続されるものが含まれる。

一方、ＦＰＣ１３０の表面には、本実施形態に係る配線パターンの形成方法により、配線パターン１３９ａ，１３９ｂが形成されている。すなわち、ＦＰＣ１３０の一方の短辺から中央に向かって入力用配線パターン１３９ａが形成され、他方の短辺から中央に向かって出力用配線パターン１３９ｂが形成されている。これらの入力用配線パターン１３９ａ及び出力用配線パターン１３９ｂの中央側の端部には、電極パッド（不図示）が形成されている。

そのＦＰＣ１３０の表面には、液晶駆動用ＩＣ１００が実装されている。具体的には、ＦＰＣ１３０の表面に形成された複数の電極パッドに対して、液晶駆動用ＩＣ１００の能動面に形成された複数のバンプ電極が、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）１６０を介して接続されている。このＡＣＦ１６０は、熱可塑性又は熱硬化性の接着用樹脂の中に、多数の導電性粒子を分散させることによって形成されている。このように、ＦＰＣ１３０の表面に液晶駆動用ＩＣ１００を実装することにより、いわゆるＣＯＦ構造が実現されている。

そして、液晶駆動用ＩＣ１００を備えたＦＰＣ１３０が、液晶パネル１１２の基板１０５ａに接続されている。具体的には、ＦＰＣ１３０の出力用配線パターン１３９ｂが、ＡＣＦ１４０を介して、基板１０５ａの端子１０８と電気的に接続されている。なお、ＦＰＣ１３０は可撓性を有するので、自在に折り畳むことによって省スペース化を実現しうるようになっている。

上記のように構成された液晶表示装置１０１では、ＦＰＣ１３０の入力用配線パターン１３９ａを介して、液晶駆動用ＩＣ１００に信号が入力される。すると、液晶駆動用ＩＣ１００から、ＦＰＣ１３０の出力用配線パターン１３９ｂを介して、液晶パネル１１２に駆動信号が出力される。これにより、液晶パネル１１２において画像表示が行われるようになっている。

<電子機器>
次に、上記液晶表示装置を備えた本発明の電子機器の一例である携帯電話について説明する。
図１１は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１１は、本願発明に係る電子機器の一例である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機６００は、ヒンジ１２２を中心として折り畳み可能な第１ボディ１０１ａと第２ボディ１０２ｂとを有する。そして、第１ボディ１０２ａには、液晶表示装置６０１と、複数の操作ボタン１２７と、受話口１２４と、アンテナ１２６とが設けられている。また、第２ボディ１０２ｂには、送話口１２８とが設けられている。なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、上述した配線パターン形成方法により配線パターンが形成された配線基板を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
本実施形態の液晶表示装置等の電気光学装置、携帯電話等の電子機器によれば、高解像度でかつ低コストの電気光学装置及び電子機器を提供することができる。

なお、本実施形態のパターン形成方法及び配線パターン形成方法により形成された配線パターンを有する配線配線基板は、上記携帯電話以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、液晶プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用することが可能である。

なお、本願発明は、上述した例に限定されるものではなく、本願発明の要旨を逸脱しな
い範囲において種々変更を加え得ることは勿論である。また、本願発明の要旨を逸脱しな
い範囲において上述した各例を組み合わせても良い。

例えば、パターン形成部材１０に所定パターンの開口部を形成する方法としては、上記方法に限定されることはない。例えば、ドライエッチング処理により形成することも可能である。また、シリコンから成るパターン形成部材１０は、裏面側からエッチング処理することにより、パターン形成部材１０の膜厚を薄膜化することも可能である。
また、上記実施形態では、パターン形成部材１０には、面方位が（１００）であるシリコンウエハ１０（単結晶シリコン基板）を用いたが、レーザ光２２にＣＯ_２レーザ等の赤外光レーザを用いた場合にはガラスを用いて形成することも可能である。さらに、パターン保持部材１２にはガラスを用いていたが、レーザ光２２にＣＯ_２レーザ等の赤外光レーザを用いた場合にはシリコンを用いて形成することも可能である。なお、ガラス及びシリコンは上記実施形態で説明した種々の材料を採用することが可能である。
また、上記実施形態では、パターン保持部材１２に１つのパターン形成部材１０を接合させていたが、これに限定されることはない。パターン保持部材１２に複数のパターン形成部材１０を接合させてコンタクトマスク９を形成することも可能である。これによれば、大面積のパターンを形成することが可能となり、低コスト化を図ることができる。
上記実施形態では、パターン形成部材１０とパターン保持部材１２との接合は、陽極接合により行っていたが、例えば接着剤を用いることにより、接合させることも可能である。接着剤の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤が挙げられる。接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等、いかなるものでもよい。
また、上記実施形態では、コンタクトマスク９の形成工程は、先に、シリコンウエハ１０に所定パターンの貫通穴１６を形成したパターン形成部材１０をパターン保持部材１２に積層又は接合させていた。これに対し、パターン保持部材１２に先にシリコンウエハ１０を積層又は接合させた後、シリコンウエハ１０に所定パターンの貫通穴１６を形成することも可能である。これによれば、シリコンウエハ１０単独での所定パターンの貫通穴１６の形成が困難である場合でも、パターン保持部材１２が補強的役割を果たし、シリコンウエハ１０に所定パターンの貫通穴１６を良好に形成することが可能となる。

（ａ）は第１実施形態に係るコンタクトマスクの概略構成を示す斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ‘線に沿った断面図である。 同、（ａ）〜（ｅ）は、コンタクトマスクの形成工程を示す断面図である。 同、（ａ）〜（ｃ）は、パターン形成領域の形成工程を示す断面図である。 液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図である。 液滴吐出装置におけるインクジェットヘッドを示す図である。 第２実施形態に係るコンタクトマスクの概略構成を示す断面図である。 第３実施形態に係るパターン形成領域の形成工程を示す断面図である。 第４実施形態に係るパターン形成領域の形成工程を示す断面図である。 第５実施形態に係るパターン形成領域の形成工程を示す断面図である。 液晶表示装置の概略構成を示す分解斜視図である。 携帯電話の概略構成を示す斜視図である。

符号の説明

９…コンタクトマスク（マスク）、 １０…パターン形成部材、 １０ａ…シリコンウエハ（基材）、 １２…パターン保持部材、 １４…配線基板（基板）、 １６…貫通穴（開口部）、 １８…シリコン酸化膜（絶縁膜）、 ２０…開口、 ２２…レーザ光、 ２４…パターン形成領域

Claims (14)

1. 基板上に所定パターンを形成するためのマスクであって、
   前記所定パターンに対応する開口部が設けられたパターン形成部材と、
   前記パターン形成部材の一面に重ねて設けられたパターン保持部材と、を備えることを特徴とするマスク。
2. 前記パターン形成部材がレーザ光を遮断又は減衰可能であり、前記パターン保持部材が前記レーザ光を透過可能であることを特徴とする請求項１に記載のマスク。
3. 前記パターン形成部材の前記開口部に対応する位置にパターン保持部材が存在していることを特徴とする請求項２に記載のマスク。
4. 前記パターン形成部材の前記開口部が、前記パターン形成部の一面から他面方向にテーパー状に貫通して設けられたことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のマスク。
5. 前記パターン形成部材が、シリコン又はガラスを含む材料からなることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のマスク。
6. 前記パターン保持部材が、ソーダガラス、低アルカリガラス、石英ガラス、水晶、又はシリコンのいずれかを含む材料からなることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載のマスク。
7. 前記パターン保持部材が、アルカリ金属イオンを含むガラスからなることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のマスク。
8. 基材に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜を所定パターンにパターニングするパターニング工程と、前記パターニングした前記絶縁膜をマスクとして前記基材を除去し、前記基材に前記所定パターンからなる開口部を形成する開口部形成工程と、前記絶縁膜を前記基材から剥離する剥離工程と、を有するパターン形成部材の形成工程と、
   前記パターン形成部材の一面にパターン保持部材を重ねて接合する接合工程と、
   を有することを特徴とするマスクの製造方法。
9. 前記接合工程において、
   前記パターン保持部材はアルカリ金属イオンを含むガラスからなり、前記パターン形成部材の一面に前記パターン保持部材を重ねて陽極接合を行うことを特徴とする請求項６に記載のマスクの製造方法。
10. 前記請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のマスクを用いて基板上に所定パターンを形成するパターン形成方法であって、
    前記マスクを基板上に配置するマスク配置工程と、
    前記マスクを介して前記基板にレーザ光を照射し、前記パターン形成部材に形成された前記所定パターンの開口部に対応したパターン領域を前記基板上に形成するパターン領域形成工程と、
    を有することを特徴とするパターン形成方法。
11. 前記パターン領域形成工程において、
    前記レーザ光にエキシマレーザー、ガスレーザー、又は固体レーザのいずれかを用いることを特徴とする請求項８に記載のパターン形成方法。
12. 前記パターン領域形成工程において、
    前記基板に対する前記レーザ光による照射を複数回に分割して行うことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載のパターン形成方法。
13. 前記基板は有機材料を含む材料からなり、前記パターン領域形成工程後、前記基板から前記マスクを離反させた後に、硫酸と過酸化水素水とを含む洗浄液により前記マスクを洗浄するマスク洗浄工程を有することを特徴とする請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項に記載のパターン形成方法。
14. 請求項１０乃至請求項１３のいずれか１項に記載のパターン形成方法により前記基板上に形成された前記パターン形成領域に、液滴吐出法により機能液を配置して配線パターンを形成することを特徴とする配線パターン形成方法。

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