JP2014524053A - マスク及びこれを含む光学フィルタの製造装置 - Google Patents

マスク及びこれを含む光学フィルタの製造装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2014524053A
JP2014524053A JP2014521570A JP2014521570A JP2014524053A JP 2014524053 A JP2014524053 A JP 2014524053A JP 2014521570 A JP2014521570 A JP 2014521570A JP 2014521570 A JP2014521570 A JP 2014521570A JP 2014524053 A JP2014524053 A JP 2014524053A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
curved surface
roll
base film
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014521570A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5774221B2 (ja
Inventor
ゴン シン、ブ
ヤン キム、シン
ジン キム、ジェ
ミ リー、ダ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Chem Ltd
Original Assignee
LG Chem Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chem Ltd filed Critical LG Chem Ltd
Publication of JP2014524053A publication Critical patent/JP2014524053A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5774221B2 publication Critical patent/JP5774221B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/24—Curved surfaces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本発明は、マスク及びこれを含む光学フィルタの製造装置に関する。本発明は、曲面に沿って移動する基材フィルムにパターンを形成するロールツーロール(Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ)工程で使用されるマスクにおいて、基材フィルムが巻かれるロールと対向する面は、曲面で形成され、反対面は、平面で形成されるマスク本体を含む。また、マスク本体の曲面は、ロールの曲面と一定な距離を有する。このような本発明によれば、基材フィルムにパターンが均一に形成されることができるので、製品の品質が向上され、基材フィルムの特性を正確に具現することができる効果がある。
【選択図】図１

Description

本発明は、光学フィルタの製造装置に関し、より詳細には、所定の開口部が形成された曲面形状のマスクを利用することで、マスクと基材フィルムの距離に関係なくパターン正確度が高くてロールツーロール(Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ)工程に適用が可能なマスク及びこれを含む光学フィルタの製造装置に関する。
最近、液晶表示素子や視野角補償基材フィルム層の配向膜に配向能を付与する方式として、配向膜に一定波長の偏光光を照射して配向させる光配向技術が広く使用されている。従来、光配向膜用の偏光光の照射装置として、韓国特許公開第２００６−００５３１１７号、韓国特許公開第２００９−０１１２５４６号などでは、線形状の光源である棒状ランプにワイヤグリッド偏光素子を組み合わせる方法が行われていた。
このような光配向技術は、液晶パネルの大型化とともに大型化されており、これにより、光配向膜に偏光光を照射する光照射装置の光照射領域も大面積化、高照度化している。
このように広い面積を高い照度で照射するためには、光照射装置の光源もそれほど大型化されなければならないが、配向を決定する偏光の方向が入射光の入射角に依存するので、光源が大型化されると、光照射領域のうち入射角の不均一が発生するようになり、これにより、偏光軸の不均一を引き起こすようになり、照射領域別に配向方向が均一ではなく、希望しない方向に配向される問題をもたらす。
また、ロールツーロール(Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ)工程の場合、光照射領域が曲面である場合が多いが、この場合、照射領域が増えるほど、曲面による光照射領域内の偏光軸の不均一問題が発生するようになる。
大面積で均一な偏光分布を有するためには、高度で平行化された光を偏光素子に入射させなければならないが、大面積に対応した高度で平行な光を作るためは、大型化装置が必要であり、装置内部の光路の長さが長くなり、光の強さが低下するので、処理時間が長くなり、生産性の低下をもたらすという問題がある。これにより、平行光を形成するためには、大型化装置なしに光学特性を具現することが難しくて、そのため、ロールツーロール工程が不可能となり、生産性が顕著に低下する結果をもたらす。
したがって、前記のような従来の諸問題点を解消するために提案されたものであって、本発明の目的は、大面積を均一に露光することができながらも、高度で平行な光の照射が可能であり、均一な配向性能を付与することができ、また、大面積の光配向を効率的に行うことができるマスク及びこれを含む光学フィルタの製造装置を提供することにある。
本発明の目的は、以上で言及した目的に限定されず、言及していない他の技術的課題は、下記の記載から本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に明確に理解されることができる。
前記目的を達成するための本発明の特徴によれば、本発明によるマスクは、曲面に沿って移動する基材フィルムにパターンを形成するロールツーロール(Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ)工程に使用されるマスクにおいて、前記基材フィルムが巻かれるロールと対向する面は、曲面で形成され、反対面は、平面で形成されるマスク本体を含むことを特徴とする。
前記マスク本体の曲面と前記ロールの曲面は、一定な間隔を有することを特徴とする。
前記マスク本体の曲面には、金属薄膜層が蒸着されることを特徴とする。
前記金属薄膜層は、クロムまたはアルミニウム薄膜であることを特徴とする。
前記金属薄膜層には、前記基材フィルムにパターンを形成するための一つ以上の開口部が形成されることを特徴とする。
前記開口部は、レーザーダイレクトライティング方式により加工されることを特徴とする。
前記開口部の内壁は、下部に行くほど幅が狭く形成されることを特徴とする。
前記開口部の内壁には、光の直進度を高めるための全反射層が形成されることを特徴にする。
前記マスク本体には、前記基材フィルムにパターンを形成するための開口部が形成されることを特徴とする。
前記マスク本体に形成された曲面は、前記ロールと同一な曲率を有することを特徴とする。
前記基材フィルムとマスク本体は、１００μｍ以下の間隔で維持されることを特徴とする。
前記マスク本体の両側に具備されてジグに固定されるジグ固定部を含むことを特徴とする。
前記ジグ固定部は、曲面が形成されたマスク本体の両側を段差加工して形成し、前記ジグ固定部には、多数個の装着孔が形成されることを特徴とする。
本発明の他の特徴によれば、本発明による光学フィルタの製造装置は、曲面に沿って移動する基材フィルムにパターンを形成するロールツーロール(Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ) 工程を利用した光学フィルタの製造装置において、露光のために光を発生させる光源と、前記光源の出射側に設置され、前記光源から発生した光を偏光させる偏光板と、マスクと、を含むことを特徴とする。
前記光源は、ＵＶランプであることを特徴とする。
前記偏光板は、ワイヤグリッド偏光板(ＷＧＰ)であることを特徴とする。
本発明によれば、マスクがロールに沿って移動する基材フィルムとの間隔を均一にするために、ロールと対向する面が曲面で形成されるので、基材フィルムの全面にわたって光量を均一に照射することができる。したがって、基材フィルムにパターンが均一に形成され、製品の品質が向上し、基材フィルムの特性を正確に具現することができるという効果がある。
本発明の一実施例によるマスクを示した斜視図である。 本発明の一実施例による光学フィルタの製造装置を斜視図である。 本発明の一実施例による光学フィルタの製造装置を示した側面図である。 本発明の他の実施例によるマスクを示した斜視図である。 本発明の他の実施例による開口部の形状を示した断面図である。
以下、本発明によるマスク及びこれを含む光学フィルタ製造装置の一実施例を添付の図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例によるマスクを示した斜視図であり、図２は、本発明の一実施例による光学フィルタの製造装置を示した斜視図であり、図３は、本発明の一実施例による光学フィルタの製造装置を示した側面図である。
図示したように、本発明によるマスク１０は、基材フィルム１が巻かれるロール(Ｒ)と対向する面は、曲面で形成され、反対面は、平面で形成されるマスク本体１２を含む。
マスク本体１２は、一般的に石英(Ｑｕａｒｔｚ)基材で作られる。本発明の実施例でマスク本体１２は、基材フィルム１との間隔(Ｇ)を最小化するために、ロール(Ｒ)と対向する面は、曲面で形成される。前記曲面は、ロール(Ｒ)と同一な曲率を有することが好ましい。また、曲面で形成された面の反対面は、ジグ(図示せず)に装着するために平面で形成される。
また、マスク本体１２のロール(Ｒ)と対向する曲面には、金属薄膜層１３が蒸着される。金属薄膜層１３では、例えば、クロムまたはアルミニウム薄膜を蒸着することができる。このように、金属薄膜層１３が蒸着されると、光透過率が落ちて後述する開口部１４に光が集中される効果がある。
次に、金属薄膜層１３には、基材フィルム１にパターンを形成するための一つ以上の開口部１４が形成される。開口部１４は、マスク本体１２に蒸着された金属薄膜層１３をレーザーダイレクトライティング(Ｌａｓｅｒ Ｄｉｒｅｃｔ Ｗｒｉｔｉｎｇ)方式により加工して形成したものである。図１を参照すれば、マスク本体１２に金属薄膜層１３を蒸着し、その後、レーザー加工を通じて開口部１４を形成したことがよく示されている。
ここで、開口部１４は、金属薄膜層１３にのみ形成され、マスク本体１２には形成されない。これは、石英(Ｑｕａｒｔｚ)基材で作られたマスク本体１２の場合、ＵＶ光が透過することができるが、金属薄膜層１３では光透過率が落ちるので、パターンの形成のために開口部１４に光が集中されるようにしたことである。また、開口部１４は、光の直進度を高めてパターンの均一度を向上させる。
より具体的に説明すれば、ロールツーロール工程では、パターン形成のための露光時に、基材フィルム１が曲線に沿って移送される。実質的に、ロールツーロール工程でパターンを形成する際に、光は、曲線に沿って基材フィルム１が移動する時に照射される。そうではない場合、基材フィルム１が位置によってぴんと引かれなくて(基材フィルムがたぐまる)均一に露光することができなくなる。
パターンを形成するためには、基材フィルム１と露光のためのＵＶランプ２０との間にマスク１０を装着しなければならないが、露光装置の一面が曲面であるので、マスク本体１２と基材フィルム１の密着が不可能になり、これによって、パターンが不均一に形成される問題がある。これを解決するために本発明の実施例では、マスク本体１２に所定の開口部１４を形成した。このように開口部１４が形成されてそれに沿って光が照射されることで、光の直進度が向上されて基材フィルム１に形成されるパターンの均一度が高くなる。言い換えれば、マスク本体１２と基材フィルム１が所定間隔で離隔された状態でも光の直進度が向上される利点がある。
一方、基材フィルム１とマスク本体１２は、１００μｍ以下の間隔で維持することが好ましい。基材フィルム１とマスク本体１２の間隔が１００μｍを超過する場合には、光の直進度が向上しにくいからである。
図３を参照すれば、マスク本体１２の曲面とロール(Ｒ)の曲面は、一定な間隔(Ｇ)を有することができる。これはロール(Ｒ)の曲面に密着されている基材フィルム１に照射される光が均一に入射されるようにしてパターンの均一度を高めるためである。言い換えれば、基材フィルム１が移動する経路上に照射される光は、全て一定な間隔で照射されるので、光が均一に入射されることができる。
一方、図４を参照すれば、上述のように、開口部１４は、金属薄膜層１３にのみ形成することではなくて、マスク本体１２及び金属薄膜層１３を全て貫通して開口部１４を形成してもよい。
また、図５を参照すれば、本発明によるマスク１０は、光の直進度を向上させるために開口部１４の形状を変更することができる。すなわち、開口部１４は、一般的に対向する内壁にお互いに平行に形成されるが、下部に行くほどその幅が細くなるように形成してもよい。
また、本発明によるマスク１０は、開口部１４の内壁に光の全反射のための全反射層１５がコーティングされて光の直進度を向上させるように構成することができる。例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、金、白金などのような反射性物質を蒸着方式などで開口部１４の内壁にコーティングして形成することができる。
一方、図１に示したように、ジグ固定部１６は、曲面が形成されたマスク本体１２の両側を段差加工して形成する。また、前記ジグ固定部１６には、多数個の装着孔１７が形成され、ジグ(図示せず)にボルトのような締結具により装着される。
次に、図２を参照すれば、本発明による光学フィルタの製造装置は、露光のために光を発生させる光源と、前記光源の出射側に設置され、前記光源から発生した光を偏光させる偏光板３０と、上述したマスク１０と、を含む。
前記光源は、多様なものなどを使用することができ、本発明の実施例では、ＵＶランプ２０を使用することが好ましい。また、前記偏光板３０は、ワイヤグリッド偏光板(Ｗｉｒｅ Ｇｒｉｄ Ｐｏｌａｒｉｚｅｒ)を使用することが好ましい。ここで、前記偏光板３０は、マスク本体１２の平面に付着することができる。前記ＵＶランプ２０から照射された光は、偏光板３０で偏光され、開口部１４を貫通して基材フィルム１側に照射される。
また、本発明の実施例で基材フィルム１は、偏光パターンフィルム(ＦＰＲ：Ｆｉｌｍ Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｒｅｔａｒｄｅｒ)を使用することが好ましい。
一方、以上で説明した光学フィルタの製造装置は、３Ｄ装置(立体映像装置)に使用することが好ましい。したがって、本発明の光学フィルタの製造装置により３Ｄ光学フィルタを製造することが可能である。
以上、添付した図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形及び変更が可能であるので、上述した実施例及び添付された図面に限定されるものではない。

Claims (16)

  1. 曲面に沿って移動する基材フィルムにパターンを形成するロールツーロール(Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ)工程で使用されるマスクにおいて、
    前記基材フィルムが巻かれるロールと対向する面は、曲面で形成され、反対面は、平面で形成されるマスク本体を含むことを特徴とするマスク。
  2. 前記マスク本体の曲面と前記ロールの曲面は、一定な間隔を有することを特徴とする請求項１に記載のマスク。
  3. 前記マスク本体の曲面には、金属薄膜層が蒸着されることを特徴とする請求項１または２に記載のマスク。
  4. 前記金属薄膜層は、クロムまたはアルミニウム薄膜であることを特徴とする請求項３に記載のマスク。
  5. 前記金属薄膜層には、前記基材フィルムにパターンを形成するための一つ以上の開口部が形成されることを特徴とする請求項３または４に記載のマスク。
  6. 前記開口部は、レーザーダイレクトライティング方式により加工されることを特徴とする請求項５に記載のマスク。
  7. 前記開口部の内壁は、下部に行くほど幅が狭く形成されることを特徴とする請求項５または６に記載のマスク。
  8. 前記開口部の内壁には、光の直進度を高めるための全反射層が形成されることを特徴とする請求項５から７の何れか１項に記載のマスク。
  9. 前記マスク本体及び金属薄膜層には、前記基材フィルムにパターンを形成するための開口部が形成されることを特徴とする請求項３から８の何れか１項に記載のマスク。
  10. 前記マスク本体に形成された曲面は、前記ロールと同一な曲率を有することを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載のマスク。
  11. 前記基材フィルムとマスク本体は、１００μｍ以下の間隔で維持されることを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載のマスク。
  12. 前記マスク本体の両側に具備されてジグに固定されるジグ固定部を含むことを特徴とする請求項１から１１の何れか１項に記載のマスク。
  13. 前記ジグ固定部は、曲面が形成されたマスク本体の両側を段差形態で加工して形成し、前記ジグ固定部には、複数個の装着孔が形成されることを特徴とする請求項１２に記載のマスク。
  14. 曲面に沿って移動する基材フィルムにパターンを形成するロールツーロール(Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ)工程を利用した光学フィルタの製造装置であって、
    露光のために光を発生させる光源と、
    前記光源の出射側に設置され、前記光源から発生した光を偏光させる偏光板と、
    請求項１から請求項１３のいずれか一項によるマスクと、を含むことを特徴とする光学フィルタの製造装置。
  15. 前記光源は、ＵＶランプであることを特徴とする請求項１４に記載の光学フィルタの製造装置。
  16. 前記偏光板は、ワイヤグリッド偏光板(ＷＧＰ)であることを特徴とする請求項１４または１５に記載の光学フィルタの製造装置。
JP2014521570A 2011-07-21 2012-07-23 光学フィルタの製造装置 Active JP5774221B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2011-0072628 2011-07-21
KR20110072628 2011-07-21
KR1020120079540A KR101347552B1 (ko) 2011-07-21 2012-07-20 마스크 및 이를 포함하는 광학필터 제조장치
KR10-2012-0079540 2012-07-20
PCT/KR2012/005850 WO2013012299A2 (ko) 2011-07-21 2012-07-23 마스크 및 이를 포함하는 광학필터 제조장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014524053A true JP2014524053A (ja) 2014-09-18
JP5774221B2 JP5774221B2 (ja) 2015-09-09

Family

ID=47840795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014521570A Active JP5774221B2 (ja) 2011-07-21 2012-07-23 光学フィルタの製造装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8810776B2 (ja)
EP (1) EP2735906B1 (ja)
JP (1) JP5774221B2 (ja)
KR (1) KR101347552B1 (ja)
CN (1) CN103703418B (ja)
TW (1) TWI493279B (ja)
WO (1) WO2013012299A2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103119481B (zh) * 2010-07-26 2015-07-01 Lg化学株式会社 掩膜及包括该掩膜的滤光片制造设备
KR102096269B1 (ko) * 2016-03-31 2020-04-03 주식회사 엘지화학 포토 마스크 및 이를 이용한 컬러필터용 컬럼 스페이서의 제조방법
CN106773527A (zh) * 2016-12-28 2017-05-31 东旭科技集团有限公司 掩膜板、曝光机和玻璃基板的曝光方法
CN109407461B (zh) * 2018-10-26 2022-04-12 京东方科技集团股份有限公司 光掩模及其制作方法和制作显示器件的方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02160237A (ja) * 1988-12-14 1990-06-20 Nikon Corp マスク基板及びマスク製造方法、並びに該マスク基板を用いた露光方法
JPH0895231A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Olympus Optical Co Ltd 球面フォトマスクおよびパターン作製方法
JPH08222497A (ja) * 1995-02-09 1996-08-30 Nikon Corp 反射型マスク
JP2000241647A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Sony Corp 光学部品の製造装置およびその製造方法ならびに光学部品
JP2004006849A (ja) * 2000-07-24 2004-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置、液晶表示装置、ｅｌ表示装置、半導体薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法
JP2006126464A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Ushio Inc 偏光素子ユニット及び偏光光照射装置
JP2006201538A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法
JP2009265290A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Ushio Inc 光配向用偏光光照射装置
JP2010060681A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Hitachi Maxell Ltd リソグラフィ用のマスクの製造方法、表面加工方法、光学素子成形用の金型の製造方法および光学素子の製造方法
JP2010276998A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Fujifilm Corp パターン露光方法、導電膜の製造方法及び導電膜
JP2011069994A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toppan Printing Co Ltd 偏光露光装置
WO2012044077A2 (ko) * 2010-09-29 2012-04-05 동우화인켐 주식회사 노광 시스템

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5395718A (en) * 1992-11-18 1995-03-07 The Boeing Company Conformal photolithographic method and mask for manufacturing parts with patterned curved surfaces
US5650249A (en) * 1992-11-18 1997-07-22 The Boeing Company Method for making precision radomes
US6391502B1 (en) * 1998-09-23 2002-05-21 Pemstar, Inc. Photolithographic process for producing etched patterns on the surface of fine tubes, wires or other three dimensional structures
US6304316B1 (en) * 1998-10-22 2001-10-16 Anvik Corporation Microlithography system for high-resolution large-area patterning on curved surfaces
US6416908B1 (en) * 2000-06-29 2002-07-09 Anvik Corporation Projection lithography on curved substrates
WO2002009192A1 (en) * 2000-07-24 2002-01-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device, liquid crystal display device, el display device, semiconductor film producing method, and semiconductor device producing method
TW556044B (en) * 2001-02-15 2003-10-01 Sipix Imaging Inc Process for roll-to-roll manufacture of a display by synchronized photolithographic exposure on a substrate web
US9307648B2 (en) * 2004-01-21 2016-04-05 Microcontinuum, Inc. Roll-to-roll patterning of transparent and metallic layers
JP4224479B2 (ja) * 2005-09-07 2009-02-12 富士フイルム株式会社 パターン露光方法及び装置
KR100994017B1 (ko) * 2007-12-12 2010-11-11 주식회사 엘지화학 마스크를 이용한 패턴의 제조방법
JP2010152128A (ja) 2008-12-25 2010-07-08 Nikon Corp 撮像光学素子の製造方法
JP5656055B2 (ja) * 2009-09-29 2015-01-21 Ｎｌｔテクノロジー株式会社 光学素子の製造方法、光学素子用露光装置、光学素子、照明光学装置、表示装置、および電子機器
CN103119481B (zh) * 2010-07-26 2015-07-01 Lg化学株式会社 掩膜及包括该掩膜的滤光片制造设备

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02160237A (ja) * 1988-12-14 1990-06-20 Nikon Corp マスク基板及びマスク製造方法、並びに該マスク基板を用いた露光方法
JPH0895231A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Olympus Optical Co Ltd 球面フォトマスクおよびパターン作製方法
JPH08222497A (ja) * 1995-02-09 1996-08-30 Nikon Corp 反射型マスク
JP2000241647A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Sony Corp 光学部品の製造装置およびその製造方法ならびに光学部品
JP2004006849A (ja) * 2000-07-24 2004-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置、液晶表示装置、ｅｌ表示装置、半導体薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法
JP2006126464A (ja) * 2004-10-28 2006-05-18 Ushio Inc 偏光素子ユニット及び偏光光照射装置
JP2006201538A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法
JP2009265290A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Ushio Inc 光配向用偏光光照射装置
JP2010060681A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Hitachi Maxell Ltd リソグラフィ用のマスクの製造方法、表面加工方法、光学素子成形用の金型の製造方法および光学素子の製造方法
JP2010276998A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Fujifilm Corp パターン露光方法、導電膜の製造方法及び導電膜
JP2011069994A (ja) * 2009-09-25 2011-04-07 Toppan Printing Co Ltd 偏光露光装置
WO2012044077A2 (ko) * 2010-09-29 2012-04-05 동우화인켐 주식회사 노광 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
EP2735906A2 (en) 2014-05-28
KR101347552B1 (ko) 2014-01-10
TW201312258A (zh) 2013-03-16
KR20130011992A (ko) 2013-01-30
CN103703418A (zh) 2014-04-02
CN103703418B (zh) 2017-05-24
US8810776B2 (en) 2014-08-19
US20130301026A1 (en) 2013-11-14
WO2013012299A2 (ko) 2013-01-24
JP5774221B2 (ja) 2015-09-09
WO2013012299A3 (ko) 2013-04-11
EP2735906B1 (en) 2018-10-24
EP2735906A4 (en) 2015-03-18
TWI493279B (zh) 2015-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI486720B (zh) 光罩
JP5774221B2 (ja) 光学フィルタの製造装置
JP6025909B2 (ja) マスク及びこれを含む光学フィルタ製造装置
US20160356934A1 (en) Circular polarizer and fabricating method thereof, as well as display panel
KR20130023087A (ko) 편광 소자 유닛 및 이 편광 소자 유닛을 이용한 광조사 장치 및 편광 소자 유닛의 투과율 설정 방법
KR101945068B1 (ko) 패턴 위상차 필름의 제조 방법, 패턴 위상차 필름 및 화상 표시 장치
US20160153624A1 (en) Method of manufacturing light emitting element of fluorescent light source
JP5418559B2 (ja) パターン位相差フィルムの製造方法及びマスク
JP6500543B2 (ja) 偏光子、光配向装置、および光配向方法
JP2016133667A (ja) 偏光子、その製造方法および電子線照射装置
KR101294890B1 (ko) 광학필터 제조장치
JP6155767B2 (ja) パターン位相差フィルムの製造方法及びパターン位相差フィルムの露光装置
KR101236578B1 (ko) 마스크
JP2015049389A (ja) 光学フィルムの製造方法、露光装置及びマスク
JP2015049418A (ja) パターン位相差フィルムの製造方法、露光装置及びマスク
JP2014122970A (ja) パターン位相差フィルムの製造方法、露光装置及びマスク

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20150119

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150427

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150602

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150630

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5774221

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250