JP2010276998A - パターン露光方法、導電膜の製造方法及び導電膜 - Google Patents

パターン露光方法、導電膜の製造方法及び導電膜 Download PDF

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Abstract

【課題】モアレの発生を低減することができるパターン露光方法、導電膜の製造方法及び導電膜を提供する。
【解決手段】感光材料に対し70〜200μmのプロキシミティギャップを隔てて配置されたフォトマスクを介して、プロキシミティ露光を行い、マスクパターンを搬送方向に周期的な周期パターンとして感光材料に露光することで導電膜10を得る。導電膜10は、複数の導電性の金属細線にて構成された導電部12と複数の開口部14とを有する導電膜10において、第1金属細線12a及び第2金属細線12bの側部は、第1金属細線12a及び第2金属細線12bの設計幅Wcを示す仮想線mから開口部14に向かって張り出し、且つ、張出し量が設計幅Wcの1/25〜1/6である張出し部26が形成された形状を有する。
【選択図】図3

Description

本発明は、パターン露光方法、導電膜の製造方法及び導電膜に関し、さらに詳しくは、プロキシミティ露光によって感光材料に周期パターンを露光するパターン露光方法、該パターン露光方法を用いて導電膜を製造する導電膜の製造方法、及び導電膜に関する。
近年、様々な製造方法による導電膜が検討されている。この中で、ハロゲン化銀乳剤を塗布し、導電性のための銀の導電部と、透明性の確保のための開口部からなるようにパターン露光して、導電膜として製造される銀塩方式の導電膜がある(例えば、特許文献1、2参照)。この銀塩方式の導電膜の製造工程では、感光材料を連続搬送し、この感光材料に対し500μm以下のプロキシミティギャップを隔てて配置されたフォトマスクを介して、プロキシミティ露光を行い、該フォトマスクに設けられたマスクパターンを、搬送方向に周期的な周期パターンとして感光材料に露光することが知られている(例えば、特許文献3、4参照)。また導電膜としては、印刷方式による製造方法も知られている(例えば、特許文献5参照)。
特開2004−221564号公報 特開2004−221565号公報 特開2007−072171号公報 特開2007−102200号公報 特開2008−283042号公報
ところで、上述の特許文献3では、プロキシミティギャップを50〜550μmまで変化させた際の光回折による光強度分布のシミュレーションが行われている(段落[0126]参照)。このシミュレーション結果から、プロキシミティギャップが大きくなるほど光強度分布が広がってしまうことが分かる。特許文献3では、プロキシミティギャップLgが小さいほど露光品質に有利であるとの知見に基づいて、プロキシミティギャップLgを50μmに設定するようにしている。
しかしながら、上記特許文献3では、プロキシミティギャップを50〜550μmまで変化させた際の光回折による光強度分布のシミュレーションが行われたが、実際の導電膜の製造においては、プロキシミティギャップを50μmに設定して行っただけであり、50μm以外では行われなかった。
一方、銀塩方式の導電膜では、得られる導電膜に起因したモアレの発生が問題になっている。
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、モアレの発生が低減された導電膜を製造できるパターン露光方法及び導電膜の製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明の他の目的は、モアレの発生が低減された導電膜を提供することにある。
本発明者らは、鋭意検討を行った結果、導電膜のメッシュパターンの側壁部形状により、モアレが低減できることを見出し、さらに検討を重ねた。その結果、導電膜のメッシュパターンの側壁部形状とプロキシミティギャップとの間にモアレ低減の相関関係があることを見出した。すなわち、従来は、実際の導電膜の製造において、プロキシミティギャップを50μmに設定して行っただけであったが、上述の検討においては、50μmと異なるプロキシミティギャップに設定して導電膜を製造し、モアレ低減の効果を確認した。その結果、プロキシミティギャップを70〜200μmとすることでモアレが生じにくい導電膜が得られることがわかった。本発明は、上述の知見に基づいて完成されたものである。
[1] すなわち、第1の本発明に係るパターン露光方法は、帯状もしくはシート状の感光材料を連続搬送し、この感光材料に対し、70〜200μmのプロキシミティギャップを隔てて配置されたフォトマスクを介して、プロキシミティ露光を行い、該フォトマスクに設けられたマスクパターンを、搬送方向に周期的な周期パターンとして前記感光材料に露光することを特徴とする。
[2] 第1の本発明において、前記周期パターンは、複数の交差部を有するメッシュパターンであって、前記露光によって、前記感光材料に潜像として形成される前記交差部間の線状パターンの側部は、前記線状パターンの設計幅を示す仮想線から外方に張り出し、且つ、張出し量が設計幅の1/25〜1/6である張出し部が潜像として形成された形状を有することを特徴とする。
[3] 第2の本発明に係る導電膜の製造方法は、帯状もしくはシート状の感光材料を連続搬送する工程と、連続搬送される前記感光材料に対し、70〜200μmのプロキシミティギャップを隔てて配置されたフォトマスクを介して、プロキシミティ露光を行い、該フォトマスクに設けられたマスクパターンを、搬送方向に周期的な周期パターンとして前記感光材料に露光する露光工程と、露光された前記感光材料を現像して金属銀部を形成する金属銀部形成工程とを有することを特徴とする。
[4] 第2の本発明において、前記周期パターンは、複数の交差部を有するメッシュパターンであって、前記露光によって、前記感光材料に潜像として形成される前記交差部間の線状パターンの側部は、前記線状パターンの設計幅を示す仮想線から外方に張り出し、且つ、張出し量が設計幅の1/25〜1/6である張出し部が潜像として形成された形状を有することを特徴とする。
[5] 第2の本発明において、前記金属銀部にめっきを施すめっき工程をさらに有することを特徴とする。
[6] 第3の本発明に係る導電膜は、複数の導電性の金属細線にて構成された導電部と複数の開口部とを有する導電膜において、前記金属細線の側部は、前記金属細線の設計幅を示す仮想線から前記開口部に向かって張り出し、且つ、張出し量が設計幅の1/25〜1/6である張出し部が形成された形状を有することを特徴とする。
[7] 第3の本発明において、前記導電部と前記開口部の組み合わせ形状がメッシュ形状であって、前記導電部は、複数の導電性の金属細線にて構成された複数の交差部を有するメッシュパターンに形成されたことを特徴とする。
[8] 第3の本発明において、前記張出し量は、前記金属細線の設計幅を示す仮想線から張出し部の頂部に向かって法線を引いた場合に、該法線における前記張出し部の頂部までの長さであることを特徴とする。
[9] 第3の本発明において、前記張出し部は、アスペクト比(縦/横比)が1/5〜3/2である2以上の凸部を有することを特徴とする。
[10] 第3の本発明において、張出し部は、前記金属細線100μm当たり5個以上あることを特徴とする。
[11] 第3の本発明において、前記金属細線の側面に、該金属細線の延在方向に沿って、少なくとも2つの前記凸部が連続して形成されていることを特徴とする。
以上説明したように、本発明に係るパターン露光方法及び導電膜の製造方法によれば、モアレの発生が低減された導電膜を製造することができる。
また、本発明に係る導電膜によれば、モアレの発生を低減することができる。
本実施の形態に係る導電膜を一部省略して示す平面図である。 本実施の形態に係る導電膜を一部省略して示す断面図である。 本実施の形態に係る導電膜の交差部及び交差部間の金属細線を拡大して示す平面図である。 図4Aは金属細線の側部(張出し部)を示す説明図であり、図4Bは張出し部に含まれる凸部を示す説明図である。 図5Aは金属細線を設計幅どおりに形成した導電膜を一部省略して示す平面図であり、図5Bはその透過光の積分量を示す特性図である。 図6Aは銀塩感光層が塗布された感光材料を用意した状態を示す工程図であり、図6Bは銀塩感光層に対して、メッシュパターンの形成に必要な露光を行っている状態を示す工程図であり、図6Cは現像処理を行った状態を示す工程図であり、図6Dはメッシュパターンに従った金属銀部を形成した状態を示す工程図である。 本実施の形態に係る製造方法で使用される露光装置を示す構成図である。 マスク保持部を一部省略して示す概略構成図である。 露光装置による露光方法を示す動作概念図である。 露光装置による露光工程を示すフローチャートである。
以下、本発明に係るパターン露光方法、導電膜の製造方法及び導電膜の実施の形態例を図1〜図10を参照しながら説明する。
先ず、本実施の形態に係る導電膜10は、図1に示すように、複数の導電部12と複数の開口部14とを有し、導電部12と開口部14の組み合わせ形状がメッシュ形状Mとなっている。ここで、メッシュ形状Mとは、1つの開口部14と、該1つの開口部14を囲む4つの導電部12の組み合わせ形状をいう。なお、導電部12と開口部14の組み合わせ形状がメッシュ形状Mだけでなく、ストライプ形状としてもよい。ストライプ形状は、例えば後述する複数の第1金属細線12aだけが配列された形状や、複数の第2金属細線12bだけが配列された形状、あるいは、水平方向に延びる複数の金属配線が垂直方向に配列された形状、垂直方向に延びる複数の金属配線が水平方向に配列された形状等が考えられる。
この導電膜10は、図2に示すように、透明フイルム基材16と、該透明フイルム基材16上に形成された導電部12及び開口部14を備える。なお、本実施の形態に係る導電膜は、車両のデフロスタ(霜取り装置)、窓ガラス等の一部として使用可能で、電流を流すことで発熱し発熱シートとしても機能し、また、タッチパネル用電極、無機EL素子、有機EL素子あるいは太陽電池の電極、又はプリント基板としても使用することができる。
そして、図1に示すように、この導電膜10の導電部12は、一方向(図1においてx方向)に第1ピッチL1で並ぶ複数の第1金属細線12aと、他方向(図1においてy方向)に第2ピッチL2で並ぶ複数の第2金属細線12bとがそれぞれ交差して形成された金属メッシュパターン22を有する。なお、第1ピッチL1及び第2ピッチL2は、100μm以上6000μm以下から選択可能である。また、第1金属細線12a及び第2金属細線12bの線幅dは、200μm以下から選択可能である。もちろん、透明性を向上させたい場合は、50μm以下から選択してもよく、下限値は2μmである。
第1ピッチL1という表現は、全ての第1金属細線12aが一定間隔で並ぶことを示すが、一部の第1金属細線12aについて、第1ピッチL1の長さを変えてもよい。この場合、隣り合う第1金属細線12aの間隔と表現した方が適切となる。これは、第2金属細線12bについても同様である。従って、隣り合う第1金属細線12aの間隔並びに隣り合う第2金属細線12bの間隔は、100μm以上6000μm以下が好ましく、さらに好ましくは、150μm以上1000μm以下である。
つまり、導電部12は、複数の第1金属細線12aと複数の第2金属細線12bにて構成された多数の格子の交点(交差部24)を有する金属メッシュパターン22を有する。さらに、図3に拡大して示すように、交差部24間の第1金属細線12a及び第2金属細線12bの側面に、開口部14に向かって張り出し、且つ、図4Aに示すように、張出し量daが設計幅Wcの1/25〜1/6である張出し部26が形成されている。
ここで、設計幅Wcとは、複数の第1金属細線12aと複数の第2金属細線12bの目標とする線幅である。目標とする線幅は、主にフォトマスクの光が透過するスリットの幅により制御され、スリットの幅以外に感光材料の種類、現像処理、めっき処理等を総合して設定される。張出し部26は、第1金属細線12a及び第2金属細線12bの100μm当たり5個以上あること(片側のみ)が好ましく、10個以上あることが好ましい。張出し部26の個数は、両側においてほぼ同じであるので、片側が5個である場合には、両側では10個となる。張出し部26の個数が少ない場合には、モアレ抑止効果が不十分となる傾向がある。張出し部26の個数の上限値は50個である。
張出し量daは、図4Aに示すように、第1金属細線12a及び第2金属細線12bの設計幅Wcを示す仮想線mから張出し部26の頂部26aに向かって法線を引いた場合に、該法線の基点28から張出し部26の頂部26aまでの長さ(最大長さ)である。つまり、張出し部26は、設計幅Wcを示す仮想線mよりも開口部14に向かって張り出す部分を示し、アスペクト比(縦/横比)が1/5〜3/2である2以上の凸部30を有する。凸部30のアスペクト比は、図4Bに示すように、当該凸部30の両側に存する第1凹部32a及び第2凹部32bの底部を結んだ線分の長さをLx、該線分から当該凸部30の頂部30aにかけて法線を引いた場合に、該法線の起点34と凸部30の頂部30a間の長さをLyとしたとき、Ly/Lxをいう。この張出し量daは、本発明では主にプロキシミティギャップLgにより制御され、感光材料の種類、現像処理、めっき処理などを調整することでその形状を制御することができる。
特に、本実施の形態では、第1金属細線12a及び第2金属細線12bの側面に、一方の交差部24から他方の交差部24に向かって、少なくとも2つの凸部30が連続して形成されている。この場合、例えば第1金属細線12aの一方の側面に形成される凸部30の配列ピッチ、第1金属細線12aの他方の側面に形成される凸部30の配列ピッチはいずれも一定ではなく、それぞれランダムに配列された形態となっている。これは第2金属細線12bにおいても同様である。
また、各交差部24においても、図3に示すように、それぞれ4つの角部36(第1金属細線12aの側面と第2金属細線12bの側面とが交わる部分)から開口部14に向かって張り出し、且つ、1以上の凸部や凹部を有する張出し部26が形成されている。各角部36に形成される張出し部26の形状は一定ではなく、1以上の凸部や、あるいは1以上の凹部がランダムに形成された形状となっている。
ここで、図5Aに示すように、金属メッシュパターン22を構成する第1金属細線12a及び第2金属細線12bを設計幅Wcどおりに形成して、開口部14を透過する光の積分量をフイルムの一方の側面に投影させたときの分布をみたとき、交差部24以外の部分については、例えば仮想線A及びBに示すように、導電部12が同じ割合で分布しているため、図5Bに示すように、積分量はほぼ一定の値を示す。交差部24については、2つの導電部12が1つにまとまることから、その分、透過光の積分量が増えている(図5B参照)。しかも、積分量の増加部分が、交差部24の配列に従って、ある空間周波数をもって配列した形となっている。
このような特性を有する導電膜を用いて光学フィルタを構成し、さらに、プラズマディスプレイパネル(以下、PDPと記す)等に設置した場合、PDPの画素配列の空間周波数と上述した積分量の増加部分の空間周波数(透過光の空間周波数)の差周波に起因してモアレが生じることになる。
一方、本実施の形態では、交差部24間の第1金属細線12a及び第2金属細線12bの側壁形状が、開口部14に向かって張り出す張出し部26を有し、さらに、張出し部26に複数の凹凸がランダムに配列された形成された形状となっていることから、交差部24以外の部分についての透過光の積分量はほぼ一定値ではなく、ランダムに形成された前記複数の凹凸に応じて様々に変化することとなる。しかも、各交差部24の4つの角部36についても凹凸がランダムに形成された形状となっていることから、交差部24の透過光の積分量も場所によって変化することとなる。このようなことから、交差部24以外の透過光の積分量と、交差部24の透過光の積分量との間に規則性がなくなり、上述した積分量の増加部分が、ある空間周波数をもって配列される、ということが緩和されることとなる。その結果、導電部12と開口部14との組み合わせによる金属メッシュパターン22があたかも消滅したようになり、これにより、モアレの発生の低減につながる。
次に、上述した導電膜10を製造するための本実施の形態に係る導電膜の2つの製造方法(第1製造方法及び第2製造方法)について図6A〜図6Dを参照しながら説明する。なお、第2製造方法は図示を省略してある。
第1製造方法は、透明フイルム基材16上に設けられた銀塩感光層を露光し、現像、定着することによって形成された金属銀部にて金属メッシュパターン22を形成する。
具体的には、図6Aに示すように、ハロゲン化銀40(例えば臭化銀粒子、塩臭化銀粒子や沃臭化銀粒子)をゼラチン42に混ぜてなる銀塩感光層44が塗布された感光材料を用意する。なお、図6A〜図6Dでは、ハロゲン化銀40を「粒々」として表記してあるが、あくまでも本発明の理解を助けるために誇張して示したものであって、大きさや濃度等を示したものではない。
その後、図6Bに示すように、銀塩感光層44に対して、後に第1金属細線12aとなる第1線状パターン46a及び後に第2金属細線12bとなる第2線状パターン46bの形成に必要な露光を行う。ハロゲン化銀40は、光エネルギーを受けると感光して「潜像」と称される微小な銀核を生成し、第1線状パターン46a及び第2線状パターン46b(金属メッシュパターン22a)の潜像が形成される。この露光においては、後述するように、例えば図7に示すプロキシミティ露光装置(露光装置100)が用いられる。
金属メッシュパターン22aの潜像を肉眼で観察できる可視化された画像にするために、図6Cに示すように、現像処理を行う。具体的には、金属メッシュパターン22aの潜像が形成された銀塩感光層44を現像液(アルカリ性溶液と酸性溶液のどちらもあるが通常はアルカリ性溶液が多い)にて現像処理する。この現像処理とは、ハロゲン化銀粒子ないし現像液から供給された銀イオンが現像液中の現像主薬と呼ばれる還元剤により潜像銀核を触媒核として金属銀に還元されて、その結果として潜像銀核が増幅されて可視化された銀画像(現像銀48)を形成する。
現像処理を終えたあとに銀塩感光層44中には光に感光できるハロゲン化銀40が残存するのでこれを除去するために図6Dに示すように定着処理液(酸性溶液とアルカリ性溶液のどちらもあるが通常は酸性溶液が多い)により定着を行う。
この定着処理を行うことによって、露光された部位には金属銀部50が形成され、露光されていない部位にはゼラチン42のみが残存し、開口部14となる。すなわち、透明フイルム基材16上に金属銀部50(導電部12)と開口部14との組み合わせが形成されることになる。この段階で、金属銀部50による金属メッシュパターン22としてもよい。その後、めっき処理を行って、金属銀部50にめっきを施すようにして、金属銀部50とめっきとによる金属メッシュパターン22としてもよい。
そして、銀塩感光層44に対する露光にて使用されるフォトマスクとしては、後述するように、第1線状パターン46a及び第2線状パターン46bの潜像を形成するためのマスクパターンを有するフォトマスクが使用される。
次に、第2製造方法は、先ず、例えば透明フイルム基材上に形成された銅箔上にフォトレジスト膜を形成した感光材料を用意し、その後、感光材料のフォトレジスト膜に対して、後に第1金属細線となる第1線状パターンと後に第2金属細線となる第2線状パターンの形成に必要な露光を行う。フォトレジスト膜は光が照射された部分が硬化するネガ型のフォトレジスト膜を使用している。この段階で、金属メッシュパターンに沿ったメッシュパターンが形成される。これらの露光においても、後述する露光装置100が用いられる。
その後、露光済みのフォトレジスト膜を現像処理して、メッシュパターンに従ったレジストパターンを形成し、その後、レジストパターンから露出する銅箔をエッチングすることによって、金属メッシュパターンを形成する。
この場合も、フォトレジスト膜に対する露光にて使用されるフォトマスクとして、フォトレジスト膜に第1線状パターン及び第2線状パターンを形成するためのマスクパターンを有するフォトマスクが使用される。
ここで、本実施の形態に係る製造方法の露光工程で使用されるプロキシミティ露光装置(以下、露光装置100と記す)について図7〜図10を参照しながら説明する。
この露光装置100は、図7に示すように、長尺の感光材料102を供給するワーク供給部104と、感光材料102に第1線状パターン46a及び第2線状パターン46bによるメッシュパターン22aの潜像を形成する露光部106と、露光済みの感光材料102を巻き取るワーク巻取り部108と、複数本の感光材料102を連続して処理する際に、先に処理を終えた感光材料102の後端と、後続の感光材料102の先端とが接合されるワーク接合部110と、これらを統括的に制御する制御部112を備えている。
長尺の感光材料102は、透明フイルム基材16として、厚さt1=100μm、幅W0=650〜750mmの透明なPETフイルムが使用され、該PETフイルムの一方の面に銀塩感光層44(第1製造方法に対応)、又は銅箔及びフォトレジスト膜(第2製造方法に対応)が形成されており、100〜1000mの長さのものがロール状に巻かれてワーク供給部104にセットされる。
ワーク供給部104にセットされた感光材料102は、先端が引き出されて複数のローラに掛けられ、ワーク巻取り部108の巻取り用リール114に係止される。そして、搬送手段である巻取り用リール114及び露光ローラ116及び図示しない複数の駆動ローラが、モータ群118によって巻取り方向に回転されることにより、感光材料102は、ワーク供給部104からワーク巻取り部108に向かうワーク搬送方向Fに搬送される。この感光材料102のワーク搬送速度Vは、例えば、4m/分であるが、このワーク搬送速度Vは銀塩感光層44(又はフォトレジスト膜)の感度や露光光源のパワーに応じて最適値が設計される。
露光部106は、露光ローラ116の外周に配置されるフォトマスク120と、このフォトマスク120に光を照射する露光光源である照明部122とから構成されている。フォトマスク120は、例えば、厚みt2=4.5mm、ワーク搬送方向Fのマスク長さLa=200mm、ワーク搬送方向Fに直交するマスク幅Wa=800mmの透明なソーダガラスで形成されたマスク基板と、該マスク基板の一方の面に形成されるマスクパターンとからなる。
マスクパターンは、例えば黒色の遮光パターンに、マスクパターンの形状のスリットを形成して光が透過できるようにしたものである。また、マスクパターンは、上述した金属メッシュパターン22と同形状、同寸法であり、ワーク幅方向に沿ってクロム蒸着によりマスク基板上に形成されている。
フォトマスク120は、図8に示すマスク保持部130によって保持されている。マスク保持部130は、フォトマスク120を保持する保持枠132と、この保持枠132に保持されたフォトマスク120が、感光材料102との間にプロキシミティギャップLgを隔てて対面される露光位置と、感光材料102からプロキシミティギャップLg以上離されて隙間が形成される退避位置(図8中、二点鎖線で示す)との間で保持枠132を移動自在に支持する支持部134と、保持枠132を露光位置と退避位置との間で移動させる駆動部であるアクチュエータ136とから構成されている。
保持枠132は、フォトマスク120の外周を前後から挟み込んで保持する。保持枠132には、背面側から螺合されてフォトマスク120に当接する調節ネジ138が幅方向に複数箇所設けられている。これらの調節ネジ138は、プロキシミティギャップLgの幅方向微小ひずみに対する微調整を行う調整部であり、保持枠132への締め込み量を加減することによってフォトマスク120が調節ネジ138に押され、保持枠132内で移動して全幅でギャップが同じになるように、プロキシミティギャップLgが調整される。
支持部134は、保持枠132に取り付けられるスライドガイド140と、このスライドガイド140をスライド自在に支持するスライドレール142等からなり、保持枠132を露光位置と退避位置との間でスライド自在に支持する。アクチュエータ136は、保持枠132をスライドレール142上でスライドさせて露光位置と退避位置とに移動させる。プロキシミティギャップLgは、スライドレール142上の露光位置を決めるストッパの微調整により決定される。
アクチュエータ136は、支持部134に取り付けられ、移動子144がスライドガイド140に接続され、制御部112によって制御される。支持部134には、露光位置へ移動した際の位置再現性の高い高精度なものが用いられているため、保持枠132の移動によってプロキシミティギャップLgがずれることはない。
一方、照明部122は、図9に示すように、レーザ出力装置146と、このレーザ出力装置146から出力されたレーザ光147をコリメートして平行光にするコリメートレンズ148と、レーザ光147を反射する反射ミラー150と、走査手段であるポリゴンミラー152及び図示しないモータとから構成されている。
レーザ出力装置146は、例えば、出力60mWのシングルモード半導体レーザ出力装置であり、銀塩感光層44に合わせて波長が例えば405nmのレーザ光147を出力する。コリメートレンズ148は、例えば焦点距離3mmであり、入力されたレーザ光147を長軸=3.6mm、短軸=1.2mmの楕円形の射影形状を有する平行光に変換する。このレーザ光147は、長軸がワーク搬送方向Fに、短軸がワーク幅方向に沿うように、フォトマスク120に照射される。
次に、露光装置100によってメッシュパターン22aの潜像を露光する方法について図9を参照しながら説明する。
先ず、長尺の感光材料102は、図9中、矢印Fで示すワーク搬送方向に搬送され、この搬送中に照明部122からフォトマスク120にレーザ光147が照射される。フォトマスク120に照射されたレーザ光147は、マスクパターンのスリットを通って感光材料102に達し、周期長さが例えば424μmの周期パターンが搬送方向に沿って露光される。感光材料102とフォトマスク120との間には、例えば70〜200μmのプロキシミティギャップLgが設けられており、周期長さ分のワーク搬送に同期させてプロキシミティ露光を行うことにより、所定の周期パターンが露光される。本発明では、70〜200μmのプロキシミティギャップLgが設けられていることで、交差部24間の第1金属細線12a及び第2金属細線12bの側面に、開口部14に向かって張出し部26が形成され、それがモアレ防止に有効である。張出し部26は、感光材料の種類、現像処理、めっき処理などを調整することでその形状を最適化することができる。
さらに、銀塩感光層を有する感光材料を使用する場合、金属銀部50にめっきすることが好ましい。めっきにより張出し部26が太って強調されることで、モアレ防止の効果が大きくなる。
本実施の形態は、感光材料102を停止させずに連続搬送しながら、該マスクパターンが設けられたフォトマスク120を静止させた状態で、フォトマスク120の少なくとも1周期分のマスクパターンの全域をカバーする露光領域に周期的(例えば424μmの送りにあわせた周期)にプロキシミティ露光する。レーザ光147の1走査により、感光材料102には、ワーク搬送方向Fに周期パターン128aに対応するメッシュパターン22aが露光される。その間に、感光材料102はワーク搬送方向Fに周期長さ分搬送されているので、感光材料102上のすでに周期パターンに対応したパターンが露光された部分の上から、この部分がフォトマスク120を通過するときに、同じパターンがフォトマスク120越しに重ね露光される。このときのワーク搬送速度Vと露光周期Tとが同期されていれば、潜像に重ねて露光がなされるため、周期パターンに対応したパターンに乱れは生じない。これを順次繰り返していくことにより、1つの周期パターンに対して多重露光がなされることになる。
次に、上述した露光装置100による露光工程の概要について、図7の構成図及び図10のフローチャートを参照しながら説明する。
先ず、図10のステップS1において、感光材料102をワーク供給部104にセットする。感光材料102は、未露光の銀塩感光層44(又はフォトレジスト膜)が塗布された厚み=100μm、幅=650〜750mmの長尺フイルムからなり、100〜1000mの感光材料102がリールに巻かれてワーク供給部104にセットされる。一方、ワーク巻取り部108には巻取り用リール114がセットされ、感光材料102の先端が係止される。
この状態で、ステップS2において、照明部122は、レーザ出力装置146をオフ状態にしたまま、ポリゴンミラー152を回転する。
その後、ステップS3において、照明部122は、ポリゴンミラー152の回転数が設定された回転数に達したかを判別する。
ポリゴンミラー152の回転数が設定された回転数に達した段階で、次のステップS4に進み、感光材料102の搬送を開始する。
その後、ステップS5において、ワーク搬送速度Vが設定された速度に達したかを判別する。上述のように、ズレの無い多重露光を行うには、露光周期Tとワーク搬送速度Vとの間に一定の同期関係が必要である。また、露光周期Tとワーク搬送速度Vとを同期させるには、ポリゴンミラー152の回転数ωとワーク搬送速度Vとを同期させるのが最も簡単である。ワーク搬送速度Vと露光周期Tとの同期は、基準のクロックとして外部に例えば水晶発振器170(図7参照)を設け、制御部112は、このクロックを参照してすべての速度が所望の一定速度になるように制御する。これによって正確な同期を取ることができる。ポリゴンミラー152のスキャン開始信号は、ポリゴンミラー152によってスキャンされるレーザ光147をフォトダイオード等の光検出器によって検出した信号を使うか、もしくはポリゴンミラー152の制御信号で1面に1回出力されるパルス信号の立ち上がりを利用する。
ポリゴンミラー152の回転数ωとワーク搬送速度Vとが規定の条件(設定された速度)に達したら、次のステップS6に進み、照明部122のレーザ出力装置146は、レーザ光147を出力する。
なお、ポリゴンミラー152の回転数ωとワーク搬送速度Vとが同期してから露光を開始するのは、露光が適切に行われた部分とNG部分との識別を容易にするためである。ポリゴンミラー152の回転数ωとワーク搬送速度Vとが非同期の状態で露光を行ってもメッシュパターン22aの潜像は露光形成されるので、一見、良品のように見える場合も考えられ、目視による外観検査によりNG部分を抜き取る場合、ヒューマンエラーが必ず発生し、NG混入のリスクを伴う。そのため、予め同期状態に達したかどうかを制御部112でモニタしておき、非同期状態ではレーザ出力装置146を動作させず、露光しなければ、必ずNGと認識することができる。従って、運転スタート/ストップの非同期帯では自動的にレーザ光147を出力しないようになっている。
そして、ステップS7において、フォトマスク120を介して感光材料102にメッシュパターン22aの潜像を露光形成する。この露光は、上述したように複数回の多重露光によって行われる。
上述のステップS7での露光処理は、制御部112からエンド信号が出力されるまで繰り返される(ステップS8)。
露光済みの感光材料102は、ワーク巻取り部108に巻き取られる。ワーク供給部104の感光材料102が無くなると、ワーク供給部104から制御部112にエンド信号が入力され(ステップS8)、次のステップS9において、感光材料102の搬送が停止され、次いで、ステップS10において、ワーク接合部110にて感光材料102の端末がカットされ、ワーク供給部104にセットされる新しい感光材料102の先端とテープ接合される。
感光材料102の接合後、再びワーク搬送が開始されるが、接合部分が露光ローラ116を通過する際にマスク保持部130がフォトマスク120を退避位置に移動させるので、フォトマスク120と感光材料102の接合部分とが接触して損傷することはない。接合部分の通過後は、フォトマスク120は再現よく露光位置に復帰され、所定のプロキシミティギャップLgが設定される。なお、この接合部分の通過時にも、レーザ出力装置146をオフ状態にしておくことが好ましい。
ワーク搬送によって接合部分がワーク巻取り部108で巻き取られたら、一旦停止して、巻き取り終端部を固定し、カットして、巻き終わった端末を端末テープ止めする。巻き取られた製品を取り出し、新たに巻取り用リール114を供給してチャックした後、カットした感光材料102の先端を巻取り用リール114に係止する。露光工程が以上で一巡し、この繰り返しによって製品が生産される。
なお、上述の例は、1軸送り出し及び巻き取りを例に取って説明したが、送り出し、巻き取りをそれぞれ2軸にして、切り替え時間を稼ぐ構成としてもよいし、リザーバー等を構成して完全に無停止切換えを行うように構成すればロスは最小にできる。
露光工程で露光された感光材料102は、その後、現像工程に搬送され、現像されて金属銀部50による金属メッシュパターン22が形成され、本実施の形態に係る導電膜10が完成する。
上述の本実施の形態においては、帯状もしくはシート状の感光材料102を連続搬送し、この感光材料102に対し70〜200μmのプロキシミティギャップを隔てて配置されたフォトマスク120を介して、プロキシミティ露光を行い、該フォトマスク120に設けられたマスクパターンを、搬送方向に周期的な周期パターンとして感光材料102に露光するようにしたので、感光材料102に潜像として形成される交差部24間の第1線状パターン46a及び第2線状パターン46bの側部は、第1線状パターン46a及び第2線状パターン46bの設計幅Wcを示す仮想線から外方に張り出し、且つ、張出し量が設計幅Wcの1/25〜1/6である張出し部26が潜像として形成された形状を有することとなる。従って、現像工程を経て導電膜10としたとき、交差部24間の第1金属細線12a及び第2金属細線12bの側部は、第1金属細線12a及び第2金属細線12bの設計幅Wcを示す仮想線mから開口部14に向かって張り出し、且つ、張出し量daが設計幅wcの1/25〜1/6であって、アスペクト比(Ly/Lx)が1/5〜3/2の2以上の凸部30を有する張出し部26が形成されることになる。
すなわち、本実施の形態に係るパターン露光方法及び導電膜の製造方法においては、モアレの発生が低減された導電膜10を製造することができる。
次に、本実施の形態に係る導電膜10において、特に好ましい態様であるハロゲン化銀写真感光材料を用いる導電膜10の作製方法を中心にして述べる。
本実施の形態に係る導電膜10は、上述したように、透明フイルム基材16上に感光性ハロゲン化銀塩を含有する乳剤層を有する感光材料102を露光し、現像処理を施すことによって露光部及び未露光部に、それぞれ金属銀部50(導電部12)及び開口部14を形成することで製造することができる。
本実施の形態に係る導電膜10の形成方法は、感光材料102と現像処理の形態によって、次の3通りの形態が含まれる。
(1) 物理現像核を含まない感光性ハロゲン化銀黒白感光材料を化学現像又は熱現像して金属銀部50を該感光材料102上に形成させる態様。
(2) 物理現像核をハロゲン化銀乳剤層中に含む感光性ハロゲン化銀黒白感光材料を溶解物理現像して金属銀部50を該感光材料102上に形成させる態様。
(3) 物理現像核を含まない感光性ハロゲン化銀黒白感光材料と、物理現像核を含む非感光性層を有する受像シートを重ね合わせて拡散転写現像して金属銀部50を非感光性受像シート上に形成させる態様。
上記(1)の態様は、一体型黒白現像タイプであり、感光材料102上に電磁波シールドフイルムや光透過性導電膜等の透光性導電性膜が形成される。得られる現像銀は化学現像銀又は熱現像銀であり、高比表面のフィラメントである点で後続するめっき又は物理現像過程で活性が高い。
上記(2)の態様は、露光部では、物理現像核近縁のハロゲン化銀粒子が溶解されて現像核上に沈積することによって感光材料102上に透光性電磁波シールド膜や光透過性導電性膜等の透光性導電性膜が形成される。これも一体型黒白現像タイプである。現像作用が、物理現像核上への析出であるので高活性であるが、現像銀は比表面は小さい球形である。
上記(3)の態様は、未露光部においてハロゲン化銀粒子が溶解されて拡散して受像シート上の現像核上に沈積することによって受像シート上に電磁波シールドフイルムや光透過性導電性膜等の透光性導電性膜が形成される。いわゆるセパレートタイプであって、受像シートを感光材料102から剥離して用いる態様である。
いずれの態様もネガ型現像処理及び反転現像処理のいずれの現像を選択することもできる(拡散転写方式の場合は、感光材料102としてオートポジ型感光材料を用いることによってネガ型現像処理が可能となる)。
ここでいう化学現像、熱現像、溶解物理現像、拡散転写現像は、当業界で通常用いられている用語どおりの意味であり、写真化学の一般教科書、例えば菊地真一著「写真化学」(共立出版社、1955年刊行)、C.E.K.Mees編「The Theory of Photographic Processes, 4th ed.」(Mcmillan社、1977年刊行)に解説されている。
(感光材料102)
[透明フイルム基材16]
本実施の形態の製造方法に用いられる透明フイルム基材16としては、プラスチックフイルム等を用いることができる。
本実施の形態においては、透光性、耐熱性、取り扱い易さ及び価格の点から、上記プラスチックフイルムはポリエチレンテレフタレートフイルム又はトリアセチルセルロース(TAC)であることが好ましい。
窓ガラス用の透明発熱体では透光性が要求されるため、透明フイルム基材16の透光性は高いことが望ましい。この場合におけるプラスチックフイルムの全可視光透過率は70%以上が好ましく、さらに好ましくは85%以上であり、特に好ましくは90%以上である。また、本実施の形態では、前記プラスチックフイルムとして本発明の目的を妨げない程度に着色したものを用いることもできる。
透明フイルム基材16の厚みは、例えば、0.001mm(1.0μm)〜2.0mmから選択可能であるが、5〜350μmであることが好ましい。5〜350μmの範囲であれば、所望の可視光の透過率が得られ、且つ、取り扱いも容易である。また、上述したように、ロールに巻き付けた際の重量や接着、変形等を考慮した場合、透明フイルム基材16の厚みは200μm以下が好ましく、さらに好ましくは20μm以上180μm以下、最も好ましくは50μm以上120μm以下である。
[保護層]
用いられる感光材料102は、後述する乳剤層上に保護層を設けていてもよい。本実施の形態において「保護層」とは、ゼラチンや高分子ポリマーといったバインダからなる層を意味し、擦り傷防止や力学特性を改良する効果を発現するために感光性を有する乳剤層に形成される。
[乳剤層]
本実施の形態の製造方法に用いられる感光材料102は、透明フイルム基材16上に、光センサとして銀塩を含む乳剤層(銀塩感光層44)を有することが好ましい。本実施の形態における乳剤層には、銀塩のほか、必要に応じて、染料、バインダ、溶媒等を含有することができる。
本実施の形態で用いられる銀塩としては、ハロゲン化銀等の無機銀塩が好ましく、特に銀塩がハロゲン化銀写真感光材料用ハロゲン化銀粒子の形で用いられるのが好ましい。ハロゲン化銀は、光センサとしての特性に優れている。
乳剤層には、銀塩粒子を均一に分散させ、且つ、乳剤層と支持体との密着を補助する目的でバインダを用いることができる。本発明において、上記バインダとしては、非水溶性ポリマー及び水溶性ポリマーのいずれもバインダとして用いることができるが、水溶性ポリマーを用いることが好ましい。
上記バインダとしては、例えば、ゼラチン、ポリビニルアルコール(PVA)、ポリビニルピロリドン(PVP)、澱粉等の多糖類、セルロース及びその誘導体、ポリエチレンオキサイド、ポリサッカライド、ポリビニルアミン、キトサン、ポリリジン、ポリアクリル酸、ポリアルギン酸、ポリヒアルロン酸、カルボキシセルロース等が挙げられる。これらは、官能基のイオン性によって中性、陰イオン性、陽イオン性の性質を有する。
乳剤層中に含有されるバインダの含有量は、特に限定されず、分散性と密着性を発揮し得る範囲で適宜決定することができる。
上記乳剤層の形成に用いられる溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば、水、有機溶媒(例えば、メタノール等のアルコール類、アセトン等のケトン類、ホルムアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、酢酸エチル等のエステル類、エーテル類等)、イオン性液体、及びこれらの混合溶媒を挙げることができる。
本発明の乳剤層に用いられる溶媒の含有量は、前記乳剤層に含まれる銀塩、バインダ等の合計の質量に対して30〜90質量%の範囲であり、50〜80質量%の範囲であることが好ましい。
[金属銀部50]
金属銀部50の厚さは、透明フイルム基材16上に塗布される銀塩感光層44の塗布厚みに応じて適宜決定することができる。金属銀部50の厚さは、0.001mm〜0.2mmから選択可能であるが、30μm以下であることが好ましく、20μm以下であることがより好ましく、0.01〜9μmであることがさらに好ましく、0.05〜5μmであることが最も好ましい。また、金属銀部50はパターン状であることが好ましい。金属銀部50は1層でもよく、2層以上の重層構成であってもよい。金属銀部50がパターン状であり、且つ、2層以上の重層構成である場合、異なる波長に感光できるように、異なる感色性を付与することができる。これにより、露光波長を変えて露光すると、各層において異なるパターンを形成することができる。
[メッシュパターン22]
メッシュパターン22を構成する導電部12の線幅は、200μm(0.2mm)以下から選択可能であるが、透明発熱体の材料としての用途である場合、5μm以上50μm以下が好ましい。さらに好ましくは5μm以上30μm以下、最も好ましくは10μm以上25μm以下である。線間隔は50μm以上500μm以下であることが好ましく、さらに好ましくは200μm以上400μm以下、最も好ましくは250μm以上350μm以下である。また、導電部は、アース接続等の目的においては、線幅は20μmより広い部分を有していてもよい。
メッシュパターン22の開口部14は、導電膜10のうち導電部12以外の透光性を有する部分である。開口部14の透過率は、透明フイルム基材16の光吸収及び反射の寄与を除いた380〜780nmの波長領域における透過率の最小値で示される透過率が90%以上、好ましくは95%以上、さらに好ましくは97%以上であり、さらにより好ましくは98%以上であり、最も好ましくは99%以上である。
メッシュパターン22の開口率は、可視光透過率の点から85%以上であることが好ましく、90%以上であることがさらに好ましく、95%以上であることが最も好ましい。開口率とは、メッシュパターン22を構成する導電部12を除いた開口部14が全体に対して占める割合であり、例えば、線幅15μm、ピッチ300μmの正方形の格子状メッシュの開口率は、90%である。
また、メッシュパターン22は、3m以上連続していることが導電膜10の生産性を高く維持するのに好都合である。メッシュパターン22の連続数が多いほどその効果は大きく、従って、例えば透明発熱体を生産する場合のロスが低減できる優れた態様であるといえる。
連続して焼き付けられるメッシュパターン22の升目(メッシュ形状M)が多いと、ロール状にした場合にロール径が大きくなる、ロールの重量が重くなる、ロールの中心部の圧力が強くなり接着や変形等の問題を生じ易くなる等の理由で2000m以下であることが好ましい。好ましくは3m以上、より好ましくは100m以上1000m以下、さらに好ましくは200m以上800m以下、最も好ましくは300m以上500m以下である。
[接着剤層]
本実施の形態に係る導電膜10は、窓ガラス等に接着剤層を介して貼着するようにしてもよい。
次に、導電性フイルム作製の各工程について説明する。
[露光]
上述した露光装置100にて露光を行うことが好ましい。なお、露光装置100については、詳述したので、ここではその説明を省略する。
[現像処理]
本実施の形態では、乳剤層を露光した後、さらに現像処理が行われる。現像処理は、銀塩写真フイルムや印画紙、印刷製版用フイルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる通常の現像処理の技術を用いることができる。
本実施の形態における現像処理は、未露光部分の銀塩を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を含むことができる。本実施の形態における定着処理は、銀塩写真フイルムや印画紙、印刷製版用フイルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる定着処理の技術を用いることができる。
現像、定着処理を施した感光材料は、水洗処理や安定化処理を施されるのが好ましい。
現像処理後の露光部に含まれる金属銀の質量は、露光前の露光部に含まれていた銀の質量に対して50質量%以上の含有率であることが好ましく、80質量%以上であることがさらに好ましい。露光部に含まれる銀の質量が露光前の露光部に含まれていた銀の質量に対して50質量%以上であれば、高い導電性を得ることができるため好ましい。
[物理現像及びめっき処理]
本実施の形態では、前記露光及び現像処理により形成された金属銀部50の導電性を高める目的で、金属銀部50にさらに導電性金属粒子を担持させるための物理現像及び/又はめっき処理を行ってもよい。本実施の形態では物理現像又はめっき処理のいずれか一方のみで導電性金属粒子を金属銀部50に担持させることが可能であるが、さらに物理現像とめっき処理とを組み合わせて導電性金属粒子を金属銀部50に担持させることもできる。
メッシュパターン22を構成する導電部12は、透明発熱体の用途としては、薄いほど窓ガラスの視野角が広がるため好ましく、発熱効率の点で薄膜化が要求される。このような観点から、導電性金属粒子からなる層の厚さは、9μm未満であることが好ましく、0.1μm以上5μm未満であることがより好ましく、0.1μm以上3μm未満であることがさらに好ましい。
本実施の形態では、上述した銀塩感光層44の塗布厚みをコントロールすることにより所望の厚さの金属銀部50を形成し、さらに物理現像及び/又はめっき処理により導電性金属粒子からなる層の厚みを自在にコントロールできるため、5μm未満、好ましくは3μm未満の厚みを有する導電膜10であっても容易に形成することができる。
なお、従来のエッチングを用いた方法では、金属薄膜の大部分をエッチングで除去、廃棄する必要があったが、本実施の形態では必要な量だけの導電性金属を含むパターンを透明フイルム基材16上に設けることができるため、必要最低限の金属量だけを用いればよく、製造コストの削減及び金属廃棄物の量の削減という両面から利点がある。
以下に、本発明の実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下の実施例に示される材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
(ハロゲン化銀感光材料)
水媒体中のAg60gに対してゼラチン10.0gを含む、球相当径平均0.1μmの沃臭塩化銀粒子(I=0.2モル%、Br=40モル%)を含有する乳剤を調製した。
また、この乳剤中にはK3Rh2Br9及びK2IrCl6を濃度が10-7(モル/モル銀)になるように添加し、臭化銀粒子にRhイオンとIrイオンをドープした。この乳剤にNa2PdCl4を添加し、さらに塩化金酸とチオ硫酸ナトリウムを用いて金硫黄増感を行った後、ゼラチン硬膜剤と共に、銀の塗布量が1g/m2となるようにポリエチレンテレフタレート(PET)上に塗布した。この際、Ag/ゼラチン体積比は1/2とした。
幅30cmのPET支持体に25cmの幅で20m分塗布を行い、塗布の中央部24cmを残すように両端を3cmずつ切り落としてロール状のハロゲン化銀感光材料を得た。
(露光)
ハロゲン化銀感光材料の露光は、上述した露光装置100を用いて行った。すなわち、連続搬送されるハロゲン化銀感光材料に対し、所定のプロキシミティギャップを隔てて配置されたフォトマスク120を介して、プロキシミティ露光を行った。露光の波長は400nmで、ビーム形は12μmの略正方形、及びレーザ光源の出力は100μJであった。
露光のパターン(メッシュパターン22)は12μmの升目(メッシュ形状M)が45度の格子状にピッチが300μm間隔で幅24cm長さ10m連続するように行った。
(現像処理)
・現像液1L処方
ハイドロキノン 20 g
亜硫酸ナトリウム 50 g
炭酸カリウム 40 g
エチレンジアミン・四酢酸 2 g
臭化カリウム 3 g
ポリエチレングリコール2000 1 g
水酸化カリウム 4 g
pH 10.3に調整
・定着液1L処方
チオ硫酸アンモニウム液(75%) 300 ml
亜硫酸アンモニウム・1水塩 25 g
1,3−ジアミノプロパン・四酢酸 8 g
酢酸 5 g
アンモニア水(27%) 1 g
pH 6.2に調整
上記処理剤を用いて露光済み感材を、富士フイルム社製自動現像機 FG−710PTSを用いて処理条件:現像35℃ 30秒、定着34℃ 23秒、水洗 流水(5L/分)の20秒処理で行って導電膜の各試料を得た。
ランニング条件として、感材の処理量を100m2/日で現像液の補充を500ml/m2、定着液を640ml/m2で3日間行った。
(比較例1〜3)
ここで、下記表1に示すように、比較例1は、プロキシミティ露光のプロキシミティギャップLgを30μmとし、比較例2は50μm、比較例3は220μmとした。
(実施例1〜5)
下記表1に示すように、実施例1は、プロキシミティ露光のプロキシミティギャップLgを70μmとし、実施例2は100μm、実施例3は150μm、実施例4は180μm、実施例5は200μmとした。
[評価]
(金属細線の張出し量の設計幅に対する比率)
導電膜10の金属細線を上面から見た画像を撮像装置にて取り込み、画像認識ソフトを使用して金属細線の最大幅Wmを測定し、設計幅Wcと下記式に基づいて、金属細線の張出し量の設計幅に対する比率を算出した。
比率={(Wm−Wc)/2}/Wc
(金属細線のパターンぼけの有無)
形成された金属細線の平均幅が設計幅よりも小さい場合に、パターンぼけ「有り」とし、金属細線の平均幅が設計幅よりも大きい場合に、パターンぼけ「なし」とした。
(モアレの評価)
表面の電磁波シールドフイルムを外した松下電器製PDP(TH−42PX300)を準備し、その上に得られた導電膜10を設置するための回転盤を配置する。回転盤は厚さ5mmのガラスでできており、PDP前面板を模している。さらに、角度目盛がついており、設置した導電膜10のバイアス角がわかるようになっている。PDPに電源を入れ、PDPのHDMI端子とパターンジェネレータ(ASTROVG828D)を接続する。パターンジェネレータから出力値最大の白色255信号をPDPへ送る。導電膜10が撓まないようにテープで回転盤の上に固定する。部屋を暗室にし、回転盤をバイアス角−45°〜+45°の間で回転し、モアレの目視観察・評価を行った。モアレの視認性はPDPの正面から観察距離1.5mで行い、モアレが顕在化しなかった場合を◎、モアレが問題のないレベルでほんの少し見られた場合を○、モアレが顕在化した場合を×として、各バイアス角度を評価した。総合評点として、◎となる角度範囲が20°以上の場合をA、◎となる角度範囲が10°以上20°未満の場合はB、◎となる角度範囲が10°未満の場合はC、◎となる角度範囲が無く、×となる角度範囲が10°未満の場合はD、◎となる角度範囲が無く、×となる角度範囲が10°以上ある場合をEとした。
(評価結果)
評価結果を以下の表1に示す。
Figure 2010276998
張出し部個数とは、金属細線100μmにおける片側のみの個数である。1cm2の導電膜から5箇所の金属細線100μmを決め、その金属細線100μmにおける片側のみの個数を数えてその平均値から求めることができる。なお、比較例1において、張出し部個数が「なし」となっているのは、張出し量の設計幅に対する比率が1/40であり、張出し部26が無視できる程度に小さいことを示している。
表1に示すように、比較例1、2及び実施例1〜5は、いずれもパターンぼけがなかったが、比較例3は、露光量が少なく、パターンぼけを生じていた。
また、金属細線の張出し量の設計幅に対する比率については、比較例1は1/40、比較例2は1/30であった。実施例1〜5は、いずれも1/25〜1/6の範囲に入っていた。なお、比較例3は、パターンぼけが顕著で、比率を求めることはできなかった。
モアレについては、実施例2が「A」の評価であって、ほとんどモアレが顕在していなかった。実施例1、3〜5は「B」の評価であり、実施例2ほどではないが、ほとんどモアレが顕在していなかった。一方、比較例1及び3は共に「E」の評価で、モアレが顕著であった。比較例2は、モアレは顕著でなかったが、実施例1、3〜5ほどではなかった。
なお、実施例1〜5においては、いずれも張出し部にアスペクト比が1/5〜3/2である複数の凸部がランダムに配列されているのが確認された。
なお、本発明に係るパターン露光方法、導電膜の製造方法及び導電膜は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
10…導電膜 12…導電部
12a…第1金属細線 12b…第2金属細線
14…開口部 16…透明フイルム基材
22…金属メッシュパターン 24…交差部
26…張出し部 26a…頂部
30…凸部 36…角部
44…銀塩感光層 46a…第1線状パターン
46b…第2線状パターン 50…金属銀部
100…露光装置 102…感光材料
120…フォトマスク Lg…プロキシミティギャップ

Claims (11)

  1. 帯状もしくはシート状の感光材料を連続搬送し、この感光材料に対し70〜200μmのプロキシミティギャップを隔てて配置されたフォトマスクを介して、プロキシミティ露光を行い、該フォトマスクに設けられたマスクパターンを、搬送方向に周期的な周期パターンとして前記感光材料に露光することを特徴とするパターン露光方法。
  2. 請求項1記載のパターン露光方法において、
    前記周期パターンは、複数の交差部を有するメッシュパターンであって、
    前記露光によって、前記感光材料に潜像として形成される前記交差部間の線状パターンの側部は、前記線状パターンの設計幅を示す仮想線から外方に張り出し、且つ、張出し量が設計幅の1/25〜1/6である張出し部が潜像として形成された形状を有することを特徴とするパターン露光方法。
  3. 帯状もしくはシート状の感光材料を連続搬送する工程と、
    連続搬送される前記感光材料に対し、70〜200μmのプロキシミティギャップを隔てて配置されたフォトマスクを介して、プロキシミティ露光を行い、該フォトマスクに設けられたマスクパターンを、搬送方向に周期的な周期パターンとして前記感光材料に露光する露光工程と、
    露光された前記感光材料を現像して金属銀部を形成する金属銀部形成工程とを有することを特徴とする導電膜の製造方法。
  4. 請求項3記載の導電膜の製造方法において、
    前記周期パターンは、複数の交差部を有するメッシュパターンであって、
    前記露光によって、前記感光材料に潜像として形成される前記交差部間の線状パターンの側部は、前記線状パターンの設計幅を示す仮想線から外方に張り出し、且つ、張出し量が設計幅の1/25〜1/6である張出し部が潜像として形成された形状を有することを特徴とする導電膜の製造方法。
  5. 請求項3記載の導電膜の製造方法において、
    前記金属銀部にめっきを施すめっき工程をさらに有することを特徴とする導電膜の製造方法。
  6. 複数の導電性の金属細線にて構成された導電部と複数の開口部とを有する導電膜において、
    前記金属細線の側部は、前記金属細線の設計幅を示す仮想線から前記開口部に向かって張り出し、且つ、張出し量が設計幅の1/25〜1/6である張出し部が形成された形状を有することを特徴とする導電膜。
  7. 請求項6記載の導電膜において、
    前記導電部と前記開口部の組み合わせ形状がメッシュ形状であって、
    前記導電部は、複数の導電性の金属細線にて構成された複数の交差部を有するメッシュパターンに形成されたことを特徴とする導電膜。
  8. 請求項6又は7記載の導電膜において、
    前記張出し量は、前記金属細線の設計幅を示す仮想線から張出し部の頂部に向かって法線を引いた場合に、該法線における前記張出し部の頂部までの長さであることを特徴とする導電膜。
  9. 請求項6〜8のいずれか1項に記載の導電膜において、
    前記張出し部は、アスペクト比(縦/横比)が1/5〜3/2である2以上の凸部を有することを特徴とする導電膜。
  10. 請求項6〜9のいずれか1項に記載の導電膜において、
    張出し部は、前記金属細線100μm当たり5個以上あることを特徴とする導電膜。
  11. 請求項6記載の導電膜において、
    前記金属細線の側面に、該金属細線の延在方向に沿って少なくとも2つの前記凸部が連続して形成されていることを特徴とする導電膜。
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CN2010101934091A CN101900950A (zh) 2009-05-29 2010-05-28 图形曝光方法、导电膜制造方法和导电膜
US12/790,378 US8383329B2 (en) 2009-05-29 2010-05-28 Pattern exposure method, conductive film producing method, and conductive film
KR1020100050306A KR20100129230A (ko) 2009-05-29 2010-05-28 패턴 노광 방법, 도전막 제조 방법, 및 도전막
US13/741,818 US8852728B2 (en) 2009-05-29 2013-01-15 Conductive film

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103207525A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 一种微影制作方法
JP2014524053A (ja) * 2011-07-21 2014-09-18 エルジー・ケム・リミテッド マスク及びこれを含む光学フィルタの製造装置
JP2018101363A (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 トッパン・フォームズ株式会社 透明導電性基板
US10198132B2 (en) 2013-08-30 2019-02-05 Fujifilm Corporation Electroconductive film and method for manufacturing same
JP2022111005A (ja) * 2021-01-18 2022-07-29 朗色林科技股▲フン▼有限公司 ピコスコピックスケール/ナノスコピックスケールの回路パターンを作製する方法

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6034304B2 (ja) 2011-02-02 2016-11-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 暗化した導体トレースを備えるパターン付き基材
US8933906B2 (en) 2011-02-02 2015-01-13 3M Innovative Properties Company Patterned substrates with non-linear conductor traces
DE102011111506B4 (de) 2011-08-31 2017-05-18 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Kunststofffolie und Touchsensor
CN102340901A (zh) * 2011-10-24 2012-02-01 北京青云创新科技发展有限公司 导电薄膜及加热玻璃
US9302452B2 (en) 2012-03-02 2016-04-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Transparent laminates comprising inkjet printed conductive lines and methods of forming the same
US10513081B1 (en) 2013-12-10 2019-12-24 Wells Fargo Bank, N.A. Method of making a transaction instrument
US10380476B1 (en) 2013-12-10 2019-08-13 Wells Fargo Bank, N.A. Transaction instrument
US10479126B1 (en) 2013-12-10 2019-11-19 Wells Fargo Bank, N.A. Transaction instrument
US10354175B1 (en) 2013-12-10 2019-07-16 Wells Fargo Bank, N.A. Method of making a transaction instrument
KR102195039B1 (ko) 2014-07-02 2020-12-24 동우 화인켐 주식회사 터치 패널 전극 구조체 및 그의 제조 방법
KR101671496B1 (ko) 2014-12-29 2016-11-01 주식회사 케이씨텍 약액 처리 장치
US9986669B2 (en) * 2015-11-25 2018-05-29 Ppg Industries Ohio, Inc. Transparency including conductive mesh including a closed shape having at least one curved side
CN109725753B (zh) * 2017-10-27 2022-08-02 苏州维业达触控科技有限公司 透明导电膜及显示装置
US10482365B1 (en) 2017-11-21 2019-11-19 Wells Fargo Bank, N.A. Transaction instrument containing metal inclusions
KR102117950B1 (ko) * 2018-11-08 2020-06-02 계명대학교 산학협력단 바이오센서용 전극 제조방법 및 그 바이오센서용 전극
US11745702B2 (en) 2018-12-11 2023-09-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Coating including electrically conductive lines directly on electrically conductive layer
CN113835545A (zh) 2020-06-24 2021-12-24 瀚宇彩晶股份有限公司 光罩及电子装置
KR102261737B1 (ko) * 2020-12-24 2021-06-07 주식회사 창성시트 메탈 패턴 형성 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006025266A1 (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Toray Industries, Inc. ディスプレイ用部材の露光方法およびプラズマディスプレイ用部材の製造方法
JP2007072171A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Fujifilm Corp パターン露光方法及び装置
JP2009252868A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Bridgestone Corp 光透過性電磁波シールド材及びその製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4641719B2 (ja) 2002-12-27 2011-03-02 富士フイルム株式会社 透光性電磁波シールド膜の製造方法及び透光性電磁波シールド膜
JP4807934B2 (ja) 2002-12-27 2011-11-02 富士フイルム株式会社 透光性電磁波シールド膜およびその製造方法
JP4861778B2 (ja) 2005-09-08 2012-01-25 富士フイルム株式会社 パターン露光方法及び装置
JP5151242B2 (ja) 2007-05-11 2013-02-27 凸版印刷株式会社 光透過性電磁波シールド部材の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006025266A1 (ja) * 2004-08-30 2006-03-09 Toray Industries, Inc. ディスプレイ用部材の露光方法およびプラズマディスプレイ用部材の製造方法
JP2007072171A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Fujifilm Corp パターン露光方法及び装置
JP2009252868A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Bridgestone Corp 光透過性電磁波シールド材及びその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014524053A (ja) * 2011-07-21 2014-09-18 エルジー・ケム・リミテッド マスク及びこれを含む光学フィルタの製造装置
CN103207525A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 一种微影制作方法
US10198132B2 (en) 2013-08-30 2019-02-05 Fujifilm Corporation Electroconductive film and method for manufacturing same
JP2018101363A (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 トッパン・フォームズ株式会社 透明導電性基板
JP2022111005A (ja) * 2021-01-18 2022-07-29 朗色林科技股▲フン▼有限公司 ピコスコピックスケール/ナノスコピックスケールの回路パターンを作製する方法

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