CN101900950A - 图形曝光方法、导电膜制造方法和导电膜 - Google Patents

图形曝光方法、导电膜制造方法和导电膜 Download PDF

Info

Publication number
CN101900950A
CN101900950A CN2010101934091A CN201010193409A CN101900950A CN 101900950 A CN101900950 A CN 101900950A CN 2010101934091 A CN2010101934091 A CN 2010101934091A CN 201010193409 A CN201010193409 A CN 201010193409A CN 101900950 A CN101900950 A CN 101900950A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conducting film
photosensitive material
bellying
exposure
metal fine
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN2010101934091A
Other languages
English (en)
Inventor
松田豊美
须藤淳
马场友纪
三桥大助
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Publication of CN101900950A publication Critical patent/CN101900950A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274—Photolithographic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
    • H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
    • H05K3/106—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam by photographic methods
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393—Flexible materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0108—Transparent
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09681—Mesh conductors, e.g. as a ground plane
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/05—Patterning and lithography; Masks; Details of resist
    • H05K2203/0548—Masks
    • H05K2203/056—Using an artwork, i.e. a photomask for exposing photosensitive layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/15—Position of the PCB during processing
    • H05K2203/1545—Continuous processing, i.e. involving rolls moving a band-like or solid carrier along a continuous production path
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
    • Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/249921—Web or sheet containing structurally defined element or component
    • Y10T428/249953—Composite having voids in a component [e.g., porous, cellular, etc.]
    • Y10T428/249967—Inorganic matrix in void-containing component
    • Y10T428/24997—Of metal-containing material

Abstract

提供了一种图形曝光方法、导电膜制造方法和导电膜，其中，感光材料借助于布置在70至200μm的贴近间隙内的光掩模经受接近式曝光，并且因此而在掩模图形中沿传送方向周期性地曝光以获得导电膜(10)。导电膜(10)具有多个由第一和第二导电金属细线(12a，12b)形成的导电部分(12)和多个开口部分(14)。每个金属细线(12a，12b)的侧面具有从表示金属细线(12a，12b)设计宽度(Wc)的假想线(m)朝向开口部分(14)延伸的鼓出部(26)，并且鼓出部(26)的鼓出量(da)为设计宽度(Wc)的1/25至1/6。

Description

图形曝光方法、导电膜制造方法和导电膜
技术领域
本发明涉及图形曝光方法、导电膜制造方法和导电膜，尤其涉及包含以周期图形进行接近式曝光感光材料的图形曝光方法、采用该图形曝光方法的导电膜制造方法和导电膜。
背景技术
近年来，由各种制造方法获得的导电膜被考察。在这些膜中，一种银盐型导电膜被如下制造，即对涂布的卤化银乳剂进行图形曝光以形成确保导电性的导电银部分和确保透明性的开口部分(参看，例如日本公开专利文献No.2004-221564和2004-221565)。在一种公知的银盐型导电膜制造方法中，感光材料被连续传送，借助于相对于感光材料500μm或以下的贴近间隙(proximity gap)布置的光掩模经受接近式曝光(proximity exposure)，并且因此而沿传送方向周期性地在掩模图形中曝光(参看，例如日本公开专利文献No.2007-072171和2007-102200)。此外，由印刷方法制造的导电膜也是已知的(参看，例如日本公开专利文献No.2008-283042)。
在上述日本公开专利文献No.2007-072171中，对50至550μm范围内的拟贴近间隙变化进行了模拟，以研究贴近间隙和因光衍射而产生的光强度分布之间的关系(参看段落[0126])。从模拟结果可以清楚地看到，随着贴近间隙增大，光强度分布加宽。在日本公开专利文献No.2007-072171中，发现从曝光质量的角度看，较小的贴近间隙是优选的，并且基于该发现，50μm的贴近间隙Lg被选择。
然而，在日本公开专利文献No.2007-072171中，尽管对50至550μm范围内的贴近间隙变化进行了模拟，以评价因光衍射而产生的光强度分布，但当导电膜在实际制造中，贴近间隙仅被设置为50μm，而非50μm以外的距离。
另外，银盐型导电膜具有在制品中产生摩尔纹(moire)的缺点。
发明内容
考虑到上述问题，本发明的目的是提供一种图形曝光方法和导电膜制造方法。其能够以减少的摩尔纹制造导电膜。
本发明的另一目的是提供一种导电膜，其具有减少的摩尔纹。
通过锐意研制，发明人发现，通过控制导电膜中的网格图形侧壁形状，摩尔纹可被减少。作为进一步研究的结果，发明人发现贴近间隙与导电膜中的网格图形的侧壁形状之间存在摩尔纹减少关系。在传统方法中，当用于实际制造导电膜时贴近间隙仅被设置在50μm。与此不同，在上述研究中，各种其它贴近间隙被用于制造导电膜，并且摩尔纹减少效果被评价。结果，发现通过将贴近间隙设置为70至200μm，可制造出难以产生摩尔纹的导电膜。本发明是基于这些发现得出的。
[1]根据本发明第一方面的图形曝光方法包括下述步骤：
连续传送带状或片状感光材料，和
借助于布置在与感光材料相距70至200μm的贴近间隙内的光掩模使感光材料经受接近式曝光，从而以对应于光掩模的掩模图形且沿传送方向周期性地重复的周期图形曝光感光材料。
[2]在根据第一方面的图形曝光方法中，通过曝光，潜像以网格图形的形式形成在感光材料上，
网格图形具有多个交叉部和分布在其间的线，
所述线的侧面具有从表示所述线的设计宽度假想线向外延伸的鼓出部，并且
鼓出部的鼓出量为设计宽度的1/25至1/6。
[3]根据本发明第二方面的导电膜制造方法包括下述步骤：
连续传送带状或片状感光材料，
借助于布置在与感光材料相距70至200μm的贴近间隙内的光掩模使感光材料经受接近式曝光，从而以对应于光掩模的掩模图形且沿传送方向周期性地重复的周期图形曝光感光材料，以及
对曝光的感光材料进行显影以形成金属银部分。
[4]在根据第二方面的导电膜制造方法中，通过曝光，潜像以网格图形的形式形成在感光材料上，
网格图形具有多个交叉部和分布在其间的线，
所述线的侧面具有从表示所述线的设计宽度的假想线向外延伸的鼓出部，并且
鼓出部的鼓出量为设计宽度的1/25至1/6。
[5]根据第二方面的导电膜制造方法进一步包括下述步骤：对金属银部分进行镀层(电镀)处理。
[6]根据本发明第三方面的导电膜包括多个由导电金属细线形成的导电部分和多个开口部分，其中，
金属细线的侧面具有从表示金属细线设计宽度的假想线朝向开口部分延伸的鼓出部，并且
鼓出部的鼓出量为设计宽度的1/25至1/6。
[7]在根据第三方面的导电膜中，导电部分和开口部分的组合体具有网格形状，并且
导电部分以网格图形的形式形成，网格图形具有导电金属细线的多个交叉部。
[8]在根据第三方面的导电膜中，鼓出量是从表示金属细线设计宽度的假想线至鼓出部顶部沿着从假想线延伸至所述顶部的法线测量的长度。
[9]在根据第三方面的导电膜中，鼓出部具有两个或更多凸部，所述凸部的高宽比(竖直尺寸与水平尺寸的比率)为1/5至3/2。
[10]在根据第三方面的导电膜中，鼓出部的数量为每100μm金属细线5或以上。
[11]在根据第三方面的导电膜中，至少两个凸部在金属细线的侧面上沿金属细线的延伸方向连续形成。
如前所述，本发明的图形曝光方法和导电膜制造方法能够以减少的摩尔纹制造导电膜。
此外，本发明的导电膜呈现出减少的摩尔纹。
通过下面结合显示了附图所作描述，本发明的上述以及其它目的和特征可以清楚地展现出来，附图中以代表例的方式显示了本发明的优选实施方式。
附图说明
图1是局部省略的俯视图，显示了根据本发明实施方式的导电膜；
图2是局部省略的剖视图，显示了该实施方式的导电膜；
图3是放大俯视图，显示了该实施方式的导电膜中的交叉部和分布在其间的金属细线；
图4A是说明图，显示了金属细线的侧面(鼓出部)；
图4B是说明图，显示了鼓出部中的凸部；
图5A是局部省略的俯视图，显示了使用具有设计宽度的金属细线的导电膜；
图5B是特性图，显示了透过导电膜的光的积分量；
图6A是显示了制备涂布有感光银盐层的感光材料的过程的视图；
图6B是显示了感光银盐层形成网格图形的过程曝光的视图；
图6C是显示了显影处理的过程的视图；
图6D是显示了以网格图形的形式形成金属银部分的过程的视图；
图7是显示了用于根据所述实施方式的制造方法的曝光设备的结构图；
图8是部分地显示了掩模保持部的示意性结构图；
图9是显示了使用曝光设备的曝光方法的操作的概念图；
图10是显示了使用曝光设备的曝光方法中的步骤的流程图。
具体实施方式
下面将参照图1至10描述本发明的图形曝光方法、导电膜制造方法和导电膜的实施方式。
如示于图1，根据该实施方式的导电膜10包含多个导电部分12和多个开口部分14，并且导电部分12和开口部分14的组合体具有网格形状M。网格形状M是由一个开口部分14和围绕开口部分14的四个导电部分12形成的组合形状。导电部分12和开口部分14的组合体可以具有不同于网格形状M的条带形状。举例而言，条带形状可以是仅分布着多个第一金属细线12a的形状，仅分布着多个第二金属细线12b的形状，多个水平延伸金属线沿竖直方向分布的形状，多个竖直延伸金属线沿水平方向分布的形状，等等。
如示于图2，导电膜10具有透明膜基材16和形成在透明膜基材16上的导电部分12和开口部分14。本实施方式中的导电膜10可以用于车辆的除霜器(除霜装置)或窗玻璃，用于在施加电流时发热的加热片材，用于触控板的电极，无机EL器件，有机EL器件，或太阳能电池，或印刷基板。
如示于图1，导电膜10中的导电部分12具有由多个第一金属细线12a与多个第二金属细线12b交叉形成的金属网格图形22，所述第一金属细线分布成沿一个方向(图1中的x方向)具有第一间距L1，所述第二金属细线分布成沿另一方向(图1中的y方向)具有第二间距L2。第一间距L1和第二间距L2可以为100至6000μm。每个第一金属细线12a和第二金属细线12b可以具有线宽d为200μm或以下。可以理解，线宽可以为50μm或以下以提高透明性。线宽的下限为2μm。
尽管在本实施方式中所有第一金属细线12a分布在恒定的第一间距L1，但一些第一金属细线12a可以分布在不同的间距。在这种情况下，相邻第一金属细线12a以各自的距离分布，而非恒定的第一间距L1。此外，第二金属细线12b可以也可以以这种方式布置。因此，相邻第一金属细线12a之间的距离和相邻第二金属细线12b之间的距离优选为100至6000μm，更优选150至1000μm。
导电部分(12)被布置成金属网格图形22，其具有由第一金属细线12a和第二金属细线12b形成的大量格子状交叉点(交叉部24)。如示于图3中的放大图，鼓出部26在交叉部24之间的第一金属细线12a和第二金属细线12b的侧面上朝向开口部分14延伸。如示于图4A，每个鼓出部26的鼓出量da为设计宽度Wc的1/25至1/6。
设计宽度Wc是第一金属细线12a和第二金属细线12b的目标线宽。目标线宽主要通过改变光掩模中透过光的狭缝的宽度而控制。除了狭缝宽度，目标线宽还取决于感光材料、显影处理、镀层处理等等的组合。在每个第一金属细线12a和第二金属细线12b中，对于每100μm的线，一侧上的鼓出部26的数量优选为5或以上，更优选10或以上。线的两侧的鼓出部26的数量大致相同。因此，当线在一侧具有五个鼓出部26时，线的两侧通常一共具有十个鼓出部26。当线的鼓出部26的数量太少时，趋向于摩尔纹防止效果不足。鼓出部26的数量的上限为50。
如示于图4A，从表示(限定)第一金属细线12a或第二金属细线12b的设计宽度Wc的假想线m到鼓出部26顶部26a画出法线，鼓出量da是从法线基点28到鼓出部26顶部26a的长度(最大长度)。因此，鼓出部26从表示设计宽度Wc的假想线m朝向开口部分14延伸。鼓出部26具有两个或更多凸部30，所述凸部的高宽比(竖直尺寸与水平尺寸的比率)为1/5至3/2。如示于图4B，凸部30的高宽比为Ly/Lx，其中，Lx表示位于凸部30两侧的第一凹部32a和第二凹部32b的底部之间的连线的长度，Ly表示从凸部30的顶部30a到法线基点34的长度，所述法线是在顶部30a和所述线之间画出的。在本发明中，鼓出量da主要通过改变贴近间隙Lg而被控制。鼓出部26的形状可以通过适宜地选择感光材料的类型、显影处理、镀层处理等等而被控制。
特别地讲，在该实施方式中，在每个第一金属细线12a和第二金属细线12b中，至少两个凸部30被连续形成在两个交叉部24之间。在这种情况下，凸部30未被分布在恒定间距，并且是随机地分布在第一金属细线12a两侧。对于第二金属细线12b也是如此。
如示于图3，具有一或多个凸部和凹部的鼓出部26还从交叉部24(第一金属细线12a的侧面和第二金属细线12b的侧面交叉的位置)处的四个角部36中的每个朝向开口部分14延伸。角部36的鼓出部26可以分别具有各种形状，其中一或多个凸部或凹部可以随机形成。
在具有设计宽度Wc的第一金属细线12a和第二金属细线12b被形成为不带鼓出部26的金属网格图形22的情况下，如示于图5A，当朝向膜的一侧投影时透过开口部分14的光的积分量的分布如图5B所示。在除交叉部24之外的位置，例如假想线A和B所示的位置，导电部分12以恒定的比例分布，从而积分量是大致一致的，如示于图5B。在具有交叉部24的位置，两个导电部分12合为一体，从而透过光的积分量增大，如示于图5B。这些积分量增大的位置根据交叉部24的分布而以空间频率配置。
当包含具有这种透光特性的导电膜的滤光器被用于等离子显示板(以下称作PDP)或类似物时，会因PDP像素和上面描述的具有增大光透过积分量的位置之间的空间频率差异而产生摩尔纹。
与此不同，在本发明的实施方式中，位于交叉部24之间的第一金属细线12a和第二金属细线12b的侧壁具有朝向开口部分14延伸的鼓出部26，并且鼓出部26具有随机分布的多个凹部和凸部。因此，在除了交叉部24以外的位置，透过光的积分量不是均匀的，并且基于随机分布的多个凹部和凸部而变化。此外，还由于每个交叉部24的四个角部36随机分布的凹部和凸部，透过光的积分量在具有交叉部24的位置处也是变化的。因此，在不带交叉部24的位置和带有交叉部24的位置积分量不规则地变化，藉此，在空间频率下具有增大积分量的位置的产生被抑制。结果，摩尔纹被减少，如同导电部分12和开口部分14的组合体的金属网格图形22不存在那样。
接下来，参照图6A至6D描述根据本发明实施方式的两种制造导电膜10的方法(第一和第二制造方法)。第二制造方法未在图中示出。
在第一种制造方法中，感光银盐层被形成，曝光，显影，和定影在透明膜基材16上，以形成金属网格图形22形式的金属银部分。
具体地讲，如示于图6A，感光材料被制备，即通过在透明膜基材16上涂布感光银盐层44，感光银盐层包含明胶42和卤化银40(例如，溴化银粒子，氯溴化银粒子，或碘溴化银粒子)的混合物。尽管在图6A至6D中卤化银40被夸张显示为粒子以方便理解，但卤化银40的尺寸、浓度等等并不局限于图中所示的。
接下来，如示于图6B，感光银盐层44经受所需的曝光处理以形成将被转化成第一金属细线12a的第一线46a和将被转化成第二金属细线12b的第二线46b。当光能被施加至卤化银40时，微小银核被产生，以形成第一线46a和第二线46b(金属网格图形22a)的潜像。举例而言，示于图7的接近式曝光设备100可以用于曝光处理，如下面所述。
如示于图6C，显影处理被执行以将金属网格图形22a的潜像至转化为裸眼可见的图像。具体地讲，使用显影液，具有金属网格图形22a潜像的感光银盐层44被显影，显影液为碱性或酸性溶液，通常为碱性溶液。在显影处理中，使用潜像银核作为催化剂核，来自卤化银粒子或显影液的阴离子通过显影液中的还原剂(显影剂)被还原为金属银。结果，潜像银核生长而形成可见银图像(显影银48)。
在显影处理后感光卤化银40存留于感光银盐层44中。如示于图6D，卤化银40通过定影处理使用定影液而被去除，定影液是酸性或碱性溶液，通常为酸性溶液。
在定影处理后，金属银部分50布置在曝光部位中，只有明胶42以开口部分14的形式存留在未曝光部位中。因此，金属银部分50(导电部分12)和开口部分14的组合体形成在透明膜基材16上。在此阶段金属银部分50可以不带修改地被用作金属网格图形22。金属银部分50也可以经受镀层处理并且可以与镀层一起被用作金属网格图形22。
用于曝光感光银盐层44的光掩模具有掩模图形，用于形成第一线46a和第二线46b的潜像，如下面所述。
在第二制造方法中，举例而言，铜箔被形成在透明膜基材上，并且光阻膜形成在铜箔上，以制备出感光材料。感光材料中的光阻膜经受曝光处理以形成将被转化成第一金属细线的第一线和将被转化成第二金属细线的第二线。光阻膜是负光阻型的，并且其中的曝光部位被硬化。网格图形对应于预期金属网格图形被形成在此阶段。将在下面描述的曝光设备100可以还被用于这种曝光处理。
接下来，曝光光阻膜被显影以形成对应于网格图形的光阻图形，并且从光阻图形曝光的铜箔被蚀刻以形成金属网格图形。
还是在该方法中，用于光阻膜曝光的光掩模具有用于形成第一和第二线的掩模图形。
下面将参照图7至10描述适用于本实施方式中的制造方法中的曝光处理的接近式曝光设备(以下称作曝光设备100)。
如示于图7，曝光设备100具有：工件供应单元104，用于供应长感光材料102，曝光单元106，用于在感光材料102上以第一线46a和第二线46b的网格图形22a的形式形成潜像，工件卷绕单元108，用于卷回曝光的感光材料102，工件连接单元110，用于将处理过的感光材料102的后端连接至下一感光材料102的前端，从而连续处理多个感光材料102，和控制单元112，用于控制所有上述单元。
在长感光材料102中，透明PET膜，具有厚度t1为100μm和宽度W0为650至750mm，被用作透明膜基材16，并且感光银盐层44(根据第一种制造方法)或铜箔和光阻膜(根据第二制造方法)被形成在PET膜的一个表面上。长感光材料102具有长度为100至1000m，并且卷绕成料卷而安置在工件供应单元104中。
安置于工件供应单元104中的感光材料102的前端被拉出，经过多个辊，并且固定在工件卷绕单元108中的收取卷筒114上。收取卷筒114、曝光辊116和多个驱动辊(未示出)由电机118沿卷绕方向旋转，藉此感光材料102被沿着工件传送方向F从工件供应单元104朝向工件卷绕单元108传送。举例而言，感光材料102可以以工件传送速度V为4m/分钟传送。工件传送速度V可以基于感光银盐层44(或光阻膜)的敏感度或曝光光源的输出而最佳地选择。
曝光单元106具有围绕曝光辊116的外周安置的光掩模120和可用作曝光光源以朝向光掩模120发射光的照明装置122。举例而言，光掩模120可包含掩模衬底和形成在掩模衬底的一个表面上的掩模图形。掩模衬底可以由透明钠玻璃构成，其具有厚度t2为4.5mm，沿工件传送方向F掩模长度La为200mm，且沿垂直于工件传送方向F的方向掩模宽度Wa为800mm。
举例而言，掩模图形是如此获得的，即穿过黑色遮光图形形成期望形状的用于传输光的狭缝。掩模图形具有与金属网格图形22相同的形状和尺寸，并且通过沿着工件宽度方向沉积铬而形成在掩模衬底上。
光掩模120由示于图8的掩模保持部130固定。掩模保持部130具有：保持架132，用于固定光掩模120，支持部134，用于支撑保持架132使之在曝光位置和分离位置之间可移动，和致动器136，用于在曝光位置和分离位置之间传送保持架132。在曝光位置，固定在保持架132上的光掩模120以贴近间隙Lg面对着感光材料102，并且在分离位置(在图8中以双点划线表示)，光掩模120安置在大于贴近间隙Lg的距离。
光掩模120的外叠加和固定在保持架132的前后部分之间。保持架132具有沿宽度方向分布的多个调节螺钉138，它们从后表面插入并且接触到光掩模120。调节螺钉138被用于沿宽度方向微量地控制贴近间隙Lg的微小误差。通过控制每个调节螺钉138向保持架132中的插入，光掩模120可以在保持架132中移动以使得整个表面以恒定的贴近间隙Lg定位。
支持部134具有滑动导向件140，其可滑动地附连于滑轨142并且连接着保持架132。支持部134被用于以在曝光位置和分离位置之间可滑动的方式支撑保持架132。保持架132由致动器136作用而在滑轨142上在曝光和分离位置之间滑动。通过精确控制用于确定滑轨142上的曝光位置的止挡，期望的贴近间隙Lg可以实现。
致动器136附连于支持部134，并且其移动体144连接着滑动导向件140。致动器136由控制单元112控制。支持部134在传送至曝光位置时以高精度展现出优异的位置再现性，并且因此贴近间隙Lg不会由于保持架132的移动而被改变。
如示于图9，照明装置122具有：激光器输出部146，准直透镜148，用于将来自激光器输出部146的激光147准直为平行光，反射镜150，用于反射激光147，多棱镜(polygon mirror)152，可用作扫描装置，和电机(未示出)。
举例而言，激光器输出部146以60mW输出单模半导体激光，来自激光器输出部146的激光147具有适合于感光银盐层44的405nm波长，并且准直透镜148具有焦长为3mm并且用于将入射激光147转化为具有椭圆形投影形状的平行光，椭圆的长轴长度为3.6mm、短轴长度为1.2mm。激光147朝向光掩模120发射，以使得长轴平行于工件传送方向F、短轴平行于工件宽度方向。
下面参照图9描述使用曝光设备100A以网格图形22a的形式形成潜像的方法。
首先，长感光材料102被沿图9中的箭头F所示的工件传送方向传送。在传送过程中，激光147从照明装置122朝向光掩模120发射。激光147透过光掩模120的掩模图形中的狭缝到达感光材料102。因此，感光材料102被以周期长度例如424μm沿着传送方向曝光为周期图形。感光材料102和光掩模120之间存在贴近间隙Lg为70至200μm。在周期长度中接近式曝光与工件传送同步化，藉此，通过曝光，预期周期图形被形成。在本发明中，通过将贴近间隙Lg控制在70至200μm的范围内，朝向开口部分14延伸的鼓出部26形成在交叉部24之间的第一金属细线12a和第二金属细线12b的侧面上。鼓出部26可有效地减少摩尔纹。通过选择感光材料的类型、显影处理和镀层处理，鼓出部26的形状可以最佳地控制。
在使用具有感光银盐层的感光材料的情况下，金属银部分50优选经受镀层处理。通过镀层处理，鼓出部26被加厚和强调，并且因此而呈现出更高的摩尔纹减少效果。
在该实施方式中，感光材料102在接近式曝光中不被停止，而是连续传送。在具有掩模图形的光掩模120静止的状态下，感光材料102被周期性地(例如，周期对应于424μm进给量)接近式曝光，从而覆盖至少一个掩模图形完整周期的区域被曝光。当感光材料102再次被激光147扫描时，沿工件传送方向F对应于周期图形的网格图形22a被形成在感光材料102上。感光材料102在这一过程中沿工件传送方向F被传送周期长度，并且感光材料102的曝光部位被穿过光掩模120的相同图形进一步曝光。当工件传送速度V与曝光周期T同步化时，潜像被以相同的图形进一步曝光，而不会扰乱周期图形。通过重复上述过程，可在一个周期图形中执行多重曝光。
下面参照图7中的结构图和图10中的流程图描述使用曝光设备100的曝光过程的概要。
首先，在图10中的步骤S1，感光材料102被安置在工件供应单元104中。感光材料102包含长膜，其厚度为100μm、宽度为650至750mm，涂布有未曝光感光银盐层44(或光阻膜)。100至1000m的感光材料102被围绕卷筒卷绕并且安置于工件供应单元104中。感光材料102的前端被固定于工件卷绕单元108中的收取卷筒114。
在步骤S2，多棱镜152在照明装置122中旋转，同时将激光器输出部146保持在关机状态。
在步骤S3，由照明装置122判断多棱镜152的旋转速度是否达到了预定值。
当多棱镜152的旋转速度达到了预定值后，在步骤S4，感光材料102的传送被启动。
在步骤S5，判断是否工件传送速度V达到预定值。曝光周期T需要与工件传送速度V同步化，以实现上面描述的多重曝光而没有偏移。通过使多棱镜152旋转速度ω与工件传送速度V同步化，可以最容易地实现曝光周期T与工件传送速度V同步化。举例而言，晶体振荡器170(参看图7)作为基准时钟布置在外侧，并且利用基准时钟由控制单元112将所有速度调节到预期恒定速度，从而曝光周期T可以与工件传送速度V适当地同步化。用于多棱镜152的扫描开始信号可以是通过使用光检测器例如光电二极管检测扫描所用激光147而获得的信号。备选地，用于多棱镜152的在每个表面处输出一次的控制脉冲信号的前沿可以被用作扫描开始信号。
当多棱镜152的旋转速度ω和工件传送速度V达到预定速度后，处理步骤前进到下一步骤S6。接下来，激光147从照明装置122中的激光器输出部146发射出来。
在多棱镜152的旋转速度ω与工件传送速度V同步化后曝光被启动，以容易地识别正确曝光部位和缺陷部位。即使是在非同步的旋转速度ω和工件传送速度V执行曝光时，潜像也能被以网格图形22a的形式形成，并且工件可以展现为良品。在这种情况下，在通过视觉外观检查来排除缺陷部位时，不可避免地出现人为误差，并且缺陷部位包含在制品中。在由控制单元112监视同步化以使得在非同步状态下激光器输出部146不被启动并且因此而曝光不被执行的情况下，缺陷部位肯定会被识别出来。因此，在启动/停止非同步状态下，激光147被自动停止输出。
在步骤S7，感光材料102通过光掩模120被曝光，从而以网格图形22a的形式形成潜像。曝光被反复执行以实现多重曝光，如前面所描述。
步骤S7中的曝光被重复进行，直至在步骤S8从控制单元112输出结束信号。
曝光感光材料102被卷绕在工件卷绕单元108上。当全部感光材料102被从工件供应单元104排出后，在步骤S8，结束信号从工件供应单元104输出到控制单元112，并且在步骤S9，感光材料102的传送停止。接下来，在步骤S10，感光材料102的末端在工件连接单元110中被切割，并且通过胶带接合至安置于工件供应单元104中的另一感光材料102的前端。
在感光材料102被接合后，工件的传送被再次启动。当感光材料102之间的连接部分穿过曝光辊116时，光掩模120由掩模保持部130移动到分离位置，并且因此连接部分不会接触到光掩模120。当连接部分与曝光辊116分开后，光掩模120以优异的再现性返回曝光位置到达预定贴近间隙Lg。当连接部分位于曝光辊116上时，激光器输出部146优选处在关机状态。
当连接部分被卷绕到工件卷绕单元108上时，工件传送再次停止，并且被卷绕的末端被停止、切割和通过胶带固定。卷绕的制品被取下，另一收取卷筒114被置入且夹持，下一感光材料102的切割前端被固定至收取卷筒114。这样，曝光过程就完成了。制品通过反复曝光过程被制造出来。
尽管在本实施方式中传送和卷绕是沿着一个轴线进行的，但曝光设备100也可以使得传送和卷绕沿着两个轴线进行以降低更换时间。备选地，曝光设备100可以通过使用贮存器或类似物来更换感光材料102，而不需要停止传送，以使得损失最小化。
在曝光过程中曝光的感光材料102然后经受显影处理。感光材料102被显影以形成金属网格图形22形式的金属银部分50，藉此，获得了本发明实施方式中的导电膜10。
在本发明实施方式中，具有条状或片材形状的感光材料102被连续传送且透过布置在70至200μm的贴近间隙内的光掩模120经受接近式曝光，并且因此而在光掩模120的掩模图形中沿传送方向被周期性地重复进行曝光。结果，具有交叉部24和分布在其间的第一和第二线46a、46b的潜像形成在感光材料102上，第一和第二线46a、46b的侧面具有从表示每条线的设计宽度Wc的假想线向外延伸的鼓出部26，并且鼓出部26的鼓出量位于设计宽度Wc的1/25至1/6的范围内。当感光材料102被显影以产生导电膜10后，位于交叉部24之间的第一和第二金属细线12a、12b的侧面具有从表示每条线的设计宽度Wc的假想线m朝向开口部分14延伸的鼓出部26，鼓出部26的鼓出量da位于设计宽度Wc的1/25至1/6的范围内，并且每个鼓出部26具有两个或更多凸部30，所述凸部的高宽比(Ly/Lx)为1/5至3/2。
因此，在本发明实施方式中的图形曝光方法和导电膜制造方法中，导电膜10可以以减少的摩尔纹制造出来。
下面详细描述本发明实施方式的导电膜10的制造方法，导电膜的特别优选实施例采用照相感光卤化银材料。
如前所述，本发明实施方式中的导电膜10可以被制造成使得具有透明膜基材16和其上的含感光卤化银乳剂层的感光材料102被曝光和显影，藉此金属银部分50(导电部分12)和开口部分14分别形成在曝光部位和未曝光部位。
基于感光材料102和显影处理，本发明实施方式中的导电膜10的制造方法包括下面三种工艺。
(1)一种工艺，包括使不带物理显影核的感光黑白卤化银材料经受化学或热显影，以在感光材料102上形成金属银部分50。
(2)一种工艺，包括使具有含物理显影核的卤化银乳剂层的感光黑白卤化银材料经受溶解物理显影，以在感光材料102上形成金属银部分50。
(3)一种工艺，包括使不带物理显影核的感光黑白卤化银材料与具有含物理显影核的非感光层的图像接受片材的叠层经受扩散转印显影，以在非感光图像接受片材上形成金属银部分50。
在工艺(1)中，一体型黑白显影过程被用于在感光材料102上形成透光性导电膜例如光传输电磁屏蔽膜或光传输导电膜。所产生的银是化学或热显影银，包含高比表面面积的银丝，并且在后续的镀层或物理显影处理中展现出高活性。
在工艺(2)中，在曝光部位，卤化银粒子围绕物理显影核熔化并沉积在核上，以在感光材料102上形成透光性导电膜例如光传输电磁屏蔽膜或光传输导电膜。在这种工艺中，同样一体型黑白显影过程被使用。尽管在显影过程中卤化银沉积在物理显影核上因而可以实现高活性，但显影银包含具有小比表面面积的球形形状。
在工艺(3)中，在未曝光部位卤化银粒子被融化，并且扩散和沉积到图像接受片材的显影核上，以在片材上形成透光性导电膜例如光传输电磁屏蔽膜或光传输导电膜。在这一过程中，所谓的分开型过程被使用，并且图像接受片材被从感光材料102剥离。
负显影处理或反转显影处理可以用于这些过程。在扩散转印显影中，可以使用自动正型感光材料(auto-positive photosensitivematerial)102实现负显影处理。
化学显影、热显影、溶解物理显影和扩散转印显影具有本领域公知的含义，并且在一般照相化学教科书中有所解释，例如Shin-ichiKikuchi，″Shashin Kagaku(Photographic Chemistry)″，Kyoritsu Shuppan Co.，Ltd.，1955和C.E.K.Mees，″The Theory of Photographic Process，4th ed.″，Mcmillan，1977。
(感光材料102)
[透明膜基材16]
用于本发明实施方式中的制造方法的透明膜基材16可以是塑料膜等等。
在该实施方式中，从透光性、耐热性、处置和成本的角度看，优选地，塑料膜是聚对苯二甲酸乙二酯膜或三醋酸纤维素(TAC)膜。
在将导电膜10用于窗玻璃透明加热元件的情况下，透明膜基材16优选具有高透光性。在这种情况下，塑料膜的总可见光透过率优选为70％或以上，更优选85％或以上，特别优选90％或以上。塑料膜可以是彩色的，只要其不妨碍本发明的有益效果即可。
透明膜基材16的厚度可以是0.001mm(1.0μm)至2.0mm，且优选5至350μm。当厚度为5至350μm时，期望的可见光透过性可以获得，并且膜容易处置。考虑到如前面所描述围绕卷筒卷绕的透明膜基材16的重量、附着力、变形等等，厚度更优选为200μm或以下，进一步优选20至180μm，最优选50至120μm。
[保护层]
保护层可以形成在感光材料102的乳剂层上。用于本发明实施方式中的保护层包含粘合剂例如明胶或高分子量聚合物，并且形成在感光乳剂层上以提高防划伤能力或机械性能。
[乳剂层]
用于本发明实施方式的制造方法中的感光材料102优选具有透明膜基材16和其上的包含作为光感应体的银盐(感光银盐层44)的乳剂层。在该实施方式中，如果需要的话，除了银盐以外，乳剂层还可包含颜料、粘合剂、溶剂等等。
用于本实施方式的银盐优选为无机银盐例如卤化银，并且特别优选以用于照相感光卤化银材料的卤化银粒子的状态使用。卤化银具有优异的光感应性能。
粘合剂可以用于乳剂层中，以将银盐粒子均匀地散布和有不予乳剂层粘附于基材。在本发明中，尽管粘合剂可以由非水溶性或水溶性聚合物构成，但优选包含水溶性聚合物。
粘合剂的实施例包括明胶，聚乙烯醇(PVA)，聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，多糖类例如淀粉，纤维素及其衍生物，聚氧化乙烯(polyethyleneoxides)，多聚糖(polysaccharides)，聚乙烯胺(polyvinylamines)，壳聚醣(chitosans)，聚赖氨酸(polylysines)，聚丙烯酸(polyacrylic acids)，聚海藻酸(polyalginic acids)，聚透明质酸(polyhyaluronic acids)，和羧基纤维素(carboxycelluloses)。由于官能团的离子性，粘合剂具有中性、阴离子性或阳离子性。
乳剂层中粘合剂的量没有特别的限制，并且可以被适宜地选择以获得足够的分散性和附着性。
用于形成乳剂层的溶剂没有特别的限制，并且其例子包括水，有机溶剂(比如，醇类例如甲醇，酮类例如丙酮，酰胺类例如甲酰胺，亚砜类例如二甲基亚砜，酯类例如乙酸乙酯，醚类)，离子性液体，及其混合物。
在本发明中，乳剂层中的溶剂与银盐、粘合剂和类似物的总量之间的质量比为30％至90％质量，优选50％至80％质量。
[金属银部分50]
通过控制施加于透明膜基材16的感光银盐层44的厚度，金属银部分50的厚度可以被适宜地选择。金属银部分50的厚度可以为0.001至0.2mm，并且优选30μm或以下，更优选20μm或以下，进一步优选0.01至9μm，最优选0.05至5μm。金属银部分50优选形成为图形化形状。金属银部分50可以具有单层结构或包含两层或更多层的多层结构。在金属银部分50具有包含两层或更多层的图形化多层结构的情况下，各层可以具有不同波长的感色性，并且通过使用不同波长的光来曝光，不同的图形可以形成在各层中。
[网格图形22]
网格图形22的形式的导电部分12的线宽可以在200μm(0.2mm)或以下的范围内被选择。在导电部分12用于透明加热元件的情况下，线宽优选为5至50μm，更优选5至30μm，最优选10至25μm。网格图形22的线间隔优选为50至500μm，更优选200至400μm，最优选250至350μm。网格图形22可以具有线宽大于20μm的部分，用于接地连接等等目的。
在导电膜10中，开口部分14是网格图形22形式的导电部分12以外的光透过性部分。开口部分14的透过率为90％或以上，优选95％或以上，更优选97％或以上，进一步优选98％或以上，最优选99％或以上。这里，透过率是在波长范围380至780nm内忽略透明膜基材16的光吸收和反射后获得的最小透过率值。
考虑到可见光透过性，网格图形22的开口率优选为85％或以上，更优选90％或以上，最优选95％或以上。开口率是除了网格图形22形式的导电部分12以外的开口部分14占总面积的比例。举例而言，具有15μm线宽和300μm间距的正方形格子状网格具有的开口率为90％。
从维持导电膜10的高生产率的角度看，优选地，网格图形22具有连续结构，其长度为3m或以上。随着网格图形22的连续结构的长度增加，生产率可以进一步提高。因此，在这种情况下，透明加热元件的生产损耗可被减少。
网格图形22的长度优选为2000m或以下。当具有过分大量连续印刷网格形状M的网格图形22被形成为卷料时，卷料的缺点是大直径、大重量以及施加于卷料中心的高压力，这会导致粘连或变形等等。长度优选为3m或以上，更优选100至1000m，进一步优选200至800m，最优选300至500m。
[粘合层]
本发明实施方式中的导电膜10可以通过粘合层贴附于窗玻璃等等。
下面将详细描述制造导电膜的每个步骤。
[曝光]
曝光利用上面描述的曝光设备100优选完成。曝光设备100在上面已被详细描述，从而省略对其详细解释。
[显影]
在本发明实施方式中，乳剂层在曝光后经受显影处理。用于照相银盐膜、相纸、印刷制版用膜、光掩蔽用乳剂掩模和类似物的普通显影处理技术可以用于本发明。
在本发明实施方式中，显影处理可以包含定影处理，用于去除未曝光部位中的银盐，以使得材料稳定化。用于照相银盐膜、相纸、印刷制版用膜、光掩蔽用乳剂掩模和类似物的普通定影处理技术可以用于本发明。
显影和定影感光材料优选经受水洗处理或稳定化处理。
显影后曝光部位中所含金属银与曝光前该部位中所含的银的质量比优选为50％质量或以上，更优选80％质量或以上。当质量比为50％质量或以上时，高导电性可以容易实现。
[物理显影和镀层处理]
在本发明实施方式中，为了增加通过曝光和显影形成的金属银部分50的导电性，导电金属粒子可以通过物理显影和/或镀层处理被沉积在金属银部分50上。在本实施方式中，导电金属粒子可以通过物理显影和镀层处理中的仅仅一种或二种沉积在金属银部分50上。
在网格图形22用于透明加热元件的情况下，网格图形22形式的导电部分12优选具有较小的厚度。随着厚度减小窗玻璃的视角增大，并且透明加热元件的加热效率增大。因此，由导电金属粒子构成的层的厚度优选小于9μm，更优选至少0.1μm且小于5μm，进一步优选至少0.1μm且小于3μm。
在本发明实施方式中，通过改变感光银盐层44的涂覆厚度，金属银部分50的厚度可以控制，并且，在物理显影和/或镀层处理中控制由导电金属粒子构成的层的厚度，藉此厚度小于5μm、优选小于3μm的导电膜10可以容易地制造出来。
在传统蚀刻方法中，大多数金属膜必须通过蚀刻来去除和废弃。与此不同，在本发明实施方式中，仅包含最小量的导电金属的图形可以形成在透明膜基材16上。因此，只有最小量的金属被使用，从而制造成本和金属废物量可被减少。
[实施例]
下面将参照实施例更具体地描述本发明。用于本发明实施例的材料、用量、配比、处理内容、处理程序等可以被适宜地改变，而不脱离本发明的范围。因此，下面的具体实施例在所有方面对被认为是解释性的而非限制性的。
(卤化银感光材料)
包含水性介质、明胶和氯溴碘化银粒子的乳剂被制备。银氯溴碘化粒子的碘含量为0.2摩尔％，溴含量为40摩尔％，平均球当量直径为0.1μm，明胶的量为10.0g每60g银。
K3Rh2Br9和K2IrCl6被添加到乳剂中，浓度为10-7摩尔/摩尔银，以使得卤化银粒子掺杂Rh和Ir离子。Na2PdCl4被进一步添加至乳剂，并且所产生的乳剂利用氯金酸和硫代硫酸钠被金-硫协同敏化。所获得的乳剂和明胶硬化剂被施加于聚对苯二甲酸乙二酯(PET)支持体，以使得所施加的银的量为1g/m2。银/明胶体积比为1/2。
PET支持体的宽度为30cm，乳剂被涂布于其上而形成宽度为25cm、长度为20m。PET支持体的宽度为3cm的两端部分被切掉，以获得宽度为24cm的感光卤化银材料的料卷。
(曝光)
使用上述曝光设备100，感光卤化银材料被曝光。因此，在连续传送材料的同时，感光卤化银材料透过布置在预定贴近间隙内的光掩模120经受接近式曝光。用于曝光的光的波长为400nm，光束形状为大约12-μm的正方形，激光源的输出为100μJ。
感光卤化银材料以宽度为24cm、长度为10m的连续格子状图形(网格图形22)被曝光。在格子状图形中，12-μm网格形状M被以300μm的间距倾斜45度分布。
(显影)
1L显影液的配方
对苯二酚(hydroquinone)                              20g
亚硫酸钠(sodium sulfite)                            50g
碳酸钾(potassium carbonate)                         40g
乙二胺四乙酸(ethylenediaminetetr aacetic acid)      2g
溴化钾(potassium bromide)                           3g
聚乙二醇(polyethylene glycol)2000                   1g
氢氧化钾(potassium hydroxide)                       4g
pH                                                  控制在10.3
1L定影液的配方
硫代硫酸铵(ammonium thiosulfate)溶液(75％)          300ml
一水亚硫酸铵(ammonium sulfite monohydrate)          25g
1，3-丙二胺-N，N，N′，N′-四乙酸
(1，3-diaminopropanetetraacetic acid)               8g
醋酸                                                5g
氨水(27％)                                          1g
pH                                                  控制在6.2
使用FUJIFILM公司制造的自动显影机FG-710PTS，利用上述处理剂在下面的条件下处理曝光感光材料以获得导电膜样品。在35℃执行显影处理30秒，在34℃执行定影处理23秒，然后以5L/min的水流速执行水洗处理20秒。
运行条件使得所处理的感光材料量为100m2/天，显影液补充量为500ml/m2，定影液补充量为640ml/m2，处理周期为3天。
(对比例1至3)
如示于表1，在对比例1至3中用于接近式曝光的贴近间隙Lg分别为30、50和220μm。
(实施例1至5)
如示于表1，在实施例1至5中用于接近式曝光的贴近间隙Lg分别为70、100、150、180和200μm。
[评价]
(金属细线的鼓出量与设计宽度的比率)
利用图像拾取设备从上方视角获得导电膜10中的金属细线图像，使用图像识别软件测量金属细线的最大宽度Wm，并且金属细线的鼓出量与设计宽度Wc的比率利用下述公式计算出来：
比率＝{(Wm-Wc)/2}/Wc。
(金属细线中是否出现图形模糊)
当所形成的金属细线的平均宽度小于设计宽度时，金属细线被评价为″模糊(Blurred)″。当所形成的金属细线的平均宽度大于设计宽度时，金属细线被评价为″不模糊(Unblurred)″。
(摩尔纹评价)
原始电磁屏蔽膜被从Panasonic Corporation制造的PDPTH-42PX300拆下。转台被布置在PDP上，以便将前面制造的导电膜10附连于其上。转台是厚度为5mm的玻璃板，可用作PDP的前板。此外，转台具有角度标尺，用于测量所附连的导电膜10的偏角。PDP被接通，并且图形产生器(ASTROVG828D)被连接到PDP的HDMI端子。白色255信号以最大输出从图形产生器传输到PDP。导电膜10通过胶带被固定在转台上以防止偏转。在暗室中在以-45°至+45°范围的偏角转动转台的同时视觉观测和评估导电膜10的摩尔纹。在改变偏角的情况下摩尔纹以与PDP相距1.5m的距离观测，并且被评价为″优异″、″良好″或″差″。优异指的是摩尔纹未被看到，良好指的是在可接受的程度上摩尔纹略微可见，差指的是摩尔纹高度可见。在综合评价时，每个导电膜10被评价为″A″、″B″、″C″、″D″或″E″。“A”指的是膜在角度范围20°或以上被评价为优异，“B”指的是膜在角度范围10°或以上但小于20°被评价为优异，“C”指的是膜在角度范围小于10°被评价为优异，“D”指的是膜在任何角度都未被评价为优异且在角度范围小于10°被评价为差，“E”指的是膜在任何角度都未被评价为优异且在角度范围10°或以上被评价为差。
(评价结果)
评价结果示于表1。
[表1]
  贴近间隙(μm)   鼓出量与设计宽度比率   鼓出部数量/100μm   是否出现图形模糊   摩尔纹评价
  对比例1   30   1/40   零   不模糊   E
  对比例2   50   1/30   1   不模糊   C
  实施例1   70   1/25-1/8   10   不模糊   B
  实施例2   100   1/25-1/6   20   不模糊   A
  实施例3   150   1/25-1/6   10   不模糊   B
  实施例4   180   1/25-1/6   10   不模糊   B
  实施例5   200   1/25-1/6   10   不模糊   B
  对比例3   220   -   -   模糊   E
鼓出部数量是指每100μm金属细线中形成在在金属细线的一侧的鼓出部的数量。从每个导电膜的1cm2中选择出五根金属细线，每100μm统计形成在每根线一侧的鼓出部的数量，并且所统计的数量的平均值被作为鼓出部数量。对比例1中鼓出部的数量″零″指的是鼓出部26具有可忽视的消尺寸，其鼓出量与设计宽度的比率为1/40。
如示于表1，在对比例3中，图形模糊是由于曝光量小引起的。与此不同，在实施例1至5和对比例1和2中，图形模糊未被观察到。
在对比例1和2中，鼓出量与金属细线设计宽度的比率分别为1/40和1/30。在实施例1至5中，该比率在1/25至1/6的范围内。在对比例3中，由于显著的图形模糊，不能获得该比率。
在实施例2中，关于摩尔纹方面导电膜被评价为″A″，并且几乎没有明显的摩尔纹。在实施例1和3至5中，导电膜被评价为″B″，并且几乎没有明显的摩尔纹，尽管稍逊于实施例2。与此不同，在对比例1和3中，导电膜被评价为″E″并且存在明显的摩尔纹。在对比例2中，摩尔纹被减小，但未达到实施例1和3至5中的程度。
在实施例1至5中，高宽比为1/5至3/2的多个凸部随机分布在每个鼓出部中。
可以理解，本发明的图形曝光方法、导电膜制造方法和导电膜并不局限于上面的实施方式，在不脱离本发明范围的前提下，可以作出各种变化和改型。

Claims (11)

1.一种图形曝光方法，包括下述步骤：
连续传送带状或片状感光材料；以及
借助于布置在与感光材料相距70至200μm的贴近间隙内的光掩模使感光材料经受接近式曝光，从而以对应于光掩模的掩模图形且沿传送方向周期性地重复的周期图形曝光感光材料。
2.根据权利要求1的图形曝光方法，其中，通过曝光，在感光材料上以网格图形(22)的形式形成潜像，
网格图形(22)具有多个交叉部(24)和分布在其间的线(46a，46b)，
所述线(46a，46b)的侧面具有从表示所述线(46a，46b)的设计宽度(Wc)的假想线(m)向外延伸的鼓出部(26)，并且
鼓出部(26)的鼓出量(da)为设计宽度(Wc)的1/25至1/6。
3.一种制造导电膜的方法，包括下述步骤：
连续传送带状或片状感光材料，
借助于布置在与感光材料相距70至200μm的贴近间隙内的光掩模(120)使感光材料经受接近式曝光，从而以对应于光掩模(120)的掩模图形且沿传送方向周期性地重复的周期图形曝光感光材料，以及
对曝光的感光材料进行显影以形成金属银部分(50)。
4.根据权利要求3的方法，其中，通过曝光，在感光材料上以网格图形(22)的形式形成潜像，
网格图形(22)具有多个交叉部(24)和分布在其间的线(46a，46b)，
所述线(46a，46b)的侧面具有从表示所述线(46a，46b)的设计宽度(Wc)的假想线(m)向外延伸的鼓出部(26)，并且
鼓出部(26)的鼓出量(da)为设计宽度(Wc)的1/25至1/6。
5.根据权利要求3的方法，进一步包括下述步骤：使金属银部分(50)经受镀层处理。
6.一种导电膜，包括多个由导电金属细线(12a，12b)形成的导电部分(12)和多个开口部分(14)，其中，
金属细线(12a，12b)的侧面具有从表示金属细线(12a，12b)的设计宽度(Wc)的假想线(m)朝向开口部分(14)延伸的鼓出部(26)，并且
鼓出部(26)的鼓出量(da)为设计宽度(Wc)的1/25至1/6。
7.根据权利要求6的导电膜，其中，导电部分(12)和开口部分(14)的组合体具有网格形状(M)，并且
导电部分(12)以网格图形(22)的形式形成，所述网格图形具有多个由导电金属细线(12a，12b)形成的交叉部(24)。
8.根据权利要求6的导电膜，其中，鼓出量(da)是从表示金属细线(12a，12b)的设计宽度(Wc)的假想线(m)至鼓出部(26)的顶部(26a)沿着从假想线(m)延伸至顶部(26a)法线测量的长度。
9.根据权利要求6的导电膜，其中，鼓出部(26)具有两个或更多凸部(30)，所述凸部的高宽比为1/5至3/2，所述高宽比为竖直尺寸(Ly)与水平尺寸(Lx)的比率。
10.根据权利要求6的导电膜，其中，鼓出部(26)的数量为每100μm金属细线5或以上。
11.根据权利要求6的导电膜，其中，在金属细线(12a，12b)的侧面上沿金属细线(12a，12b)的延伸方向连续形成至少两个凸部(30)。
CN2010101934091A 2009-05-29 2010-05-28 图形曝光方法、导电膜制造方法和导电膜 Pending CN101900950A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009131487A JP5497340B2 (ja) 2009-05-29 2009-05-29 パターン露光方法及び導電膜の製造方法
JP131487/2009 2009-05-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101900950A true CN101900950A (zh) 2010-12-01

Family

ID=43218929

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2010101934091A Pending CN101900950A (zh) 2009-05-29 2010-05-28 图形曝光方法、导电膜制造方法和导电膜

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8383329B2 (zh)
JP (1) JP5497340B2 (zh)
KR (1) KR20100129230A (zh)
CN (1) CN101900950A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102340901A (zh) * 2011-10-24 2012-02-01 北京青云创新科技发展有限公司 导电薄膜及加热玻璃
TWI562026B (zh) * 2011-08-31 2016-12-11 Polyic Gmbh & Co Kg

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5977260B2 (ja) 2011-02-02 2016-08-24 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 暗い多層導電体トレースを有するパターン化基材
US8933906B2 (en) 2011-02-02 2015-01-13 3M Innovative Properties Company Patterned substrates with non-linear conductor traces
KR101347552B1 (ko) * 2011-07-21 2014-01-10 주식회사 엘지화학 마스크 및 이를 포함하는 광학필터 제조장치
CN103207525A (zh) * 2012-01-16 2013-07-17 昆山允升吉光电科技有限公司 一种微影制作方法
US9302452B2 (en) 2012-03-02 2016-04-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Transparent laminates comprising inkjet printed conductive lines and methods of forming the same
JP6006187B2 (ja) 2013-08-30 2016-10-12 富士フイルム株式会社 導電性フイルム及びその製造方法
US10513081B1 (en) 2013-12-10 2019-12-24 Wells Fargo Bank, N.A. Method of making a transaction instrument
US10354175B1 (en) 2013-12-10 2019-07-16 Wells Fargo Bank, N.A. Method of making a transaction instrument
US10479126B1 (en) 2013-12-10 2019-11-19 Wells Fargo Bank, N.A. Transaction instrument
US10380476B1 (en) 2013-12-10 2019-08-13 Wells Fargo Bank, N.A. Transaction instrument
KR102195039B1 (ko) 2014-07-02 2020-12-24 동우 화인켐 주식회사 터치 패널 전극 구조체 및 그의 제조 방법
KR101671496B1 (ko) 2014-12-29 2016-11-01 주식회사 케이씨텍 약액 처리 장치
US9986669B2 (en) * 2015-11-25 2018-05-29 Ppg Industries Ohio, Inc. Transparency including conductive mesh including a closed shape having at least one curved side
JP2018101363A (ja) * 2016-12-21 2018-06-28 トッパン・フォームズ株式会社 透明導電性基板
CN109725753B (zh) * 2017-10-27 2022-08-02 苏州维业达触控科技有限公司 透明导电膜及显示装置
US10482365B1 (en) 2017-11-21 2019-11-19 Wells Fargo Bank, N.A. Transaction instrument containing metal inclusions
KR102117950B1 (ko) * 2018-11-08 2020-06-02 계명대학교 산학협력단 바이오센서용 전극 제조방법 및 그 바이오센서용 전극
US11745702B2 (en) 2018-12-11 2023-09-05 Ppg Industries Ohio, Inc. Coating including electrically conductive lines directly on electrically conductive layer
CN113835545A (zh) 2020-06-24 2021-12-24 瀚宇彩晶股份有限公司 光罩及电子装置
KR102261737B1 (ko) * 2020-12-24 2021-06-07 주식회사 창성시트 메탈 패턴 형성 방법
ES2938578T3 (es) * 2021-01-18 2023-04-12 Longserving Tech Co Ltd Procedimiento de fabricación de un patrón de circuito a escala picoscópica/nanoscópica

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4641719B2 (ja) 2002-12-27 2011-03-02 富士フイルム株式会社 透光性電磁波シールド膜の製造方法及び透光性電磁波シールド膜
JP4807934B2 (ja) 2002-12-27 2011-11-02 富士フイルム株式会社 透光性電磁波シールド膜およびその製造方法
KR101128184B1 (ko) 2004-08-30 2012-03-23 파나소닉 주식회사 디스플레이용 부재의 노광방법 및 플라즈마 디스플레이용부재의 제조방법
JP4224479B2 (ja) * 2005-09-07 2009-02-12 富士フイルム株式会社 パターン露光方法及び装置
JP4861778B2 (ja) 2005-09-08 2012-01-25 富士フイルム株式会社 パターン露光方法及び装置
JP5151242B2 (ja) 2007-05-11 2013-02-27 凸版印刷株式会社 光透過性電磁波シールド部材の製造方法
JP2009252868A (ja) * 2008-04-03 2009-10-29 Bridgestone Corp 光透過性電磁波シールド材及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI562026B (zh) * 2011-08-31 2016-12-11 Polyic Gmbh & Co Kg
US9599451B2 (en) 2011-08-31 2017-03-21 Polyic Gmbh & Co. Kg Plastic film and touch sensor
CN102340901A (zh) * 2011-10-24 2012-02-01 北京青云创新科技发展有限公司 导电薄膜及加热玻璃

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100129230A (ko) 2010-12-08
US20130126213A1 (en) 2013-05-23
JP5497340B2 (ja) 2014-05-21
US20100300729A1 (en) 2010-12-02
US8852728B2 (en) 2014-10-07
JP2010276998A (ja) 2010-12-09
US8383329B2 (en) 2013-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101900950A (zh) 图形曝光方法、导电膜制造方法和导电膜
JP5425459B2 (ja) 導電性フイルム及び透明発熱体
KR101451075B1 (ko) 도전 시트 및 터치 패널
CN101300528B (zh) 图案曝光方法和图案曝光设备
JP5462684B2 (ja) 導電性フイルム及び透明発熱体
JP5430921B2 (ja) 導電性フイルム及び透明発熱体
CN102206046B (zh) 导电性薄膜以及透明发热体
CN102667680B (zh) 导电片、导电片的使用方法以及电容型触控面板
CN103958187B (zh) 导电片、触摸屏、显示装置
US9370095B2 (en) Conductive sheet and touch panel
JP5345859B2 (ja) 導電性フイルムの製造方法、導電性フイルム及び透明発熱体
CN103534671B (zh) 导电片与触控面板
JP5822395B2 (ja) 導電シート及びその検査方法並びに製造方法
US20100055401A1 (en) Manufacturing method of film having micro-pattern thereon and film manufactured thereby
WO2013168698A1 (ja) 導電性フイルム
CN102822829A (zh) 导电性膜的制造方法、导电性膜及记录介质
JP2011210888A (ja) パターン生成方法及びパターン生成プログラム
CN102208229A (zh) 透明导电膜的制造方法、导电性薄膜以及透明发热体
JP2007242728A (ja) ディスプレイ用光学フィルター及びその製造方法
CN102591156B (zh) 曝光装置及曝光方法
JP2007264351A (ja) マイクロレンズアレイシート及びその製造方法
CN104392775B (zh) 图案形成方法
JP2008010457A (ja) 透光性電磁波シールド膜及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20101201