JP2018101363A - 透明導電性基板 - Google Patents

Abstract

【課題】ヘイズの低減が可能であり、かつ容易に製造できる透明導電性基板の提供。【解決手段】基材１１と、基材１１上に形成された線状の導電性薄膜１２と、を備え、導電性薄膜１２は、導電性薄膜１２の長さ方向の位置が異なる複数の部位２１〜２７において、導電性薄膜１２の幅方向の中央を通る中央線αから一方の側縁１２ａまでの幅方向の距離ａがランダムに異なる。【選択図】図１

Description

本発明は、透明導電性基板に関する。

静電容量方式タッチパネルなどの表示機器において、透明導電性基板の表面電極には、透明性に優れるＩＴＯからなるスパッタ膜が使用されている。
しかし、ＩＴＯからなるスパッタ膜は、抵抗が高く機械的強度が低いため、近年、これに代わって、銀ペーストの印刷ライン、銅箔のエッチングライン、銅めっきラインなどの金属配線によるメッシュパターンを表面電極とする透明導電性基板が提案されている。前記金属配線を構成する銀ペースト、銅箔、銅めっきなどは、静電容量制御の感度を高められる低抵抗導電体であり、機械的強度にも優れている。
前記金属配線には、表示機器に用いられるため、低い表面抵抗値と優れた光学特性（ヘイズ（曇り度）等）を両立することが求められる。

特開２０１１−７６２００号公報

特許文献１に記載の電極フィルムでは、ヘイズを改善するために、金属メッシュ（ここではアルミ箔メッシュ）を作製する際に、アルミ箔を鏡面に仕上げた面と透明基材を貼り合わせ、その後、エッチングでメッシュパターンを形成している。
しかしながら、前記電極フィルムでは、十分なヘイズの低減は難しかった。また、前記電極フィルムは、金属箔の鏡面仕上げに手間がかかるため、製造の容易性の点で問題があった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ヘイズの低減が可能であり、かつ容易に製造できる透明導電性基板を提供することを課題とする。

上記課題を解決するため、本発明の一態様は、基材と、前記基材の表面に形成された線状の導電性薄膜と、を備え、前記導電性薄膜は、前記導電性薄膜の長さ方向の位置が異なる複数の部位において、前記導電性薄膜の幅方向の中央を通る中央線から一方の側縁までの幅方向の距離がランダムに異なる、透明導電性基板を提供する。
本発明の一態様は、前記導電性薄膜を複数有し、複数の前記導電性薄膜は、互いに平行な複数の線状の第１の導電性薄膜と、互いに平行な複数の線状の第２の導電性薄膜とを含み、前記第１の導電性薄膜と、前記第２の導電性薄膜とは、互いに交差することにより格子状に形成されている透明導電性基板を提供する。

本発明によれば、ヘイズの低減が可能であり、かつ容易に製造できる透明導電性基板が提供される。

実施形態における透明導電性基板の導電性薄膜を拡大して示す平面図である。 実施形態における透明導電性基板を模式的に示す断面図である。 実施形態における透明導電性基板の一部を示す平面図である。 中央線の第１の変形例を示す図である。 中央線の第２の変形例を示す図である。 実施形態における透明導電性基板の導電性薄膜の第１の変形例である。 実施形態における透明導電性基板の導電性薄膜の第２の変形例である。 実施形態における透明導電性基板の導電性薄膜の第３の変形例である。 実施形態における透明導電性基板の導電性薄膜の第４の変形例である。 実施形態における透明導電性基板の導電性薄膜の第５の変形例である。 実施形態における透明導電性基板の導電性薄膜の第６の変形例である。 実施形態における透明導電性基板の導電性薄膜の第７の変形例である。 実施例における導電性薄膜の写真である。 比較例における導電性薄膜の写真である。

本発明の透明導電性基板の実施の形態について説明する。
図１は、実施形態における透明導電性基板１の導電性薄膜１２を拡大して示す平面図である。図２は、透明導電性基板１を模式的に示す断面図である。図３は、透明導電性基板１の一部を示す平面図である。なお、平面視とは、基材に対して垂直な方向から見ることをいう。
図２および図３に示すように、透明導電性基板１は、基材１１と、基材１１の表面（一方の主面）１１ａに形成された導電性薄膜１２とを備える。

基材１１は、フィルム状又はシート状であることが好ましい。基材１１は、光透過性を有する透明基材である。基材１１の厚さ方向の可視光（波長３８０〜７５０ｎｍ）の透過率は、可視光の全波長範囲において例えば８０％以上とすることができる。

基材１１の材質としては、例えば、ポリチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、環状オレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、トリアセチルセルロース（Ｔｒｉａｃｅｔｙｌｃｅｌｌｕｌｏｓｅ；ＴＡＣ）フィルム、ポリビニルアルコール（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ；ＰＶＡ）フィルム、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）フィルム、ポリスチレン（Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ；ＰＳ）、二軸延伸ポリスチレン（Ｋ樹脂含有ｂｉａｘｉａｌｌｙ ｏｒｉｅｎｔｅｄ ＰＳ；ＢＯＰＳ）、ガラスまたは強化ガラスなどが挙げられる。
また、導電性薄膜１２の接着性を高めるために、基材１１の表面１１ａに高周波処理またはプライマー（Ｐｒｉｍｅｒ）処理を施してもよい。
基材１１の構成材料に合成樹脂が含まれる場合、基材１１は合成樹脂の成形体であることが好ましい。

基材１１の厚さは、０．５〜５０００μｍであることが好ましく、１〜３０００μｍであることがより好ましい。基材１１の厚さが前記下限値以上であることで、導電性薄膜の構造をより安定して維持でき、基材１１の厚さが前記上限値以下であることで、導電性薄膜形成時の基材１１の取り扱い性がより良好となる。

基材１１は、単層からなるものでもよいし、２層以上の複数層からなるものでもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
なお、本明細書においては、基材１１の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
基材１１が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい基材１１の厚さとなるようにするとよい。

基材１１が例えば、厚さ１００〜５００μｍ程度のフィルム状である場合には、透明導電性基板１は、この基材１１の裏面、すなわち、導電性薄膜１２の形成面とは反対側の面に、粘着剤層を備えていてもよい。
前記粘着剤層には、例えばガラス、プラスチックなどからなる透明基材（図示略）を貼り合わせてもよい。

透明導電性基板１は、基材１１上の積層物をすべてコートする、樹脂からなるオーバーコート層を、導電性薄膜１２上に備えていてもよい。透明導電性基板１は、前記オーバーコート層上に、さらに粘着剤層（本明細書においては、この場合の粘着剤層を、基材１１の裏面に備える上述の粘着剤層と区別するために、「第２粘着剤層」と称し、基材１１の裏面に備える上述の粘着剤層を「第１粘着剤層」と称することがある。）を備えていてもよい。
前記オーバーコート層上の粘着剤層（第２粘着剤層）には、例えばガラス、プラスチックなどからなる透明基材（図示略）を貼り合わせてもよい。

基材１１は、公知の方法で製造できる。例えば、合成樹脂を含有する基材１１は、合成樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。また、市販品の基材１１を用いてもよい。

図１に示すように、導電性薄膜１２は、基材１１の表面１１ａに線状に形成されている。
導電性薄膜１２の長さ方向は、導電性薄膜１２の延在方向であって、図１に示すＸ方向である。導電性薄膜１２は、例えば直線的に延在している。導電性薄膜１２の幅方向は、基材１１の表面１１ａに沿う面内において導電性薄膜１２の長さ方向に対して直交する方向であって、図１に示すＹ方向である。

導電性薄膜１２の第１〜第７部位２１〜２７は、導電性薄膜１２の長さ方向の位置が異なる部位である。第１〜第７部位２１〜２７は、この順で導電性薄膜１２の長さ方向に並ぶ。
導電性薄膜１２の中央線αは、例えば導電性薄膜１２の長さ方向にわたって、導電性薄膜１２の幅方向の中央を通る線である。導電性薄膜１２の中央線αから一方の側縁１２ａ（第一側縁）までの幅方向の距離と、中央線αから他方の側縁１２ｂ（第二側縁）までの幅方向の距離とは等しい。この実施形態では、中央線αは直線である。
導電性薄膜１２の中央線αから側縁１２ａまでの幅方向の距離を「ａ」とする。第１〜第７部位２１〜２７における距離ａを、それぞれ距離ａ１〜ａ７という。

第１部位２１、第３部位２３、第５部位２５および第７部位２７における距離ａ（距離ａ１，ａ３，ａ５，ａ７）は極小値である。極小値とは、導電性薄膜１２の長さ方向に、距離ａが減少から増加に変わる点における距離ａの値である。距離ａが極小となる導電性薄膜１２の部位を極小部位ということがある。
第２部位２２、第４部位２４および第６部位２６における距離ａ（距離ａ２，ａ４，ａ６）は極大値である。極大値とは、導電性薄膜１２の長さ方向に、距離ａが増加から減少に変わる点における距離ａの値である。距離ａが極大となる導電性薄膜１２の部位を極大部位ということがある。
導電性薄膜１２は、複数の極小部位（部位２１，２３，２５，２７）と、複数の極大部位（部位２２，２４，２６）を有する。
図１に示す導電性薄膜１２においては、ａ１＜ａ２、ａ２＞ａ３、ａ３＜ａ４、ａ４＞ａ５、ａ５＜ａ６、およびａ６＞ａ７が成立する。

導電性薄膜１２の長さ方向の位置が異なる複数の部位（例えば第１〜第７部位２１〜２７）において、距離ａはランダムに異なる。
「複数の部位の距離ａがランダムに異なる」は、例えば、導電性薄膜１２の長さ方向の位置が異なる複数の部位（例えば第１〜第７部位２１〜２７）のうち、隣り合う極小部位と極大部位との距離ａの差が一定値をとらないことである。例えば、この実施形態では、隣り合う極小部位と極大部位との距離ａの差である［ａ２−ａ１］、［ａ２−ａ３］、［ａ４−ａ３］、［ａ４−ａ５］、［ａ６−ａ５］および［ａ６−ａ７］は、同じ値をとらず、これらのうち少なくとも２つは互いに異なる。

「複数の部位の距離ａがランダムに異なる」は、複数の極大部位の距離ａが一定値をとらないことを意味してもよい。例えば、この実施形態では、極大部位である第２部位２２、第４部位２４および第６部位２６における距離ａ（距離ａ２，ａ４，ａ６）は同じ値をとらず、これらのうち少なくとも２つが互いに異なる。
「複数の部位の距離ａがランダムに異なる」は、複数の極小部位の距離ａが一定値をとらないことを意味してもよい。例えば、この実施形態では、極小部位である第１部位２１、第３部位２３、第５部位２５および第７部位２７における距離ａ（距離ａ１，ａ３，ａ５，ａ７）は同じ値をとらず、これらのうち少なくとも２つが互いに異なる。

極小部位における距離ａと、極大部位における距離ａとは、次のような関係を有することが好ましい。
以下、極小部位における距離ａとして第１部位２１の距離ａ１を例示し、極大部位における距離ａとして第２部位２２の距離ａ２を例示する。

距離ａ１と距離ａ２との比（ａ１：ａ２）は、次の式（１）に示す範囲にあることが好ましい。
ａ１：ａ２＝１：１．２〜１：２ ・・・（１）

距離ａ２に対する距離ａ１の比が小さすぎれば、第１部位２１の幅が狭くなりすぎて抵抗が大きくなるか、または、第２部位２２が幅広となりすぎて光学特性に影響が及ぶ可能性がある。これに対し、距離ａ１と距離ａ２との比（ａ１：ａ２）を式（１）の範囲とすることによって、導電性薄膜１２の抵抗を低く抑え、かつ光学特性（ヘイズ（曇り度）、全光透過率等）を良好にすることができる。また、導電性薄膜１２を視認しにくくすることができる。
距離ａ２に対する距離ａ１の比が大きすぎれば、導電性薄膜１２の幅の変化が小さくなるため、光学特性に影響が及ぶ可能性があるが、距離ａ１と距離ａ２との比（ａ１：ａ２）を式（１）の範囲とすることによって、光学特性（ヘイズ等）を良好にすることができる。また、導電性薄膜１２を視認しにくくすることができる。

距離ａ１は、次の式（２）に示す範囲にあることが好ましい。
ａ１＝１．５μｍ〜１．７５μｍ ・・・（２）

距離ａ１を前記範囲の下限値以上とすることによって、導電性薄膜１２の抵抗を低く抑えることができる。距離ａ１を前記範囲の上限値以下とすることによって、光学特性（ヘイズ（曇り度）等）を良好にすることができる。また、導電性薄膜１２を視認しにくくすることができる。

距離ａ２は、次の式（３）に示す範囲にあることが好ましい。
ａ２＝２．１μｍ〜３．０μｍ ・・・（３）

距離ａ２を前記範囲の下限値以上とすることによって、導電性薄膜１２の抵抗を低く抑えることができる。距離ａ１を前記範囲の上限値以下とすることによって、光学特性（ヘイズ等）を良好にすることができる。また、導電性薄膜１２を視認しにくくすることができる。

導電性薄膜１２の長さ方向（図１のＸ方向）に隣り合う極大部位の間の長さ方向（Ｘ方向）の距離、例えば、第２部位２２と第４部位２４との間の長さ方向（Ｘ方向）の距離Ｐ１（以下、ピッチＰ１という）は、次の式（４）に示す範囲にあることが好ましい。
Ｐ１＝５μｍ〜５００μｍ ・・・（４）

ピッチＰ１を前記範囲の下限値以上とすることによって、光学特性（ヘイズ（曇り度）等）を良好にすることができる。また、導電性薄膜１２を視認しにくくすることができる。ピッチＰ１を前記範囲の下限値以上とすることによって、光学特性（ヘイズ等）を良好にすることができる。また、導電性薄膜１２を視認しにくくすることができる。

式（１）は、距離ａ１と距離ａ２との比（ａ１：ａ２）に限らず、極小部位における距離ａと極大部位における距離ａとの比に広く適用できる。式（１）は、例えば、距離ａ３と距離ａ４との比（ａ３：ａ４）、距離ａ５と距離ａ６との比（ａ５：ａ６）にも適用できる。
式（２）は、距離ａ１に限らず、極小部位における距離ａに広く適用できる。式（２）は、例えば、距離ａ３、距離ａ５、距離ａ７にも適用できる。
式（３）は、距離ａ２に限らず、極大部位における距離ａに広く適用できる。式（３）は、例えば、距離ａ４、距離ａ６にも適用できる。
式（４）は、第２部位２２と第４部位２４との長さ方向（Ｘ方向）の距離に限らず、隣り合う極大部位の間の距離（ピッチ）に広く適用できる。式（４）は、例えば、第４部位２４と第６部位２６との長さ方向（Ｘ方向）の距離にも適用できる。式（４）は、隣り合う極小部位の間の長さ方向（Ｘ方向）の距離（ピッチ）にも適用できる。

導電性薄膜１２は、平面視において、例えば側縁１２ａ，１２ｂが曲線からなる波状となる形状とすることができる。導電性薄膜１２は、例えば、中央線αを対称軸とする線対称形であってよい。

図３に示すように、透明導電性基板１は、基材１１の表面１１ａに複数の導電性薄膜１２を有する。
複数の導電性薄膜１２は、互いに平行な複数の直線状の第１の導電性薄膜１３と、互いに平行な複数の直線状の第２の導電性薄膜１４とを含む。
第１の導電性薄膜１３と第２の導電性薄膜１４とは互いに交差しており、全体として格子状（または網目状）に形成されている。第１の導電性薄膜１３と第２の導電性薄膜１４とが交差する角度は、例えば９０°である。導電性薄膜１２は、メッシュ（Ｍｅｓｈ）構造（網目構造）をなす電極を構成する。なお、第１の導電性薄膜１３と第２の導電性薄膜１４とが交差する角度は、９０°に限定されない。

導電性薄膜１２のピッチＰ２（隣り合う導電性薄膜１２間の距離）は、目的に応じて任意に設定できるが、例えば、配線板１を電磁波シールド、タッチパネル等の部材として利用する場合には、５０〜３２０μｍであることが好ましく、７０〜２６０μｍであることがより好ましい。ピッチＰ２は、すべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部のみ異なっていてもよい。

導電性薄膜１２の形成には、例えば導電性のインクが使用される。導電性のインクとしては、例えば、金属インク組成物、ポリマー型導電インク、市販の金属ペースト、金属ナノインク、金属錯体インク等が用いられる。特に、金属インク組成物が好ましい。
金属インク組成物としては、例えば、金属の形成材料が配合されてなる組成物が挙げられる。
前記金属の形成材料は、該当する金属原子（元素）を有し、分解等の構造変化によって金属を生じるものであればよい。このような金属の形成材料としては、例えば、金属塩、金属錯体、有機金属化合物（金属−炭素結合を有する化合物）等が挙げられる。前記金属塩及び金属錯体は、有機基を有する金属化合物及び有機基を有しない金属化合物のいずれであってもよい。なかでも金属の形成材料は、金属塩であることが好ましく、銀塩又は銅塩であることがより好ましく、銀塩であることが特に好ましい。

金属の形成材料は、有機銀化合物であることが好ましい。
前記有機銀化合物は、一分子中に有機基及び銀原子を有し、分解等の構造変化によって金属銀を生じる化合物である。このような有機銀化合物としては、例えば、有機酸の銀塩、有機銀錯体等が挙げられる。なかでも、有機酸の銀塩が好ましく、カルボン酸銀（カルボン酸の銀塩）がより好ましい。

前記カルボン酸銀は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみでもよいし、２個以上でもよい。また、カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も特に限定されない。

金属インク組成物における金属の形成材料は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。

金属インク組成物は、金属の形成材料以外に、金属（単体金属又は合金）が配合されてなる組成物であってもよい。配合される前記金属は、銀又は銅であることが好ましく、銀であることがより好ましい。

配合される前記金属（単体金属又は合金）は、粒子状又は繊維状（チューブ状、ワイヤー状等）であることが好ましく、ナノ粒子又はナノワイヤーであることがより好ましく、銀ナノ粒子、銀ナノワイヤー、銅ナノ粒子又は銅ナノワイヤーであることがさらに好ましく、銀ナノ粒子又は銀ナノワイヤーであることが特に好ましい。
なお、本明細書において、「ナノ粒子」とは、粒径が１ｎｍ以上１０００ｎｍ未満、好ましくは１〜１００ｎｍである粒子を意味し、「ナノワイヤー」とは、幅が１ｎｍ以上１０００ｎｍ未満、好ましくは１〜１００ｎｍであるワイヤーを意味する。

金属インク組成物は、例えば、印刷法、塗布法、浸漬法等の公知の方法で基材に付着させることができる。
前記印刷法としては、例えば、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法、ジェットディスペンサー式印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、パッド印刷法等が挙げられる。なかでも、グラビアオフセット印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法が好ましい。
前記塗布法としては、例えば、スピンコーター、エアーナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ゲートロールコーター、バーコーター、ロッドコーター、グラビアコーター等の各種コーターや、ワイヤーバー等を用いる方法が挙げられる。

金属インク組成物は、例えば、金属の形成材料として、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀（以下、「β−ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）が配合されてなるものが好ましい。このような金属インク組成物としては、例えば、β−ケトカルボン酸銀（１）、含窒素化合物、還元剤及びアセチレンアルコール（２）が配合されてなる銀インク組成物（Ａ１）が挙げられる。以下、各成分について、説明する。

＜β−ケトカルボン酸銀（１）＞
β−ケトカルボン酸銀（１）は、反応によって金属銀を形成する、金属銀の形成材料であり、一般式（１）で表される。

式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ^１−ＣＹ^１ _２−」、「ＣＹ^１ _３−」、「Ｒ^１−ＣＨＹ^１−」、「Ｒ^２Ｏ−」、「Ｒ^５Ｒ^４Ｎ−」、「（Ｒ^３Ｏ）_２ＣＹ^１−」若しくは「Ｒ^６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ^１ _２−」で表される基である。

Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基等が挙げられる。

Ｒにおける直鎖状又は分枝鎖状の前記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、３−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１，１−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチルペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、１−プロピルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、５−エチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、２−プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等が挙げられる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基等が挙げられる。

Ｒにおける前記アルケニル基としては、例えば、ビニル基（エテニル基、−ＣＨ＝ＣＨ_２）、アリル基（２−プロペニル基、−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ_２）、１−プロペニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３）、イソプロペニル基（−Ｃ（ＣＨ_３）＝ＣＨ_２）、１−ブテニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_３）、２−ブテニル基（−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_３）、３−ブテニル基（−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ_２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基が挙げられる。
Ｒにおける前記アルキニル基としては、例えば、エチニル基（−Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（−ＣＨ_２−Ｃ≡ＣＨ）等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基が挙げられる。

Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。また、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一であってもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。

Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、例えば、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、前記脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（−ＯＨ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（−Ｏ−Ｃ_６Ｈ_５）等が挙げられ、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。

ＲにおけるＹ^１は、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子である。そして、一般式「Ｒ^１−ＣＹ^１ _２−」、「ＣＹ^１ _３−」及び「Ｒ^６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ^１ _２−」においては、それぞれ複数個のＹ^１は、互いに同一でも異なっていてもよい。

ＲにおけるＲ^１は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基（Ｃ_６Ｈ_５−）であり、Ｒ^１における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ^２は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、例えば、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ^３は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり、例えば、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ^４及びＲ^５は、それぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ^４及びＲ^５は、互いに同一でも異なっていてもよく、例えば、炭素数が１〜１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。
ＲにおけるＲ^６は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり、Ｒ^６における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。

Ｒは、上記の中でも、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、一般式「Ｒ^６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ^１ _２−」で表される基、水酸基又はフェニル基であることが好ましい。そして、Ｒ^６は、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であることが好ましい。

一般式（１）において、Ｘ^１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基（Ｃ_６Ｈ_５−ＣＨ_２−）、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基（Ｃ_２Ｈ_５−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ−）、又は一般式「Ｒ^７Ｏ−」、「Ｒ^７Ｓ−」、「Ｒ^７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ^７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基である。
Ｘ^１における炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、例えば、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。

Ｘ^１におけるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
Ｘ^１におけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（−ＮＯ_２）等が挙げられ、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。

Ｘ^１におけるＲ^７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ_４Ｈ_３Ｓ−）、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ_６Ｈ_５−Ｃ_６Ｈ_４−）である。Ｒ^７における前記脂肪族炭化水素基としては、例えば、炭素数が１〜１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが挙げられる。また、Ｒ^７におけるフェニル基及びジフェニル基の前記置換基としては、例えば、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が挙げられ、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ^７がチエニル基又はジフェニル基である場合、これらの、Ｘ^１において隣接する基又は原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２−チエニル基及び３−チエニル基のいずれでもよい。

一般式（１）において、２個のＸ^１は、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよく、このようなものとしては、例えば、式「＝ＣＨ−Ｃ_６Ｈ_４−ＮＯ_２」で表される基等が挙げられる。

Ｘ^１は、上記の中でも、水素原子、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、ベンジル基、又は一般式「Ｒ^７−Ｃ（＝Ｏ）−」で表される基であることが好ましく、少なくとも一方のＸ^１が水素原子であることが好ましい。

β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ_３ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリル酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイル酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、カプロイル酢酸銀（ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_２ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ_３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ_２Ｃ_６Ｈ_５）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ベンゾイル酢酸銀（Ｃ_６Ｈ_５−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイルアセト酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリルアセト酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルピバロイル酢酸銀（（ＣＨ_３）_３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−アセチルイソブチリル酢酸銀（（ＣＨ_３）_２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はアセトンジカルボン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。

β−ケトカルボン酸銀（１）は、乾燥処理や加熱（焼成）処理等の固化処理により形成された金属銀において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。

β−ケトカルボン酸銀（１）は、後述するように、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０〜２１０℃、より好ましくは６０〜２００℃という低温で分解し、金属銀を形成することが可能である。

本発明において、β−ケトカルボン酸銀（１）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に選択できる。

β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀、アセト酢酸銀、２−エチルアセト酢酸銀、プロピオニル酢酸銀、イソブチリル酢酸銀、ピバロイル酢酸銀、カプロイル酢酸銀、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀、２−ベンジルアセト酢酸銀、ベンゾイル酢酸銀、ピバロイルアセト酢酸銀、イソブチリルアセト酢酸銀及びアセトンジカルボン酸銀からなる群から選択される１種以上であることが好ましい。
そして、これらカルボン酸銀の中でも、２−メチルアセト酢酸銀及びアセト酢酸銀は、後述する含窒素化合物（なかでもアミン化合物）との相溶性に優れ、銀インク組成物（Ａ１）の高濃度化に、特に適したものとして挙げられる。

銀インク組成物（Ａ１）において、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量は、特に限定されないが、全成分の合計配合量に対する、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量の割合は、１０〜８０質量％であることが好ましく、１５〜７０質量％であることがより好ましく、２０〜６０質量％であることが特に好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、銀インク組成物（Ａ１）の取り扱い性が向上するともに、高純度の金属銀を容易に形成できる。

＜含窒素化合物＞
前記含窒素化合物は、炭素数２５以下のアミン化合物（以下、「アミン化合物」と略記することがある）、炭素数２５以下の第４級アンモニウム塩（以下、「第４級アンモニウム塩」と略記することがある）、アンモニア、炭素数２５以下のアミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アミン化合物由来のアンモニウム塩」と略記することがある）、及びアンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩（以下、「アンモニア由来のアンモニウム塩」と略記することがある）からなる群から選択される１種以上のものである。すなわち、配合される含窒素化合物は、１種のみでよいし、２種以上でもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に選択できる。

［アミン化合物、第４級アンモニウム塩］
前記アミン化合物は、炭素数が１〜２５であり、第１級アミン、第２級アミン及び第３級アミンのいずれでもよい。また、前記第４級アンモニウム塩は、炭素数が４〜２５である。前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、鎖状及び環状のいずれでもよい。また、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子（例えば、第１級アミンのアミノ基（−ＮＨ_２）を構成する窒素原子）の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。

前記第１級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が挙げられる。

前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが挙げられ、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン（２−アミノヘプタン）、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン等が挙げられる。

前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が挙げられ、炭素数が６〜１０であることが好ましい。

前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有するものであり、前記ヘテロ原子としては、例えば、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子等が挙げられる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、すべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけ異なっていてもよい。
前記ヘテロアリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３〜１２員環であることが好ましい。

前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜４個有する単環状のものとしては、例えば、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基等が挙げられ、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、例えば、フラニル基等が挙げられ、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、例えば、チエニル基等が挙げられ、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、例えば、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基等が挙げられ、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、例えば、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基等が挙げられ、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜５個有する多環状のものとしては、例えば、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基等が挙げられ、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜３個有する多環状のものとしては、例えば、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基等が挙げられ、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、例えば、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基等が挙げられ、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、例えば、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基等が挙げられ、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。

前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、例えば、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミン又はモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（−ＮＨ_２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたもの等が挙げられる。
前記ジアミンは炭素数が１〜１０であることが好ましく、より好ましいものとしては、例えば、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン等が挙げられる。

前記第２級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が挙げられる。

前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン等が挙げられる。

前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン一分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６〜１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン一分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。

前記第３級アミンとしては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が挙げられる。

前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン一分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン等が挙げられる。

前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。

本発明において、前記第４級アンモニウム塩としては、例えば、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等が挙げられる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９であることが好ましい。
また、ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム一分子中の４個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、４個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、例えば、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド等が挙げられる。

ここまでは、主に鎖状のアミン化合物及び第４級有機アンモニウム塩について説明したが、前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩は、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子が環骨格構造（複素環骨格構造）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンでもよく、前記第４級アンモニウム塩は環状アンモニウム塩でもよい。この時の環（アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子を含む環）構造は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環及び芳香族環のいずれでもよい。
環状アミンであれば、好ましいものとして、例えば、ピリジン等が挙げられる。

前記第１級アミン、第２級アミン、第３級アミン及び第４級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン部位又はアンモニウム塩部位を構成する窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよく、前記水素原子のすべてが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基はすべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部だけが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。

前記アミン化合物及び第４級アンモニウム塩における前記置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（−ＣＦ_３）等が挙げられる。ここで、ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、前記アルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は置換基として好ましくは炭素数が１〜５のアルキル基を有する、炭素数が３〜７の環状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するモノアルキルアミンとして、具体的には、例えば、２−フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３−ジメチルシクロヘキシルアミン等が挙げられる。
また、置換基である前記アリール基及びアルキル基は、さらに１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよく、このようなハロゲン原子で置換された置換基を有するモノアルキルアミンとしては、例えば、２−ブロモベンジルアミン等が挙げられる。ここで、前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、前記アリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素数が６〜１０のアリール基が好ましく、このような置換基を有するモノアリールアミンとして、具体的には、ブロモフェニルアミン等が挙げられる。ここで、前記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、前記アルキル基は、置換基として水酸基又はアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するジアルキルアミンとして、具体的には、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン等が挙げられる。

前記アミン化合物は、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、イソブチルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−ヘプチルアミン、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、２−フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン又はＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
そして、これらアミン化合物の中でも、２−エチルヘキシルアミンは、前記カルボン酸銀との相溶性に優れ、銀インク組成物の高濃度化に特に適しており、さらに金属銀からなる層の表面粗さの低減に特に適したものとして挙げられる。

［アミン化合物由来のアンモニウム塩］
本発明において、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩は、前記アミン化合物が酸と反応してなるアンモニウム塩であり、前記酸は、塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸でもよいし、酢酸等の有機酸でもよく、酸の種類は特に限定されない。
前記アミン化合物由来のアンモニウム塩としては、例えば、ｎ−プロピルアミン塩酸塩、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン塩酸塩、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン塩酸塩等が挙げられるが、これらに限定されない。

［アンモニア由来のアンモニウム塩］
本発明において、前記アンモニア由来のアンモニウム塩は、アンモニアが酸と反応してなるアンモニウム塩であり、ここで酸としては、例えば、前記アミン化合物由来のアンモニウム塩の場合と同じものが挙げられる。
前記アンモニア由来のアンモニウム塩としては、例えば、塩化アンモニウム等が挙げられるが、これに限定されない。

本発明においては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩は、それぞれ１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に選択できる。
そして、前記含窒素化合物としては、前記アミン化合物、第４級アンモニウム塩、アミン化合物由来のアンモニウム塩及びアンモニア由来のアンモニウム塩からなる群から選択される１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に選択できる。

銀インク組成物（Ａ１）において、前記含窒素化合物の配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり０．３〜１５モルであることが好ましく、０．３〜５モルであることがより好ましい。前記含窒素化合物の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物（Ａ１）は安定性がより向上し、導電体（金属銀）の品質がより向上する。さらに、高温による加熱処理を行わなくても、より安定して導電体を形成できる。

＜還元剤＞
本発明における還元剤は、シュウ酸（ＨＯＯＣ−ＣＯＯＨ）、ヒドラジン（Ｈ_２Ｎ−ＮＨ_２）及び下記一般式（５）で表される化合物（以下、「化合物（５）」と略記することがある）からなる群から選択される１種以上のものである。
Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^２１ ・・・・（５）
（式中、Ｒ^２１は、炭素数２０以下のアルキル基、アルコキシ基若しくはＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基、水酸基又はアミノ基である。）
すなわち、配合される還元剤は、１種のみでよいし、２種以上でもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に選択できる。

Ｒ^２１における炭素数２０以下のアルキル基は、炭素数が１〜２０であり、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、例えば、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のもの等が挙げられる。

Ｒ^２１における炭素数２０以下のアルコキシ基は、炭素数が１〜２０であり、例えば、Ｒ^２１における前記アルキル基が酸素原子に結合してなる一価の基等が挙げられる。

Ｒ^２１における炭素数２０以下のＮ，Ｎ−ジアルキルアミノ基は、炭素数が２〜２０であり、窒素原子に結合している２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよく、前記アルキル基はそれぞれ炭素数が１〜１９である。ただし、これら２個のアルキル基の炭素数の合計値が２〜２０である。
窒素原子に結合している前記アルキル基は、それぞれ直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、例えば、炭素数が１〜１９である点以外は、前記一般式（１）のＲにおける前記アルキル基と同様のもの等が挙げられる。

前記還元剤として、ヒドラジンは、一水和物（Ｈ_２Ｎ−ＮＨ_２・Ｈ_２Ｏ）を用いてもよい。

前記還元剤で好ましいものとしては、例えば、ギ酸（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＨ）；ギ酸メチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ_３）、ギ酸エチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＣＨ_２ＣＨ_３）、ギ酸ブチル（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ（ＣＨ_２）_３ＣＨ_３）等のギ酸エステル；プロパナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２ＣＨ_３）、ブタナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_２ＣＨ_３）、ヘキサナール（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−（ＣＨ_２）_４ＣＨ_３）等のアルデヒド；ホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ_２）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（ＣＨ_３）_２）等のホルムアミド類（式「Ｈ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｎ（−）−」で表される基を有する化合物）；シュウ酸等が挙げられる。

銀インク組成物（Ａ１）において、前記還元剤の配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり０．０４〜１．５モルであることが好ましく、０．０６〜１．０モルであることがより好ましい。還元剤の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物（Ａ１）は、より容易に、より安定して導電体（金属銀）を形成できる。

＜アセチレンアルコール（２）＞
アセチレンアルコール（２）は、一般式（２）で表される。

式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。
Ｒ’及びＲ’’における炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。Ｒ’及びＲ’’における前記アルキル基としては、例えば、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが挙げられる。

Ｒ’及びＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、例えば、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等が挙げられ、Ｒにおけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基と同様である。そして、置換基の数及び位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。

Ｒ’及びＲ’’は、水素原子、又は炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、水素原子、又は炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。

好ましいアセチレンアルコール（２）としては、例えば、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オール、２−プロピン−１−オール、４−エチル−１−オクチン−３−オール、３−エチル−１−ヘプチン−３−オール等が挙げられる。

本発明において、アセチレンアルコール（２）は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に選択できる。

銀インク組成物（Ａ１）において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり０．０１〜０．７モルであることが好ましく、０．０２〜０．３モルであることがより好ましい。アセチレンアルコール（２）の前記配合量がこのような範囲であることで、銀インク組成物の安定性がより向上する。

＜他の成分＞
また、銀インク組成物（Ａ１）は、本発明の効果を損なわない範囲内において、β−ケトカルボン酸銀（１）、前記含窒素化合物、前記還元剤及びアセチレンアルコール（２）以外に、さらに他の成分が配合されてなるものでもよい。
前記他の成分としては、例えば、アセチレンアルコール（２）以外のアルコール（以下、「他のアルコール」と略記することがある）、アセチレンアルコール（２）及び前記他のアルコール以外の溶媒等が挙げられる。

本発明においては、前記他の成分は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよく、２種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に選択できる。

銀インク組成物（Ａ１）において、前記他のアルコール及び溶媒以外の成分の配合量は、この成分の種類に応じて適宜選択すればよく、特に限定されない。
なかでも、銀インク組成物（Ａ１）において、全成分の総配合量に対する、前記他のアルコール及び溶媒以外の成分の配合量の割合は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。また、銀インク組成物（Ａ１）において、全成分の総配合量に対する、前記他のアルコール及び溶媒以外の成分の配合量の割合の下限値は、特に限定されず、例えば、０質量％であってもよい。

［他のアルコール］
前記他のアルコールは、アセチレンアルコール（２）以外のアルコールであれば特に限定されない。
ただし、前記他のアルコールは、常温で液状であるものが好ましい。なお、本明細書において、「常温」とは、特に冷やしたり、熱したりしない温度、すなわち平常の温度を意味し、例えば、１５〜３０℃の温度等が挙げられる。

前記他のアルコールとして、より具体的には、例えば、アセチレンアルコール（２）以外のアセチレンアルコール、アセチレンアルコール（２）及びそれ以外のアルコール等が挙げられる。

（アセチレンアルコール（２）以外のアセチレンアルコール）
アセチレンアルコール（２）以外のアセチレンアルコールは、前記一般式（２）で表されない、炭素原子間の三重結合（Ｃ≡Ｃ）を有するアルコールであれば特に限定されない。
アセチレンアルコール（２）以外のアセチレンアルコールは、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよいが、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。

（アセチレンアルコール（２）及びそれ以外のアルコール）
アセチレンアルコール（２）及びそれ以外のアルコールは、炭素原子間の三重結合（Ｃ≡Ｃ）を有しないアルコールであれば特に限定されず、例えば、一価アルコール及び二価以上の多価アルコールのいずれでもよく、飽和アルコール及び不飽和アルコールのいずれでもよく、不飽和アルコールである場合には、脂肪族アルコール（芳香族環式基を有しないアルコール）及び芳香族アルコール（芳香族環式基を有するアルコール）のいずれでもよい。
アセチレンアルコール（２）及びそれ以外のアルコールは、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。

アセチレンアルコール（２）及びそれ以外のアルコールとして、より具体的には、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、２−メチル−１−プロパノール、２−メチル−２−プロパノール、１−ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール等の一価アルコール；エチレングリコール、プロピレングリコール等の二価アルコール等が挙げられる。

アセチレンアルコール（２）及びそれ以外のアルコールは、炭素数が１〜７であることが好ましい。
また、アセチレンアルコール（２）及びそれ以外のアルコールは、直鎖状又は分岐鎖状であることが好ましい。

銀インク組成物（Ａ１）が、前記他のアルコールが配合されてなるものである場合、銀インク組成物（Ａ１）において、前記他のアルコールの配合量は、特に限定されない。
なかでも、銀インク組成物（Ａ１）において、アセチレンアルコール（２）の配合量に対する、前記他のアルコールの配合量の割合は、１〜１０質量％であることが好ましく、１〜５質量％であることがより好ましい。前記割合が前記下限値以上であることで、前記他のアルコールを用いたことによる効果がより顕著に得られる。また、前記割合が前記上限値以下であることで、本発明の効果がより顕著に得られる。

［溶媒］
前記溶媒は、アセチレンアルコール（２）及び前記他のアルコール以外のもの（水酸基を有しないもの）であれば、特に限定されない。
ただし、前記溶媒は、常温で液状であるものが好ましい。

前記溶媒としては、例えば、トルエン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン等の芳香族炭化水素；ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロオクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、デカヒドロナフタレン等の脂肪族炭化水素；ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素；酢酸エチル、グルタル酸モノメチル、グルタル酸ジメチル等のエステル；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、１，２−ジメトキシエタン（ジメチルセロソルブ）等のエーテル；アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロヘキサノン等のケトン；アセトニトリル等のニトリル；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド等が挙げられる。

銀インク組成物（Ａ１）が、前記溶媒が配合されてなるものである場合、銀インク組成物（Ａ１）において、前記溶媒の配合量は、特に限定されない。
なかでも、銀インク組成物（Ａ１）において、前記溶媒の配合量は、β−ケトカルボン酸銀（１）の配合量１モルあたり０．５〜５モルであることが好ましく、０．５〜３．５モルであることがより好ましく、０．５〜２モルであることが特に好ましい。前記割合が前記下限値以上であることで、前記溶媒を用いたことによる効果がより顕著に得られる。
また、前記割合が前記上限値以下であることで、本発明の効果がより顕著に得られる。

銀インク組成物（Ａ１）は、配合成分がすべて溶解していてもよいし、一部又は全ての成分が溶解せずに分散した状態であってもよいが、配合成分がすべて溶解していることが好ましく、溶解していない成分は均一に分散していることが好ましい。

銀インク組成物（Ａ１）は、β−ケトカルボン酸銀（１）、前記含窒素化合物、前記還元剤、アセチレンアルコール（２）、及び必要に応じて前記他の成分を配合することで得られる。各成分の配合後は、得られたものをそのまま銀インク組成物（Ａ１）としてもよいし、必要に応じて引き続き公知の精製操作を行って得られたものを銀インク組成物（Ａ１）としてもよい。上記の各成分の配合時においては、導電性を阻害する不純物が生成しないか、又はこのような不純物の生成量を極めて少量に抑制できるため、精製操作を行っていない銀インク組成物（Ａ１）を用いても、十分な導電性を有する導電体（金属銀）が得られる。

各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサー、三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を使用して混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
銀インク組成物（Ａ１）において、溶解していない成分を均一に分散させる場合には、例えば、上記の三本ロール、ニーダー又はビーズミル等を用いて分散させる方法を適用するのが好ましい。

配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されない。例えば、銀インク組成物（Ａ１）において、配合時の温度は、−５〜６０℃であることが好ましい。そして、配合時の温度は、配合成分の種類及び量に応じて、配合して得られた混合物が撹拌し易い粘度となるように、適宜調節するとよい。
また、配合時間も、各配合成分が劣化しない限り特に限定されない。銀インク組成物（Ａ１）において、配合時間は１０分〜３６時間であることが好ましい。

銀インク組成物（Ａ１）の製造時における、β−ケトカルボン酸銀（１）、前記含窒素化合物、前記還元剤、アセチレンアルコール（２）、及び前記他の成分の配合方法並びに配合順序は、特に限定されない。例えば、これらの成分はいずれも、全量を一括添加してもよいし、分割添加してもよい。そして、一括添加及び分割添加のいずれの場合でも、各配合成分の添加順序は、特に限定されない。また、銀インク組成物（Ａ１）の製造時には、２種以上の配合成分を同時に添加してもよい。

透明導電性基板１は、例えば印刷により導電性薄膜１２を形成する場合、導電性薄膜１２が前述の形状となるような版を用いて導電性薄膜１２を形成することができる。

透明導電性基板１では、導電性薄膜１２が、複数の部位において距離ａがランダムに異なるように形成されているため、一定幅の導電性薄膜を有する透明導電性基板に比べて、ヘイズの低減が可能となる。
また、透明導電性基板１は、導電性薄膜１２が前述の形状となるような版を用いて印刷により導電性薄膜１２を形成できるため、従来の製造工程にほとんど変更を加えずに導電性薄膜１２を形成することができる。よって、製造が容易である。

図１に示すように、実施形態の透明導電性基板１では中央線αは直線であるが、中央線αは直線でなくてもよい。例えば、中央線αは、図４に示すように曲線であってもよいし、図５に示すように複数の屈曲部を有する折れ線状（ジグザグ状）であってもよい。

図３に示すように、実施形態の透明導電性基板１では、導電性薄膜１２は、第１の導電性薄膜１３と第２の導電性薄膜１４とが直交する格子状とされているが、導電性薄膜は、この形状に限定されない。
図６に示す導電性薄膜１２Ａは、第１の導電性薄膜１３Ａと第２の導電性薄膜１４Ａとが９０°ではない角度で交差する格子状とされている。
図７に示す導電性薄膜１２Ｂは、第１の導電性薄膜１３Ｂと第２の導電性薄膜１４Ｂとがいずれも曲線状である。第１の導電性薄膜１３Ｂと第２の導電性薄膜１４Ｂとは交差している。
図８に示す導電性薄膜１２Ｃは、第１の導電性薄膜１３Ｃが直線状であり、第２の導電性薄膜１４Ｃが曲線状である。第１の導電性薄膜１３Ｃと第２の導電性薄膜１４Ｃとは交差している。
図９に示す導電性薄膜１２Ｄは、第１の導電性薄膜１３Ｄが直線状であり、第２の導電性薄膜１４Ｄが複数の屈曲部を有する折れ線状（ジグザグ状）である。第１の導電性薄膜１３Ｄと第２の導電性薄膜１４Ｄとは交差している。
図１０に示す導電性薄膜１２Ｅは、第１の導電性薄膜１３Ｅと第２の導電性薄膜１４Ｅとが、ともに複数の屈曲部を有する折れ線状（ジグザグ状）である。第１の導電性薄膜１３Ｅと第２の導電性薄膜１４Ｅとは交差している。
図１１に示す導電性薄膜１２Ｆは、第１の導電性薄膜１３Ｆが曲線状であり、第２の導電性薄膜１４Ｆが複数の屈曲部を有する折れ線状（ジグザグ状）である。第１の導電性薄膜１３Ｆと第２の導電性薄膜１４Ｆとは交差している。
このほか、複数の導電性薄膜が、交差することなく配置されている構成も可能である。例えば、複数の直線状の導電性薄膜が互いに平行に配置された構成のように、導電性薄膜を縞状に形成してもよい。

図１に示す透明導電性基板１では、導電性薄膜１２は中央線αを対称軸とする線対称形であるが、導電性薄膜は、図１１に示す導電性薄膜１２Ｇのように、非線対称形であってもよい。

図１に示す導電性薄膜１２は、極大部位の数は３つであるが、極大部位の数はこれに限定されない。極大部位の数が４以上である場合においても、そのうち一組の隣り合う極大部位（または一組の隣り合う極小部位）においてピッチＰ１は前記範囲であることが好ましい。
前述の距離ａの極大値は距離ａの最大値であってもよい。前述の距離ａの極小値は距離ａの最小値であってもよい。

以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
実施例および比較例において、ヘイズ、および線幅については、次の方法で測定した。

（ヘイズ）
ヘイズは、ＪＩＳ Ｋ７１３６に従って、ヘーズメータ（日本電色工業製 ＮＤＨ７０００ＳＰ）を用いて測定した。本明細書においては、その絶対値を採用する。
ヘイズは、透明導電性基板１において、基材１１の表面１１ａ側から測定した（図２を参照）。

（線幅）
線幅（導電性薄膜の幅方向の寸法）、例えば、図１に示す導電性薄膜１２の中央線αから側縁１２ａまでの幅方向の距離ａは、キーエンス製レーザー顕微鏡「ＶＫ−Ｘ１００」を用いて得られた画像に基づいて測定した。

＜透明導電性基板の製造＞
［実施例１］
（銀インク組成物の製造）
ビーカー中に２−エチルヘキシルアミン（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して１．４５倍モル量）と、ｎ−ヘキサン（後述する２−メチルアセト酢酸銀に対して１．６３倍モル量）と、をこの順に加えて、メカニカルスターラーを回転させて撹拌しながら、液温が５０℃以下となるように、ビーカー中に２−メチルアセト酢酸銀を添加した。
２−メチルアセト酢酸銀の添加終了後、同様の状態を維持したまま、ビーカー中にシリンジポンプを用いて、ギ酸（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．５倍モル量）を１０分かけて滴下し、ギ酸の滴下終了後、さらにそのままの状態で１．５時間撹拌した。
次いで、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（以下、「ＤＭＨＯ」と略記することがある）（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．０３２倍モル量）及び４−エチル−１−オクチン−３−オール（以下、「ＥＯＯ」と略記することがある）（２−メチルアセト酢酸銀に対して０．００４倍モル量）の混合物をビーカー中に添加し、添加終了後、さらにそのままの状態で５分撹拌することにより、銀インク組成物を得た。
なお、ＤＭＨＯとしては、エアープロダクツジャパン社製「サーフィノール６１」を用い、ＥＯＯとしては、東京化成工業社製のものを用いた。

（透明導電性基板の製造）
図２に示すように、ポリカーボネート製基材１１（厚さ２ｍｍ）の一方の表面１１ａに、グラビアオフセット印刷法により、上記で得られた銀インク組成物を塗工して、印刷パターンを形成し、透明導電性基板１を得た。

印刷方法の詳細は以下のとおりである。
印刷に用いた凹版は、金属製でその表面に導電性薄膜の型となる溝（平均幅は約１３μｍ、深さは３μｍ）を有する。溝のピッチ（隣り合う溝同士の距離）は１９０μｍである。オフセットロールとしては、金属製の筒体の表面がシリコーン樹脂製のブランケット材で被覆されたものを用いた。
この版に銀インク組成物を供給し、ドクターブレードを用いてドクタリングを行うことによって版の溝に銀インク組成物を充填させた。余剰の金属インク組成物は除去した。
前記版から転写材（ブランケット）へ前記銀インク組成物を転写し、転写材を乾燥し、導電性の被膜を形成した。
転写した銀インク組成物の乾燥方法は二段階で行った。一段階目の加熱処理では、金属銀の形成ではなく銀インク組成物の乾燥を主に行い、二段階目の加熱処理で、金属銀の形成を最後まで行う。一段階目の加熱処理においては、熱風を用い、加熱温度は１２０℃、加熱時間は１０分間とした。二段階目の加熱処理においては、加熱水蒸気にて加湿処理した。加熱温度は１２０℃、加熱時間は１０分間とした。加湿条件下での加熱処理における相対湿度は３０〜９０％とした。
なお、「加湿」とは、特に断りのない限り、湿度を人為的に増大させることを意味し、好ましくは相対湿度を５％以上とすることである。加熱処理時には、処理温度が高いことによって、処理環境での湿度が極めて低くなるため、５％という相対湿度は、明らかに人為的に増大されたものであるといえる。

得られた透明導電性基板１（図２参照）について、ヘイズを測定した。結果を表１に示す。
表１に示す距離ａ１は、距離ａが極小値となる複数の部位（極小部位）における距離ａの平均（測定数５）である。距離ａ２は、距離ａが極大値となる複数の部位（極大部位）における距離ａの平均（測定数５）である。導電性薄膜１２のシート抵抗値は、４０Ω／□台であった。

［実施例２］
距離ａ１，ａ２以外は実施例１と同様の構成の透明導電性基板１について、ヘイズを測定した。結果を表１に示す。導電性薄膜１２の写真を図１３に示す。導電性薄膜１２のシート抵抗値は、４０Ω／□台であった。

［実施例３］
距離ａ１，ａ２以外は実施例１と同様の構成の透明導電性基板１について、ヘイズを測定した。結果を表１に示す。導電性薄膜１２のシート抵抗値は、４０Ω／□台であった。

［比較例１］
導電性薄膜の幅が一定であること以外は実施例１と同様の構成の透明導電性基板について、ヘイズを測定した。結果を表１に示す。導電性薄膜の写真を図１４に示す。導電性薄膜のシート抵抗値は、４０Ω／□台であった。

表１より、実施例１〜３は、比較例１に比べてヘイズが低くなったことが確認された。また、実施例１〜３の導電性薄膜のシート抵抗値は、比較例１と同等の結果であった。

本発明は、タッチパネル等の各種電子機器等に利用可能である。

１・・・透明導電性基板、１１・・・基材、１２・・・導電性薄膜、１２ａ・・・一方の側縁、１３・・・第１の導電性薄膜、１４・・・第２の導電性薄膜、２１・・・第１部位、２２・・・第２部位、２３・・・第３部位、２４・・・第４部位、２５・・・第５部位、２６・・・第６部位、ａ，ａ１，ａ２，ａ３，ａ４，ａ５，ａ６，ａ７・・・導電性薄膜の中央線から側縁までの距離

Claims (2)

1. 基材と、前記基材の表面に形成された線状の導電性薄膜と、を備え、
   前記導電性薄膜は、前記導電性薄膜の長さ方向の位置が異なる複数の部位において、前記導電性薄膜の幅方向の中央を通る中央線から一方の側縁までの幅方向の距離がランダムに異なる、透明導電性基板。
2. 前記導電性薄膜を複数有し、
   複数の前記導電性薄膜は、互いに平行な複数の線状の第１の導電性薄膜と、互いに平行な複数の線状の第２の導電性薄膜とを含み、
   前記第１の導電性薄膜と、前記第２の導電性薄膜とは、互いに交差することにより格子状に形成されている、請求項１に記載の透明導電性基板。