JP2009026933A - 電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルム - Google Patents

Abstract

【課題】帯状支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、消費電力を低くし、所定のパターンを有するマスクを介して露光し、現像処理を経て、帯状支持体の上に連続した金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムの提供。
【解決手段】帯状支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、遮光部分と透過部分とから構成されたパターンを有する中空円筒状マスクを介して露光し、金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、パターンの内面側が、特定の式で示される感光材料の感光波長領域の光に対する平均反射率が７０％以上、１００％未満の鏡面を有し、中空円筒状マスクは内部に光源を配設し、中空円筒状マスクの周面に感光材料を密着させ、感光材料の搬送速度と中空円筒状マスクの周速度とを同じにして露光する電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【選択図】図２

Description

本発明は電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムに関するものであり、詳しくは積分球の効果を用いて、従来無駄になっていた遮光部分の反射光を有効に利用した携帯電話、電子レンジ、ＣＲＴ、及びプラズマディスプレイ（以下、ＰＤＰとも言う）等の電子機器から発生する電磁波を遮断する透明電磁波遮断フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムに関する。

近年、携帯電話やパソコン、ＴＶなどに用いられるディスプレイ装置などに代表されるような電子機器の使用する機会の増加に伴い、電磁波障害（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：ＥＭＩ）が急増し、電子機器では、このようなＥＭＩを低減する必要性が高まっており、欧米を中心に電磁波放出の強さに関する規格又は規制が設けられ、最近の電子機器にはこれらの基準を満たすことが求められている。

電磁波を遮断する方法として、金属の電磁波を貫通させない性質を利用すればよい。例えば、筐体を金属体又は高導電体にする方法や、回路基板間に金属板を挿入する、ケーブルを金属箔で覆う方法などである。しかし、これらの材料は、一般的に不透明であるため、ＣＲＴやＰＤＰ、あるいは窓ガラスのように視認性を必要とする機材には用いることが出来ず、その用途は限られていた。ＣＲＴ、ＰＤＰ等では観察者が画面に表示される文字等を認識する必要があり、透光性が要求されている。特に、ＰＤＰは、ＣＲＴ等と比較すると多量の電磁波を発生し強い電磁波遮蔽性能が求められるため、ＰＤＰ用の透光性電磁波遮蔽材料では極めて高い導電性が要求されている。又、透明性に関する要求レベルとしても透過率が７０％以上、ＰＤＰ用として透過率が８０％以上と言う高い透明性が望まれている。

電磁波遮断性能と、透明性を両立させる手段として、これまでに多くの検討が成されてきた。例えば、特開２００４−１７９４０５号公報には、銀などの導電性材料の薄膜をスパッタ法などにより透明基材上に形成する方法が記載されている。特開２００３−２３２９０号公報には、金属薄膜のフォトリソグラフィー法を利用したエッチング加工により、透明基体上に金属薄膜のメッシュを形成する方法が記載されている。

しかし、何れも上記の作製方法は煩雑であり、大量生産するための連続生産性と言う観点からは技術が不十分であることから、改良が行われ、感光性ハロゲン化銀への露光、現像プロセスを利用して導電性メッシュを作製する方法が検討されてきた。特開２００４−１７２０４１号公報には、銀塩感光材料により容易に金属銀（導電性）パターンを形成出来ることを利用し、銀塩拡散転写法によって金属銀の薄膜パターンを形成する方法が知られている。拡散転写法は、予め基材に物理現像核を均一に塗布するため、非導電性部分に不要な触媒が残存し、透過性を損ねやすく、又現像に銀イオンあるいは銀錯体の拡散現象を利用するため、鮮鋭性が劣化しやすいためこれらの改良が進められてきた。例えば、透明支持体上に設けられたハロゲン化銀を有するハロゲン化銀乳剤層を有する帯状の感光材料を使用し、円筒中空状のフォトマスクを使用し、内部に配設した開口部を有するカバーに覆われた光源により、開口部より光りを帯状の感光材料に照射することで露光・現像を行い直接的に現像銀を形成して、それを触媒としてメッキ等を行うことにより導電性パターンを作製した電磁波シールド材が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。

特許文献１、特許文献２に記載の方法で、電磁波遮蔽材料に求められてきた連続生産、透明性、電磁波遮断性能に対してはかなりの改良が認められるのであるが次の欠点を有している。
１．光源に設けられた開口部を持つカバーにより光が吸収されるため、露光に必要な光量を得るために吸収される分だけ光量を上げる必要があり無駄な電力消費となる。
２．通常のマスクでは遮光部分の反射光は使われておらず、露光面の大部分が遮光される電磁波シールド材では光源の光の大半は無駄になり電力消費が多くなり電磁波遮蔽材料のコストが高くなる危険がある。

この様な状況から、帯状支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、消費電力を低くし、所定のパターンを有するマスクを介して露光し、現像処理を経て、帯状支持体の上に連続した金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムを開発することが望まれている。
特開２００７−８０９０１号公報 特開２００７−８０９０２号公報

本発明は、上記状況に鑑みなされたものであり、その目的は、帯状支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、消費電力を低くし、所定のパターンを有するマスクを介して露光し、現像処理を経て、帯状支持体の上に連続した金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムを提供することである。

本発明の上記目的は、下記の構成により達成された。

１．帯状支持体の上に感光性金属塩微粒子を含有する感光性層形成用塗布液を塗布し形成した感光性層を有する感光材料を使用し、前記感光材料に中空円筒状基体の周面に所定の遮光部分と透過部分とから構成されたパターンを有する中空円筒状マスクを介して露光した後、現像処理を経て、前記帯状支持体の上に金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、前記パターンの内面側が、下記、式１で示される感光材料の感光波長領域の光に対する平均反射率が７０％以上、１００％未満の鏡面を有し、前記中空円筒状マスクは内部に光源を配設し、前記中空円筒状マスクの周面に前記感光材料を密着させ、前記感光材料の搬送速度と前記中空円筒状マスクの周速度とを同じにして露光することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。

式１ 平均反射率＝遮光部分の内面の反射率×遮光部分の内面の面積比
（遮光部分の内面の面積比とは、前記パターンの全面積に対する遮光部分の内面の面積の比を示す。）
２．前記鏡面の赤外波長領域の光に対する反射率が０％を越え、５０％未満であることを特徴とする前記１に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。

３．前記１又は２に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法で製造したことを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。

帯状支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、消費電力を低くし、所定のパターンを有するマスクを介して露光し、現像処理を経て、帯状支持体の上に連続した金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムを提供することが出来、大サイズの電磁波遮蔽材料であってもコストを上げることなく、ＣＲＴやＰＤＰ、あるいは窓ガラスのように視認性を必要とする電子機器へのサイズ対応も容易になった。

本発明の実施の形態を図１〜図９を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

図１は帯状の基材を使用した電磁波遮蔽フィルムの製造装置の模式図である。

図中、１ａは製造装置を示す。製造装置１ａは供給工程２と、塗布工程３と、露光工程４と、現像処理工程５と、導電性付与工程６と、反射防止付与工程７と、回収工程８とを有している。供給工程２では、供給装置（不図示）から帯状の基材２０１が繰り出され塗布工程３に供給される。塗布工程３は塗布部３０１と乾燥部３０２とを有している。塗布部３０１では、供給される帯状の基材２０１をバックアップロール３０１ａで保持し、塗布装置３０１ｂで帯状基材の上に感光性金属塩微粒子を含有する感光性層形成用塗布液を塗布する。乾燥部３０２は乾燥装置３０２ａを有し、塗布装置３０１ｂで塗布された感光性層形成用塗布液を乾燥し、感光性層を有する感光材料２０２が出来上がる。

露光工程４は露光装置４ａとアキュームレータ４ｂとを有している。露光装置４ａは、感光材料２０２にパターンを有するマスクを介して光を照射し、パターンの露光を行うことが可能となっている。露光装置４ａに関しては図２〜図７で詳細に説明する。アキュームレータ４ｂは上側のロール４ｂ１と下側のロール４ｂ２とを有し、ロール４ｂ２の上下方向に移動（図中の矢印方向）することで露光装置４ａでの露光速度と感光材料２０２の搬送速度を調整することが可能となっている。尚、アキュームレータ４ｂは必要に応じて配設することが可能となっている。

現像処理工程５は現像処理装置５ａとアキュームレータ５ｂとを有している。現像処理装置５ａで、パターンが露光された感光材料２０２が現像処理されることでパターンの露光に対応した金属パターンが形成される。アキュームレータ５ｂは上側のロール５ｂ１と下側のロール５ｂ２とを有し、ロール５ｂ２の上下方向に移動（図中の矢印方向）することで露光装置４ａでの露光速度と現像処理装置５ａとの速度を調整することが可能となっている。尚、アキュームレータ５ｂは必要に応じて配設することが可能となっている。

導電性付与工程６は導電性付与装置６ａを有している。導電性付与装置６ａでは現像処理装置５ａで処理することで得られた金属パターンの導電性を付与するためメッキ処理が行われる。導電性付与工程６を終了することで導電性を有した金属パターンを有する電磁波遮蔽フィルム２０３が出来上がる。

反射防止付与工程７は反射防止付与装置７ａを有している。反射防止付与装置７ａで、更に電磁波遮蔽フィルム２０３の性能を上げるために表面に反射防止機能が付与される。

回収工程８は巻き取り装置（不図示）を有し、反射防止付与工程７から送られてくる電磁波遮蔽フィルム２０３を巻き芯に巻き取りロール状として回収する。２０３ａは回収されたロール状の磁波遮蔽フィルムを示す。以上の工程により、感光材料の製造、露光、現像処理、導電性付与処理、反射防止付与処理が連続搬送によって可能となり、電磁波遮蔽材料のロールトゥーロールの生産が可能になる。

尚、本図では感光材料の製造から反射防止付与工程７迄を連続して行う場合を示しているが、感光材料が出来た状態で一旦巻き取り回収し、回収した感光材料を使用し、露光工程４から始めても構わない。勿論、別工程で感光材料を製造し、露光工程に供給しても構わない。必要に応じて適宜選択することが可能である。

本発明は、本図に示す様に感光材料２０２を使用し、露光工程でパターンを有するマスクを介して光を照射し露光した後、現像処理することでパターンを有する電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムに関するものである。

図２は図１のＲで示される部分の拡大概略斜視図である。

図中、４ａは露光装置を示す。露光装置４ａは、マスク４ａ１と駆動ローラ４ａ２と、保持ローラ４ａ３と、保持ローラ４ａ４と、測定機４ａ５１、４ａ５２とを有している。マスク４ａ１は外周面４ａ１１１に所定のパターンを有し、遮光部分の内側が回動可能で透明な中空円筒状基体４ａ１１を有している。外周面４ａ１１１は、両端の内面が鏡面加工された遮光性の非パターン形成部４ａ１１２と、感光材料２０２のスリップ防止手段４ａ１４（図６参照）と、遮光部分の内面が鏡面加工されたパターン形成部４ａ１１３とを有している。

本発明で利用する積分球の効果とは内面を反射率１００％に加工し一部に小窓を開けた球体では、球体の内側から発せられた光のすべてが小窓から外部に出て行くという効果であり、底面と側面の内側に完全反射加工を施した中空の円柱内に光源を配置した場合でも同様の効果がある。この効果を利用すれば通常は開口部分に到達した光しか露光に利用できないマスクがすべての発光を利用できるようになり、開口比率１０％のマスクでは従来の１０倍、開口比率１％のマスクでは従来の１００倍の利用効率が得られる。

中空円筒状基体４ａ１１は２本の保持ローラ４ａ４と、保持ローラ４ａ３との上に載置されており、駆動ローラ４ａ２により回動する様になっている。駆動ローラ４ａ２は中空円筒状基体４ａ１１の両端の非パターン形成部４ａ１１２に接する様に配設されており、露光装置４ａのフレーム（不図示）に取り付けられた駆動部（不図示）により回動し中空円筒状基体４ａ１１を回動可能としている。尚、中空円筒状基体４ａ１１を回動する方式は特に限定はなく、例えば中空円筒状基体４ａ１１の片側に軸を取り付け軸を駆動部に繋げることで回転させる方式、中空円筒状基体４ａ１１の両端にベルトを取り付けプーリーを介して回転させる方式等が挙げられる。

中空円筒状基体４ａ１１の材質は上記透過率を有していれば特に限定はなく、取り扱い性、加工性等を考慮し、例えばガラス、樹脂等が挙げられる。

保持ローラ４ａ３は感光材料２０２の感光層２０２ａを中空円筒状基体４ａ１１の外周面４ａ１１１に密着させ巻き回す様に中空円筒状基体４ａ１１の両側の位置に配設されている。尚、本発明において密着させ巻き回すとは、感光材料２０２と中空円筒状基体４ａ１１とが接触する領域で、感光材料２０２の感光層２０２ａの表面全面とマスク４ａ１の中空円筒状基体４ａ１１上に形成されたパターンの全ての遮蔽部分Ｕ（図６参照）とが接触している状態を言う。

保持ローラ４ａ４は中空円筒状基体４ａ１１を回動可能に保持するため、中空円筒状基体４ａ１１の両側の位置に配設されており、露光装置４ａのフレーム（不図示）に取り付けられている。

測定機４ａ５１は感光材料２０２の搬送速度を測定する測定機を示す。測定機としては特に限定はなく、例えばＣＣＤカメラ、エンコーダ等が挙げられ適宜使用することが可能である。測定機４ａ５２は中空円筒状基体４ａ１１の周速度を測定する測定機を示す。測定機としては特に限定はなく、測定機４ａ５１と同じであることが好ましい。

本図に示される露光装置４ａを使用し、感光材料２０２にマスク４ａ１を介して露光する時、マスク４ａ１のパターンの鮮鋭性を上げるため、中空円筒状基体４ａ１１の周速度と、感光材料２０２の搬送速度とを同じになるように測定機４ａ５１と測定機４ａ５２とを使用してフィードバック制御する必要がある。

測定機４ａ５１と測定機４ａ５２とを使用した具体的な制御の一例を以下に示す。

Ｓ１では、測定機４ａ５１により感光材料の搬送速度が測定され、測定された情報はメモリーとＣＰＵとを有する制御装置に入力される。

Ｓ２では、測定機４ａ５２によりマスク４ａ１の中空円筒状基体４ａ１１の周速度が測定され、測定された情報はメモリーとＣＰＵとを有する制御装置に入力される。

Ｓ３では、入力された測定機４ａ５１からの情報と、測定機４ａ５２からの情報とを演算処理し、感光材料の搬送速度と中空円筒状基体４ａ１１の周速度とを合わせる様に制御が行われる。

本図に示す如く、感光材料２０２の感光層２０２ａを中空円筒状基体４ａ１１の外周面４ａ１１１に密着させ巻き回し、中空円筒状基体４ａ１１の周速度と、感光材料２０２の搬送速度とを同じにすることで、１）鮮鋭性が高い連続パターンを得ることが可能となる。

４ａ６は、マスク４ａ１の感光材料２０２と非接触の部分の外周面に配設された遮蔽部材を示す。遮蔽部材４ａ６はマスク４ａ１の透過部分からの漏光による感光材料２０２の曝射を防止するために配設されている。遮蔽部材４ａ６の配設する場所はマスク４ａ１の感光材料２０２と非接触の部分の外周面の全面を覆ってもよいし、本図に示すようにマスク４ａ１から感光材料２０２が離れる箇所を覆ってもよい。

露光装置４ａは中空円筒状基体４ａ１１のパターン形成部４ａ１１３を掃除するための清掃手段（不図示）を配設することが、鮮鋭性が高いパターンを得ることから好ましい。清掃手段としては特に限定はなく、例えばブラシ、粘着ローラ、空気の吹き付け・吸引、イオン風の吹き付け等が挙げられる。又、帯電によるゴミ付着を防止することからアースを取ることも好ましい。

図３は図２に示されるマスクのパターン形成部に設けられているパターンの一例を示す拡大概略平面図である。

図中、４ａ１１４はパターンを示す。パターン４ａ１１４はメッシュ模様構成部分Ｕと、第１透過部分Ｔ１とを有している。メッシュ模様構成部分Ｕは、遮蔽部分Ｕ１（図中、黒塗り部分）と第２透過部分Ｕ２とを有している。

メッシュ模様構成部分Ｕは第１透過部分Ｔ１に挟まれる様に構成されており、感光材料２０２（図２を参照）に露光され、図１に示される現像処理工程５と、導電性付与工程６と、反射防止付与工程７と、回収工程８を経て得られる電磁波遮蔽フィルムになった場合、メッシュ模様構成部分Ｕは電磁波遮蔽部となり、第１透過部分Ｔ１はアース部となる。

パターン４ａ１１４は、連続的に外周面４ａ１１１（図２参照）に設けられていてもよいし不連続に設けられていてもよい。尚、連続的とは、切れ目及び繋ぎ目がないことを言う。本図に示す如きパターンを有するマスクを介して感光材料に露光し、現像処理することで、遮蔽部分Ｕが光透過性部となり、透過部分Ｕ２、Ｔ１が導電性金属部分となる。

外周面４ａ１１１（図２参照）に設けられているパターン４ａ１１４の形状は特に限定はなく、例えば、（ａ）は遮蔽する部分の形状が矩形の場合、（ｂ）は菱形、（ｃ）は三角形、（ｄ）は６角形の場合を示している。この他の形状としては、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形などの（正）ｎ角形、円、楕円、星形などを組み合わせた幾何学図形が挙げられる。ＥＭＩ遮蔽性の観点からは三角形の形状が最も有効であるが、可視光透過性の観点からは同一のライン幅なら（正）ｎ角形のｎ数が大きいほど開口率が上がり可視光透過性が大きくなるので有利である。

パターン４ａ１１４の内面側は、下記、式１で示される平均反射率が７０％以上、１００％未満の鏡面を有している。

式１ 平均反射率＝遮光部分の内面の反射率×遮光部分の内面の面積比
（遮光部分の内面の面積比とは、前記パターンの全面積に対する遮光部分の内面の面積の比を示す。）
本発明では積分球の原理を用いているため通常のマスクでは利用できない遮蔽部分の反射光も透過部分の露光に再利用できる。再利用される反射光は通常、複数回の反射を繰返して透過部分に到達するため平均反射率が低いと反射のたびにロスが生じ反射光を有効に利用できない。平均反射率が７０％未満の場合は、露光の際の反射光が反射を繰返すたびに急激に減衰するため消費電力が多く掛かり好ましくない。平均反射率が１００％の場合、透過部分の形成が困難となる。

反射率はウシオ電機（株）製ＵＲＥ−３０で測定した分光反射率の感光材料の感光波長範囲の平均値でした。感光材料の感光波長範囲とは感度が２．０以上の部分である。

第２透過部分Ｕ２（露光後の現像で導電性金属部となる部分）の幅は、パターンの隠蔽効果等を考慮し、５μｍ〜２０μｍが好ましい。幅は（株）キーエンス製 光学顕微鏡ＶＥ８８００を使用し２００倍で測定した値を示す。第１透過部分Ｔ１（露光後の現像で導電性金属部となる部分）の幅は、アース接続性等を考慮し、１ｍｍ〜５０ｍｍが好ましい。

パターン４ａ１１４の内面（鏡面）の赤外波長領域の反射率が０％を越え５０％未満であることが好ましい。赤外波長領域の反射率が５０％以上の場合、電磁波遮蔽材料の露光部に熱が集中するため、カブリが生じ鮮鋭性を劣化させる場合がある。

遮蔽部分Ｕの遮蔽率は、現像処理後の可視光透過面積、出来上がった電磁波遮蔽フィルムの画像視認性、アース適性等を考慮し、８５％〜９７％が好ましい。遮蔽率とは、光を遮蔽する部分Ｕの一定面積に占める割合を示す。例えば、透過部分Ｔが幅１０μｍ、ピッチ３００μｍで直交する網目パターンの場合、遮蔽率は９３．５％である。

パターン４ａ１１４の中空円筒状基体４ａ１１（図２参照）の外周面４ａ１１１（図２参照）からの厚さは、露光時の感光材料の密着性、感光材料の平面性を考慮し、２００ｎｍ〜２μｍであることが好ましい。厚さは、エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）製 蛍光Ｘ線膜厚計 ＳＦＴ９４５５で測定した値を示す。

本図に示す如きパターンは、内面の平均反射率を得るため蒸着法で形成することが好ましい。反射膜としては、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）等の金属蒸着膜や低屈折率誘電体薄膜と高屈折率誘電体薄膜を交互に複数層積層したダイクロイック膜が挙げられ、単層または多層の膜として形成される。

パターン４ａ１１４の外側表面（円柱の側面）は、ＭｇＦ₂やＳｉＯ₂等による乾式法やフッ素樹脂等による湿式法で反射防止処理をする事が好ましい。表面の最小反射率は反射による露光部のにじみや中空円筒状基体表面の加工性等を考慮し、０．１％〜１０％とすることが好ましく、最小反射波長は、感光材料の感光波長範囲にあることが好ましい。最小反射率はウシオ電機（株）製ＵＲＥ−３０を用い２８０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で測定した外側表面のみの（裏面からの反射分を含まない）分光反射率から求めた。

パターン４ａ１１４の表面は、上記の反射防止処理の有無に関わらず、鉛筆硬度で２Ｈ以上の硬度を持つことが好ましく、４Ｈ以上であれば更に好ましい。硬度が不足する場合、感光体との繰返し摩擦により表面に擦傷が付きやすくマスクの寿命が短くなる。非パターン形成部４ａ１１２２の外側表面（円柱の側面）は、パターン４ａ１１４の外側表面と同等の鏡面加工がなされていることが好ましい。

中空円筒状基体４ａ１１の内側表面には、ＭｇＦ₂やＳｉＯ₂等による乾式法やフッ素樹脂等による湿式法で反射防止処理をする事が好ましい。表面の最小反射率は反射による露光部のにじみや中空円筒状基体表面の加工性等を考慮し、０．１％〜１０％とすることが好ましく、最小反射波長は、感光材料の感光波長範囲にあることが好ましい。反射防止処理の手法は、外側表面と異なっても良い。

本図に示すパターンは第１透過部分Ｔ１に挟まれる単位を１つとして、１単位毎に形成されていてもよいし、第１透過部分Ｔ１に挟まれる単位を繋ぎ目がない様に連続的に形成して合っても構わない。必要に応じて使い分けることが可能となっている。

図４は図２に示す露光装置の概略拡大断面図である。図４（ａ）は図２のＡ−Ａ′に沿った概略拡大断面図である。図４（ｂ）は図２のＢ−Ｂ′に沿った概略拡大断面図である。

図中、４ａ５は中空円筒状基体４ａ１１の内部に配設された光源を示す。光源４ａ５は中空円筒状基体４ａ１１の外周面に設けられたパターンに合わせ幅方向に配設されている。光源４ａ５の形状は特に限定はなく、例えば線状連続光源、線状光源を平行に並べた光源、点光源を線状に連続に並べた光源等が挙げられる。光源４ａ５の配置位置は、中空円筒状基体４ａ１１の中心近傍に配置することが好ましい。

Ｉは光源４ａ５の中空円筒状基体４ａ１１の幅方向の幅を示す。幅Ｉはパターンの幅に対して、感光材料の使用効率等を考慮し、長いことが好ましい。尚、長いとは中空円筒状基体４ａ１１の直径以上を言う。パターンの幅よりも長い場合は、パターンの幅よりも広い部分に遮光カバーを取り付けることが好ましい。

４ａ７は中空円筒状基体４ａ１１の内部の幅方向に配設された第１反射鏡を示す。第１反射鏡４ａ７は、マスク４ａ１と感光材料２０２との非接触の部分の外周面に相当する長さで、マスク４ａ１の内面側に配設されている。又、第１反射鏡４ａ７の幅は、パターン形成部４ａ１１３の幅より長いことが好ましい。

第１反射鏡４ａ７の反射率は、反射効率、反射鏡の加工性等を考慮し、感光材料の感光波長範囲の平均反射率として７０％以上、１００％未満であることが好ましい。第１反射鏡４ａ７の反射率は、パターンの内面の反射率の測定と同じ方法で測定した値を示す。

第１反射鏡４ａ７を配設することで次の効果が挙げられる。
１．第１反射鏡４ａ７を配設した領域から、マスクの透過部分を通しての漏光を防止し、感光材料への不要の曝射を防止し、鮮鋭性の高いパターンの露光が可能となる。
２．光源からの照射光をより有効に利用することが可能とり、消費電力の低下が可能となる。

尚、第１反射鏡４ａ７を配設する場合は、遮蔽部材４ａ６は必要に応じて併用することが好ましい。

第１反射鏡４ａ７の内面４ａ７１に使用する材料としては、反射率が得られれば特に限定はなく、例えばアルミ板に硫酸バリウムを塗設した材料、一般の照明器具に使用している反射板、アルミ板にチタン、シリコンの酸化物を蒸着した材料等が挙げられ。

光源４ａ５から出る光の波長としては、使用する感光材料の感光波長に合わせ適宜変更することが可能である。

４ａ８は中空円筒状基体４ａ１１の両側の非パターン形成部の中空部に配設された第２反射鏡を示す。第２反射鏡４ａ８はマスクの軸に対して直角な底面に平行で、底面の面積の９０％以上を覆う様に配設されている。第２反射鏡の設置位置は中空円筒状基体の底面近傍の外側でも良い。第１反射鏡と併用する場合は第２反射鏡の内面の反射率は第１反射鏡４ａ７の内面４ａ７１の反射率と同じであることが好ましく、使用する材料も同じであることが好ましい。

第２反射鏡を配設することで次の効果が挙げられる。
１．底面からの漏光を防止することが可能となる。
２．底面からの漏光する光を反射することで光源からの照射光の有効利用が可能となり、消費電力の低下が可能となる。

Ｈは中空円筒状基体４ａ１１の胴体の厚さを示し、強度、透過率、変形、コスト等を考慮し、２ｍｍ〜３０ｍｍが好ましい。

図５は汚れ検出装置と清掃手段とを配設した図２に示される露光装置の概略斜視図である。

図中、４ａ９はマスク４ａ１のパターン形成部４ａ１１３の外周面の汚れ、異物付着等を検出する検出装置を示す。検出装置４ａ９としては特に限定はなく、例えば、エリアセンサー、ラインセンサー等が挙げられる。本図の場合は、（株）テクノス社製のテクノス５０００の専用カメラを３台、マスク４ａ１の幅方向に配設した場合を示している。４ａ１０はマスク４ａ１のパターン形成部４ａ１１３の外周面の清掃手段を示す。清掃手段４ａ１０は、検出装置４ａ９は平常時はマスク４ａ１から離れた位置に待機しており、検出装置４ａ９の情報によりマスク４ａ１の外周面に接触する様に配設されていることが好ましい。清掃手段としては特に限定はなく、例えば、粘着ロール、吸引孔管等が挙げられる。他の符号は図２と同義である。

汚れ検出装置と清掃手段とを配設することで次の効果が上げられる。
１．マスクの第２透過部分Ｕ２（図３を参照）への汚れ、ゴミ付着に伴う断線がなくなり、製品としての性能が安定した磁波遮蔽フィルムの製造が可能となった。
２．連続生産が可能となり、生産コストを抑制することが可能となった。

図６は円筒状マスクの中空部に送風管を配設した図２に示す露光装置のＡ−Ａ′に沿った概略拡大断面図である。

図中、４ｃは送風管を示し、一方は送風装置（不図示）に繋がっている。送風管４ｃの周面には円筒状マスクの幅方向に複数の送風孔（不図示）が開けられており、円筒状マスクの内面に向けて風を噴出（図中の矢印方向）する様になっている。噴出した風は第２反射鏡４ａ８と円筒状マスクの内面との隙間から外部に排出（図中の矢印方向）される様になっている。他の符号は図４と同義である。

送風管４ｃを配設することで次の効果が上げられる。
１．マスクの第２透過部分Ｕ２（図３を参照）の内面側への汚れ、ゴミ付着に伴う断線がなくなり、製品としての性能が安定した磁波遮蔽フィルムの製造が可能となった。
２．連続生産が可能となり、生産コストを抑制することが可能となった。

図７は帯状の基材を使用した電磁波遮蔽フィルムの他の製造装置の模式図である。

尚、本図に示す製造装置と図１に示す製造装置との違いは、図１に示す製造装置は露光工程が一つに対して、本図に示す製造装置は、第１露光装置、第２露光装置の２つの露光装置を有する露光工程を有していることである。露光工程を除いて他は全て図１に示す製造装置と同じである。

図中、１ｂは製造装置を示す。製造装置１ｂは供給工程２と、塗布工程３と、露光工程９、現像処理工程５と、導電性付与工程６と、反射防止付与工程７と、回収工程８とを有している。供給工程２と、塗布工程３と、現像処理工程５と、導電性付与工程６と、反射防止付与工程７と、回収工程８は図１に示す供給工程２と、塗布工程３と、現像処理工程５と、導電性付与工程６と、反射防止付与工程７と、回収工程８と同じであるため説明は省略する。

露光工程９は第１露光装置９ａ１と第２露光装置９ａ２とアキュームレータ９ｂとを有している。第１露光装置９ａと第２露光装置９ａ２とは使用するマスクのパターンが異なる他は、図２に示す露光装置４ａと同じ構造の露光装置となっている。

本図に示す製造装置１ｂは、図３に示すパターン（ａ）〜（ｄ）をメッシュ模様構成部分Ｕ（図３を参照）と第１透過部分Ｔ１（図３を参照）とに分解したマスクを使用し、感光材料２０２（図１を参照）に露光する様になっている。具体的のマスクのパターンは図８に示す。

アキュームレータ４ｂは上側のロール４ｂ１と下側のロール４ｂ２とを有し、ロール４ｂ２の上下方向に移動（図中の矢印方向）することで露光装置４ａでの露光速度と感光材料２０２の搬送速度を調整することが可能となっている。尚、アキュームレータ４ｂは必要に応じて配設することが可能となっている。

図８は図７に示す製造装置の第１露光装置と第２露光装置に使用するマスクの概略図である。

（ａ）に示されるパターンは、図３（ａ）に示されるパターンと同じである。（ａ１）に示されるパターンは、（ａ）に示されるパターンより第１透過部分Ｔ１を取り除き、遮蔽部分Ｕ１（図中、黒塗り部分）と第２透過部分Ｕ２とを有するメッシュ模様構成部分Ｕのみのパターンを示す。（ａ２）に示されるパターンは、（ａ）に示されるパターンよりメッシュ模様構成部分Ｕを取り除き、第１透過部分Ｔ１のみのパターンを示す。
（ａ１）に示されるパターンを有するマスクは図７に示す第１露光装置に使用し、（ａ２）に示されるパターンを有するマスクは図７に示す第２露光装置に使用される。図７に示す製造装置で図８に示す分解したパターンを使用したマスクで感光材料に露光することで最終的には図９（ａ）に示す電磁波遮蔽フィルムが出来上がる。

この様に図７に示す製造装置で図８に示す分解したパターンを使用したマスクで感光材料に露光することで次の効果が挙げられる。
１．第１透過部分Ｔ１の間隔を調整することでメッシュ模様構成部分Ｕの面積の調整が容易になり、要求される電磁波遮蔽フィルムのサイズへの対応が容易になる。
２．パターンの作成が容易になる。
３．第１透過部分Ｔ１の形状を変えることで電磁波遮蔽フィルムとした時にアース部の位置の設定が容易になる。

図９は図３に示されるマスクを使用し図１に示される電磁波遮蔽フィルムの製造装置で製造した電磁波遮蔽フィルムの電磁波遮蔽パターンの概略図である。

図中、Ｕ′１は光透過部を示す。光透過部Ｕ′１は、マスク４ａ１（図２参照）を使用し感光材料２０２（図１参照）に露光し、現像処理することで外周面４ａ１１１（図２参照）に設けられているパターンの遮蔽部分Ｕ１（図３参照）の感光性金属塩微粒子が除去された部分である。Ｕ′２は導電性金属部を示す。導電性金属部Ｕ′２はマスク４ａ１（図２参照）を使用し感光材料２０２（図１参照）に露光し、現像処理することで外周面４ａ１１１（図２参照）に設けられているパターンの第２透過部分Ｕ２（図３参照）の感光性金属塩微粒子が現像された部分である。Ｔ′１は導電性金属部を示す。導電性金属部Ｔ′１はマスク４ａ１（図２参照）を使用し感光材料２０２（図１参照）に露光し、現像処理することで外周面４ａ１１１（図２参照）に設けられているパターンの第１透過部分Ｔ１（図３参照）の感光性金属塩微粒子が現像された部分である。

光透過部Ｕ′１の透過率は、基材の光吸収及び反射の寄与を除いた３８０〜７８０ｎｍの波長領域における透過率の最小値で示される透過率が９０％以上、好ましくは９５％以上、更に好ましくは９７％以上であり、更により好ましくは９８％以上であり、最も好ましくは９９％以上であることが好ましい。導電性金属部Ｕ′１の幅はアース接続性等を考慮し、５μｍ〜２０μｍが好ましい。導電性金属部Ｔ′１の幅はアース接続性等を考慮し、１ｍｍ〜５０ｍｍが好ましい。

本発明に使用する感光材料の感光層の厚さは、露光のにじみ、露光後の導電性、物理強度等を考慮して、メッシュ模様構成部分Ｕ（図３を参照）を構成している第２透過部分Ｕ２（図３を参照）の幅の１／１０００〜１／２であることが好ましい。１／１０００未満では、物理現像後の導電性や強度が確保できず、１／２を越えると露光時のにじみが過大になる。

以下に、本発明に係わる材料に付き説明する。

（感光性材料）
本発明の感光性材料の基材に使用する樹脂は、フィルムにした時に可視光の透過率が、８０％以上を有していれば特に限定はない。これらの樹脂としては例えば、セルロースジアセテート樹脂、セルローストリアセテート樹脂、セルロースアセテートブチレート樹脂、セルロースアセテートプロピオネート樹脂等のセルロースエステル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリスルホン（ポリエーテルスルホンも含む）系樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、セロファン、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、シンジオタクティックポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエーテルケトンイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂、ナイロン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、アクリル樹脂等を挙げることが出来る。

本発明の感光性材料の基材としては、これらの樹脂から製造された厚さ２５μｍ〜２５０μｍの透明樹脂フィルムを用いることが出来る。これらの基材は、感光性形層成用塗布液を塗設するための公知の親水性下引き層を有してもよい。又、基材上に感光性形層を形成する際に、基材の裏面にハレーション防止層を設けてもよい。ハレーション防止層は、感光性形層を透過し基材を透過した光の反射抑える層であり、露光による光の滲みを抑え形成される金属パターンの鮮鋭度を上ることが出来る。

（感光性形層成用塗布液）
感光性金属塩微粒子、各種添加剤をバインダー中に分散した感光性形層成用塗布液が使用される。

（感光性金属塩微粒子）
感光性金属塩微粒子としては、例えば銅、クロム等の重金属塩、感光性銀塩等が挙げられ、感光性であれば何れの金属も用いることが出来るが、感光性銀塩微粒子、中でもハロゲン化銀微粒子が好ましく、写真用ハロゲン化銀乳剤が好ましく用いられる。

（感光性銀塩）
本発明で用いられる感光性銀塩としては、ハロゲン化銀などの無機銀塩及び酢酸銀などの有機銀塩が挙げられるが、光センサーとしての特性に優れるハロゲン化銀を用いることが好ましい。

本発明では、ハロゲン化銀を光センサーとして機能させるために使用するが、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等で用いられるハロゲン化銀に関する技術は、本発明においてそのまま用いることが出来る。

ハロゲン化銀に含有されるハロゲン元素は、塩素、臭素、ヨウ素及びフッ素の何れであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩを主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられ、更にＡｇＢｒを主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられる。

ここで、「ＡｇＢｒ（臭化銀）を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中に占める臭化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀を言う。このＡｇＢｒを主体としたハロゲン化銀粒子は、臭化物イオンの他に沃化物イオン、塩化物イオンを含有していてもよい。

ハロゲン化銀は固体粒子状であるため、露光、現像処理後に形成されるメッシュパターン状金属銀層の品質の観点からは、ハロゲン化銀の平均粒子サイズは、球相当径で０．１〜１０００ｎｍ（１μｍ）であることが好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであることが更に好ましい。尚、ハロゲン化銀粒子の球相当径とは、粒子形状が球形の同じ体積を有する粒子の直径である。

ハロゲン化銀粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状など）、八面体状、１４面体状など様々な形状であることが出来る。

ハロゲン化銀は、更に他の元素を含有していてもよく、例えば、写真乳剤において、硬調な乳剤を得るために用いられる金属イオンをドープすることも有用である。特にロジウムイオンやイリジウムイオンなどの遷移金属イオンは、金属銀像の生成の際に露光部と未露光部の差が明確に生じやすくなるため好ましく用いられる。ロジウムイオン、イリジウムイオンに代表される遷移金属イオンは、各種の配位子を有する化合物であることも出来る。そのような配位子としては、例えば、シアン化物イオンやハロゲンイオン、チオシアナートイオン、ニトロシルイオン、水、水酸化物イオンなどを挙げることが出来る。具体的な化合物の例としては、Ｋ₃Ｒｈ₂Ｂｒ₉及びＫ₂ＩｒＣｌ₆などが挙げられる。

本発明において、ハロゲン化銀に含有されるロジウム化合物及び／又はイリジウム化合物の含有率は、好ましくは、ハロゲン化銀の銀のモル数に対して、１０^-10〜１０^-2モル／モルＡｇであり、１０^-9〜１０^-3モル／モルＡｇであることが更に好ましい。

その他、Ｐｄ（II）イオン及び／又はＰｄ金属を含有するハロゲン化銀も好ましく用いることが出来る。この様なハロゲン化銀粒子は、ハロゲン化銀粒子を形成する過程においてＰｄを添加することにより作製することが出来。又Ｐｄ（II）イオンを後熟時に添加するなどの方法でハロゲン化銀表層に存在させることも好ましい。

Ｐｄは、無電解メッキ触媒としてよく知られて用いられており、このＰｄの含有によって、物理現像や無電解メッキの速度を速め、所望の電磁波遮蔽材料の生産効率を上げ、生産コストの低減に寄与する。

ハロゲン化銀に含まれるＰｄイオン及び／又はＰｄ金属の含有率は、ハロゲン化銀の銀のモル数に対して１０^-8〜１０^-4モル／モルＡｇであることが好ましく、１０^-6〜１０^-5モル／モルＡｇであることが更に好ましい。

又、ゼラチンとの結合を抑制しＡｇＸへより効率的に配位させるために、Ｐｄ（ＳＣＮ）₂錯体やパラジウムグリシネートとして添加することが好ましい。

Ｐｄ化合物の例としては、ＰｄＣｌ₄やＮａ₂ＰｄＣｌ₄等が挙げられる。

ハロゲン化銀は、更に光センサーとしての感度を向上させるため、ハロゲン化銀写真乳剤で行われる化学増感を施すことが出来る。化学増感としては、例えば、金増感などの貴金属増感、イオウ増感などのカルコゲン増感、還元増感等を利用することが出来る。

本発明で使用出来る乳剤としては、例えば、特開平１１−３０５３９６号公報、特開２０００−３２１６９８号公報、特開平１３−２８１８１５号公報、特開２００２−７２４２９号公報の実施例に記載されたカラーネガフィルム用乳剤、特開２００２−２１４７３１号公報に記載されたカラーリバーサルフィルム用乳剤、特開２００２−１０７８６５号公報に記載されたカラー印画紙用乳剤などを好適に用いることが出来る。

（バインダー）
本発明の銀塩微粒子（含有）層において、バインダーは、銀塩粒子を均一に分散させ、かつ銀塩含有層と支持体との密着を補助する目的で用いることが出来、本発明においては、非水溶性ポリマー及び水溶性ポリマーの何れもバインダーとして用いることが出来るが、水溶性ポリマーを用いることが好ましい。

バインダーとしては、例えば、ゼラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、澱粉等の多糖類、セルロース及びその誘導体等が挙げられる。ゼラチンが特に好ましい。

本発明の銀塩微粒子含有層中に含有されるバインダーの含有量は、特に限定されず、分散性と密着性を発揮し得る範囲で適宜決定することが出来る。銀塩含有層中のバインダーの含有量は、Ａｇ／バインダー体積比で１／４〜１００であることが好ましく、１／３〜１０であることがより好ましく、１／２〜２であることが更に好ましい。１／１〜２であることが最も好ましい。銀塩含有層中にバインダーをＡｇ／バインダー体積比で１／４以上含有すれば、物理現像及び／又はメッキ処理工程において金属粒子同士が互いに接触しやすく、高い導電性を得ることが可能であるため好ましい。

又、本発明の銀塩微粒子含有層には、感光性銀塩微粒子のほか、活性剤、硬膜剤等各種の添加剤を含んでもよい。

本発明の銀塩微粒子層で用いられる溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば、水、有機溶媒（例えば、メタノールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、ホルムアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、酢酸エチルなどのエステル類、エーテル類等）、イオン性液体、及びこれらの混合溶媒を挙げることが出来る。ハロゲン化銀ゼラチン乳剤を用いるには水を主体とすることが好ましい。

（塗布装置）
上記の銀塩微粒子層の塗設は上記各成分を含有する例えばハロゲン化銀乳剤の水性の塗布液を被塗布物上に塗布液を塗布する方式としては、一つは必要な塗布液膜を形成する量だけ塗布液を吐出させて被塗布物上に塗布液を塗布する前計量型塗布方式、もう一つは予め必要な塗布液膜形成量よりも余剰な塗布液を被塗布物上に吐出させ、その後なんらかの掻き取り手段で余剰分を取り除く後計量型塗布方式である。後計量型塗布方式としては、ブレード型塗布方式、エアーナイフ型塗布方式、ワイヤーバー型塗布方式などが挙げられる。又、前計量型塗布方式としては、スロット型（エクストルージョン型とも言う）塗布方式、カーテン型塗布方式、スライド型塗布方式などが挙げられる。

一般的には、前計量方式では装置構成等は複雑であるが高精度な塗布液膜が得られることから本発明に係わる塗布方式として向いている。

こうした前計量方式の塗布方式における塗布装置とは、スロット型（エクストルージョン型とも言う）塗布方式にはエクストルージョン型塗布装置、カーテン型塗布方式にはカーテン型塗布装置、スライド型塗布方式にはスライド型塗布装置が使用されており、必要に応じて選択死使用することが可能である。

（現像処理）
本発明では、銀塩微粒子含有層を露光した後、現像処理が行われる。現像処理は、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる通常の現像処理の技術を用いることが出来る。現像液については特に限定はしないが、ＰＱ現像液、ＭＱ現像液、ＭＡＡ現像液等を用いることも出来、例えば、ＫＯＤＡＫ社製のＣ−４１、Ｅ−６、ＲＡ−４、Ｄ−１９、Ｄ−７２などの現像液、又はそのキットに含まれる現像液、又、Ｄ−８５などのリス現像液を用いることが出来る。

本発明では、上記の露光及び現像処理を行うことにより金属銀部、好ましくはパターン状金属銀部が形成されると共に、後述する光透過性部が形成される。

本発明における現像処理は、未露光、未現像部分の銀塩を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を含むことが出来る。本発明における定着処理は、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる定着処理の技術を用いることが出来る。

現像処理で用いられる現像液は、画質を向上させる目的で、画質向上剤を含有することが出来る。画質向上剤としては、例えば、ベンゾトリアゾールなどの含窒素ヘテロ環化合物を挙げることが出来る。又、リス現像液を利用する場合特に、ポリエチレングリコールを使用することも好ましい。

現像処理後の露光部（現像された部分）に含まれる金属銀の質量は、露光前に含まれていた銀の質量に対して５０質量％以上の含有率であることが好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。露光部に含まれる銀の質量が露光前の露光部に含まれていた銀の質量に対して５０質量％以上であれば、高い導電性を得ることが出来るため好ましい。

本発明における現像処理後の階調は、特に限定されるものではないが、４．０を超えることが好ましい。現像処理後の階調が４．０を超えると、光透過性部の透明性を高く保ったまま、導電性金属部の導電性を高めることが出来る。階調を４．０以上にする手段としては、例えば、前述のロジウムイオン、イリジウムイオンのドープが挙げられる。

又、金属画像に変換されなかったハロゲン化銀は、現像工程に含まれる写真用の定着処理により除去される。例えば、現像液として、２５℃のＣＤＨ−１００現像液（コニカミノルタ製）で６０秒現像し、その後、ＣＦＬ８７１定着液（コニカミノルタ製）で３分処理後、４０℃の温純水で５分洗浄する現像処理を行うことが出来る。

（導電性付与（メッキ処理））
本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法においは、現像工程の後、更に、金属銀の導電性を高めるための導電性付与工程を設ける。導電性付与工程は、具体的には、物理現像及び／又はメッキ処理で、これにより導電性金属粒子を金属銀部に担持させることからなる。

本発明では、露光及び現像処理により形成された金属銀部に導電性金属粒子を担持させ更に導電性を付与する目的で、金属銀部に物理現像及び／又はメッキ処理を行う。本発明では物理現像又はメッキ処理のみで導電性金属粒子を金属性部に担持させることが可能であるが、更に物理現像とメッキ処理を組み合わせて導電性金属粒子を金属銀部に担持させることも出来る。

本発明において「物理現像」とは、金属や金属化合物の核上に、銀イオンなどの金属イオンを還元剤で還元して金属粒子を析出させることを言う。この物理現象は、インスタントＢ＆Ｗフィルム、インスタントスライドフィルムや、印刷版製造等に利用されており、本発明ではその技術を用いることが出来る。又、物理現像は、露光後の現像処理と同時に行っても、現像処理後に別途行ってもよい。

本発明において、メッキ処理は、無電解メッキ（化学還元メッキや置換メッキ）、電解メッキ、又は無電解メッキと電解メッキの両方を用いることが出来る。

本発明における無電解メッキは、公知の無電解メッキ技術を用いることが出来、例えば、プリント配線板などで用いられている無電解メッキ技術を用いることが出来、無電解メッキは無電解銅メッキであることが好ましい。

無電解銅メッキ液に含まれる化学種としては、硫酸銅や塩化銅、還元剤としてホルマリンやグリオキシル酸、銅の配位子としてＥＤＴＡやトリエタノールアミン等、その他、浴の安定化やメッキ皮膜の平滑性を向上させるための添加剤としてポリエチレングリコール、黄血塩、ビピリジン等が挙げられる。電解銅メッキ浴としては、硫酸銅浴やピロリン酸銅浴が挙げられる。

本発明におけるメッキ処理時のメッキ速度は、緩やかな条件で行うことが出来、更に５μｍ／ｈｒ以上の高速メッキも可能である。メッキ処理において、メッキ液の安定性を高める観点からは、例えば、ＥＤＴＡなどの配位子など種々の添加剤を用いることが出来る。例えばメッキ液としては、硫酸銅０．０６モル／Ｌ、ホルマリン０．２２モル／Ｌ、トリエタノールアミン０．１２モル／Ｌ、及びポリエチレングリコール１００ｐｐｍ、黄血塩５０ｐｐｍ、α、α′−ビピリジン２０ｐｐｍを含有する、ｐＨ＝１２．５の無電解Ｃｕメッキ液等が具体例として挙げられ、例えば、該メッキ液を用いて４５℃にて無電解銅メッキ処理を行った後、１０ｐｐｍ程度のＦｅ（III）イオンを含有する水溶液で酸化処理を行う。

金属部に担持させる導電性金属粒子としては、上述した銀（物理現像の場合）のほか、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、金、コバルト、スズ、ステンレス、タングステン、クロム、チタン、パラジウム、白金、マンガン、亜鉛、ロジウムなどの金属、又はこれらを組み合わせた合金の粒子を挙げることが出来る。導電性、価格等の観点から導電性金属粒子は、銅、アルミニウム又はニッケルの粒子であることが好ましい。又、磁場遮蔽性を付与する場合、導電性金属粒子として常磁性金属粒子を用いることが好ましい。

導電性金属部において、コントラストを高くし、かつ導電性金属部が経時的に酸化され退色されるのを防止する観点からは、導電性金属部に含まれる導電性金属粒子は銅粒子であることが好ましい。

（酸化処理）
本発明では、現像処理後の金属銀部、並びに物理現像及び／又はメッキ処理後に形成される導電性金属部には、好ましくは酸化処理が行われる。酸化処理を行うことにより、例えば、光透過性部に金属が僅かに沈着していた場合に、沈着している金属を除去し、光透過性部の透過性をほぼ１００％にすることが出来る。

酸化処理としては、例えば、Ｆｅ（III）イオン処理など、種々の酸化剤を用いた公知の方法が挙げられる。酸化処理は、銀塩含有層の露光及び現像処理後、あるいは物理現像又はメッキ処理後に行うことが出来、更に現像処理後と物理現像又はメッキ処理後のそれぞれで行ってもよい。

本発明では、更に露光及び現像処理後の金属銀部を、Ｐｄを含有する溶液で処理することも出来る。Ｐｄは、２価のパラジウムイオンであっても金属パラジウムであってもよい。この処理により無電解メッキ又は物理現像速度を促進させることが出来る。

導電性金属部は、導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して、銀を５０質量％以上含有することが好ましく、６０質量％以上含有することが更に好ましい。銀を５０質量％以上含有すれば、物理現像及び／又はメッキ処理に要する時間を短縮し、生産性を向上させ、かつ低コストとすることが出来る。

更に、導電性金属部を形成する導電性金属粒子として銅及びパラジウムが用いられる場合、銀、銅及びパラジウムの合計の質量が導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることが更に好ましい。

本発明における導電性金属部は、導電性金属粒子を担持するため良好な導電性が得られる。このため、本発明の透光性電磁波遮蔽膜（導電性金属部）の表面抵抗値は、１０³Ω／ｓｑ以下であることが好ましく、１０²Ω／ｓｑ以下であることがより好ましく、１０Ω／ｓｑ以下であることが更に好ましく、０．１Ω／ｓｑ以下であることが最も好ましい。

以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれに限定されるものではない。

実施例１
図１に示す製造装置を使用し、電磁波遮蔽フィルムを作製した。

感光材料の準備
ハロゲン化銀乳剤の調製
３５℃に保温した０．５％ゼラチン水溶液１リットル中に下記（Ａ１液）及び（Ｂ１液）を銀電位（ＥＡｇ）＝８５ｍＶ、ｐＨ＝５．８に制御しつつ同時添加し、更に下記（Ｃ１液）及び（Ｄ１液）をＥＡｇ＝８５ｍＶ、ｐＨ＝５．８に制御しつつ同時添加した。この時、銀電位の制御は１０％臭化カリウム水溶液を用い、ｐＨの制御は酢酸又は水酸化ナトリウム水溶液を用いて行った。

（Ａ１液）
臭化カリウム １０４ｇ
沃化カリウム ３．０ｇ
水を加えて １３００ｍｌ
（Ｂ１液）
硝酸銀 １５０ｇ
水を加えて １３６０ｍｌ
（Ｃ１液）
臭化カリウム ３１０ｇ
ヘキサクロロイリジウム（IV）酸カリウム ４×１０^-8モル
ヘキサシアノ鉄（II）酸カリウム ２×１０^-5モル
沃化カリウム １０ｇ
水を加えて ４０００ｍｌ
（Ｄ１液）
硝酸銀 ４８０ｇ
水を加えて ４２００ｍｌ
添加終了後、花王アトラス社製デモールＮの５％水溶液と硫酸マグネシウムの２０％水溶液を用いて脱塩を行った後、ゼラチン水溶液と混合して平均粒径０．０４μｍ、粒径分布の変動係数０．１３のハロゲン化銀乳剤を得た。この後、チオ硫酸ナトリウムをハロゲン化銀１モル当たり２．０ｍｇ用い４０℃にて８０分間化学増感を行い、化学増感終了後に４−ヒドロキシ−６−メチル−１，３，３ａ，７−テトラザインデン（ＴＡＩ）をハロゲン化銀１モル当たり５００ｍｇ添加して、ハロゲン化銀乳剤を得た。

感光性層形成用塗布液の調製
準備したハロゲン化銀乳剤を使用し、ゼラチン水溶液、硬膜剤（Ｈ−１：テトラキス（ビニルスルホニルメチル）メタン）をゼラチン１ｇ当たり５０ｍｇの比率となるようにして添加し、塗布助剤として、界面活性剤（ＳＵ−２：スルホ琥珀酸ジ（２−エチルヘキシル）・ナトリウム）を添加し、感光性層形成用塗布液を調製した。

帯状基材の準備
帯状基材として厚さ１００μｍ、幅３２０ｍｍ、長さ２００ｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを準備した。

塗布
準備した帯状基材の上に、スライドコータを使用し、銀量０．５ｇ／ｍ²、ゼラチン量０．１０８ｇ／ｍ²になるように塗布・乾燥し、感光層の有効幅が３００ｍｍ、感光波長域３５０ｎｍ〜５２０ｎｍの感光材料を準備した。感光性層の膜厚は０．３μｍであった。尚、銀量は用いたハロゲン化銀乳剤の量を等モルの銀に換算した値を示す。

マスクの準備
中空円筒状基体の準備
厚さ７ｍｍ、透過率９９％、直径２００ｍｍ、幅６００ｍｍのガラス製の中空円筒状基体を準備し以下に示すマスクを作製した。厚さはノギスで測定した値を示す。透過率は中空円筒状基体と同一製法で作成されたサンプルの小片を（株）日立ハイテクノロジーズ製 日立分光硬度計 Ｕ−３０１０で測定し、可視光領域の平均透過率で示した。

マスクの作製
準備した中空円筒状基体の周全面、幅手の中央に、図２に示される様に感光材料の有効幅より狭い２８０ｍｍで図３（ａ）に示されるパターンを蒸着法にて連続して形成した。蒸着による反射面自体は中空円筒状基体の全幅に形成した。その際、する際、内面側の平均反射率を表１に示す様に変えて作製しＮｏ．１−１〜１−７とした。

尚、平均反射率は下式により計算で求めた。

平均反射率＝遮光部分の内面の反射率×遮光部分の内面の面積比
（遮光部分の内面の面積比とは、前記パターンの全面積に対する遮光部分の内面の面積の比を示す。）
遮光部分の内面の反射率はウシオ電機（株）製ＵＲＥ−３０で分光反射率を測定し、感光材料の感光波長範囲の波長３５０ｎｍ〜５２０ｎｍの平均値で示した。赤外線領域の波長（７００ｎｍ〜８００ｎｍ）に対する反射率は４０％であった。

第１透過部分Ｔ１の幅は１０ｍｍとした。遮蔽部分の厚さは３００ｎｍであった。厚さは、エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）製 蛍光Ｘ線膜厚計 ＳＦＴ９４５５で測定した値を示す。尚、遮蔽率は以下の計算式から計算で求めた値を示す。

遮蔽率＝（遮蔽部分の面積／（遮蔽部分の面積＋遮蔽部分の周囲の透過部分の面積））×１００
形成したパターンの表面は、ＭｇＦ₂とＳｉＯ₂の多層膜でコーティングし反射防止層を形成した。最小反射波長は４００ｎｍ、最小反射率は１％、反射防止層表面の鉛筆硬度は４Ｈであった。

準備したマスクＮｏ．１−１〜１−７の各中空円筒状基体の内部に、図４（ａ）に示す様に線状連続光源を配設した。尚、反射鏡は配設しなかった。各マスクＮｏ．１−１〜１−７の感光材料と非接触の部分の外周面には図２に示す様にマスクから感光材料が離れる箇所に長さ３０ｍｍ、厚さ１ｍｍで表面に黒色ツヤ消し塗装した金属製の遮蔽部材を配設した。

線状光源は、点光源のタングステン光源（可視光光源）を５０ｍｍ間隔で幅５５０ｍｍにわたって配置した物をマスクに対して左右対称となるように配置して使用した。

（電磁波遮蔽フィルムの作製）
準備した感光材料２００ｍと、準備したマスクＮｏ．１−１〜１−７とを使用し以下に示す露光条件で露光を行った後、下記現像液（ＤＥＶ−１）を用いて２５℃で６０秒間現像処理を行った後、下記定着液（ＦＩＸ−１）を用いて２５℃で１２０秒間の定着処理を行い、ついで水洗処理を行った。更に、下記物理現像液（ＰＤ−１）を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。その後、２５℃のＰｄ触媒液（ＣＡＴ−１）に３０秒間浸漬したのち、水洗処理し、更にメッキ液（ＰＬ−１）を用いて４５℃で無電解銅メッキ処理を６００秒間行い乾燥後巻き取り、電磁波遮蔽フィルムを作製しＮｏ．１０１〜１０７とした。

露光条件
感光材料の張力：１００Ｎ
感光材料の搬送速度：３ｍ／ｍｉｎ
マスクの周速度：３ｍ／ｍｉｎ
感光材料の張力は今田製作所製プッシュプルゲージで測定した値を示す。マスクの周速度は、感光材料の搬送速度を測定しフィードバック制御で感光材料の搬送速度と一致する様に制御した。

（ＤＥＶ−１：現像液）
純水 ５００ｍｌ
メトール ２ｇ
無水亜硫酸ナトリウム ８０ｇ
ハイドロキノン ４ｇ
ホウ砂 ４ｇ
チオ硫酸ナトリウム １０ｇ
臭化カリウム ０．５ｇ
水を加えて全量を１リットルとする。

（ＦＩＸ−１：定着液）
純水 ７５０ｍｌ
チオ硫酸ナトリウム ２５０ｇ
無水亜硫酸ナトリウム １５ｇ
氷酢酸 １５ｍｌ
カリミョウバン １５ｇ
水を加えて全量を１リットルとする。

（ＰＤ−１：物理現像液）
純水 ８００ｍｌ
クエン酸 ５ｇ
ハイドロキノン ７ｇ
硝酸銀 ３ｇ
水を加えて全量を１リットルとする。

（ＣＡＴ−１：Ｐｄ触媒液）
硫酸パラジウム ２０ｍｇ
水を加えて全量を１リットルとする。

（ＰＬ−１：メッキ液）
硫酸銅 ０．０４モル
ホルムアルデヒド（３７％） ０．０８モル
水酸化ナトリウム ０．１０モル
トリエタノールアミン ０．０５モル
ポリエチレングリコール １００ｐｐｍ
水を加えて全量を１リットルとする。

評価
作製した電磁波遮蔽フィルムＮｏ．１０１〜１０７に対して表面比抵抗、鮮鋭性、透過率、電磁波遮蔽性を以下に示す方法で測定し、以下に示す評価ランクに従って評価した結果を表２に示す。

表面比抵抗の測定方法
幅手中央部と幅手端部（メッシュの最外部から２ｃｍ入り〜３ｃｍ入り）との表面比抵抗を１ｃｍ×５ｃｍの金属電極２本を１ｃｍ間隔でフィルムの長手方向に平行に配置し、市販のテスターで抵抗値を測定し下式で表面比抵抗を算出し、以下に述べる基準で表示した。

表面比抵抗（Ω／ｓｑ）＝測定値（Ω）÷５
幅手中央部とはマスクの幅手中心を基準に−２ｃｍ〜＋２ｃｍの範囲の任意の１ｃｍ幅の部分を言う。幅手端部とはマスクの幅手最外部を基準に２ｃｍ〜３ｃｍの１ｃｍ幅の部分を言う。

表面比抵抗の評価ランク
◎：１Ω／ｓｑ未満
○：１Ω／ｓｑ以上、１００Ω／ｓｑ未満
△：１００Ω／ｓｑ以上、１０００Ω／ｓｑ未満
×：１０００Ω／ｓｑ以上（無電解銅メッキ処理不可能）
鮮鋭性の測定方法
作製した試料の内から、先頭から９０ｍ、１８０ｍから各々２０ｃｍ×２０ｃｍを切り取り、得られたパターンの導電性金属部を（株）キーエンス製 光学顕微鏡ＶＥ８８００を使用し、倍率２００倍で観察し金属部の線幅を求め、以下の式でにじみ幅を求め鮮鋭性の代用値とした。

にじみ幅＝（金属部線幅−マスク線幅）／２
鮮鋭性の評価ランク
○：にじみ幅≦０．５μｍ
△：０．５μｍ＜にじみ幅≦２．０μｍ
×：２．０μｍ＜にじみ幅
透過率の評価方法
鮮鋭性を測定した試料を使用し、入江（株）製 分光透過率測定機ＴＭ−２を使用し、可視光での透過率を測定した。

透過率の評価ランク
○：透過率が９０％以上
△：透過率が８０％以上、９０％未満
×：透過率が８０％未満
電磁波遮蔽性の測定方法
鮮鋭性を測定した試料を使用し、生活環境研究所製 デジタル電磁界強度テスタＥＭＦ−８２３を使用し、電磁波遮蔽性を測定した。

電磁波遮蔽性の評価ランク
○：電磁波遮蔽性が９９％以上
△：電磁波遮蔽性が９５％以上、９９％未満
×：電磁波遮蔽性が９５％未満

本発明の有効性が確認された。

実施例２
図１に示す製造装置を使用し、電磁波遮蔽フィルムを作製した。

感光材料の準備
実施例１と同じ感光材料を準備した。

マスクの準備
中空円筒状基体の準備
実施例１と同じガラス製の中空円筒状基体を準備し以下に示すマスクを作製した。厚さはノギスで測定した値を示す。

マスクの作製
準備した中空円筒状基体の周面に、図２に示される様に感光材料と密着する領域に図３（ａ）に示されるパターンをマスクＮｏ．２−１は実施例１の方法で、Ｎｏ．２−２〜２−６は特開平４−８６４０４号公報に示される蒸着法を用いて基体、ダイクロイック膜、黒色クロム吸熱膜の順に形成した。その際、内面側の赤外領域の波長に対する反射率を表３に示す様に変えて作製しＮｏ．２−１〜２−５とした。尚、特開平４−８６４０４号公報では基体の表面で光線を反射させるため、基体、黒色クロム吸熱膜、ダイクロイック膜の順に積層しているが、本試作では基体内部からの光線を反射させるため層の積層順序を変更した。遮光部分の内面の反射率はウシオ電機（株）製ＵＲＥ−３０で分光反射率を測定し赤外線領域の波長（７００ｎｍ〜８００ｎｍ）の平均値で示す。

第１透過部分Ｔ１の幅５μｍとした。遮蔽部分の厚さは３００ｎｍであった。厚さは、エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）製 蛍光Ｘ線膜厚計 ＳＦＴ９４５５で測定した値を示す。尚、遮蔽率は以下の計算式から計算で求めた値を示す。

遮蔽率＝（遮蔽部分の面積／（遮蔽部分の面積＋遮蔽部分の周囲の透過部分の面積））×１００
形成したパターンの表面は、更にＭｇＦ₂とＳｉＯ₂と を交互に蒸着処理し反射率を１％とした。鉛筆硬度は４Ｈであった。

（電磁波遮蔽フィルムの作製）
準備した感光材料２００ｍと、準備したマスクＮｏ．２−１〜２−５とを使用し実施例１と同じ方法・条件で露光、現像処理、メッキ処理を経て電磁波遮蔽フィルムを作製しＮｏ．２０１〜２０５とした。

評価
作製した電磁波遮蔽フィルムＮｏ．２０１〜２０５に対して表面比抵抗、鮮鋭性、透過率、電磁波遮蔽性を実施例１と同じ方法で測定し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した結果を表４に示す。

本発明の有効性が確認された。

実施例３
図１に示す製造装置を使用し、電磁波遮蔽フィルムを作製した。

感光材料の準備
実施例１と同じ感光材料を準備した。

マスクの準備
中空円筒状基体の準備
厚さ７ｍｍ、透過率９９％、直径２００ｍｍ、幅を表５に従って変化させたガラス製の中空円筒状基体を準備し以下に示すマスクを作製した。厚さ、透過率は実施例１と同じ方法で測定した値を示す。

マスクの作製
準備した中空円筒状基体の周面に、図２に示される様に感光材料と密着する領域に実施例１のマスクＮｏ．１−５と同じパターンを同じ方法で形成した。尚、パターンは表５に示すマスク幅とデザイン幅で円筒の軸と垂直の方向から見て線対称になるように形成しＮｏ．３−１〜３−６とした。

（電磁波遮蔽フィルムの作製）
準備した感光材料２００ｍと、準備したマスクＮｏ．３−１〜３−６とを使用し実施例１と同じ方法・条件で露光、現像処理、メッキ処理を経て電磁波遮蔽フィルムを作製しＮｏ．３０１〜３０６とした。なお、試料Ｎｏ．３０５、３０６では露光時に第２の反射鏡（４ａ８）に相当する平面鏡を中空円筒状基体の両底面近傍に幅手に対称となるよう設置した。平面鏡には通風と光源への電源コードを通すため、円筒と同心の穴を開けてあり、反射鏡の有効面積と中空円筒状基体の外周円の面積との比を反射鏡面積比として表５に示した。試料Ｎｏ．３０５に使用した平面鏡は直径１７０ｍｍ、中心孔直径３０ｍｍで中空円筒状基体の内部に設置し、試料Ｎｏ．３０６に使用した平面鏡は直径２１０ｍｍ、中心孔直径２０ｍｍで中空円筒状基体の底面に隣接する外部に設置した。反射鏡の反射面は実施例１の中空円筒状基体の内側への鏡面処理と同じ方法で鏡面化し、処理面を内側に向けて設置した。図４に示した第１の反射鏡（４ａ７）は省略した。５０ｍｍピッチで点状光源を配置した連続光源の幅は表５のように変化させた。設置に当ってはマスクに対して左右対称となるように配置して使用した。

評価
作製した電磁波遮蔽フィルムＮｏ．３０１〜３０６に対して表面比抵抗、鮮鋭性、透過率、電磁波遮蔽性を実施例１と同じ方法で測定し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した結果を表６に示す。

本発明の有効性が確認された。

帯状の基材を使用した電磁波遮蔽フィルムの製造装置の模式図である。 図１のＲで示される部分の拡大概略斜視図である。 図２に示されるマスクのパターン形成部に設けられているパターンの一例を示す拡大概略平面図である。 図２に示す露光装置の概略拡大断面図である。 汚れ検出装置と清掃手段とを配設した図２に示される露光装置の概略斜視図である。 円筒状マスクの中空部に送風管を配設した図２に示す露光装置のＡ−Ａ′に沿った概略拡大断面図である。 帯状の基材を使用した電磁波遮蔽フィルムの他の製造装置の模式図である。 図７に示す製造装置の第１露光装置と第２露光装置に使用するマスクの概略図である。 図３に示されるマスクを使用し図１に示される電磁波遮蔽フィルムの製造装置で製造した電磁波遮蔽フィルムの電磁波遮蔽パターンの概略図である。

符号の説明

１ａ、１ｂ 製造装置
２ 供給工程
２０１ 基材
２０２ 感光材料
２０３ 磁波遮蔽フィルム
３ 塗布工程
４、９ 露光工程
４ａ 露光装置
４ａ１ マスク
４ａ１１ 中空円筒状基体
４ａ１１１ 外周面
４ａ１１２ 非パターン形成部
４ａ１１３ パターン形成部
４ａ１１４ パターン
４ａ２ 駆動ローラ
４ａ３、４ａ４ 保持ローラ
４ａ５１、４ａ５２ 測定機
４ａ５ 光源
４ａ６ 遮蔽部材
４ａ７ 第１反射鏡
４ａ８ 第２反射鏡
４ａ９ 検出装置
４ａ１０ 清掃手段
４ｃ 送風管
５ 現像処理工程
６ 導電性付与工程
７ 反射防止付与工程
８ 回収工程
９ａ１ 第１露光装置
９ａ２ 第２露光装置
Ｔ１ 第１透過部分
Ｕ メッシュ模様構成部
Ｕ１ 遮蔽部分
Ｕ２ 第２透過部分
Ｕ′１ 光透過部
Ｕ′２、Ｔ′１ 導電性金属部

Claims (3)

1. 帯状支持体の上に感光性金属塩微粒子を含有する感光性層形成用塗布液を塗布し形成した感光性層を有する感光材料を使用し、前記感光材料に中空円筒状基体の周面に所定の遮光部分と透過部分とから構成されたパターンを有する中空円筒状マスクを介して露光した後、現像処理を経て、前記帯状支持体の上に金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、
   前記パターンの内面側が、下記、式１で示される感光材料の感光波長領域の光に対する平均反射率が７０％以上、１００％未満の鏡面を有し、
   前記中空円筒状マスクは内部に光源を配設し、
   前記中空円筒状マスクの周面に前記感光材料を密着させ、前記感光材料の搬送速度と前記中空円筒状マスクの周速度とを同じにして露光することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
   式１ 平均反射率＝遮光部分の内面の反射率×遮光部分の内面の面積比
   （遮光部分の内面の面積比とは、前記パターンの全面積に対する遮光部分の内面の面積の比を示す。）
2. 前記鏡面の赤外波長領域の光に対する反射率が０％を越え、５０％未満であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
3. 請求項１又は２に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法で製造したことを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。

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