JP2008227350A - 電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルム - Google Patents

Abstract

【課題】帯状支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、所定のパターンを有するマスクを介して連続して露光し、現像処理を経て、帯状支持体の上に連続した金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムの提供。
【解決手段】帯状支持体の上に感光性金属塩微粒子を含有する感光性形層成用塗布液を塗布し形成した感光性層を有する感光材料を使用し、前記感光材料に所定のパターンを有するマスクを介して露光した後、現像処理を経て、前記帯状支持体の上に金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、前記露光は、反射板を有する光源により、前記感光材料の露光領域に前記マスクを介して光を照射し、連続したパターンを露光することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
【選択図】図１

Description

本発明は電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムに関するものであり、詳しくは携帯電話、電子レンジ、ＣＲＴ、及びプラズマディスプレイ（以下、ＰＤＰとも言う）等の電子機器から発生する電磁波を遮断する透明電磁波遮断フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムに関する。

近年、携帯電話やパソコン、ＴＶなどに用いられるディスプレイ装置などに代表されるような電子機器の使用する機会の増加に伴い、電磁波障害（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：ＥＭＩ）が急増し、電子機器では、このようなＥＭＩを低減する必要性が高まっており、欧米を中心に電磁波放出の強さに関する規格又は規制が設けられ、最近の電子機器にはこれらの基準を満たすことが求められている。

電磁波を遮断する方法として、金属の電磁波を貫通させない性質を利用すればよい。例えば、筐体を金属体又は高導電体にする方法や、回路基板間に金属板を挿入する、ケーブルを金属箔で覆う方法などである。しかし、これらの材料は、一般的に不透明であるため、ＣＲＴやＰＤＰ、あるいは窓ガラスのように視認性を必要とする機材には用いることが出来ず、その用途は限られていた。ＣＲＴ、ＰＤＰ等では観察者が画面に表示される文字等を認識する必要があり、透光性が要求されている。特に、ＰＤＰは、ＣＲＴ等と比較すると多量の電磁波を発生し強い電磁波遮蔽性能が求められるため、ＰＤＰ用の透光性電磁波遮蔽材料では極めて高い導電性が要求されている。又、透明性に関する要求レベルとしても透過率が７０％以上、ＰＤＰ用として透過率が８０％以上と言う高い透明性が望まれている。

電磁波遮断性能と、透明性を両立させる手段として、これまでに多くの検討が成されてきた。例えば、特開２００４−１７９４０５号公報には、銀などの導電性材料の薄膜をスパッタ法などにより透明基材上に形成する方法が記載されている。特開２００３−２３２９０号公報には、金属薄膜のフォトリソグラフィー法を利用したエッチング加工により、透明基体上に金属薄膜のメッシュを形成する方法が記載されている。

しかし、何れ上記の作製方法は煩雑であり、大量生産するための連続生産性と言う観点からは技術が不十分であることから、大量生産するための連続生産性と言う観点からは技術が不十分であり、改良が行われ、感光性ハロゲン化銀への露光、現像プロセスを利用して導電性メッシュを作製する方法が検討されてきた。特開２００４−１７２０４１号公報には、銀塩感光材料により容易に金属銀（導電性）パターンを形成出来ることを利用し、銀塩拡散転写法によって金属銀の薄膜パターンを形成する方法が知られている。拡散転写法は、予め基材に物理現像核を均一に塗布するため、非導電性部分に不要な触媒が残存し、透過性を損ねやすく、又現像に銀イオンあるいは銀錯体の拡散現象を利用するため、鮮鋭性が劣化しやすいためこれらの改良が進められてきた。例えば、透明支持体上に設けられたハロゲン化銀を有するハロゲン化銀乳剤層を有する感光材料を使用し、フォトマスクを介して紫外線ランプ、レーザービーム等で露光・現像を行い直接的に現像銀を形成して、それを触媒としてメッキ等を行うことにより導電性パターンを作製した電磁波遮蔽材料が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。

特許文献１、特許文献２に記載の方法で、電磁波遮蔽材料に求められてきた透明性、電磁波遮断性能に対してはかなりの改良が認められるのであるが、以下の欠点が挙げられる。
１．露光が間欠で行われる方式であるため、使用するフォトマスクの大きさにより電磁波遮蔽材料の大きさが決まってしまうため、電磁波遮蔽材料の大きさに応じてフォトマスクの大きさを変える必要がある。
２．大サイズの電磁波遮蔽材料を得るために露光設備、処理設備及びメッキ処理設備等も大きくなり設置場所の制約、設備コストが高くなり電磁波遮蔽材料のコストが高くなる危険がある。
３．露光が間欠で行われる方式であるため、使用する感光材料が帯状であっても露光パターンが独立となり、各露光パターンの間に未使用部分が出来、感光材料の有効利用が出来難い。
４．露光が間欠で行われる方式であるため、生産効率を上げることが難しい。

この様な状況から、帯状支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、所定のパターンを有するマスクを介して連続して露光し、現像処理を経て、帯状支持体の上に連続した金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムを開発することが望まれている。
特開２００４−２２１５６４号公報 特開２００４−２２１５６５号公報

本発明は、上記状況に鑑みなされたものであり、その目的は、帯状支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、所定の連続したパターンを有するマスクを介して光を照射し、連続したパターンを露光し、現像処理を経て、帯状支持体の上に連続した金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムを提供することである。

本発明の上記目的は、下記の構成により達成された。

１．帯状支持体の上に感光性金属塩微粒子を含有する感光性形層成用塗布液を塗布し形成した感光性層を有する感光材料を使用し、前記感光材料に所定のパターンを有するマスクを介して露光した後、現像処理を経て、前記帯状支持体の上に金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、前記露光は、反射板を有する光源により、前記感光材料の露光領域に前記マスクを介して光を照射し、連続したパターンを露光することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。

２．前記マスクは、少なくとも感光材料と密着する部分の外周面には連続したパターンを有する回動可能で透明な円筒型基体を有し、該円筒型基体の内部に反射板と、光源とが該円筒型基体の幅方向で同じ光量が得られる様に配設されていることを特徴とする前記１に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。

３．前記露光は、感光材料とマスクとを密着させ、該感光材料の搬送速度と該マスクの周速度とを同じにして行うことを特徴とする前記１又は２に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。

４．前記マスクは、円筒型基体の周面に遮蔽率が８５％〜９７％のパターンを連続して有していることを特徴とする前記１〜３の何れか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。

５．前記パターンは、蒸着により形成されていることを特徴とする前記１〜４の何れか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。

６．前記マスクは感光材料の両端部が接触する部分に、スリップ防止手段が配設されていることを特徴とする前記１〜５の何れか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。

７．前記感光性金属塩微粒子が、ハロゲン化銀微粒子であることを特徴とする前記１〜６の何れか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。

８．前記１〜７の何れか１項に記載の製造方法で製造したことを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。

帯状支持体の上に感光性層を有する感光材料を使用し、所定のパターンを有するマスクを介して連続して露光し、現像処理を経て、帯状支持体の上に連続した金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムを提供することが出来、連続生産が可能となり、コストを上げることなく、ＣＲＴやＰＤＰ、あるいは窓ガラスのように視認性を必要とする電子機器へのサイズ対応も容易になった。

本発明の実施の形態を図１〜図８を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

図１は電磁波遮蔽フィルムの製造装置の模式図である。

図中、１は製造装置を示す。製造装置１は供給工程２と、塗布工程３と、露光工程４と、現像処理工程５と、導電性付与工程６と、反射防止付与工程７と、回収工程８とを有している。供給工程２では、供給装置（不図示）から帯状の基材２０１が繰り出され塗布工程３に供給される。塗布工程３は塗布部３０１と乾燥部３０２とを有している。塗布部３０１では、供給される帯状の基材２０１をバックアップロール３０１ａで保持し、塗布装置３０１ｂで帯状基材の上に感光性金属塩微粒子を含有する感光性層形成用塗布液を塗布する。乾燥部３０２は乾燥装置３０２ａを有し、塗布装置３０１ｂで塗布された感光性層形成用塗布液を乾燥し、感光性層を有する感光材料２０２が出来上がる。

露光工程４は露光装置４ａとアキュームレータ４ｂとを有している。露光装置４ａは、感光材料２０２に連続したパターンを有するマスクを介して光を照射し、連続したパターンの露光を行うことが可能となっている。露光装置４ａに関しては図２〜図７で詳細に説明する。アキュームレータ４ｂは上側のロール４ｂ１と下側のロール４ｂ２とを有し、ロール４ｂ２の上下方向に移動（図中の矢印方向）することで露光装置４ａでの露光速度と感光材料２０２の搬送速度を調整することが可能となっている。尚、アキュームレータ４ｂは必要に応じて配設することが可能となっている。

現像処理工程５は現像処理装置５ａとアキュームレータ５ｂとを有している。現像処理装置５ａで、連続したパターンが露光された感光材料２０２が現像処理されることで連続したパターンの露光に対応した連続した金属パターンが形成される。アキュームレータ５ｂは上側のロール５ｂ１と下側のロール５ｂ２とを有し、ロール５ｂ２の上下方向に移動（図中の矢印方向）することで露光装置４ａでの露光速度と現像処理装置５ａとの速度を調整することが可能となっている。尚、アキュームレータ５ｂは必要に応じて配設することが可能となっている。

導電性付与工程６は導電性付与装置６ａを有している。導電性付与装置６ａでは現像処理装置５ａで処理することで得られた金属パターンの導電性を付与するためメッキ処理が行われる。導電性付与工程６を終了することで導電性を有した金属パターンを有する電磁波遮蔽フィルム２０３が出来上がる。

反射防止付与工程７は反射防止付与装置７ａを有している。反射防止付与装置７ａで、更に電磁波遮蔽フィルム２０３の性能を上げるために表面に反射防止機能が付与される。

回収工程８は巻き取り装置（不図示）を有し、反射防止付与工程７から送られてくる電磁波遮蔽フィルム２０３を巻き芯に巻き取りロール状として回収する。２０３ａは回収されたロール状の磁波遮蔽フィルムを示す。以上の工程により、感光材料の製造、露光、現像処理、導電性付与処理、反射防止付与処理が連続搬送によって可能となり、電磁波遮蔽材料のロールトゥーロールの生産が可能になる。

尚、本図では感光材料の製造から反射防止付与工程７迄を連続して行う場合を示しているが、感光材料が出来た状態で一旦巻き取り回収し、回収した感光材料を使用し、露光工程４から始めても構わない。必要に応じて適宜選択することが可能である。

本発明は、本図に示す様に帯状の感光材料２０２を使用し、露光工程で連続したパターンを有するマスクを介して光を照射し露光した後、現像処理することで連続したパターンを有する電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルムに関するものである。

図２は図１のＲで示される部分の拡大概略斜視図である。

図中、４ａは露光装置を示す。露光装置４ａは、マスク４ａ１と駆動ローラ４ａ２と、保持ローラ４ａ３と、保持ローラ４ａ４と、測定機４ａ５１、４ａ５２とを有している。マスク４ａ１は外周面４ａ１１１に連続したパターンを有する回動可能で透明な円筒型基体４ａ１１を有している。外周面４ａ１１１は、両端の非パターン形成部４ａ１１２と、感光材料２０２のスリップ防止手段４ａ１４（図６参照）と、パターン形成部４ａ１１３とを有している。

円筒型基体４ａ１１は２本の保持ローラ４ａ４の上に載置されており、駆動ローラ４ａ２により回動する様になっている。駆動ローラ４ａ２は円筒型基体４ａ１１の両端の非パターン形成部４ａ１１２に接する様に配設されており、露光装置４ａのフレーム（不図示）に取り付けられた駆動部（不図示）により回動し円筒型基体４ａ１１を回動可能としている。尚、円筒型基体４ａ１１を回動する方式は特に限定はなく、例えば円筒型基体４ａ１１の片側に軸を取り付け軸を駆動部に繋げることで回転させる方式、円筒型基体４ａ１１の両端にベルトを取り付けプーリーを介して回転させる方式等が挙げられる。

保持ローラ４ａ３は感光材料２０２の感光層２０２ａを円筒型基体４ａ１１の外周面４ａ１１１に密着させ巻き回す様に円筒型基体４ａ１１の両側の位置に配設されている。尚、本発明において密着させ巻き回すとは、感光材料２０２と円筒型基体４ａ１１とが接触する領域で、感光材料２０２の感光層２０２ａの表面全面とマスク４ａ１の円筒型基体４ａ１１上に形成されたパターンの全ての遮蔽部分Ｕ（図６参照）とが接触している状態を言う。

保持ローラ４ａ４は円筒型基体４ａ１１を回動可能に保持するため、円筒型基体４ａ１１の両側の位置に配設されており、露光装置４ａのフレーム（不図示）に取り付けられている。

測定機４ａ５１は感光材料２０２の搬送速度を測定する測定機を示す。測定機としては特に限定はなく、例えばＣＣＤカメラ、エンコーダ等が挙げられ適宜使用することが可能である。測定機４ａ５２は円筒型基体４ａ１１の周速度を測定する測定機を示す。測定機としては特に限定はなく、測定機４ａ５１と同じであることが好ましい。

本図に示される露光装置４ａを使用し、感光材料２０２にマスク４ａ１を介して露光する時、マスク４ａ１のパターンの鮮鋭性を上げるため、円筒型基体４ａ１１の周速度と、感光材料２０２の搬送速度とを同じになるように測定機４ａ５１と測定機４ａ５２とを使用してフィードバック制御する必要がある。

測定機４ａ５１と測定機４ａ５２とを使用した具体的な制御の一例を以下に示す。
Ｓ１では、測定機４ａ５１により感光材料の搬送速度が測定され、測定された情報はメモリーとＣＰＵとを有する制御装置に入力される。
Ｓ２では、測定機４ａ５２によりマスク４ａ１の円筒型基体４ａ１１の周速度が測定され、測定された情報はメモリーとＣＰＵとを有する制御装置に入力される。
Ｓ３では、入力された測定機４ａ５１からの情報と、測定機４ａ５２からの情報とを演算処理し、感光材料の搬送速度と円筒型基体４ａ１１の周速度とを合わせる様に制御が行われる。

露光装置４ａは円筒型基体４ａ１１のパターン形成部４ａ１１３を掃除するための清掃手段（不図示）を配設することが、鮮鋭性が高いパターンを得ることから好ましい。清掃手段としては特に限定はなく、例えばブラシ、空気の吹き付け・吸引、イオン風の吹き付け等が挙げられる。又、帯電によるゴミ付着を防止することからアースを取ることも好ましい。

本図に示す如く、感光材料２０２の感光層２０２ａを円筒型基体４ａ１１の外周面４ａ１１１に密着させ巻き回し、円筒型基体４ａ１１の周速度と、感光材料２０２の搬送速度とを同じにすることで、鮮鋭性が高い連続パターンを得ることが可能となる。

図３は図２に示す露光装置の概略拡大断面図である。図３（ａ）は図２のＡ−Ａ′に沿った概略拡大断面図である。図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ′に沿った概略拡大断面図である。

図中、４ａ５は円筒型基体４ａ１１の内部に配設された光源を示す。光源４ａ５は円筒型基体４ａ１１の外周面に設けられたパターンに合わせ幅方向に配設されている。光源４ａ５の形状は特に限定はなく、例えば線状連続光源、線状光源を平行に並べた光源、単光源を線状に連続に並べた光源等が挙げられる。光源４ａ５の配置位置は、円筒型基体４ａ１１の中心近傍に配置することが好ましい。

Ｉは光源４ａ５の円筒型基体４ａ１１の幅方向の幅を示す。幅Ｉはパターンの幅に対して、感光材料の使用効率等を考慮し、９０％以上が好ましい。パターンの幅よりも広い場合は、パターンの幅よりも広い部分は遮光カバーを取り付けることが好ましい。

４ａ６は円筒型基体４ａ１１の内部の幅方向に配設された反射板を示す。Ｊは反射板４ａ６の幅を示す。幅Ｊは、光源４ａ５の発光幅に対し、漏光、照射ムラ等を考慮し、１００％以上であることが好ましい。

反射板４ａ６の長さは、光源４ａ５からの光の照射範囲以外への漏光を防止することから、反射板４ａ６の両端４ａ６１が実質的に円筒型基体４ａ１１の内面に接することが必要である。反射板４ａ６の内面４ａ６２の可視光の反射率は、光源４ａ５の消費電力、露光速度等を考慮し、５０％〜９８％であることが好ましい。反射率は、（有）たきぶん製ＢＣＲ１１２で測定した値を示す。

反射板４ａ６の内面４ａ６２に使用する材料としては、反射率が得られれば特に限定はなく、例えばアルミ板に硫酸バリウムを塗設した材料、一般の照明器具に使用している反射板、アルミ板にチタン、シリコンの酸化物を蒸着した材料等が挙げられる。光源４ａ５から出る光の波長としては、使用する感光材料の感光波長に合わせ適宜変更することが可能である。

Ｐは反射板４ａ６による照射範囲を示す。照射範囲Ｐの範囲は反射板４ａ６の端部と円筒型基体４ａ１１の内側とが接触する位置により変更することが出来るため、必要に応じて適宜選択することが可能となっている。

Ｈは円筒型基体４ａ１１の胴体の厚さを示し、強度、透過率、変形、コスト等を考慮し、５ｍｍ〜３０ｍｍが好ましい。

反射板４０６は次の機能を有している。１）光源４ａ５から出た光を反射し散乱光として感光材料２０２の露光領域（照射範囲にある感光材料２０２）に光量のムラがない様に照射する。２）円筒型基体４ａ１１の感光材料２０２が密着していない部分からの漏光に伴う感光材料２０２の曝射を防止する。３）光源の光を有効利用出来るため、光源の光量の低下、消費電力の低下と光源の寿命を延長する。他の符号は図２と同義である。

図４は図３（ｂ）に示す反射板の他の形式の反射板を配設した露光装置の概略拡大断面図である。

図中、４ａ７は円筒型基体４ａ１１の内部の幅方向に配設された反射板を示す。反射板４ａ７の幅は図３（ｂ）に示す反射板４ａ６と同じである。反射板４ａ７の形状は、両端部４ａ７１で開口部４ａ７２を有する円筒形状となっている。反射板４ａ７の内面の反射率は図３（ｂ）に示す反射板４ａ６と同じであり、使用する材質も反射板４ａ６と同じである。

Ｑは照射範囲を示す。図３（ｂ）に示す反射板４ａ６との違いは、反射板４ａ６による照射範囲Ｐに対して、反射板４ａ７による照射範囲Ｑを狭くしたことである。反射板４０７は次の機能を有している。１）光源４ａ５から出た光を反射し散乱光として感光材料２０２の露光領域（照射範囲にある感光材料２０２）に対して図３（ｂ）に示す反射板４ａ６よりも更に光量のムラがない様に照射する。２）円筒型基体４ａ１１の感光材料２０２が密着していない部分からの漏光に伴う感光材料２０２の曝射を図３（ｂ）に示す反射板４ａ６よりも更に防止する。３）光源の光を有効利用出来るため、図３（ｂ）に示す反射板４ａ６よりも更に光源の光量の低下、消費電力の低下と光源の寿命を延長する。他の符号は図２と同義である。

図３、図４に示される円筒型基体４ａ１１の可視光の透過率は、光源の消費電力、露光時間、生産性等を考慮し、５０％〜９５％が好ましい。透過率は（株）日立ハイテクノロジーズ製 日立分光硬度計Ｕ−３０１０で測定した値を示す。

円筒型基体４ａ１１の材質は上記透過率を有していれば特に限定はなく、取り扱い性、加工性等を考慮し、例えばガラス、樹脂等が挙げられる。

図５は図３、図４に示される反射板の他の形状を示す概略断面図である。

反射板４ａ６の形状は、光源４ａ５からの光を反射すれば特に限定はなく、図３、図４に示される反射板４ａ６の形状は、光源４ａ５側に湾曲した場合を示しが、他の形状としては本図に示す如く平面の反射板を複数枚組み合わせて一枚の反射板とした形状が挙げられる。（ａ）は３枚の反射板を、（ｂ）は５枚の反射板を、（ｃ）は２枚の反射板を、（ｄ）は１０枚の反射板を組み合わせた場合を示している。使用に際しては、図３、図４及び本図に示す反射板の中から適宜選択し使用することが可能となっている。他の符号は図２と同義である。

図１〜図５に示される露光装置により、感光材料に対して露光を行う時、光源からの光の照射は、ムラが発生しなければ特に限定なく、例えば連続照射、点滅照射であってもよい。制御の面からは連続照射が好ましい。尚、点滅照射とは、１０秒間に２回以上点灯と消灯とを繰り返すことを言う。

図６は図２のＳに示される部分の拡大概略平面図である。

マスク４ａ１（図２参照）の外周面４ａ１１１（図２参照）に設けられている連続したパターンの一例を示す。本図に置いては、クロ塗り部分は光を遮蔽する遮蔽部分Ｕを示し、遮蔽部分Ｕを囲む部分は光を透過する透過部分Ｔを示す。即ち、外周面４ａ１１１（図２参照）に設けられているパターンは、透過部分Ｔと、遮蔽部分Ｕとから形成されており、このパターンが連続的に外周面４ａ１１１（図２参照）に設けられている。尚、連続的とは、切れ目及び繋ぎ目がないことを言う。本図に示す如きパターンを有するマスクを介して感光材料に露光し、現像処理することで、遮蔽部分Ｕが光透過性部となり、透過部分Ｔが導電性金属部分となる。

外周面４ａ１１１（図２参照）に設けられている連続したパターンの形状は特に限定はなく、例えば、（ａ）は遮蔽する部分の形状が矩形の場合、（ｂ）は菱形、（ｃ）は三角形、（ｄ）は６角形の場合を示している。この他の形状としては、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、菱形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形などの（正）ｎ角形、円、楕円、星形などを組み合わせた幾何学図形が挙げられる。ＥＭＩ遮蔽性の観点からは三角形の形状が最も有効であるが、可視光透過性の観点からは同一のライン幅なら（正）ｎ角形のｎ数が大きいほど開口率が上がり可視光透過性が大きくなるので有利である。

透過部分Ｔ（露光後の現像で導電性金属部となる部分）の幅は、パターンの隠蔽効果、アース接続性等を考慮し、５μｍ〜２０μｍが好ましい。幅は（株）キーエンス製 光学顕微鏡ＶＥ８８００を使用し２００倍で測定した値を示す。

遮蔽部分Ｕの遮蔽率は、現像処理後の可視光透過面積、出来上がった電磁波遮蔽フィルムの画像視認性、アース適性等を考慮し、８５％〜９７％が好ましい。遮蔽率とは、光を遮蔽する部分Ｕの一定面積に占める割合を示す。例えば、透過部分Ｔの幅が１０μｍ、光を遮蔽する部分Ｕの面積が８４１００μｍ²の時、遮蔽率は９３．５％である。

パターンの円筒型基体４ａ１１（図２参照）の外周面４ａ１１１（図２参照）からの厚さは、露光時の感光材料の密着性、感光材料の平面性を考慮し、２００ｎｍ〜２μｍであることが好ましい。厚さは、エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）製 蛍光Ｘ線膜厚計 ＳＦＴ９４５５で測定した値を示す。

本図に示す如きパターンは、オフセット印刷、インクジェット法等の塗布法、蒸着法等で形成することが可能である。これらの方法の中で、厚さの均一性、生産性の点から蒸着法が好ましい。蒸着させる材料としては、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等が挙げられる。

図７は図２に示されるマスク４ａ１の拡大斜視図である。

図中、４ａ１４はパターン形成部４ａ１１３の両側に設けられ、感光材料２０３（図２参照）の両端と接触する部分に円筒型基体４ａ１１の周面に設けられたスリップ防止手段を示す。スリップ防止手段としては特に限定はなく、例えばゴムライニングが挙げられる。他の符号は図２と同義である。

スリップ防止手段を設けることで次の効果が挙げられる。１）感光材料２０３の搬送速度と円筒型基体４ａ１１の周速度とを合わせることが容易になり、感光材料２０３の搬送速度と円筒型基体４ａ１１の周速度との制御が容易になる。２）感光材料２０３の搬送速度と円筒型基体４ａ１１の周速度とを合わせることが容易になることに伴い、露光により得られるパターン画像の鮮鋭性の向上と、品質の安定化が可能となった。

図８は図５に示されるマスクを使用し図１に示される電磁波遮蔽フィルムの製造装置で製造した電磁波遮蔽フィルムの電磁波遮蔽パターンの概略図である。

図中、Ｕ′は光透過部を示す。光透過部Ｕ′は、マスク４ａ１（図２参照）を使用し感光材料２０２（図１参照）に露光し、現像処理することで外周面４ａ１１１（図２参照）に設けられているパターンの遮蔽部分Ｕ（図６参照）の感光性金属塩微粒子が除去された部分である。Ｔ′は導電性金属部を示す。導電性金属部Ｔ′はマスク４ａ１（図２参照）を使用し感光材料２０２（図１参照）に露光し、現像処理することで外周面４ａ１１１（図２参照）に設けられている連続したパターンの透過部分Ｔ（図６参照）の感光性金属塩微粒子が現像された部分である。

光透過部Ｕ′の透過率は、基材の光吸収及び反射の寄与を除いた３８０〜７８０ｎｍの波長領域における透過率の最小値で示される透過率が９０％以上、好ましくは９５％以上、更に好ましくは９７％以上であり、更により好ましくは９８％以上であり、最も好ましくは９９％以上であることが好ましい。導電性金属部Ｔ′の幅はアース接続性等を考慮し、５μｍ〜２０μｍが好ましい。

本図に示される（ａ′）〜（ｄ′）は、図５の（ａ）〜（ｄ）に示されるマスクのパターンから得られた各電磁波遮蔽パターンを示す。

図１〜図８に示す本発明の電磁波遮蔽フィルムの製造方法により次の効果が挙げられる。
１）帯状支持体を使用し、連続したパターンを有する電磁波遮蔽フィルムのロールトゥーロール方式の製造が出来、生産効率の向上、コスト抑制が可能となった。
２）連続したパターンを有する電磁波遮蔽フィルムが出来る様になり、電磁波遮蔽フィルムの大きさに応じて切り出しての対応が容易となり感光材料の無駄が無くなりコスト抑制が可能となった。

以下に、本発明に係わる材料に付き説明する。

（感光性材料）
本発明の感光性材料の基材に使用する樹脂は、フィルムにした時に可視光の透過率が、８０％以上を有していれば特に限定はない。これらの樹脂としては例えば、セルロースジアセテート樹脂、セルローストリアセテート樹脂、セルロースアセテートブチレート樹脂、セルロースアセテートプロピオネート樹脂等のセルロースエステル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリスルホン（ポリエーテルスルホンも含む）系樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂等のポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、セロファン、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、エチレンビニルアルコール樹脂、シンジオタクティックポリスチレン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエーテルケトンイミド樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂、ナイロン樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、アクリル樹脂等を挙げることが出来る。

本発明の感光性材料の基材としては、これらの樹脂から製造された厚さ２５μｍ〜２５０μｍの透明樹脂フィルムを用いることが出来る。これらの基材は、感光性形層成用塗布液を塗設するための公知の親水性下引き層を有してもよい。又、基材上に感光性形層を形成する際に、基材の裏面にハレーション防止層を設けてもよい。ハレーション防止層は、感光性形層を透過し基材を透過した光の反射抑える層であり、露光による光の滲みを抑え形成される金属パターンの鮮鋭度を上ることが出来る。

（感光性形層成用塗布液）
感光性金属塩微粒子、各種添加剤をバインダー中に分散した感光性形層成用塗布液が使用される。

（感光性金属塩微粒子）
感光性金属塩微粒子としては、例えば銅、クロム等の重金属塩、感光性銀塩等が挙げられ、感光性であれば何れの金属も用いることが出来るが、感光性銀塩微粒子、中でもハロゲン化銀微粒子が好ましく、写真用ハロゲン化銀乳剤が好ましく用いられる。

（感光性銀塩）
本発明で用いられる感光性銀塩としては、ハロゲン化銀などの無機銀塩及び酢酸銀などの有機銀塩が挙げられるが、光センサーとしての特性に優れるハロゲン化銀を用いることが好ましい。

本発明では、ハロゲン化銀を光センサーとして機能させるために使用するが、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等で用いられるハロゲン化銀に関する技術は、本発明においてそのまま用いることが出来る。

ハロゲン化銀に含有されるハロゲン元素は、塩素、臭素、ヨウ素及びフッ素の何れであってもよく、これらを組み合わせでもよい。例えば、ＡｇＣｌ、ＡｇＢｒ、ＡｇＩを主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられ、更にＡｇＢｒを主体としたハロゲン化銀が好ましく用いられる。

ここで、「ＡｇＢｒ（臭化銀）を主体としたハロゲン化銀」とは、ハロゲン化銀組成中に占める臭化物イオンのモル分率が５０％以上のハロゲン化銀を言う。このＡｇＢｒを主体としたハロゲン化銀粒子は、臭化物イオンの他に沃化物イオン、塩化物イオンを含有していてもよい。

ハロゲン化銀は固体粒子状であるため、露光、現像処理後に形成されるメッシュパターン状金属銀層の品質の観点からは、ハロゲン化銀の平均粒子サイズは、球相当径で０．１〜１０００ｎｍ（１μｍ）であることが好ましく、１ｎｍ〜１００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍであることが更に好ましい。尚、ハロゲン化銀粒子の球相当径とは、粒子形状が球形の同じ体積を有する粒子の直径である。

ハロゲン化銀粒子の形状は特に限定されず、例えば、球状、立方体状、平板状（６角平板状、三角形平板状、４角形平板状など）、八面体状、１４面体状など様々な形状であることが出来る。

ハロゲン化銀は、更に他の元素を含有していてもよく、例えば、写真乳剤において、硬調な乳剤を得るために用いられる金属イオンをドープすることも有用である。特にロジウムイオンやイリジウムイオンなどの遷移金属イオンは、金属銀像の生成の際に露光部と未露光部の差が明確に生じやすくなるため好ましく用いられる。ロジウムイオン、イリジウムイオンに代表される遷移金属イオンは、各種の配位子を有する化合物であることも出来る。そのような配位子としては、例えば、シアン化物イオンやハロゲンイオン、チオシアナートイオン、ニトロシルイオン、水、水酸化物イオンなどを挙げることが出来る。具体的な化合物の例としては、Ｋ₃Ｒｈ₂Ｂｒ₉及びＫ₂ＩｒＣｌ₆などが挙げられる。

本発明において、ハロゲン化銀に含有されるロジウム化合物及び／又はイリジウム化合物の含有率は、好ましくは、ハロゲン化銀の銀のモル数に対して、１０^-10〜１０^-2モル／モルＡｇであり、１０^-9〜１０^-3モル／モルＡｇであることが更に好ましい。

その他、Ｐｄ（II）イオン及び／又はＰｄ金属を含有するハロゲン化銀も好ましく用いることが出来る。この様なハロゲン化銀粒子は、ハロゲン化銀粒子を形成する過程においてＰｄを添加することにより作製することが出来。又Ｐｄ（II）イオンを後熟時に添加するなどの方法でハロゲン化銀表層に存在させることも好ましい。

Ｐｄは、無電解メッキ触媒としてよく知られて用いられており、このＰｄの含有によって、物理現像や無電解メッキの速度を速め、所望の電磁波遮蔽材料の生産効率を上げ、生産コストの低減に寄与する。

ハロゲン化銀に含まれるＰｄイオン及び／又はＰｄ金属の含有率は、ハロゲン化銀の銀のモル数に対して１０^-8〜１０^-4モル／モルＡｇであることが好ましく、１０^-6〜１０^-5モル／モルＡｇであることが更に好ましい。

又、ゼラチンとの結合を抑制しＡｇＸへより効率的に配位させるために、Ｐｄ（ＳＣＮ）₂錯体やパラジウムグリシネートとして添加することが好ましい。

Ｐｄ化合物の例としては、ＰｄＣｌ₄やＮａ₂ＰｄＣｌ₄等が挙げられる。

ハロゲン化銀は、更に光センサーとしての感度を向上させるため、ハロゲン化銀写真乳剤で行われる化学増感を施すことが出来る。化学増感としては、例えば、金増感などの貴金属増感、イオウ増感などのカルコゲン増感、還元増感等を利用することが出来る。

本発明で使用出来る乳剤としては、例えば、特開平１１−３０５３９６号公報、特開２０００−３２１６９８号公報、特開平１３−２８１８１５号公報、特開２００２−７２４２９号公報の実施例に記載されたカラーネガフィルム用乳剤、特開２００２−２１４７３１号公報に記載されたカラーリバーサルフィルム用乳剤、特開２００２−１０７８６５号公報に記載されたカラー印画紙用乳剤などを好適に用いることが出来る。

（バインダー）
本発明の銀塩微粒子（含有）層において、バインダーは、銀塩粒子を均一に分散させ、かつ銀塩含有層と支持体との密着を補助する目的で用いることが出来、本発明においては、非水溶性ポリマー及び水溶性ポリマーの何れもバインダーとして用いることが出来るが、水溶性ポリマーを用いることが好ましい。

バインダーとしては、例えば、ゼラチン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、澱粉等の多糖類、セルロース及びその誘導体等が挙げられる。ゼラチンが特に好ましい。

本発明の銀塩微粒子含有層中に含有されるバインダーの含有量は、特に限定されず、分散性と密着性を発揮し得る範囲で適宜決定することが出来る。銀塩含有層中のバインダーの含有量は、Ａｇ／バインダー体積比で１／４〜１００であることが好ましく、１／３〜１０であることがより好ましく、１／２〜２であることが更に好ましい。１／１〜２であることが最も好ましい。銀塩含有層中にバインダーをＡｇ／バインダー体積比で１／４以上含有すれば、物理現像及び／又はメッキ処理工程において金属粒子同士が互いに接触しやすく、高い導電性を得ることが可能であるため好ましい。

又、本発明の銀塩微粒子含有層には、感光性銀塩微粒子のほか、活性剤、硬膜剤等各種の添加剤を含んでもよい。

本発明の銀塩微粒子層で用いられる溶媒は、特に限定されるものではないが、例えば、水、有機溶媒（例えば、メタノールなどのアルコール類、アセトンなどのケトン類、ホルムアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、酢酸エチルなどのエステル類、エーテル類等）、イオン性液体、及びこれらの混合溶媒を挙げることが出来る。ハロゲン化銀ゼラチン乳剤を用いるには水を主体とすることが好ましい。

（塗布装置）
上記の銀塩微粒子層の塗設は上記各成分を含有する例えばハロゲン化銀乳剤の水性の塗布液を被塗布物上に塗布液を塗布する方式としては、一つは必要な塗布液膜を形成する量だけ塗布液を吐出させて被塗布物上に塗布液を塗布する前計量型塗布方式、もう一つは予め必要な塗布液膜形成量よりも余剰な塗布液を被塗布物上に吐出させ、その後なんらかの掻き取り手段で余剰分を取り除く後計量型塗布方式である。後計量型塗布方式としては、ブレード型塗布方式、エアーナイフ型塗布方式、ワイヤーバー型塗布方式などが挙げられる。又、前計量型塗布方式としては、スロット型（エクストルージョン型とも言う）塗布方式、カーテン型塗布方式、スライド型塗布方式などが挙げられる。

一般的には、前計量方式では装置構成等は複雑であるが高精度な塗布液膜が得られることから本発明に係わる塗布方式として向いている。

こうした前計量方式の塗布方式における塗布装置とは、スロット型（エクストルージョン型とも言う）塗布方式にはエクストルージョン型塗布装置、カーテン型塗布方式、にはカーテン型塗布装置、スライド型塗布方式にはスライド型塗布装置が使用されており、必要に応じて選択死使用することが可能である。

（現像処理）
本発明では、銀塩微粒子含有層を露光した後、現像処理が行われる。現像処理は、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる通常の現像処理の技術を用いることが出来る。現像液については特に限定はしないが、ＰＱ現像液、ＭＱ現像液、ＭＡＡ現像液等を用いることも出来、例えば、ＫＯＤＡＫ社製のＣ−４１、Ｅ−６、ＲＡ−４、Ｄ−１９、Ｄ−７２などの現像液、又はそのキットに含まれる現像液、又、Ｄ−８５などのリス現像液を用いることが出来る。

本発明では、上記の露光及び現像処理を行うことにより金属銀部、好ましくはパターン状金属銀部が形成されると共に、後述する光透過性部が形成される。

本発明における現像処理は、未露光、未現像部分の銀塩を除去して安定化させる目的で行われる定着処理を含むことが出来る。本発明における定着処理は、銀塩写真フィルムや印画紙、印刷製版用フィルム、フォトマスク用エマルジョンマスク等に用いられる定着処理の技術を用いることが出来る。

現像処理で用いられる現像液は、画質を向上させる目的で、画質向上剤を含有することが出来る。画質向上剤としては、例えば、ベンゾトリアゾールなどの含窒素へテロ環化合物を挙げることが出来る。又、リス現像液を利用する場合特に、ポリエチレングリコールを使用することも好ましい。

現像処理後の露光部（現像された部分）に含まれる金属銀の質量は、露光前に含まれていた銀の質量に対して５０質量％以上の含有率であることが好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましい。露光部に含まれる銀の質量が露光前の露光部に含まれていた銀の質量に対して５０質量％以上であれば、高い導電性を得ることが出来るため好ましい。

本発明における現像処理後の階調は、特に限定されるものではないが、４．０を超えることが好ましい。現像処理後の階調が４．０を超えると、光透過性部の透明性を高く保ったまま、導電性金属部の導電性を高めることが出来る。階調を４．０以上にする手段としては、例えば、前述のロジウムイオン、イリジウムイオンのドープが挙げられる。

又、金属画像に変換されなかったハロゲン化銀は、現像工程に含まれる写真用の定着処理により除去される。例えば、現像液として、２５℃のＣＤＨ−１００現像液（コニカミノルタ製）で６０秒現像し、その後、ＣＦＬ８７１定着液（コニカミノルタ製）で３分処理後、４０℃の温純水で５分洗浄する現像処理を行うことが出来る。

（導電性付与（メッキ処理））
本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法においは、現像工程の後、更に、金属銀の導電性を高めるための導電性付与工程を設ける。導電性付与工程は、具体的には、物理現像及び／又はメッキ処理で、これにより導電性金属粒子を金属銀部に担持させることからなる。

本発明では、露光及び現像処理により形成された金属銀部に導電性金属粒子を担持させ更に導電性を付与する目的で、金属銀部に物理現像及び／又はメッキ処理を行う。本発明では物理現像又はメッキ処理のみで導電性金属粒子を金属性部に担持させることが可能であるが、更に物理現像とメッキ処理を組み合わせて導電性金属粒子を金属銀部に担持させることも出来る。

本発明において「物理現像」とは、金属や金属化合物の核上に、銀イオンなどの金属イオンを還元剤で還元して金属粒子を析出させることを言う。この物理現象は、インスタントＢ＆Ｗフィルム、インスタントスライドフィルムや、印刷版製造等に利用されており、本発明ではその技術を用いることが出来る。又、物理現像は、露光後の現像処理と同時に行っても、現像処理後に別途行ってもよい。

本発明において、メッキ処理は、無電解メッキ（化学還元メッキや置換メッキ）、電解メッキ、又は無電解メッキと電解メッキの両方を用いることが出来る。

本発明における無電解メッキは、公知の無電解メッキ技術を用いることが出来、例えば、プリント配線板などで用いられている無電解メッキ技術を用いることが出来、無電解メッキは無電解銅メッキであることが好ましい。

無電解銅メッキ液に含まれる化学種としては、硫酸銅や塩化銅、還元剤としてホルマリンやグリオキシル酸、銅の配位子としてＥＤＴＡやトリエタノールアミン等、その他、浴の安定化やメッキ皮膜の平滑性を向上させるための添加剤としてポリエチレングリコール、黄血塩、ビピリジン等が挙げられる。電解銅メッキ浴としては、硫酸銅浴やピロリン酸銅浴が挙げられる。

本発明におけるメッキ処理時のメッキ速度は、緩やかな条件で行うことが出来、更に５μｍ／ｈｒ以上の高速メッキも可能である。メッキ処理において、メッキ液の安定性を高める観点からは、例えば、ＥＤＴＡなどの配位子など種々の添加剤を用いることが出来る。例えばメッキ液としては、硫酸銅０．０６モル／Ｌ、ホルマリン０．２２モル／Ｌ、トリエタノールアミン０．１２モル／Ｌ、及びポリエチレングリコール１００ｐｐｍ、黄血塩５０ｐｐｍ、α、α′−ビピリジン２０ｐｐｍを含有する、ｐＨ＝１２．５の無電解Ｃｕメッキ液等が具体例として挙げられ、例えば、該メッキ液を用いて４５℃にて無電解銅メッキ処理を行った後、１０ｐｐｍ程度のＦｅ（III）イオンを含有する水溶液で酸化処理を行う。

金属部に担持させる導電性金属粒子としては、上述した銀（物理現像の場合）のほか、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、金、コバルト、スズ、ステンレス、タングステン、クロム、チタン、パラジウム、白金、マンガン、亜鉛、ロジウムなどの金属、又はこれらを組み合わせた合金の粒子を挙げることが出来る。導電性、価格等の観点から導電性金属粒子は、銅、アルミニウム又はニッケルの粒子であることが好ましい。又、磁場遮蔽性を付与する場合、導電性金属粒子として常磁性金属粒子を用いることが好ましい。

導電性金属部において、コントラストを高くし、かつ導電性金属部が経時的に酸化され退色されるのを防止する観点からは、導電性金属部に含まれる導電性金属粒子は銅粒子であることが好ましい。

（酸化処理）
本発明では、現像処理後の金属銀部、並びに物理現像及び／又はメッキ処理後に形成される導電性金属部には、好ましくは酸化処理が行われる。酸化処理を行うことにより、例えば、光透過性部に金属が僅かに沈着していた場合に、沈着している金属を除去し、光透過性部の透過性をほぼ１００％にすることが出来る。

酸化処理としては、例えば、Ｆｅ（III）イオン処理など、種々の酸化剤を用いた公知の方法が挙げられる。酸化処理は、銀塩含有層の露光及び現像処理後、あるいは物理現像又はメッキ処理後に行うことが出来、更に現像処理後と物理現像又はメッキ処理後のそれぞれで行ってもよい。

本発明では、更に露光及び現像処理後の金属銀部を、Ｐｄを含有する溶液で処理することも出来る。Ｐｄは、２価のパラジウムイオンであっても金属パラジウムであってもよい。この処理により無電解メッキ又は物理現像速度を促進させることが出来る。

導電性金属部は、導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して、銀を５０質量％以上含有することが好ましく、６０質量％以上含有することが更に好ましい。銀を５０質量％以上含有すれば、物理現像及び／又はメッキ処理に要する時間を短縮し、生産性を向上させ、かつ低コストとすることが出来る。

更に、導電性金属部を形成する導電性金属粒子として銅及びパラジウムが用いられる場合、銀、銅及びパラジウムの合計の質量が導電性金属部に含まれる金属の全質量に対して８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることが更に好ましい。

本発明における導電性金属部は、導電性金属粒子を担持するため良好な導電性が得られる。このため、本発明の透光性電磁波遮蔽膜（導電性金属部）の表面抵抗値は、１０³Ω／ｓｑ以下であることが好ましく、１０²Ω／ｓｑ以下であることがより好ましく、１０Ω／ｓｑ以下であることが更に好ましく、０．１Ω／ｓｑ以下であることが最も好ましい。

以下、実施例を挙げて本発明の具体的な効果を示すが、本発明の態様はこれに限定されるものではない。

実施例１
図１に示す製造装置を使用し、電磁波遮蔽フィルムを作製した。

感光材料の準備
ハロゲン化銀乳剤の調製
３５℃に保温した０．５％ゼラチン水溶液１リットル中に下記（Ａ１液）及び（Ｂ１液）を銀電位（ＥＡｇ）＝８５ｍＶ、ｐＨ＝５．８に制御しつつ同時添加し、更に下記（Ｃ１液）及び（Ｄ１液）をＥＡｇ＝８５ｍＶ、ｐＨ＝５．８に制御しつつ同時添加した。この時、銀電位の制御は１０％臭化カリウム水溶液を用い、ｐＨの制御は酢酸又は水酸化ナトリウム水溶液を用いて行った。

（Ａ１液）
臭化カリウム １０４ｇ
沃化カリウム ３．０ｇ
水を加えて １３００ｍｌ
（Ｂ１液）
硝酸銀 １５０ｇ
水を加えて １３６０ｍｌ
（Ｃ１液）
臭化カリウム ３１０ｇ
ヘキサクロロイリジウム（IV）酸カリウム ４×１０^-8モル
ヘキサシアノ鉄（II）酸カリウム ２×１０^-5モル
沃化カリウム １０ｇ
水を加えて ４０００ｍｌ
（Ｄ１液）
硝酸銀 ４８０ｇ
水を加えて ４２００ｍｌ
添加終了後、花王アトラス社製デモールＮの５％水溶液と硫酸マグネシウムの２０％水溶液を用いて脱塩を行った後、ゼラチン水溶液と混合して平均粒径０．０４μｍ、粒径分布の変動係数０．１３のハロゲン化銀乳剤を得た。この後、チオ硫酸ナトリウムをハロゲン化銀１モル当たり２．０ｍｇ用い４０℃にて８０分間化学増感を行い、化学増感終了後に４−ヒドロキシ−６−メチル−１，３，３ａ，７−テトラザインデン（ＴＡＩ）をハロゲン化銀１モル当たり５００ｍｇ添加して、ハロゲン化銀乳剤を得た。

感光性層形成用塗布液の調製
準備したハロゲン化銀乳剤を使用し、ゼラチン水溶液、硬膜剤（Ｈ−１：テトラキス（ビニルスルホニルメチル）メタン）をゼラチン１ｇ当たり５０ｍｇの比率となるようにして添加し、塗布助剤として、界面活性剤（ＳＵ−２：スルホ琥珀酸ジ（２−エチルヘキシル）・ナトリウム）を添加し、感光性層形成用塗布液を調整した。

帯状基材の準備
帯状基材として厚さ１００μｍ、幅３２０ｍｍ、長さ２００ｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを準備した。

塗布
準備した帯状基材の上に、スライドコータを使用し、銀量０．５ｇ／ｍ²、ゼラチン量０．１０８ｇ／ｍ²になるように塗布・乾燥し、感光層の幅が３００ｍｍの感光材料を準備した。尚、銀量は用いたハロゲン化銀乳剤の量を等モルの銀に換算した値を示す。

マスクの準備
厚さ１５ｍｍ、透過率８０％、直径１００ｍｍ、幅４００ｍｍのガラス製の円筒型基体を準備し以下に示すマスクを作製した。厚さはノギスで測定した値を示す。透過率は（株）日立ハイテクノロジーズ製 日立分光硬度計 Ｕ−３０１０で測定した可視光領域の透過率を示す。

マスクＮｏ．１−１の作製
準備した円筒型基体の周面に図２に示される様に感光材料と密着する領域に図５（ａ）に示されるパターンを、透過部分Ｔの幅１０μｍ、遮蔽率９３．５％になるように蒸着法（蒸着源としてＣｒを使用）にて連続して形成した。遮蔽部分の厚さは３００ｎｍであった。厚さは、エスアイアイ・ナノテクノロジー（株）製 蛍光Ｘ線膜厚計 ＳＦＴ９４５５で測定した値を示す。尚、遮蔽率は以下の計算式から計算で求めた値を示す。

遮蔽率＝（遮蔽部分の面積／（遮蔽部分の面積＋遮蔽部分の周囲の透過部分の面積））×１００
マスクＮｏ．１−２の作製
準備した円筒型基体の周面に図２に示される様に感光材料の両端と密着する領域にスリップ防止手段を設け、それ以外の領域に図５（ａ）に示されるパターンを、マスクＮｏ．１−１と同じになる様に蒸着法にて連続して形成した。尚、スリップ防止手段としては、幅２０ｍｍのゴムライニングを設けた。

比較マスクＮｏ．１−３の作製
準備した円筒型基体の周面に図２に示される様に感光材料と密着する領域に図５（ａ）に示されるパターンを形成する際、不連続のパターンとなるように最初と最後に遮蔽部分を設けた他はマスクＮｏ．１−１と同じパターンを形成した。

準備したマスクＮｏ．１−１〜１−３の各円筒型基体の内部に、図３（ａ）に示す様に線状連続光源と反射板とを配設した。

線状連続光源：幅３５０ｍｍ（円筒型基体の幅に対して８７％）のタングステン光源（可視光光源）
反射板：アルミ板にチタンの酸化物を蒸着した反射率９５％
照射範囲：１２５ｍｍ（円筒型基体の外周に対して４０％）
（電磁波遮蔽フィルムの作製）
準備した感光材料２００ｍと、準備したマスクＮｏ．１−１〜１−３とを使用し以下に示す露光条件で露光を行った後、下記現像液（ＤＥＶ−１）を用いて２５℃で６０秒間現像処理を行った後、下記定着液（ＦＩＸ−１）を用いて２５℃で１２０秒間の定着処理を行い、ついで水洗処理を行った。更に、下記物理現像液（ＰＤ−１）を用いて、２５℃３００秒間の物理現像を行い、ついで水洗処理を行った。その後、２５℃のＰｄ触媒液（ＣＡＴ−１）に３０秒間浸漬したのち、水洗処理し、更にメッキ液（ＰＬ−１）を用いて４５℃で無電解銅メッキ処理を６００秒間行い乾燥後巻き取り、電磁波遮蔽フィルムを作製しＮｏ．１０１〜１０３とした。

露光条件
感光材料の張力：１００Ｎ
感光材料の搬送速度：３ｍ／ｍｉｎ
マスクの周速度：３ｍ／ｍｉｎ
感光材料の張力は今田製作所製プッシュプルゲージで測定した値を示す。マスクの周速度は、感光材料の搬送速度を測定しフィードバック制御で感光材料の搬送速度と一致する様に制御した。

光源の照度：４０Ｗ
照射時間：感光材料への露光が終了するまで連続
（ＤＥＶ−１：現像液）
純水 ５００ｍｌ
メトール ２ｇ
無水亜硫酸ナトリウム ８０ｇ
ハイドロキノン ４ｇ
ホウ砂 ４ｇ
チオ硫酸ナトリウム １０ｇ
臭化カリウム ０．５ｇ
水を加えて全量を１リットルとする
（ＦＩＸ−１：定着液）
純水 ７５０ｍｌ
チオ硫酸ナトリウム ２５０ｇ
無水亜硫酸ナトリウム １５ｇ
氷酢酸 １５ｍｌ
カリミョウバン １５ｇ
水を加えて全量を１リットルとする
（ＰＤ−１：物理現像液）
純水 ８００ｍｌ
クエン酸 ５ｇ
ハイドロキノン ７ｇ
硝酸銀 ３ｇ
水を加えて全量を１リットルとする。

（ＣＡＴ−１：Ｐｄ触媒液）
硫酸パラジウム ２０ｍｇ
水を加えて全量を１リットルとする。

（ＰＬ−１：メッキ液）
硫酸銅 ０．０４モル
ホルムアルデヒド（３７％） ０．０８モル
水酸化ナトリウム ０．１０モル
トリエタノールアミン ０．０５モル
ポリエチレングリコール １００ｐｐｍ
水を加えて全量を１リットルとする。

評価
作製した電磁波遮蔽フィルムＮｏ．１０１〜１０３に対して鮮鋭性、透過率、電磁波遮蔽性、生産性を以下に示す方法で測定し、以下に示す評価ランクに従って評価した結果を表１に示す。

鮮鋭性の測定方法
作製した試料の内から、先頭から９０ｍ、１８０ｍから各々２０ｃｍ×２０ｃｍを切り取り、得られたパターンの導電性金属部の端部（エッジ部）の鮮鋭性を（株）キーエンス製 光学顕微鏡ＶＥ８８００を使用し、倍率２００倍で観察した。

鮮鋭性の評価ランク
○：端部（エッジ部）にボケ部がない
△：端部（エッジ部）に透過率に影響がないボケ部が散見される
×：端部（エッジ部）に透過率に影響を及ぼすボケ部がある
透過率の評価方法
鮮鋭性を測定した試料を使用し、入江（株）製 分光透過率測定機ＴＭ−２を使用し、可視光での透過率を測定した。

透過率の評価ランク
○：透過率が９０％以上
△：透過率が８０％以上、８９％未満
×：透過率が８０％未満
電磁波遮蔽性の測定方法
鮮鋭性を測定した試料を使用し、生活環境研究所製 デジタル電磁界強度テスタＥＭＦ−８２３を使用し、電磁波遮蔽性を測定した。

電磁波遮蔽性の評価ランク
○：電磁波遮蔽性が９９％以上
△：電磁波遮蔽性が９５％以上、９９％未満
×：電磁波遮蔽性が９５％未満
生産性の評価方法
準備した長尺の電磁波遮蔽フィルムの３ｍから、２９６ｍｍ×２１０ｍｍの電磁波遮蔽フィルムを断裁した時、得られる枚数を測定した。

生産性の評価ランク
○：１４枚
△：１１枚〜１３枚
×：１０枚以下

本発明の有効性が確認された。

実施例２
感光材料の準備
実施例１と同じ感光材料を準備した。

マスクの準備
円筒型基体の準備
厚さ１５ｍｍ、透過率８０％、直径１００ｍｍ、幅４００ｍｍのガラス製の円筒型基体を準備した。尚、スリップ防止手段としては、感光材料の両端部と接触する場所に、幅２０ｍｍのゴムライニングを設けた。

マスクの作製
準備した円筒型基体の周面に図２に示される様に感光材料と密着する領域に図５（ａ）に示されるパターンを、蒸着源としてＣｒを使用した蒸着法での遮蔽率を表２に示す様に変化したマスクを作製しＮｏ．２−１〜２−７とした。尚、遮蔽率は実施例１と同じ方法で測定した値を示す。遮蔽部分の厚さは３００ｎｍであった。厚さは、実施例１と同じ方法で測定した値を示す。透過率は（株）日立ハイテクノロジーズ製 日立分光硬度計 Ｕ−３０１０で測定した可視光領域の透過率を示す。遮蔽部分の面積は、（株）キーエンス製 光学顕微鏡ＶＥ８８００で測定した値を示す。透過部分の面積は、（株）キーエンス製 光学顕微鏡ＶＥ８８００で測定した値を示す。

準備したマスクＮｏ．２−１〜２−７の各円筒型基体の内部に、図３（ａ）に示す様な線状連続光源と図３に示す様な反射板とを配設した。

線状連続光源：幅３５０ｍｍ（円筒型基体の幅に対して８７％）のタングステン光源（可視光光源）
反射板：アルミ板にチタンの酸化物を蒸着した反射率９５％
照射範囲：１２５ｍｍ（円筒型基体の外周に対して４０％）
（電磁波遮蔽フィルムの作製）
準備した感光材料２００ｍと、準備したマスクＮｏ．２−１〜２−７とを使用し、実施例１と同じ条件で露光した後、実施例と同じ方法で、現像処理、メッキ処理を行い、電磁波遮蔽フィルムを作製しＮｏ．２０１〜２０７とした。

評価
作製した電磁波遮蔽フィルムＮｏ．２０１〜２０７に対して鮮鋭性、透過率、電磁波遮蔽性、生産性を実施例１と同じ方法で測定し、実施例１と同じ評価ランクに従って評価した結果を表３に示す。

本発明の有効性が確認された。

電磁波遮蔽フィルムの製造装置の模式図である。 図１のＲで示される部分の拡大概略斜視図である。 図２に示す露光装置の概略拡大断面図である。 図３（ｂ）に示す反射板の他の形式の反射板を配設した露光装置の概略拡大断面図である。 図３、図４に示される反射板の他の形状を示す概略断面図である。 図２のＳに示される部分の拡大概略平面図である。 図２に示されるマスク４ａ１の拡大斜視図である。 図５に示されるマスクを使用し図１に示される電磁波遮蔽フィルムの製造装置で製造した電磁波遮蔽フィルムの電磁波遮蔽パターンの概略図である。

符号の説明

１ 製造装置
２ 供給工程
２０２ 感光材料
２０２ａ 感光層
３ 塗布工程
４ 露光工程
４ａ 露光装置
４ａ１ マスク
４ａ１１ 円筒型基体
４ａ１１１ 外周面
４ａ１１２ 非パターン形成部
４ａ１１３ パターン形成部
４ａ１４ スリップ防止手段
４ａ２ 駆動ローラ
４ａ３、４ａ４ 保持ローラ
４ａ５ 光源
４ａ５１、４ａ５２ 測定機
４ａ６、４ａ７ 反射板
５ 現像処理工程
６ 導電性付与工程
７ 反射防止付与工程
８ 回収工程
Ｈ 厚さ
Ｉ、Ｊ 幅
Ｐ、Ｑ 照射範囲
Ｔ 透過部分
Ｕ 遮蔽部分
Ｕ′ 光透過部
Ｔ′ 導電性金属部

Claims (8)

1. 帯状支持体の上に感光性金属塩微粒子を含有する感光性形層成用塗布液を塗布し形成した感光性層を有する感光材料を使用し、前記感光材料に所定のパターンを有するマスクを介して露光した後、現像処理を経て、前記帯状支持体の上に金属パターンを形成する電磁波遮蔽フィルムの製造方法において、
   前記露光は、反射板を有する光源により、前記感光材料の露光領域に前記マスクを介して光を照射し、連続したパターンを露光することを特徴とする電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
2. 前記マスクは、少なくとも感光材料と密着する部分の外周面には連続したパターンを有する回動可能で透明な円筒型基体を有し、該円筒型基体の内部に反射板と、光源とが該円筒型基体の幅方向で同じ光量が得られる様に配設されていることを特徴とする請求項１に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
3. 前記露光は、感光材料とマスクとを密着させ、該感光材料の搬送速度と該マスクの周速度とを同じにして行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
4. 前記マスクは、円筒型基体の周面に遮蔽率が８５％〜９７％のパターンを連続して有していることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
5. 前記パターンは、蒸着により形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
6. 前記マスクは感光材料の両端部が接触する部分に、スリップ防止手段が配設されていることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
7. 前記感光性金属塩微粒子が、ハロゲン化銀微粒子であることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の電磁波遮蔽フィルムの製造方法。
8. 請求項１〜７の何れか１項に記載の製造方法で製造したことを特徴とする電磁波遮蔽フィルム。

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