CN109407461B - 光掩模及其制作方法和制作显示器件的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了光掩模及其制作方法和制作显示器件的方法。该光掩模包括：基板；图案化遮光层，所述图案化遮光层设置在所述基板的表面上；平坦化层，所述平坦化层与所述图案化遮光层位于所述基板的同一表面上，且覆盖所述图案化遮光层；以及准直结构，所述准直结构设置在所述平坦化层远离所述基板的表面上。该光掩模对光具有自准直功能，可适用于对光的准直度要求高的应用环境，进而可使得柔性显示器中的聚合物墙在制作时无需准直光源，使得聚合物墙的生产更加简便，且生产设备的集成化高，可显著降低柔性显示器中聚合物墙的生产成本。

Description

光掩模及其制作方法和制作显示器件的方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体的，涉及光掩模及其制作方法和制作显示器件的方法。

背景技术

在相关技术中，聚合物墙用于支撑和粘附柔性显示器的上基板和下基板，同时聚合物墙还可以在柔性显示器弯折时用于固定液晶盒厚，确保显示质量。为了实现较小的线宽和较高的外观准直度，聚合物墙在制作过程中必须经过高度准直的光进行照射。然而，目前行业内缺少大型准直光设备，导致聚合物墙的制作难度较高。

因而，现有的制作聚合物墙的相关技术仍有待改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种对光具有自准直功能、可适用于对光的准直度要求高的应用环境、可使得柔性显示器中的聚合物墙在制作时无需准直光源、使得聚合物墙的生产更加简便、生产设备的集成化高、或者可显著降低柔性显示器中聚合物墙的生产成本的光掩模。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种光掩模。根据本发明的实施例，该光掩模包括：基板；图案化遮光层，所述图案化遮光层设置在所述基板的表面上；平坦化层，所述平坦化层与所述图案化遮光层位于所述基板的同一表面上，且覆盖所述图案化遮光层；以及准直结构，所述准直结构设置在所述平坦化层远离所述基板的表面上。由于该光掩模包括准直结构，故该光掩模对光具有自准直功能，可适用于对光的准直度要求高的应用环境，进而可使得柔性显示器中的聚合物墙在制作时无需准直光源，使得聚合物墙的生产更加简便，且生产设备的集成化高，可显著降低柔性显示器中聚合物墙的生产成本。

根据本发明的实施例，所述准直结构包括光子晶体层。

根据本发明的实施例，形成所述光子晶体层的材料包括压印胶或无机材料。

根据本发明的实施例，所述光子晶体层满足以下条件的至少之一：厚度为30nm～1mm；光子晶体单元之间的间隔为10nm～5μm。

在本发明的另一个方面，本发明提供了一种制作前面所述的光掩模的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：在基板的表面上形成图案化遮光层；在所述基板与所述图案化遮光层同一侧的表面上形成平坦化层；在所述平坦化层远离所述基板的表面上形成准直结构，以便得到所述光掩模。该方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，且制作所得的光掩模由于包括准直结构，因此制作所得的光掩模对光具有自准直功能，可适用于对光的准直度要求高的应用环境，进而可使得柔性显示器中的聚合物墙在制作时无需准直光源，使得聚合物墙的生产更加简便，且生产设备的集成化高，可显著降低柔性显示器中聚合物墙的生产成本。

根据本发明的实施例，所述准直结构为光子晶体层，形成所述光子晶体层的步骤包括：在所述平坦化层远离所述基板的表面上形成第一压印胶层；对所述第一压印胶层进行第一纳米压印处理，以便得到所述光子晶体层。

根据本发明的实施例，在形成所述第一压印胶层之后，进行所述第一纳米压印处理之前，进一步包括：将所述第一压印胶层进行第一预固化处理。

根据本发明的实施例，所述准直结构为光子晶体层，形成所述光子晶体层的步骤包括：在所述平坦化层远离所述基板的表面上形成无机材料层；在所述无机材料层远离所述平坦化层的表面上形成第二压印胶层；将所述第二压印胶层进行第二纳米压印处理，得到刻蚀保护层；以所述刻蚀保护层为掩膜版，对所述无机料层进行刻蚀处理，以便得到所述光子晶体层；去除所述刻蚀保护层。

根据本发明的实施例，在形成所述第二压印胶层之后，进行所述第二纳米压印处理之前，进一步包括：将所述第二压印胶层进行第二预固化处理。

在本发明的又一个方面，本发明提供了一种制作显示器件的方法。根据本发明的实施例，所述显示器件中的聚合物墙是利用前面所述的光掩模制作形成的。由于前面所述的光掩模对光具有自准直功能，进而可使得所述显示器件中的聚合物墙在制作时无需准直光源，使得聚合物墙的生产更加简便，且生产设备的集成化高，可显著降低聚合物墙的生产成本，易于实现工业化生产。

附图说明

图1显示了本发明一个实施例的光掩模的剖面结构示意图。

图2显示了本发明另一个实施例的光掩模的剖面结构示意图。

图3显示了本发明又一个实施例的光掩模的剖面结构示意图。

图4显示了本发明一个实施例的制作光掩模的方法的流程示意图。

图5a、图5b和图5c显示了本发明另一个实施例的制作光掩模的方法的流程示意图。

图6显示了本发明又一个实施例的制作光掩模的方法的流程示意图。

图7a和图7b显示了本发明再一个实施例的制作光掩模的方法的流程示意图。

图8显示了本发明再一个实施例的制作光掩模的方法的流程示意图。

图9显示了本发明再一个实施例的制作光掩模的方法的流程示意图。

图10a、图10b、图10c、图10d和图10e显示了本发明再一个实施例的制作光掩模的方法的流程示意图。

图11显示了本发明再一个实施例的制作光掩模的方法的流程示意图。

附图标记：

D：光子晶体层的厚度 L：光子晶体单元之间的间隔 100：光掩模 110：基板 120：图案化遮光层 130：平坦化层 140：准直结构 1401：光子晶体层 150：第一压印胶层 160：无机材料层 170：第二压印胶层 180：刻蚀保护层

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。

在本发明的一个方面，本发明提供了一种光掩模。根据本发明的实施例，参照图1，该光掩模100包括：基板110；图案化遮光层120，所述图案化遮光层120设置在所述基板110的表面上；平坦化层130，所述平坦化层130与所述图案化遮光层120位于所述基板110的同一表面上，且覆盖所述图案化遮光层120；以及准直结构140，所述准直结构140设置在所述平坦化层130远离所述基板110的表面上。由于该光掩模100包括准直结构140，故该光掩模100对光具有自准直功能，可适用于对光的准直度要求高的应用环境，进而可使得柔性显示器中的聚合物墙在制作时无需准直光源，使得聚合物墙的生产更加简便，且生产设备的集成化高，可显著降低柔性显示器中聚合物墙的生产成本。

根据本发明的实施例，所述基板110的种类可以为玻璃基板或者石英基板，由此，材料来源广泛、易得，且成本较低；所述基板110的厚度可以为常规光掩模的基板的厚度，在此不再过多赘述。

根据本发明的实施例，所述图案化遮光层120的形状、图案、厚度等本领域技术人员可以根据实际需要进行灵活选择；形成所述图案化遮光层120的材料可以包括金属材料，具体地，例如可以是金属铬、金属铝、金属锡、金属铜、金属钼、金属钛、铬的合金、包含氮、氧和碳等的金属铬，或者以上材料薄膜的层压薄膜等。由此，材料来源广泛、易得，成本较低，遮光效果好。

根据本发明的实施例，形成所述平坦化层130的材料可以包括透明树脂等，具体地，例如可以是聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚四氟乙烯等透明树脂类材料；所述平坦化层130的厚度可以为常规平坦化层的厚度，在此不再过多赘述。

根据本发明的实施例，所述准直结构140的作用在于可以将具有目标波长的光源进行自准直。在本发明的一些实施例中，所述准直结构140可以是光子晶体层1401(结构示意图参照图2)。由此，光子晶体层1401对于具有目标波长的光源具有较好的自准直作用，光在光子晶体层1401中以Bloch(布洛赫)波的形式存在，其传播方向由群速度决定。在传播时，光的传播方向可受光子晶体层1401中的周期性微结构的调制，使得光沿某一方向无衍射直线传输，且群速度方向一致，从而使得光束的宽度保持不变，故可以使得包括所述光子晶体层1401的光掩模100对光具有自准直功能，可适用于对光的准直度要求高的应用环境，进而可使得柔性显示器中的聚合物墙在制作时无需准直光源，使得聚合物墙的生产更加简便，且生产设备的集成化高，可显著降低柔性显示器中聚合物墙的生产成本。

根据本发明的实施例，需要说明的是，此处的“光子晶体层”是指介电常数在空间按波长的数量级呈周期性变化的微结构。另外，本文中所述及的“光子晶体单元”是指在光子晶体层中，呈周期性变化的重复单元。

根据本发明的实施例，由于制作工艺上的原因，在本发明的另一些实施例中，制作所得的光子晶体层1401中的光子晶体单元之间可能会存在材料的残留，导致制作所得的光掩模形成如图3中所示出的结构。不过在制作所得的光子晶体层1401中的光子晶体单元之间的材料残留，并不会对所述光子晶体层1401对光的准直性能出现影响。本发明所述的图2和图3中的光掩模100，均可以对光具有较好的自准直作用，进而可以使得包括所述光子晶体层1401的光掩模100对光具有自准直功能，可适用于对光的准直度要求高的应用环境，进而可使得柔性显示器中的聚合物墙在制作时无需准直光源，使得聚合物墙的生产更加简便，且生产设备的集成化高，可显著降低柔性显示器中聚合物墙的生产成本。

根据本发明的实施例，参照图2和图3，所述光子晶体层1401的厚度D可以为30nm～1mm。在本发明的一些实施例中，所述光子晶体层1401的厚度D可以具体为30nm、50nm、100nm、500nm、1μm、100μm、500μm、1mm等。由此，可以较好地对紫外光和可见光产生准直作用，使得光掩模特别适合用于制作显示器件。

根据本发明的实施例，参照图2和3，光子晶体单元之间的间隔L可以为10nm～5μm。在本发明的一些实施例中，光子晶体单元之间的间隔L可以具体为10nm、50nm、100nm、500nm、1μm、2μm、5μm等。由此，可以较好地对紫外光和可见光产生准直作用，使得光掩模特别适合用于制作显示器件。

根据本发明的实施例，形成所述光子晶体层1401的材料可以包括压印胶和无机材料。在本发明的一些实施例中，所述压印胶可以具体包括透明UV树脂等；在本发明的另一些实施例中，所述无机材料可以具体包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、非晶硅(a-Si)等材料。由此，材料来源广泛、易得，成本较低，且对于光的准直效果较好。

在本发明的另一个方面，本发明提供了一种制作前面所述的光掩模的方法。根据本发明的实施例，参照图4，该方法包括以下步骤：

S100：在基板110的表面上形成图案化遮光层120(结构示意图参照图5a)。

根据本发明的实施例，在基板110的表面上形成图案化遮光层120的工艺可以包括真空蒸镀和化学气相沉积等。所述真空蒸镀、化学气相沉积等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积等的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

S200：在所述基板110与所述图案化遮光层120同一侧的表面上形成平坦化层130(结构示意图参照图5b)。

根据本发明的实施例，在所述基板110与所述图案化遮光层120同一侧的表面上形成平坦化层130的工艺可以包括真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

根据本发明的实施例，在形成平坦化层130以后，对平坦化层130进行固化。由此，可以使得光掩模100结构较为稳定，且工艺简单、方便，容易实现，易于实现工业化生产。

S300：在所述平坦化层130远离所述基板110的表面上形成准直结构140，以便得到所述光掩模100(结构示意图参照图5c)。

根据本发明的实施例，由不同的材料形成准直结构140时，其在所述平坦化层130远离所述基板110的表面上形成准直结构140的工序也不同，具体工序在下文中进行详细说明。由此，由于制作所得的光掩模100中包括准直结构140，因此制作所得的光掩模100对光具有自准直功能，可适用于对光的准直度要求高的应用环境，进而可使得柔性显示器中的聚合物墙在制作时无需准直光源，使得聚合物墙的生产更加简便，且生产设备的集成化高，可显著降低柔性显示器中聚合物墙的生产成本。

在本发明的另一些实施例中，所述准直结构为光子晶体层，参照图6，该方法包括以下步骤：

S100：在基板的表面上形成图案化遮光层。

S200：在所述基板与所述图案化遮光层同一侧的表面上形成平坦化层。

根据本发明的实施例，步骤S100和S200中各个层的材料、厚度，以及各个步骤和工序等，均与前面所述相同，在此不再过多赘述。

根据本发明的实施例，形成所述光子晶体层的步骤包括：

S310：在所述平坦化层130远离所述基板110的表面上形成第一压印胶层150(结构示意图参照图7a)。

根据本发明的实施例，在所述平坦化层130远离所述基板110的表面上形成第一压印胶层150的工艺可以包括化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

S320：对所述第一压印胶层150进行第一纳米压印处理，以便得到所述光子晶体层1401(结构示意图参照图7b)。

根据本发明的实施例，对所述第一压印胶层150进行的第一纳米压印处理可以包括利用模板在所述第一压印胶层150表面上进行加压、固化、模板剥离等步骤，从而形成所述光子晶体层1401，由于加压、固化、模板剥离等步骤本身的原因，采用此种方式形成的光子晶体层1401中，光子晶体单元之间的间隔会存在一定的材料残留，前已述及，材料残留并不会对准直作用产生影响。另外，所述第一纳米压印处理中各个步骤的具体工艺参数等均为纳米压印处理的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

在本发明的又一些实施例中，参照图8，在形成所述第一压印胶层150之后，进行所述第一纳米压印处理之前，该方法还可以进一步包括：

S330：将所述第一压印胶层150进行第一预固化处理。

根据本发明的实施例，将所述第一压印胶层150进行第一预固化处理的工艺可以为紫外光照射或者加热。在本发明的一些实施例中，将所述第一压印胶层150进行第一预固化处理的工艺可以为加热，加热的温度为40℃～90℃，具体地，加热的温度可以为40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃等，其中，加热的温度为50℃时，预固化处理的效果较佳。由此，可以将所述第一压印胶层150中的溶剂较好地去除，且可以使得制作所得的光子晶体层1401的准直效果较好；另外，操作简单、方便，容易实现，易于实现工业化生产。

在本发明的另一些实施例中，所述准直结构为光子晶体层，参照图9，该方法包括以下步骤：

S100：在基板的表面上形成图案化遮光层。

S200：在所述基板与所述图案化遮光层同一侧的表面上形成平坦化层。

根据本发明的实施例，步骤S100和S200中各个层的材料、厚度，以及各个步骤和工序等，均与前面所述相同，在此不再过多赘述。

根据本发明的实施例，形成所述光子晶体层的步骤包括：

S310’：在所述平坦化层130远离所述基板110的表面上形成无机材料层160(结构示意图参照图10a)。

根据本发明的实施例，在所述平坦化层130远离所述基板110的表面上形成无机材料层160的工艺可以包括化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

S320’：在所述无机材料层160远离所述平坦化层130的表面上形成第二压印胶层170(结构示意图参照图10b)。

根据本发明的实施例，在所述无机材料层160远离所述平坦化层130的表面上形成第二压印胶层170的工艺可以包括化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等。所述真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数均为常规真空蒸镀、化学气相沉积、旋涂，以及喷墨打印等的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

S330’：将所述第二压印胶层170进行第二纳米压印处理，得到刻蚀保护层180(结构示意图参照图10c)。

根据本发明的实施例，将所述第二压印胶层170进行第二纳米压印处理可以包括利用模板在所述第二压印胶层170表面上进行加压、固化、模板剥离等步骤，从而形成所述刻蚀保护层180。所述第二纳米压印处理中各个步骤的具体工艺参数等均为纳米压印处理的工艺参数，在此不再过多赘述。由此，制作工艺简单、方便，容易实现，易于工业化生产。

S340’：以所述刻蚀保护层180为掩膜版，对所述无机材料层160进行刻蚀处理，以便得到所述光子晶体层1401(结构示意图参照图10d)。

根据本发明的实施例，以所述刻蚀保护层180为掩膜版，对所述无机材料层160进行刻蚀处理的工艺可以包括湿法刻蚀、干法刻蚀、等离子刻蚀等。在本发明的一些实施例中，对所述无机材料层160进行刻蚀处理的工艺为干法刻蚀。由此，操作简单、方便，容易实现，易于实现工业化生产，且可控性较高，适于形成光子晶体层1402。

S350’：去除所述刻蚀保护层180(结构示意图参照图10e)。

根据本发明的实施例，去除所述刻蚀保护层180的工艺可以为剥离。由此，操作简单、方便，容易实现，易于实现工业化生产，且可控性较高。

在本发明的又一些实施例中，参照图11，在形成所述第二压印胶层170之后，进行所述第二纳米压印处理之前，该方法还可以进一步包括：

S360’：将所述第二压印胶层170进行第二预固化处理。

根据本发明的实施例，将所述第二压印胶层170进行第二预固化处理的工序、步骤和工艺条件等均与前面所述的将所述第一压印胶层150进行第一预固化处理(S330)的工序、步骤和工艺条件相同，在此不再过多赘述。

在本发明的又一个方面，本发明提供了一种制作显示器件的方法。根据本发明的实施例，所述显示器件中的聚合物墙是利用前面所述的光掩模制作形成的。由于前面所述的光掩模对光具有自准直功能，进而可使得所述显示器件中的聚合物墙在制作时无需准直光源，使得聚合物墙的生产更加简便，且生产设备的集成化高，可显著降低聚合物墙的生产成本，易于实现工业化生产。

根据本发明的实施例，所述显示器件可以是柔性显示器件。由此，为了实现较小的线宽和较高的外观准直度，聚合物墙在制作过程中必须经过高度准直的光进行照射，进而利用前面所述的光掩模制作形成该聚合物墙，在制作时无需准直光源，使得聚合物墙的生产更加简便，且生产设备的集成化高，可显著降低聚合物墙的生产成本，易于实现工业化生产。

根据本发明的实施例，所述显示器件除前面所述的聚合物墙以外，还具有常规显示器件的结构和部件，如背板、控制电路等，在此不再过多赘述。

根据本发明的实施例，所述聚合物墙的材料可以为常规聚合物墙的材料，在此不再过多赘述。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

Claims (9)

1.一种光掩模，其特征在于，包括：

基板；

图案化遮光层，所述图案化遮光层设置在所述基板的表面上；

平坦化层，所述平坦化层与所述图案化遮光层位于所述基板的同一表面上，且覆盖所述图案化遮光层；以及

准直结构，所述准直结构设置在所述平坦化层远离所述基板的表面上；

所述准直结构包括光子晶体层。

2.根据权利要求1所述的光掩模，其特征在于，形成所述光子晶体层的材料包括压印胶或无机材料。

3.根据权利要求1所述的光掩模，其特征在于，所述光子晶体层满足以下条件的至少之一：

厚度为30nm～1mm；

光子晶体单元之间的间隔为10nm～5μm。

4.一种制作权利要求1～3中任一项所述的光掩模的方法，其特征在于，包括：

在基板的表面上形成图案化遮光层；

在所述基板与所述图案化遮光层同一侧的表面上形成平坦化层；

在所述平坦化层远离所述基板的表面上形成准直结构，以便得到所述光掩模；其中，所述准直结构为光子晶体层。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述光子晶体层的步骤包括：

在所述平坦化层远离所述基板的表面上形成第一压印胶层；

对所述第一压印胶层进行第一纳米压印处理，以便得到所述光子晶体层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在形成所述第一压印胶层之后，进行所述第一纳米压印处理之前，进一步包括：

将所述第一压印胶层进行第一预固化处理。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述光子晶体层的步骤包括：

在所述平坦化层远离所述基板的表面上形成无机材料层；

在所述无机材料层远离所述平坦化层的表面上形成第二压印胶层；

将所述第二压印胶层进行第二纳米压印处理，得到刻蚀保护层；

以所述刻蚀保护层为掩膜版，对所述无机材料层进行刻蚀处理，以便得到所述光子晶体层；

去除所述刻蚀保护层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述第二压印胶层之后，进行所述第二纳米压印处理之前，进一步包括：

将所述第二压印胶层进行第二预固化处理。

9.一种制作显示器件的方法，其特征在于，所述显示器件中的聚合物墙是利用权利要求1～3中任一项所述的光掩模制作形成的。

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