KR101467633B1 - Dlc 패턴을 포함하는 포토 마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 DLC 패턴을 포함하는 포토 마스크에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 필름 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층 상에 패턴이 형성된 미세 패턴층을 형성하는 단계, UV광을 조사하여 상기 포토레지스트층 상에 패턴이 형성되는 단계, 상기 미세 패턴층을 제거하는 단계, 상기 필름 및 상기 패턴이 형성된 포토레스트층 상에 DLC층을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트층을 제거함으로써, 상기 포토레지스트층 상의 DLC층을 함께 제거하는 포토레지스트층 제거 단계를 포함하는 포토 마스크 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 DLC 패턴을 포함하는 포토 마스크 및 그 제조방법은 미세패턴 구현이 가능하고, 광차단막 두께가 150nm이하로 구현되기 때문에 패턴측벽의 CD(Critical Dimension)를 균일하게 구현할 수 있다.

Description

DLC 패턴을 포함하는 포토 마스크 및 그 제조방법 {Photo Film Mask including DLC pattern and Manufacturing method thereof}
본 발명은 DLC 패턴을 포함하는 포토 마스크 및 그 제조방법에 관한 것으로, 미세패턴 구현이 가능한 포토 마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 및 LCD 공정에 필수로 사용되는 핵심 소재인 포토 마스크는 엔지니어가 설계한 전자회로 및 패턴들을 노광시스템(Manufacturing Beam Exposure System)을 이용해 석영기판이나 필름 위에 형상화하기 위해 사용된다.
이러한 회로 및 패턴이 새겨진 포토마스크를 감광액(photoresist)이 입혀진 반도체원판(웨이퍼)이나 LCD 유리기판 위에 놓고 빛을 쪼이면 빛이 통과해 닻은 부분만 화학반응이 일어나면서 반도체 칩과 LCD 유리기판 위에 회로 패턴이 형성되는데 이와 같이 노광(exposure)공정으로 불리는 과정은 기본적으로 사진을 인화하는 과정과 같기 때문에 여기서 포토 마스크라는 이름이 유래되었다. 피사체가 담긴 필름으로 사진을 현상하는 것과 마찬가지로 포토마스크는 반도체나 LCD를 제작할 때 필름과도 같은 역할을 하는 것이다. 그렇기 때문에 포토마스크의 품질은 반도체 집적도와 LCD 해상도 등을 좌우할 만큼 매우 중요하다.
포토마스크의 종류는 사용되는 소재에 따라 Quartz(석영) 마스크, Glass(Soldalime 유리) 마스크, 필름(Polyester) 마스크 등 3가지로 구분될 수 있으며, 가격과 품질은 소재에 따라 많은 차이가 있다.
주로 반도체 및 TFT, LCD 등의 고정밀 제품을 만들 때에는 Quartz 포토 마스크나 Glass 포토 마스크를 사용하게 되며, 이는 최소 선폭 및 스페이스를 높은 해상도로 구현이 가능하다.
하지만 인쇄회로 기판이나 실크스크린용 등의 고품질을 요하지 않는 제품에 주로 쓰이는 필름 포토 마스크는 마스크 제작에 필요한 블랭크 마스크의 광차단막 물질의 한계로 인해 미세 선폭 및 스페이스를 구현하기 힘들며, 패턴측벽의 CD 균일도가 떨어지는 단점이 존재한다. 도 1은 기존 필름 포토 마스크의 미세 정도에 따른 패턴 구현 상태를 나타내는 도면이다. 도 1을 참조하면, 선폭이 대략 8㎛ 이하의 미세 패턴이 잘 형성되지 않는다는 것을 알 수 있다.
이에, 본 발명에서는 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 미세패턴 구현이 가능하고, 광차단막 두께가 150nm 이하로 구현되기 때문에 패턴측벽의 CD(Critical Dimension)를 균일하게 구현할 수 있는 DLC 패턴을 포함하는 포토 마스크 및 그 제조방법을 제공하는 것을 그 해결과제로 한다.
상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명은,
제1양태로서, 필름 상에 DLC(Diamond Like Carbon)으로 이루어진 패턴을 구비하는 포토마스크에 관한 것이다.
바람직하게는 필름은 투과도가 90% 이상인 PET(Polyethylene terephthalate)인 것을 특징으로 한다.
제2양태로서, 본 발명은
필름 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
상기 포토레지스트층 상에 패턴이 형성된 미세 패턴층을 형성하는 단계;
UV광을 조사하여 상기 포토레지스트층 상에 패턴이 형성되는 단계;
상기 미세 패턴층을 제거하는 단계;
상기 필름 및 상기 패턴이 형성된 포토레스트층 상에 DLC층을 형성하는 단계; 및
상기 포토레지스트층을 제거함으로써, 상기 포토레지스트층 상의 DLC층을 함께 제거하는 포토레지스트층 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 DLC 패턴을 포함하는 포토마스크 제조방법에 관한 것이다.
바람직하게는 필름은 투과도가 90% 이상인 PET(Polyethylene terephthalate)인 것을 특징으로 한다.
더욱 바람직하게는 상기 포토레지스트층에 사용되는 감광제는 점도 CP 20이하인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 포토레지스트층의 두께는 상기 DLC층의 두께보다 0.1 내지 2㎛ 높은 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 DLC층 형성단계는 상기 필름 및 포토레지스트층 상에 SiH4 및 Ar 기체 플라즈마를 이용하여 전처리 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 SiH4 : Ar 기체 혼합비율이 1 : 100 인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 DLC층 형성단계는 플라즈마 화학증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System, PECVD)에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
상술한 본 발명에 따른 DLC 패턴을 포함하는 포토 마스크 및 그 제조방법은 미세패턴 구현이 가능하고, 광차단막 두께가 150nm이하로 구현되기 때문에 패턴측벽의 CD(Critical Dimension)를 균일하게 구현할 수 있다.
도 1은 기존 필름 포토 마스크의 미세 정도에 따른 패턴 구현 상태를 나타내는 도면.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크 제조방법을 설명하기 위한 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 패턴이 구현된 필름을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 패턴이 구현된 포토 마스크를 이용하여 제작된 원통 금형 시제품의 패턴을 나타내는 도면.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명은 미세패턴을 구현할 수 있는 DLC 패턴을 포함하는 포토마스크 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
이에 따라 본 발명 실시예에 따른 포토마스크는 필름 상에 DLC(Diamond Like Carbon)으로 이루어진 패턴을 구비할 수 있다. 인쇄회로 기판이나 실크스크린용 등의 제품에 주로 쓰이는 필름 포토 마스크는 마스크 제작에 필요한 블랭크 마스크의 광차단막 물질의 한계로 인해 미세 선폭 및 스페이스를 구현하기 힘들며, 패턴 측벽의 CD 균일도가 떨어지는 단점이 존재한다.
일반적으로 DLC 박막은 높은 경도와 전기 절연성, 저마찰계수와 내마모 특성 등 다양한 측면에서 다이아몬드와 유사하다. 또한, DLC 박막은 유리나 플라스틱 등의 기판에도 제한 없이 비교적 큰 면적의 균일하고 평활한 박막의 합성이 가능하다. 이를 통해 기존의 필름 마스크에서는 구현하기 힘들었던 미세패턴 구현이 가능하고, 광차단막 두께가 150nm이하로 구현되기 때문에 패턴측벽의 CD(Critical Dimension)를 균일하게 구현할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 필름은 투과도가 90% 이상이고, 리프트 오프 등의 공정에 사용되는 화학 용액에 견딜 수 있는 필름을 사용할 수 있다. 바람직하게는 투과도가 90% 이상인 PET(Polyethylene terephthalate)를 사용할 수 있다. 상기 투과도가 90% 이상인 PET 필름을 사용하는 이유는 미세패턴일수록 투과도가 높아야 패턴구현이 가능하고, 마스크 제작 시 Baking 작업을 진행하기 때문에 110℃ 이하의 온도에서도 필름 변형이 일어나지 않기 때문이다.
본 발명에 따른 DLC 패턴을 포함하는 포토마스크 제조방법은 필름 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트층 상에 미세 패턴층을 형성하는 단계, UV광을 조사하여 상기 포토레지스트층 상에 패턴이 형성되는 단계, 상기 미세 패턴층을 제거하는 단계, 상기 필름 및 상기 패턴이 형성된 포토레스트층 상에 DLC층을 형성하는 단계 및 상기 포토레지스트층을 제거함으로써, 상기 포토레지스트층 상의 DLC층을 함께 제거하는 포토레지스트층 제거 단계를 포함한다.
도 2은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토 마스크 제조방법을 설명하기 위한도면이다.
먼저, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 필름(110)상에 포토레지스트층(120)을 적층한다. 이 때, 상기 필름은 투과도가 90% 이상이고, 리프트 오프 등의 공정에 사용되는 화학 용액에 견딜 수 있는 필름을 사용할 수 있다. 바람직하게는 투과도가 90% 이상인 PET(Polyethylene terephthalate)를 사용할 수 있다. 상기 PET 필름을 사용하는 이유는 미세패턴일수록 투과도가 높아야 패턴구현이 가능하고, 마스크 제작 시 Baking 작업을 진행하기 때문에 110℃ 이하의 온도에서도 필름 변형이 일어나지 않기 때문이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 필름을 고정시키기 위해 기판 상에 접착제를 도포하고 그 위에 상기 필름을 적층하여 사용할 수 있다. 상기 기판은 투명하고 딱딱한 재질일 수 있다. 바람직하게는 상기 기판은 유리(Glass) 기판일 수 있다.
상기 포토레지스트층(120)은 빛이 조사된 부분이 현상 시 제거되는 포지티브 타입(positive type)이다. 상기 포토레지스트층(120)의 감광성 수지는 광학리소그라피법에 사용할 수 있는 수지라면 어떤 수지라도 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 의해 사용될 수 있는 감광제는 점도 CP 20이하인 것인 것이 바람직하다. 상기 포토레지스트층을 형성하는 방법은 특별한 제한이 없으며, 공지된 방법을 사용할 수 있다.
다음으로, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 상기 포토레지스트층(120) 상에 미세 패턴층(130)을 형성한다. 상기 미세 패턴층(130)을 형성하는 방법은 특별한 제한이 없으며, 공지된 방법을 사용할 수 있다.
다음으로, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, UV광을 조사하여 상기 포토레지스트층(122) 상에 패턴을 형성시킨 뒤, 상기 미세 패턴층(130)을 제거하여 필름(110)상에 패턴화된 포토레지스트층(122)을 형성한다. 상기 미세 패턴층(130)을 제거하는 방법은 특별한 제한이 없으며, 공지된 방법을 사용할 수 있다.
다음으로, 도 2의 (d)에 도시된 바와 같이, 상기 필름(110) 및 포토레지스트층(122) 상에 DLC층(140)을 형성한다. DLC층 형성단계는 CVD(Chemical Vapor Deposition) 및 PVD(Physical Vapor Deposition) 방식이 모두 가능하나, 플라즈마 화학증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System, PECVD)에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
DLC층의 미세패턴을 형성하는 경우, PVD 방식을 이용하면 미세한 패턴 틈 사이로 DLC 코팅이 이루어지는데 한계가 있어 리프트 오프(Lift-off) 공정 후 패턴들이 깨끗하게 구현되지 않는다. 그러나 DLC층의 미세패턴을 형성하는 데, CVD 방식을 이용하면 플라즈마 분위기에서 DLC층이 골고루 증착되므로 패턴들이 깨끗하게 구현될 수 있다. 또한, PVD 방법에 비해 CVD 방법을 사용하게 되면 같은 두께의 증착막을 형성한다고 가정할 때 증착 시간이 훨씬 짧아서 전체적으로 공정시간을 단축시킬 수 있는 장점이 있다. 따라서 DLC층의 미세패턴을 형성하는 경우에는 CVD 방식을 이용하는 것이 더 효과적일 수 있다.
여기서, 더욱 바람직하게는 DLC층 형성단계는 RF-PECVD (Radio Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System)장치를 이용할 수 있다. 상기 PECVD 장치를 이용하면 반응물 기체에 아르곤 플라즈마를 통과시켜 화학 활성을 증진시킴으로써 낮은 온도에서 화학 반응이 일어나게끔 하여, 낮은 온도에서 DLC 증착이 가능하게 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 DLC층(140)을 형성하기 위하여 먼저 시편을 챔버에 넣는다. 다음으로, Substrate의 DLC 증착막의 결합력(Adhesion)을 높이기 위하여 상기 필름(110) 및 포토레지스트층(122) 상에 SiH4 과 Ar 기체 플라즈마를 이용한 전처리 과정을 포함 할 수 있다. 이때, 상기 SiH4 : Ar 기체 혼합비율을 1 : 100 로 하여 4 내지 6분간 처리할 수 있다. 상기 SiH4 및 Ar 기체를 4분 이하로 처리하거나 6분 이상 처리하는 경우, 이 후 공정의 DLC 코팅막의 박리가 일어날 수 있다. 상기 바람직하게는 상기 SiH4 : Ar 기체 혼합비율이 1 : 100 로 하여 5분간 처리할 수 있다.
다음으로, C2H2 또는 CH4 기체 플라즈마를 이용하여 상기 DLC층(140)을 증착할 수 있다. 바람직하게는 CH4 기체 플라즈마를 이용하여 20분간 증착하여 상기 DLC층(140)을 형성할 수 있다.
일반적으로 DLC 박막은 높은 경도와 전기 절연성, 저마찰계수와 내마모 특성 등 다양한 측면에서 다이아몬드와 유사하다. 또한, DLC 박막은 유리나 플라스틱 등의 기판에도 제한 없이 비교적 큰 면적의 균일하고 평활한 박막의 합성이 가능하다. 이를 통해 본 발명의 상기 DLC층(142)층으로 구현된 포토 마스크는 기존의 필름 마스크에서는 구현하기 힘들었던 2㎛ 이하의 미세패턴 구현이 가능하고, 광차단막 두께가 150nm이하로 구현되기 때문에 패턴측벽의 CD(Critical Dimension)를 균일하게 구현할 수 있다. 또한, 상기 DLC(142)층은 두께가 150nm 이하의 낮은 두께에서도 노광공정에 사용되는 UV(360~380nm)를 막을 수 있는 특징이 있다.
다음으로, 도 2(e)에 도시된 바와 같이, 포토레지스트층(122)을 제거함으로써, 상기 포토레지스트층(122) 상의 DLC층(140)을 함께 제거한다. 이 때, 포토레지스트층(122)을 제거하기 위해 리프트 오프(Lift-Off)을 적용하여 상기 필름(110) 상에 DLC층(142)만이 포토 마스크로서 남게 된다. 상기 리프트 오프시에는 솔벤트를 포함하는 용매제에 유기산이 첨가된 조성물로 이루어진 스트리퍼를 사용하여 상기 포토레지스트층(122)을 제거하는 것이 바람직하다. 또한, 이후의 리프트 오프(Lift-Off)을 위하여, 상기 포토레지스트층의 두께는 상기 DLC층의 두께보다 0.1 내지 2㎛ 높은 것을 특징으로 한다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 패턴이 구현된 포토 마스크를 나타내는 도면이다. 도 3를 참조하면, DLC 패턴이 구현된 필름(PET)을 3000배로 확대했을 때, 2㎛ 이하의 미세패턴이 구현되어 있는 것을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 DLC 패턴이 구현된 포토 마스크를 이용하여 제작된 원통 금형 시제품의 패턴을 나타내는 도면이다. 도 3을 참조하면, 본 발명의 DLC 패턴을 포함하는 포토마스크를 이용하여 시편을 노광시킨 뒤, 식각과정을 거친 뒤 3000배율로 확대하여 패턴을 살펴본 결과, 미세 패턴이 그대로 잘 구현되어 있는 것을 알 수 있다.
이와 같이 본 발명의 기본적인 기술적 사상의 범주 내에서, 당업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서는 다른 많은 변형이 가능함은 물론이고, 본 발명의 권리범위는 첨부한 특허청구범위에 기초하여 해석되어야 할 것이다.
110 : 필름
120 : 포토레지스트층
130 : 미세 패턴층
122 : 포토레지스트층
142 : DLC층

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 필름 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트층 상에 미세 패턴층을 형성하는 단계;
    UV광을 조사하여 상기 포토레지스트층 상에 패턴이 형성되는 단계;
    상기 미세 패턴층을 제거하는 단계;
    상기 필름 및 상기 패턴이 형성된 포토레스트층 상에 SiH4 및 Ar 기체 플라즈마를 이용하여 전처리 후에 DLC층을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트층을 제거함으로써, 상기 포토레지스트층 상의 DLC층을 함께 제거하는 포토레지스트층 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 DLC 패턴을 포함하는 포토마스크 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 필름은 투과도가 90% 이상인 PET(Polyethylene terephthalate)인 것을 특징으로 하는 포토마스크 제조방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 포토레지스트층에 사용되는 감광제는 점도 CP 20이하인 것을 특징으로 하는 DLC 패턴을 포함하는 포토마스크 제조방법.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 DLC층 형성 단계에서 형성되는 상기 DLC층의 두께는 상기 포토레지스트층의 두께보다 0.1 내지 2㎛만큼 얇은 것을 특징으로 하는 DLC 패턴을 포함하는 포토마스크 제조방법.
  7. 삭제
  8. 제 3 항에 있어서,
    상기 SiH4 : Ar 기체 혼합비율이 1 : 100 인 것을 특징으로 하는 DLC 패턴을 포함하는 포토마스크 제조방법.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 DLC층 형성단계는 플라즈마 화학증착법(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition System, PECVD)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 DLC 패턴을 포함하는 포토마스크 제조방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024602A (ja) * 2004-07-06 2006-01-26 Toppan Printing Co Ltd ステンシルマスク及びその製造方法及びそのパターン転写方法
JP2010060681A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Hitachi Maxell Ltd リソグラフィ用のマスクの製造方法、表面加工方法、光学素子成形用の金型の製造方法および光学素子の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006024602A (ja) * 2004-07-06 2006-01-26 Toppan Printing Co Ltd ステンシルマスク及びその製造方法及びそのパターン転写方法
JP2010060681A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Hitachi Maxell Ltd リソグラフィ用のマスクの製造方法、表面加工方法、光学素子成形用の金型の製造方法および光学素子の製造方法

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