JP2006024602A - ステンシルマスク及びその製造方法及びそのパターン転写方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
基体と、この基体により支持された透過孔パターンを有し、ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜からなるマスク母体と、該マスク母体の基体側の少なくとも一部に導電体、半導体、抵抗体のいずれかよりなるマスク母体下地層を備え、前記ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜には、不純物として、硼素、硫黄、窒素、リン若しくはシリコンからなる群から選ばれた少なくとも1種がドーピングされているステンシルマスク。
【選択図】図1
Description
projection lithography)法が、特許文献1において開示されている。この方法では、従来の電子線を用いる露光法に比べて、電子線の加速電圧が2kVと小さく、すなわち低エネルギーの電子線を用いるという特徴を有する。このような方法では、レンズ系やビーム電流が小さいため、近接効果の影響を受けず、さらにクーロン効果も小さいため、解像度の低下が少ない。また、このような低エネルギー電子線を用いる露光機では、装置コストが安く、かつ、高スループットの半導体露光装置が実現できるという特徴を有する。
マスク材料として用いられるシリコンでは、熱伝導率が小さいために、パターンの微細化や形状に限界が生ずる。
S. D. Berger et.al., Applied Physics Letters,57, 153 (1990)
に得ることができる。
るパターン転写方法である。
で構成することができる。
11、21、31、41、51、61…基体
12a、12b、22a、22b…マスク母体下地層
24、54…エッチングストッパー層
54a…エッチングストッパー残層
32’、42’、52’…マスク母体下地材料層
32、42、52…マスク母体下地層
32a、52a…マスク母体下地残層
33’、43’、53’…マスク母体材料層
13、23、33、43、53、63…マスク母体
61’…シリコン支持基板
62’…中間酸化膜
62…中間酸化膜残層
63’…SOI層
10…SOI基板
Claims (7)
- 基体と、この基体により支持された、透過孔パターンを有するダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜からなるマスク母体と、該マスク母体の基体側の少なくとも一部に導電体、半導体、抵抗体のいずれかよりなるマスク母体下地層を備えたことを特徴とするステンシルマスク。
- 前記ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜には、不純物として、硼素、硫黄、窒素、リン若しくはシリコンからなる群から選ばれた少なくとも1種がドープされていることを特徴とする請求項1記載のステンシルマスク。
- 前記基体と前記マスク母体下地層との間に、ハロゲン系プラズマ耐性を示すエッチングストッパー層を有することを特徴とする請求項1、又は2記載のステンシルマスク。
- 基板上に、物理的気相成長法、又は化学的気相成長法により導電体、半導体、抵抗体のいずれかよりなるマスク母体下地材料層を成膜し、リソグラフィー法により所用のマスクパターンをパターニングしマスク母体下地層を形成する工程と、
前記基板及び前記マスク母体下地層上に、マスク母体材料層として炭化水素を含む原料ガスを用いて化学気相成長法によりダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する工程と、
前記基板を加工し基体を形成する工程と、
前記マスク母体下地層をマスクに用いて前記マスク母体材料層をエッチングし、マスク母体を形成する工程と、
を少なくとも備えることを特徴とするステンシルマスクの製造方法。 - 基板上に、ハロゲン系プラズマ耐性を示すエッチングストッパー層を成膜する工程と、前記エッチングストッパー層上に、化学的気相成長法又は物理的気相成長法により導電体、半導体、抵抗体のいずれかよりなるマスク母体下地材料層を成膜し、リソグラフィー法によりパターニングしマスク母体下地層を形成する工程と、
前記エッチングストッパー層及び前記マスク母体下地層上に、マスク母体材料層として炭化水素を含む原料ガスを用いて化学的気相成長法によりダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜を成膜する工程と、
前記基板を前記エッチングストッパー層に達するまでエッチングして加工し、基体を形成する工程と、
前記エッチングストッパー層を剥離する工程と、
前記マスク母体下地層をマスクに用いて前記マスク母体材料層をエッチングし、マスク母体を形成する工程と、
を少なくとも備えることを特徴とするステンシルマスクの製造方法。 - 前記マスク母体を形成した後に、前記マスク母体の基体側に露出しているマスク母体下地層を、エッチングにより除去する工程を備えることを特徴とする請求項4、又は5記載のステンシルマスクの製造方法。
- 請求項1乃至3のいずれか1項記載のステンシルマスクに荷電粒子線を照射し、転写パターンの形状に荷電粒子線を成形することを特徴とするパターン転写方法。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007253410A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | インプリント用モールド及びその製造方法 |
JP2008218673A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Toppan Printing Co Ltd | 転写マスクおよびその製造方法 |
JP2009016728A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Toppan Printing Co Ltd | マスクブランクおよびマスクブランク製造方法 |
JP2009188247A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク用soi基板、ステンシルマスクブランクス、ステンシルマスク、ステンシルマスクの製造方法及びステンシルマスクを用いたパターン露光方法 |
KR101467633B1 (ko) * | 2012-10-19 | 2014-12-04 | 부산대학교 산학협력단 | Dlc 패턴을 포함하는 포토 마스크 및 그 제조방법 |
US11631813B2 (en) | 2019-03-15 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Deposition mask and methods of manufacturing and using a deposition mask |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11214321A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド材料の改質方法と、その方法により改質されたダイヤモンド材料を用いた半導体装置 |
JP2001077013A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-03-23 | Hoya Corp | 電子線描画用マスクブランクス、電子線描画用マスクおよび電子線描画用マスクの製造方法 |
JP2003037055A (ja) * | 2001-05-16 | 2003-02-07 | Sony Corp | 半導体装置製造用マスク及びその作製方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP2003243296A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Riipuru:Kk | ステンシルマスク及びその製法 |
JP2004146721A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Sony Corp | ステンシルマスク及びその作製方法 |
JP2004179411A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Toppan Printing Co Ltd | メンブレンマスク及び露光方法 |
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2004
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11214321A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド材料の改質方法と、その方法により改質されたダイヤモンド材料を用いた半導体装置 |
JP2001077013A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-03-23 | Hoya Corp | 電子線描画用マスクブランクス、電子線描画用マスクおよび電子線描画用マスクの製造方法 |
JP2003037055A (ja) * | 2001-05-16 | 2003-02-07 | Sony Corp | 半導体装置製造用マスク及びその作製方法、並びに半導体装置の製造方法 |
JP2003243296A (ja) * | 2002-02-20 | 2003-08-29 | Riipuru:Kk | ステンシルマスク及びその製法 |
JP2004146721A (ja) * | 2002-10-28 | 2004-05-20 | Sony Corp | ステンシルマスク及びその作製方法 |
JP2004179411A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Toppan Printing Co Ltd | メンブレンマスク及び露光方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007253410A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | インプリント用モールド及びその製造方法 |
JP2008218673A (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-18 | Toppan Printing Co Ltd | 転写マスクおよびその製造方法 |
JP2009016728A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Toppan Printing Co Ltd | マスクブランクおよびマスクブランク製造方法 |
JP2009188247A (ja) * | 2008-02-07 | 2009-08-20 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク用soi基板、ステンシルマスクブランクス、ステンシルマスク、ステンシルマスクの製造方法及びステンシルマスクを用いたパターン露光方法 |
KR101467633B1 (ko) * | 2012-10-19 | 2014-12-04 | 부산대학교 산학협력단 | Dlc 패턴을 포함하는 포토 마스크 및 그 제조방법 |
US11631813B2 (en) | 2019-03-15 | 2023-04-18 | Applied Materials, Inc. | Deposition mask and methods of manufacturing and using a deposition mask |
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Publication number | Publication date |
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