KR101015176B1 - 전사용마스크기판의 제조방법, 전사용마스크기판 및전사용마스크 - Google Patents

전사용마스크기판의 제조방법, 전사용마스크기판 및전사용마스크 Download PDF

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Abstract

본 발명에 의하면 전사용마스크의 제조공정에 있어서 발생하는 응력변화를 저감하고 마스크패턴의 위치정밀도가 개선된다.
이를 위해 본 발명은 전사용마스크의 제조공정에 있어서, 레지스트층의 형성 전에 마스크의 제조공정에 있어서 발생하는 박막층의 응력변화를 상쇄하는 응력제어층을 박막층 상에 형성하는 공정, 상기 레지스트패턴을 에칭마스크로 하여 에칭하는 공정을 더 포함하는 전사용마스크의 제조방법을 포함한다.
전사용마스크, 응력변화, 응력제어층, 위치정밀도

Description

전사용마스크기판의 제조방법, 전사용마스크기판 및 전사용마스크{Method for manufacturing transfer mask substrate, transfer mask substrate and transfer mask}
본 발명은 하전입자 등을 이용한 리소그래피기술에 이용되는 전사용마스크에 관한 것이고 특히, 전자선을 이용한 반도체장치 등의 제조를 위한 리소그래피 기술에 이용하는 스텐실마스크 등의 전사용마스크기판, 전사용마스크의 제조방법 등에 관한 것이다.
배선패턴 등을 형성하기 위한 리소그래피기술에 있어서, 형성패턴이 매우 미세화함에 따라 종래의 범용기술인 광리소그래피기술로는 패턴형성이 곤란하게 되고 한층 더 미세화를 위해 전자선, 이온 빔 등의 하전입자선이나 X선원 등의 단파장빔을 이용한 노광기술이 적극적으로 검토되고 있다. 이 중에서도 전자선묘화기술은 초기의 점빔묘화에서 사각형빔의 크기나 형상을 변화시켜 묘화를 실시하는 가변성형묘화법, 및 그 후 패턴정도의 향상이나 묘화시간의 단축 등의 관점에서 마스크를 개입시켜 패턴의 일부를 부분적으로 일괄하여 묘화해 이것을 되풀이하는 부분일괄묘화법이 제안되고 발전이 도모되어 왔다. 그리고 부분일괄묘화법에 잇달아 8년정도 전에 S. D. Berger 등에 의해 새로운 전자투사시스템(SCALPEL시스템)이 제안되 었다. 그 후, 동일한 묘화시스템(PREVAIL시스템)이나 이들 묘화시스템에 적용하기 위한 전사마스크(레티클) 구조 및 그 제작방법에 관한 다양한 제안이 있어 왔다.
예를 들면, H. C. Pfeiffer에 의해 발명된 PREVAIL시스템에서는 개략적으로는 각 소영역에 소정의 크기, 배치로 형성된 관통구멍(틈)패턴을 형성한 스텐실마스크를 마련하고 상기 소영역에 하전입자선을 조사하여 관통구멍패턴에 의해 형성된 빔을 광학계를 통해 광학재를 형성한 피노광기판상에 관통구멍패턴을 축소전사한 것이고, 마스크상에 분할형성된 소정패턴을 피노광기판상에서 서로 연결시키면서 장치패턴을 형성한 것이다(일본특허공보 제2829942호 참조). 이 시스템을 위해 제안되고 있는 전사마스크는 패턴부가 완전히 차폐되지 않는 관통구멍으로 된 스텐실형의 마스크를 주구조로 하고 있다(일본공개특허공보 평10-261584호 및 평10-260523호 참조). 스텐실형의 마스크에서는 패턴영역을 이면측에서 스트럿(strut)(창살)구조로 분할 보강하는 것에 의해 패턴영역의 변형이 저감되고 이것에 의해 패턴위치정밀도의 향상 등이 도모되고 있다.
또한 SCALPEL시스템을 위한 마스크구조는 주로 스텐실마스크 보다도 산란마스크(레티클)가 제안되어 있다(일본공개특허공보 평10-261584호 참조). 이들 기재에 의하면, 마스크구조는 SiN 등의 막(자립박막) 상에 중금속층을 형성하고 이 중금속층에 소망의 패턴형성을 실시한 것이고, 전자빔은 쌍방의 층에 조사되지만 전자선산란체의 유무에 의해 전자산란도가 다르고, 이 산란도의 차이를 이용하여 웨이퍼상에서의 빔콘트라스트를 얻고 패턴의 축소전사를 이용하는 방법이다.
이들의 노광시스템은 하전입자선의 특징인 고해상성을 만족하고, 0.1㎛보다 미세한 패턴형성을 가능하게 하고 있어, 부분일괄법과 비교했을 경우, 숏크기의 대폭적인 확대(예를 들면 피노광기판상의 최대 숏크기가 5㎛에서 250㎛로 확대) 등에 의해 장치의 제조에 있어 처리율 향상이 도모되고(예를 들면, 최소 선폭 0.08㎛, 8inch 기판에서 30장/시 이상의 처리율), 범용장치생산 대응도 가능한 장치능력을 가지고 있어, 실용성이 높은 시스템이다.
상기와 같은 리소그래피용 마스크는 마스크패턴의 위치정밀도가 전사패턴의 겹침정밀도의 관점보다 매우 중요하다. 특히 박막자립막에 패턴이 형성되는 경우, 이 막응력의 영향으로 쉽게 패턴위치정밀도가 저하해 버리는 문제점이 있었다.
이와 같은 문제점에 관해서는 박막자립막의 응력을 인장방향에서 극히 작게하여 두고, 패턴형성하기 위한 감광재(레지스트)의 막응력이 적은 재료를 선정하는 것이나, 열처리조건에 의해 레지스트의 저응력화를 꾀하는 방법이 제안되어 있다(S. Tsuboi, et al. Jpn. J. Appl. Phys. 35. 2845(1996)참조).
그러나, 상기와 같은 박막자립막의 응력을 인장방향에서 극히 작게하여 두고, 레지스트의 응력을 저감시키는 방법에서는 레지스트응력을 0으로 할 수는 없기 때문에 해결책으로서는 한계가 있었다. 게다가, 패턴이 형성되는 박막자립막은 통상 자립막화 때문에 최저한의 인장응력을 생성해 둘 필요가 있지만, 이 박막자립막에 패턴형성을 하는 것에 의해 막의 연속성이 저감하여, 패턴형성 전후에서 자립막응력이 변화해 버리는 것을 피할 수 없다는 문제점이 있었다. 이 때문에 고정도의 위치정밀도(10㎚이하)를 안정적으로 얻도록 마스크를 제조하는 것은 곤란했다.
본 발명은 상기 사정을 비추어 보아 이루어진 것으로서, 그 목적은 고정도의 위치정밀도로 전사용마스크를 제조할 수 있는 전사용마스크의 제조방법 및 그 방법에 의해 얻은 고정도의 위치정밀도를 가지는 전사용마스크 및 고정도의 위치정밀도로 전사용마스크를 제조할 수 있는 전사용마스크기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 이하의 구성을 가진다.
(구성1) 이면에칭가공에 의해 박막층을 지지하기 위한 지지체를 형성하기 위한 기판, 이 기판상에 형성된 에칭스토퍼층, 및 이 에칭스토퍼층상에 형성된 박막층을 가지는 기판을 마련하는 공정, 기판의 이면에칭가공을 실시하는 공정, 상기 박막층상에 레지스트층을 형성하는 공정, 상기 레지스트층에 대한 소정의 마스크패턴을 묘화, 현상하여 레지스트패턴을 형성하는 공정, 및 이 레지스트패턴을 이용하여 박막층에 마스크패턴을 형성하는 공정을 포함하는 전사용마스크의 제조방법에 있어서, 상기 방법은 상기 레지스트층의 형성 전에 마스크의 제조공정에 있어서 발생하는 박막층의 응력변화를 상쇄하는 응력제어층을 상기 박막층상에 형성하는 공정, 및 상기 응력제어층을 상기 마스크패턴의 형성과 동시에 에칭하는 공정을 더 포함하는 전사용마스크의 제조방법.
(구성2) 구성1에 있어서, 박막층에 마스크패턴을 형성한 후, 응력제어층을 제거하는 공정을 포함하는 전사용마스크의 제조방법.
(구성3) 구성1 또는 구성2에 있어서, 응력제어층은 비결정성탄소, DLC, Si0X, Si0XNY에서 선택된 재료로 이루어지는 전사용마스크의 제조방법.
(구성4) 구성 1 내지 3 중 어느 한 구성에 따른 전사용마스크의 제조방법에 의해 제조되는 전사용마스크.
(구성5) 박막층을 지지하기 위한 지지체와 이 지지체상에 형성된 에칭스토퍼층, 및 이 에칭스토퍼층상에 형성된 박막층을 포함하는 전사용마스크기판으로서, 이 박막층상에 마스크의 제조공정에 있어서 발생하는 박막층의 응력의 변화를 상쇄하는 응력제어층을 포함하는 전사용마스크기판.
도 1은 종래 스텐실마스크의 제조공정도이다.
도 2는 종래 스텐실마스크의 제조공정도이다.
도 3은 본 발명과 종래예에 있어서 각 제조공정에 따른 응력변화를 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명과 종래예에 있어서 전(全)응력변화에 대한 마스크패턴의 위치어긋남을 보여주는 도면이다.
도 5는 실시예1에 따른 스텐실마스크의 제조공정도이다.
도 6은 실시예2에 따른 스텐실마스크의 제조공정도이다.
도 7은 실시예3에 따른 스텐실마스크의 제조공정도이다.
도 8은 실시예4에 따른 스텐실마스크의 제조공정도이다.
도 9는 실시예1 내지 실시예4에 따른 각 막의 응력 등을 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명에 대해 상세히 설명한다.
본 발명자는 전사용마스크의 제조공정에 있어서 발생하는 응력변화에 주목하여 전사용마스크의 제조공정에 있어서 발생하는 응력변화를 상쇄(보정)하는 응력제어막을 레지스트층을 형성하기 전에 박막층상에 형성하는 것에 의해 전사용마스크의 제조공정에 의해 발생하는 응력변화를 억제하고 마스크패턴의 위치정밀도를 향상시킬 수 있는 것을 찾아내어 본발명에 이르렀다.
여기서 박막에 있어서의 전응력은 하기의 식 1로 나타낼 수 있다.
[식1]
전응력(S)[N·M]=막내부응력(σ)×두께(t)
또한 전사용마스크의 제조공정에 있어서의 막구성은 박막층 및 레지스트층의 2층으로 되고 전사용마스크의 제조공정(패턴묘화~마스크 완성)의 전응력변화는 레지스트의 전응력(SR)+박막층의 전응력변화(SC)로 추정할 수 있다.
따라서, 응력변화에 영향을 미치는 것으로 생각되는 레지스트층의 형성 전에 미리 제조공정에 있어서 발생하는 전응력 변화를 추정하고 그 응력변화를 상쇄하도록 하는 응력을 가지는 압축응력층을 형성하는 것에 의해 결과로서 전응력변화를 억제할 수 있다. 즉, 전응력변화가 인장응력측인 경우, 응력제어층은 압축응력측에 작용하는 박막으로 된다.
이하, 도 1 및 도 2에 보이는 종래의 스텐실마스크의 제조공정도를 이용하여 본 발명의 원리를 구체적으로 설명한다. 한편, 도 2는 도 1에 따른 점선영역A의 부 분 확대도이다. 우선, 이면에칭가공에 의해 박막층을 지지하기 위한 지지체를 형성하기 위한 기판, 이 기판상에 형성된 에칭스토퍼층, 이 에칭스토퍼층 상에 형성된 박막층을 포함하는 기판(1)(SOI기판 등)을 마련한다(도 1(a) 및 도 2(a) 참조). 이어서, 이면측에서 에칭가공을 실시하고, 스트럿을 형성한다(도 1(b) 및 도 2(b) 참조).
이어서, 기판표면에 레지스트층(3)을 형성한다(도 1(c) 및 도 2(c) 참조). 한편, 이 레지스트층은 내부응력을 가지고 있고, 예를 들면 일본제온(주)사제 ZEP레지스트로서 18~25MPa, 동경응화(주)사제 PHS계 레지스트로서 8~15MPa이다.
이어서, 얼라인먼트조정하면서 이면이 에칭된 박막영역에 마스크패턴을 묘화한 후 현상하고, 레지스트패턴(4)을 형성했다(도 1(d)) 및 도 2(d)참조). 이 레지스트를 에칭마스크로 하여 SF6를 에칭 주가스로 하여 Si박막층을 에칭하고 개구패턴(5)을 Si박막층(6)에 형성했다(도 1(e) 및 도 2(e) 참조). 예를 들면, 이 때의 Si박막층(6)의 에칭 전의 내부응력은 고밀도패턴(밀도 40%의 패턴을 가리키는 것이다. 이하 같음)에서 10MPa, 에칭후의 내부응력은 4.5MPa이고, 응력변화는 5.5MPa이며, 저밀도패턴(밀도 10%의 패턴을 지시하는 것으로 한다. 이하 같음)에서의 Si박막층(6)의 에칭전의 내부응력은 10MPa, 에칭후의 내부응력은 7.9MPa이고, 응력변화는 2.1MPa이었다.
계속해서, 잔존한 레지스트 패턴을 박리하고(도 1(f) 및 도 2(f) 참조), 이어서 에칭스토퍼(7)를 제거하여 스텐실마스크(8)를 얻었다(도 1(g) 및 도 2(g) 참 조).
이와 같이 종래의 방법에 의해 얻어진 스텐실마스크는 도 1(g) 및 도 2(g) 에서 B로 보여지는 박막층의 어긋나는 량(위치정밀도)이 크고, 예를 들면, 두께 0.5㎛ ZEP레지스트(15MPa)의 레지스트층을 이용하여 두께 2㎛의 박막층에 고밀도패턴(밀도 40%)을 형성한 경우의 전응력변화는 (15MPa×0.5㎛)(SR)+(5.5MPa×2㎛)(SC)=18.5N/m로 된다.
도 3은 응력제어층을 이용한 경우(본 발명)와 이용하지 않은 경우(종래예)에 대해, 각 제조공정에 따른 응력변화를 보여주는 것이다. 한편, 제조공정에 있어서, 1: 기판의 상태, 2 : 스트럿 형성, 3 : 레지스트도포 및 굽기, 4 : 레지스트패터닝, 5 : 박막층에칭, 6 : 레지스트패턴박리, 7 : 에칭스토퍼제거이다. 이 도면에서 알 수 있는 바와 같이 스텐실마스크의 제조공정에 있어서, 상기 예에서는 18.5N/m의 응력변화가 발생해 버리는 것에 대해 본 발명에서는 비약적으로 개선되는 것을 알 수 있다.
도 4는 응력제어층을 이용한 경우(본 발명)와 이용하지 않는 경우(종래예)에 대해서 전응력변화에 대한 마스크패턴의 위치어긋남을 보여주는 것이다. 이 도면에서 알 수 있는 바와 같이 본 발명에 있어서는 패턴의 위치어긋남이 비약적으로 개선되는 것을 알 수 있다.
또한, 응력제어층은 이상적으로는 전응력을 완전히 상쇄하는 것이 바람직하지만, ±20%, 바람직하게는 ±10% 정도 어긋나고 있어도 본 발명의 효과를 가진다.
응력제어층은 비결정성탄소, DLC, SiOX, SiOXNY에서 선택된 재료를 이용할 수 있다. 이와 같은 재료의 경우, 응력의 조정은 비결정성탄소, DLC와 같은 탄소계의 경우는 성막조건에 의해 조정가능하고, SiOX 또는 SiOXNY의 경우는 성막조건 외에 산소의 함유량이나 질소의 함유량(SiOX에 대해서는 X=1~2, SiOXNY에 대해서는 X=0.2~1.9, Y=0.1~1.6)에 의해 제어할 수 있다.
또한, 응력제어층은 박막층과 레지스트층 사이에 형성되기 때문에 마스크패턴의 형성과 동시에 에칭된다. 즉, 마스크패턴을 형성하기 위한 에칭마스크층으로서의 레지스트패턴을 이용해 에칭된다. 한편, 스텐실마스크를 제조하는 경우, 응력제어층은 박막층(실리콘)을 에칭하기 전에 에칭되기 때문에, 박막층(실리콘)을 에칭할 때의 에칭마스크로서 기능할 수도 있다. 이 경우, 응력제어층이 탄소계인 경우는 같은 에칭가스를 이용한 건식식각에 있어서 에칭이 가능하기 때문에 같은 레지스트패턴으로 응력제어층과 박막층을 연속적으로 에칭할 수 있다. 응력제어층이 SiOX 또는 SiOXNY인 경우는 박막층(Si)의 에칭과 다른 건식식각가스를 이용하기 때문에 박막층(Si)의 에칭 전에 레지스트패턴을 제거하는 것이 박막층(Si)의 에칭의 불량을 방지하는 관점에서 바람직하다.
또한, 응력제어층은 최종적으로는 선택적으로 제거되는 것이 바람직하다. 제거하는 방법으로는, 예를 들면, 응력제어층이 탄소계인 경우는 레지스트패턴과 동시에 산소를 이용한 에싱 등으로 용이하게 제거할 수 있다. 또한 응력제어층이 SiOX 또는 SiOXNY의 경우는 완충플루오르화수소산(BHF) 등에 의해 선택적으로 제거될 수 있다. 본 발명은 스텐실마스크의 제조에 적용시키는 것이 스텐실마스크가 비뚤어지는 영향이 크기 때문에 유효한 것이라 생각되지만, 자립성박막층을 이용하는 것 외의 전사용마스크에도 적용할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서 이용되는 이면에칭가공에 의해 박막층을 지지하기 위한 지지체를 형성하기 위한 기판, 이 기판상에 형성되는 에칭스토퍼층, 이 에칭스토퍼층 상에 형성된 박막층을 가지는 기판으로서는 Si/SiO2/Si의 구조를 가지는 소위 SOI(Silicon On Insulator)기판이나 에칭스토퍼로서 SiO2의 대신에 금속, 금속화합물, 탄소, 탄소화합물 등을 이용한 것이라도 좋다.
또한, 본 발명에 따른 제조방법에 있어서는 기판의 이면가공은 응력제어층 형성 전, 응력제어층 형성 후 등, 임의의 공정으로 행하는 것이 가능하다. 따라서, 본 발명의 전사용마스크기판에서 지지체는 이면가공을 하기 전의 것 및 이면가공을 실시한 후의 것을 포함한다.
이하, 본 발명을 실시예를 이용하여 더 상세히 설명한다.
도 5 내지 도 8은 실시예1 내지 4에 의한 스텐실마스크의 제조공정도이다. 한편, 도 5 내지 도 8은 도 2와 동일한 부분 확대도이다.
(실시예1)
이하, 실시예1을 도 5의 제조공정도를 이용하여 설명한다.
우선, SOI기판(1)을 마련했다(도 5(a) 참조). 이어서, 이면측에서 에칭가공을 실시하여, 스트럿을 형성했다(도 5(b) 참조). 이면가공을 위한 에칭마스크(미도 시)레지스트로 SiO2, Cr, Ti, Ta, Zr, Mo, W의 각종 금속 이외에 상술한 질화크롬(CrN), 질화티탄(TiNX), 질화탄탈륨(TaNX), 질화지르코늄(ZrNX), 질화몰리브덴(MoN X) 및 질화텅스텐(WNX) 등을 이용할 수 있다. 이면가공에는 SF6를 주에칭가스로 이용하고, 에칭형상제어를 위해 CXFY계의 가스를 이용한다. 이 때의 가스도입은 혼합상태이거나 SF6와 CXFY가스를 교대로 도입한다.
이어서, Si박막층(6) 상에 응력제어층(9)을 형성했다(도 5(c) 참조). 이 응력제어막(9)은 도 9의 표에 보이는 바와 같은 박막이다. 한편, 도 9에 있어서, 음의 응력은 압축응력측을 보여주는 것으로 한다.
이어서, 기판표면에 레지스트층(3)을 형성하여 굽기를 실시했다(도 5(d) 참조). 한편, 레지스트층은 도 9의 표에 보이는 바와 같은 박막이다.
이어서, 이면이 에칭된 박막영역에 얼라인먼트조정하면서 마스크패턴을 전자선묘화로 묘화한 후 현상하고, 레지스트패턴(4)을 형성했다(도 5(e) 참조). 이 레지스트를 에칭마스크로 하고 SF6를 에칭주가스로 하여 응력제어층(9) 및 Si박막층을 에칭하여 개구패턴(5)을 Si박막층(6)에 형성했다(도 5(f), (g) 참조). 이 때의 개구패턴의 종류, 박막층의 막두께, 막응력 등에 대해서는 도 9에 보이는 바와 같았다.
이어서 잔존한 레지스트패턴(4)을 박리하고 응력제어층(9)의 제거를 실시했다(도 5(h) 참조).
최후에, 에칭스토퍼(7)의 제거를 실시하고, 스텐실마스크(8)를 얻었다(도 5(i) 참조).
본 실시예에 의하면, 응력제어층에 의해 마스크제조공정에서 발생하는 응력변화량이 상쇄되고, 2.5N/m이하의 응력변화량이 얻어졌다. 그 결과, 마스크패턴의 위치어긋남이 5㎛이하인 스텐실마스크가 얻어졌다.
(실시예2)
도 6은 실시예2의 스텐실마스크에 따른 제조공정도이다. 본 실시예는 실시예1에 따른 응력제어층, 레지스트층, 개구패턴의 종류, 박막층의 막두께, 막응력 등에 대해서 도 9와 같이 변경하고 이면가공과 응력제어층 형성공정을 역으로 한 것 이외에는 실시예1과 동일한 제조를 행한 예이다.
본 실시예에 의하면, 응력제어층에 의해 마스크제조공정에서 발생하는 응력변화량이 상쇄되고 1.5N/m이하의 응력변화량이 얻어졌다. 그 결과 마스크패턴의 위치어긋남이 2.5㎛이하인 스텐실마스크가 얻어졌다.
(실시예3)
도 7은 실시예3의 스텐실마스크에 따른 제조공정도이다. 본 실시예는 실시예1에 있어서의 응력제어층, 레지스트층, 개구패턴의 종류, 박막층의 두께, 막응력 등에 대해서 도 9와 같이 변경하고 또한 응력제어층의 에칭 후에 레지스트패턴을 박리하고 그 후에 Si박막층의 에칭을 실시한 것 이외에는 실시예1과 동일한 제조를 행한 예이다. 한편, 응력제어층의 재료 변경에 따라 에칭조건이 적당하게 선정되는 것은 물론이다.
본 실시예에 의하면, 응력제어층에 의해 마스크제조공정에서 발생하는 응력변화량이 상쇄되고 0.2N/m이하의 응력변화량이 얻어졌다. 그 결과, 마스크패턴의 위치어긋남이 0.4㎛이하인 스텐실마스크가 얻어졌다.
(실시예4)
도 8은 실시예4의 스텐실마스크에 따른 제조공정도이다. 본 실시예는 실시예3에 따른 응력제어층, 레지스트층, 개구패턴의 종류, 박막층의 두께, 막응력 등에 대해서 도 9와 같이 변경하고 이면가공과 응력제어층 형성공정을 역으로 한 것 이외에는 실시예2와 동일하게 제조를 행한 예이다.
본 실시예에 의하면, 응력제어층에 의해 마스크제조공정에서 발생하는 응력변화량이 상쇄되고 1.0 N/m이하의 응력변화량이 얻어졌다. 그 결과 마스크패턴의 위치어긋남이 1.3㎛이하인 스텐실마스크가 얻어졌다.
한편, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
상기 실시예에 있어서는 이면가공을 응력제어막 형성 전과 후에 행하는 예를 나타냈지만, 이들에 한정되는 것은 아니다.
또한, 레지스트의 종류나 막두께에 대해서도 상기에 한정되는 것은 아니다. 한편, 레지스트에 대해서는 본 발명을 이용한 경우에 있어서도 저응력인 것이 바람직하고 또한 막두께도 얇은 쪽이 바람직하다.
본 발명의 전사용마스크의 제조방법에 의하면, 전사용마스크제조공정에 있어서, 레지스트층 형성 전에 마스크제조공정에 있어서 발생하는 응력변화를 상쇄하는 응력제어층을 형성하는 공정을 포함하기 때문에 고정도의 위치정밀도로 전사용마스크를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명의 전사용마스크에 의하면 이와 같은 전사용마스크의 제조방법을 이용하는 것에 의해 고정도의 위치정밀도를 가지는 전사용마스크가 얻어진다. 또한, 본 발명의 전사용마스크기판에 의하면, 고정도의 위치정밀도로 전사용마스크를 제조하는 것이 가능한 전사용마스크기판을 제공할 수 있다.

Claims (5)

  1. 이면에칭가공에 의해 박막층을 지지하기 위한 지지체를 형성하기 위한 기판, 상기 기판상에 형성된 에칭스토퍼층, 및 상기 에칭스토퍼층상에 형성된 박막층을 가지는 기판을 마련하는 공정;
    기판의 이면에칭가공을 실시하는 공정;
    상기 박막층상에 레지스트층을 형성하는 공정;
    상기 레지스트층에 대해 소정의 마스크패턴을 노광, 현상하여 레지스트패턴을 형성하는 공정; 및
    상기 레지스트패턴을 이용한 에칭에 의해 박막층에 마스크패턴을 형성하는 공정
    을 포함하는 전사용마스크의 제조방법에 있어서,
    상기 방법은 상기 레지스트층의 형성 전에 마스크의 제조공정에 있어서 발생하는 박막층의 응력변화를 상쇄하는 응력제어층을 상기 박막층상에 형성하는 공정; 및
    상기 응력제어층을 상기 마스크패턴의 형성과 동시에 에칭하는 공정을 더 포함하는 전사용마스크의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 박막층에 마스크패턴을 형성한 후 응력제어층을 제거하는 공정을 포함하는 전사용마스크의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 응력제어층은 비결정성탄소, DLC, SiOX, SiOXNY에서 선택된 재료로 이루어지는 전사용마스크의 제조방법.
  4. 박막층을 지지하기 위한 지지체, 상기 지지체상에 형성된 에칭스토퍼층, 및 상기 에칭스토퍼층상에 형성된 박막층을 포함하는 전사용마스크기판으로서, 상기 박막층상에 마스크의 제조공정에 있어서 발생하는 박막층의 응력의 변화를 상쇄하는 응력제어층을 포함하는 전사용마스크기판.
  5. 삭제
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