JPH06349716A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH06349716A JPH06349716A JP13224493A JP13224493A JPH06349716A JP H06349716 A JPH06349716 A JP H06349716A JP 13224493 A JP13224493 A JP 13224493A JP 13224493 A JP13224493 A JP 13224493A JP H06349716 A JPH06349716 A JP H06349716A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- ray
- ray absorber
- absorber film
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｘ線露光用マスク製造方法に関し、応力低減
のためにイオン注入したＸ線吸収体膜の変質を防いで良
好なマスクパターンを得ることを目的とする。 【構成】 基板１上にＸ線透過膜２とＸ線吸収体膜３を
順次形成した後、Ｘ線吸収体膜３の表層にアルゴンのイ
オン６を注入してＸ線吸収体膜３の内部応力を制御し、
引続き、このＸ線吸収体膜３を大気に曝すことなくＸ線
吸収体膜３上にＸ線吸収体膜３と同一材料の被膜4Aを形
成する。その後、被膜4AとＸ線吸収体膜３とを同時に選
択的にエッチングしてマスクパターンを形成する。
のためにイオン注入したＸ線吸収体膜の変質を防いで良
好なマスクパターンを得ることを目的とする。 【構成】 基板１上にＸ線透過膜２とＸ線吸収体膜３を
順次形成した後、Ｘ線吸収体膜３の表層にアルゴンのイ
オン６を注入してＸ線吸収体膜３の内部応力を制御し、
引続き、このＸ線吸収体膜３を大気に曝すことなくＸ線
吸収体膜３上にＸ線吸収体膜３と同一材料の被膜4Aを形
成する。その後、被膜4AとＸ線吸収体膜３とを同時に選
択的にエッチングしてマスクパターンを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線露光用マスク（以
下、Ｘ線マスクと記す）の製造方法に関する。近年、半
導体装置ではパターンの微細化が進行しており、この傾
向が今後も続くことは確実である。そのため、紫外線露
光法（フォトリソグラフィ）では形成し得ない極めて微
細なパターンを形成する技術として、紫外線より波長の
短い軟Ｘ線を使用するＸ線露光法（Ｘ線リソグラフィ）
が注目されており、実用化のための検討がなされてい
る。
下、Ｘ線マスクと記す）の製造方法に関する。近年、半
導体装置ではパターンの微細化が進行しており、この傾
向が今後も続くことは確実である。そのため、紫外線露
光法（フォトリソグラフィ）では形成し得ない極めて微
細なパターンを形成する技術として、紫外線より波長の
短い軟Ｘ線を使用するＸ線露光法（Ｘ線リソグラフィ）
が注目されており、実用化のための検討がなされてい
る。
【０００２】Ｘ線露光法は等倍転写であるから、極めて
微細なパターンを転写するためのＸ線マスクは、パター
ンの寸法精度、位置精度ともに、極めて高精度が要求さ
れている。
微細なパターンを転写するためのＸ線マスクは、パター
ンの寸法精度、位置精度ともに、極めて高精度が要求さ
れている。
【０００３】
【従来の技術】従来のＸ線マスク製造方法の例を、図６
(a)〜(d) を参照しながら説明する。基板１（シリコン
・ウェーハ等）上にＣＶＤ法によりＸ線透過膜２（炭化
珪素等）を形成し、更にその上にスパッタリング法によ
りＸ線吸収体膜３（タンタル、タングステン等の重金
属）を形成し、このＸ線吸収体膜３の表層に不活性ガス
（アルゴン等）のイオン６を注入する（図６(a) 参
照）。
(a)〜(d) を参照しながら説明する。基板１（シリコン
・ウェーハ等）上にＣＶＤ法によりＸ線透過膜２（炭化
珪素等）を形成し、更にその上にスパッタリング法によ
りＸ線吸収体膜３（タンタル、タングステン等の重金
属）を形成し、このＸ線吸収体膜３の表層に不活性ガス
（アルゴン等）のイオン６を注入する（図６(a) 参
照）。
【０００４】次に、Ｘ線吸収体膜３上にレジスト膜５を
形成し、これを電子ビーム露光法等でパターニングする
（図６(b) 参照）。次に、このレジスト膜５をエッチン
グマスクとしてＸ線吸収体膜３を反応性イオンエッチン
グ法（Ｘ線吸収体膜３がタンタルの場合には例えば塩素
とクロロホルムの混合ガスを使用）によりパターニング
してマスクパターンを形成する（図６(c) 参照）。その
後、基板１をＸ線透過膜２の支持枠（図示は省略）とな
る周辺部を残して裏面側からエッチングにより除去する
（図６(d) 参照）。
形成し、これを電子ビーム露光法等でパターニングする
（図６(b) 参照）。次に、このレジスト膜５をエッチン
グマスクとしてＸ線吸収体膜３を反応性イオンエッチン
グ法（Ｘ線吸収体膜３がタンタルの場合には例えば塩素
とクロロホルムの混合ガスを使用）によりパターニング
してマスクパターンを形成する（図６(c) 参照）。その
後、基板１をＸ線透過膜２の支持枠（図示は省略）とな
る周辺部を残して裏面側からエッチングにより除去する
（図６(d) 参照）。
【０００５】尚、上記のようにイオン注入工程を設ける
のは、次のような理由によるものである。スパッタリン
グ法により形成されるＸ線吸収体膜には顕著な応力が発
生し易い。Ｘ線マスクは極めて薄いＸ線透過膜上にＸ線
吸収体からなるマスクパターンを搭載した構造であっ
て、パターニング前のＸ線吸収体膜に顕著な応力がある
と、その膜に形成したマスクパターンの位置精度を劣化
させる（マスクに歪を生じる）ことになるから、これを
低レベルに抑える必要がある。この応力は成膜時のガス
圧の影響が大であることが知られているが、他の成膜条
件に対しても敏感であり、成膜条件の制御で応力値を低
レベルに制御することは困難である。
のは、次のような理由によるものである。スパッタリン
グ法により形成されるＸ線吸収体膜には顕著な応力が発
生し易い。Ｘ線マスクは極めて薄いＸ線透過膜上にＸ線
吸収体からなるマスクパターンを搭載した構造であっ
て、パターニング前のＸ線吸収体膜に顕著な応力がある
と、その膜に形成したマスクパターンの位置精度を劣化
させる（マスクに歪を生じる）ことになるから、これを
低レベルに抑える必要がある。この応力は成膜時のガス
圧の影響が大であることが知られているが、他の成膜条
件に対しても敏感であり、成膜条件の制御で応力値を低
レベルに制御することは困難である。
【０００６】これに対し、成膜後に膜の表層にイオンを
注入することで応力を変化させる方法によれば制御が容
易である。そのため、極微細パターン転写用Ｘ線マスク
の製造には、Ｘ線吸収体膜形成後にイオン注入を行うこ
とが不可欠とされるようになっている。
注入することで応力を変化させる方法によれば制御が容
易である。そのため、極微細パターン転写用Ｘ線マスク
の製造には、Ｘ線吸収体膜形成後にイオン注入を行うこ
とが不可欠とされるようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の方法
でＸ線マスクを製造した場合、Ｘ線吸収体膜の表面に不
活性ガスのイオンを注入することによりその表面は活性
化され、イオン注入装置から取り出した時に大気に触れ
て表層が変質し（酸化等）、その後、このＸ線吸収体膜
を反応性イオンエッチング法によりパターニングする
際、この変質層がエッチングを阻害して残渣を生じ、良
好なマスクパターンが得られない、という問題があっ
た。尚、この変質層を予め別のエッチング剤で除去すれ
ば良好なマスクパターンが得られるが、元々イオンが注
入されるのは表層だけ（例えば表面から０.2μm 程度）
であるから、その一部を除去すると応力が大きく変動し
てしまう、という問題がある。
でＸ線マスクを製造した場合、Ｘ線吸収体膜の表面に不
活性ガスのイオンを注入することによりその表面は活性
化され、イオン注入装置から取り出した時に大気に触れ
て表層が変質し（酸化等）、その後、このＸ線吸収体膜
を反応性イオンエッチング法によりパターニングする
際、この変質層がエッチングを阻害して残渣を生じ、良
好なマスクパターンが得られない、という問題があっ
た。尚、この変質層を予め別のエッチング剤で除去すれ
ば良好なマスクパターンが得られるが、元々イオンが注
入されるのは表層だけ（例えば表面から０.2μm 程度）
であるから、その一部を除去すると応力が大きく変動し
てしまう、という問題がある。
【０００８】本発明はこのような問題を解決して、イオ
ン注入後のＸ線吸収体膜表層の変質を防止して良好なマ
スクパターンが得られるＸ線マスク製造方法を提供する
ことを目的とする。
ン注入後のＸ線吸収体膜表層の変質を防止して良好なマ
スクパターンが得られるＸ線マスク製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この目的は本発明によれ
ば、〔１〕基板上にＸ線透過膜を形成する工程と、該Ｘ
線透過膜上にＸ線吸収体膜を形成する工程と、該Ｘ線吸
収体膜上に酸化珪素若しくは窒化珪素からなる被膜を形
成する工程と、該被膜を介して該Ｘ線吸収体膜に不活性
ガスのイオンを注入して該Ｘ線吸収体膜の内部応力を制
御する工程と、その後、該Ｘ線吸収体膜を選択的にエッ
チングしてマスクパターンを形成する工程と、を含むこ
とを特徴とするＸ線マスクの製造方法とすることで、
〔２〕基板上にＸ線透過膜を形成する工程と、該Ｘ線透
過膜上にＸ線吸収体膜を形成する工程と、該Ｘ線吸収体
膜に不活性ガスのイオンを注入して該Ｘ線吸収体膜の内
部応力を制御する工程と、その後、該Ｘ線吸収体膜を大
気に曝す以前に該Ｘ線吸収体膜に水素ガスを吹き付けて
その表層を不活性化する工程と、その後、該Ｘ線吸収体
膜を選択的にエッチングしてマスクパターンを形成する
工程と、を含むことを特徴とするＸ線マスクの製造方法
とすることで、〔３〕基板上にＸ線透過膜を形成する工
程と、該Ｘ線透過膜上にＸ線吸収体膜を形成する工程
と、該Ｘ線吸収体膜に不活性ガスのイオンを注入して該
Ｘ線吸収体膜の内部応力を制御する工程と、その後、該
Ｘ線吸収体膜を大気に曝すことなく該Ｘ線吸収体膜上に
該Ｘ線吸収体膜と同一材料からなる被膜を形成する工程
と、その後、該被膜と該Ｘ線吸収体膜とを選択的にエッ
チングしてマスクパターンを形成する工程と、を含むこ
とを特徴とするＸ線マスクの製造方法とすることで、達
成される。
ば、〔１〕基板上にＸ線透過膜を形成する工程と、該Ｘ
線透過膜上にＸ線吸収体膜を形成する工程と、該Ｘ線吸
収体膜上に酸化珪素若しくは窒化珪素からなる被膜を形
成する工程と、該被膜を介して該Ｘ線吸収体膜に不活性
ガスのイオンを注入して該Ｘ線吸収体膜の内部応力を制
御する工程と、その後、該Ｘ線吸収体膜を選択的にエッ
チングしてマスクパターンを形成する工程と、を含むこ
とを特徴とするＸ線マスクの製造方法とすることで、
〔２〕基板上にＸ線透過膜を形成する工程と、該Ｘ線透
過膜上にＸ線吸収体膜を形成する工程と、該Ｘ線吸収体
膜に不活性ガスのイオンを注入して該Ｘ線吸収体膜の内
部応力を制御する工程と、その後、該Ｘ線吸収体膜を大
気に曝す以前に該Ｘ線吸収体膜に水素ガスを吹き付けて
その表層を不活性化する工程と、その後、該Ｘ線吸収体
膜を選択的にエッチングしてマスクパターンを形成する
工程と、を含むことを特徴とするＸ線マスクの製造方法
とすることで、〔３〕基板上にＸ線透過膜を形成する工
程と、該Ｘ線透過膜上にＸ線吸収体膜を形成する工程
と、該Ｘ線吸収体膜に不活性ガスのイオンを注入して該
Ｘ線吸収体膜の内部応力を制御する工程と、その後、該
Ｘ線吸収体膜を大気に曝すことなく該Ｘ線吸収体膜上に
該Ｘ線吸収体膜と同一材料からなる被膜を形成する工程
と、その後、該被膜と該Ｘ線吸収体膜とを選択的にエッ
チングしてマスクパターンを形成する工程と、を含むこ
とを特徴とするＸ線マスクの製造方法とすることで、達
成される。
【００１０】
【作用】Ｘ線吸収体膜にイオンを注入した直後は表面が
活性化しており変質し易いが、予め被膜で被覆してお
き、その被膜を介してイオン注入した場合、後にその被
膜を除去してもＸ線吸収体膜表面の変質は僅かである。
尚、この被膜として酸化珪素または窒化珪素を用いる
と、これを除去する際のエッチング剤としてＸ線吸収体
膜の材料と反応しないものが容易に得られる。又、Ｘ線
吸収体膜にイオンを注入した直後、活性化した表面に水
素を吹き付けると、この水素を吸着して不活性化し、そ
の後は変質しにくい。従って、Ｘ線吸収体膜のエッチン
グが支障なく行なえ、良好なパターンが得られる。
活性化しており変質し易いが、予め被膜で被覆してお
き、その被膜を介してイオン注入した場合、後にその被
膜を除去してもＸ線吸収体膜表面の変質は僅かである。
尚、この被膜として酸化珪素または窒化珪素を用いる
と、これを除去する際のエッチング剤としてＸ線吸収体
膜の材料と反応しないものが容易に得られる。又、Ｘ線
吸収体膜にイオンを注入した直後、活性化した表面に水
素を吹き付けると、この水素を吸着して不活性化し、そ
の後は変質しにくい。従って、Ｘ線吸収体膜のエッチン
グが支障なく行なえ、良好なパターンが得られる。
【００１１】Ｘ線吸収体膜にイオンを注入した直後にそ
の膜と同一材料からなる薄膜を被着すると、その膜の全
部又は一部を除去せずに残すことが出来るから、活性化
した表面の変質を防ぐと共に、パターニング後の工程、
或いはマスク完成後にイオン注入層がダメージを受ける
ことがない。
の膜と同一材料からなる薄膜を被着すると、その膜の全
部又は一部を除去せずに残すことが出来るから、活性化
した表面の変質を防ぐと共に、パターニング後の工程、
或いはマスク完成後にイオン注入層がダメージを受ける
ことがない。
【００１２】
【実施例】本発明に係るＸ線マスク製造方法の実施例を
図１乃至図５を参照しながら説明する。図１ (a)〜(e)
は本発明の第一の実施例を示す断面図である。同図にお
いて、１は基板（シリコン・ウェーハ）、２はＸ線透過
膜、３はＸ線吸収体膜、４は被膜、５はレジスト膜、６
はイオンである。
図１乃至図５を参照しながら説明する。図１ (a)〜(e)
は本発明の第一の実施例を示す断面図である。同図にお
いて、１は基板（シリコン・ウェーハ）、２はＸ線透過
膜、３はＸ線吸収体膜、４は被膜、５はレジスト膜、６
はイオンである。
【００１３】先ず基板１上にＣＶＤ法により炭化珪素(S
iC) を被着して、厚さ２μm のＸ線透過膜２を形成し、
その上にＤＣスパッタリング法によりタンタル(Ta)を被
着して、厚さ0.８μm のＸ線吸収体膜３を形成する。こ
の時の成膜条件は例えば、スパッタリングガス：アルゴ
ン、ガス圧：10 mTorr、ＤＣパワー：１kW とし、この
膜内応力値が１×108 dyn/cm2 （引張応力）になったと
する。
iC) を被着して、厚さ２μm のＸ線透過膜２を形成し、
その上にＤＣスパッタリング法によりタンタル(Ta)を被
着して、厚さ0.８μm のＸ線吸収体膜３を形成する。こ
の時の成膜条件は例えば、スパッタリングガス：アルゴ
ン、ガス圧：10 mTorr、ＤＣパワー：１kW とし、この
膜内応力値が１×108 dyn/cm2 （引張応力）になったと
する。
【００１４】次に、この上に高周波スパッタリング法に
より低いガス圧で酸化珪素(SiO2)を被着して、0.１〜0.
５μm の被膜４を形成する。この時の成膜条件は例え
ば、スパッタリングガス：アルゴン、ガス圧：１ mTor
r、高周波パワー：0.３kW とする。次に、この被膜４
側からアルゴン(Ar)のイオン６を照射してＸ線吸収体膜
３の表層にこれを注入する（図１(a) 参照）。この時の
注入条件は例えば、加速電圧：150 kV、ドーズ量：２×
1015 ions/cm2 。
より低いガス圧で酸化珪素(SiO2)を被着して、0.１〜0.
５μm の被膜４を形成する。この時の成膜条件は例え
ば、スパッタリングガス：アルゴン、ガス圧：１ mTor
r、高周波パワー：0.３kW とする。次に、この被膜４
側からアルゴン(Ar)のイオン６を照射してＸ線吸収体膜
３の表層にこれを注入する（図１(a) 参照）。この時の
注入条件は例えば、加速電圧：150 kV、ドーズ量：２×
1015 ions/cm2 。
【００１５】次に、被膜４をバッファード弗酸により除
去する（図１(b) 参照）。その後、Ｘ線吸収体膜３上に
レジスト膜５を形成し、これを電子ビーム露光法等でパ
ターニングする（図１(c) 参照）。次に、このレジスト
膜５をエッチングマスクとしてＸ線吸収体膜３を反応性
イオンエッチング法（例えば塩素(Cl2) とクロロホルム
(CHCl3) の混合ガスを使用）によりパターニングしてマ
スクパターンを形成する（図１(d) 参照）。その後、基
板１をＸ線透過膜２の支持枠（図示は省略）となる周辺
部を残して裏面側からエッチングにより除去する（図１
(e) 参照）。
去する（図１(b) 参照）。その後、Ｘ線吸収体膜３上に
レジスト膜５を形成し、これを電子ビーム露光法等でパ
ターニングする（図１(c) 参照）。次に、このレジスト
膜５をエッチングマスクとしてＸ線吸収体膜３を反応性
イオンエッチング法（例えば塩素(Cl2) とクロロホルム
(CHCl3) の混合ガスを使用）によりパターニングしてマ
スクパターンを形成する（図１(d) 参照）。その後、基
板１をＸ線透過膜２の支持枠（図示は省略）となる周辺
部を残して裏面側からエッチングにより除去する（図１
(e) 参照）。
【００１６】以上の方法により、Ｘ線吸収体膜３のパタ
ーニング時に残渣を生じることを防いで、高精度のＸ線
マスクを得ることが出来た。尚、イオン注入の後、被膜
４上にレジスト膜５を形成してこれをパターニングし、
先ずこれをエッチングマスクとして被膜４を反応性イオ
ンエッチング法によりパターニングし、次にこの被膜４
をエッチングマスクとしてＸ線吸収体膜３を反応性イオ
ンエッチング法によりパターニングし、その後被膜４を
除去する方法としてもよい。又、被膜４の材料として窒
化珪素を使用することも出来る。
ーニング時に残渣を生じることを防いで、高精度のＸ線
マスクを得ることが出来た。尚、イオン注入の後、被膜
４上にレジスト膜５を形成してこれをパターニングし、
先ずこれをエッチングマスクとして被膜４を反応性イオ
ンエッチング法によりパターニングし、次にこの被膜４
をエッチングマスクとしてＸ線吸収体膜３を反応性イオ
ンエッチング法によりパターニングし、その後被膜４を
除去する方法としてもよい。又、被膜４の材料として窒
化珪素を使用することも出来る。
【００１７】図２ (a)〜(e) は本発明の第二の実施例を
示す断面図、図３は本発明の第二の実施例で使用する装
置の構成図である。図２において、図１と同じものには
同一の符号を付した。図３において、10はバルブ、11は
ロードロック室、12はイオン注入室である。ロードロッ
ク室11とイオン注入室12はそれぞれ真空排気手段11a、1
2a を備えており、ロードロック室11とイオン注入室12
とはバルブ10を介して接続されている。ロードロック室
11にはバルブ11b を介してガス源11c から水素ガスを導
入することが出来る。
示す断面図、図３は本発明の第二の実施例で使用する装
置の構成図である。図２において、図１と同じものには
同一の符号を付した。図３において、10はバルブ、11は
ロードロック室、12はイオン注入室である。ロードロッ
ク室11とイオン注入室12はそれぞれ真空排気手段11a、1
2a を備えており、ロードロック室11とイオン注入室12
とはバルブ10を介して接続されている。ロードロック室
11にはバルブ11b を介してガス源11c から水素ガスを導
入することが出来る。
【００１８】この例では、先ず第一の実施例と同様の方
法で、基板１上にＸ線透過膜２、更にその上にＸ線吸収
体膜３を形成し、次に、この試料を図３の装置のロード
ロック室11を経由してイオン注入室12に入れ、Ｘ線吸収
体膜３表層にアルゴンのイオン６を注入する（図２(a)
参照）。次に、これをロードロック室11に戻し、バルブ
11b を開いてガス源11c から水素ガスをロードロック室
11に導入して、イオン６を注入したＸ線吸収体膜３表層
に水素ガス７を吹き付けてこれを不活性化する（図２
(b) 参照）。
法で、基板１上にＸ線透過膜２、更にその上にＸ線吸収
体膜３を形成し、次に、この試料を図３の装置のロード
ロック室11を経由してイオン注入室12に入れ、Ｘ線吸収
体膜３表層にアルゴンのイオン６を注入する（図２(a)
参照）。次に、これをロードロック室11に戻し、バルブ
11b を開いてガス源11c から水素ガスをロードロック室
11に導入して、イオン６を注入したＸ線吸収体膜３表層
に水素ガス７を吹き付けてこれを不活性化する（図２
(b) 参照）。
【００１９】その後、バルブ11b を閉じて試料をロード
ロック室11から取り出し、以下、第一の実施例と同じ方
法でＸ線吸収体膜３上にレジスト膜５を形成してこれを
パターニングし（図２(c) 参照）、このレジスト膜５を
エッチングマスクとしてＸ線吸収体膜３をエッチングし
てマスクパターンを形成し（図２(d) 参照）、その後、
基板１をエッチングにより除去する（図２(e) 参照）。
ロック室11から取り出し、以下、第一の実施例と同じ方
法でＸ線吸収体膜３上にレジスト膜５を形成してこれを
パターニングし（図２(c) 参照）、このレジスト膜５を
エッチングマスクとしてＸ線吸収体膜３をエッチングし
てマスクパターンを形成し（図２(d) 参照）、その後、
基板１をエッチングにより除去する（図２(e) 参照）。
【００２０】この方法でも、Ｘ線吸収体膜３のパターニ
ング時に残渣を生じることを防いで、高精度のＸ線マス
クを得ることが出来た。図４ (a)〜(e) は本発明の第三
の実施例を示す断面図、図５は本発明の第三の実施例で
使用する装置の構成図である。図４，５において、図１
〜３と同じものには同一の符号を付した。図４におい
て、4Aは被膜である。図５において、13はロードロック
室、14はスパッタリング室、15はイオン注入室であり、
これら各室は真空排気手段13a 、14a 、15a を備えてい
る。ロードロック室13とスパッタリング室14、及びスパ
ッタリング室14とイオン注入室15は、それぞれバルブ10
を介して接続されている。
ング時に残渣を生じることを防いで、高精度のＸ線マス
クを得ることが出来た。図４ (a)〜(e) は本発明の第三
の実施例を示す断面図、図５は本発明の第三の実施例で
使用する装置の構成図である。図４，５において、図１
〜３と同じものには同一の符号を付した。図４におい
て、4Aは被膜である。図５において、13はロードロック
室、14はスパッタリング室、15はイオン注入室であり、
これら各室は真空排気手段13a 、14a 、15a を備えてい
る。ロードロック室13とスパッタリング室14、及びスパ
ッタリング室14とイオン注入室15は、それぞれバルブ10
を介して接続されている。
【００２１】この例では、先ず第一の実施例と同様の方
法で、基板１上にＸ線透過膜２を形成し、この試料をロ
ードロック室13を経てスパッタリング室14に入れ、Ｘ線
透過膜２の上にスパッタリング法により厚さ0.７μm の
タンタルからなるＸ線吸収体膜３を形成する。次に、こ
の試料をイオン注入室15に移し、Ｘ線吸収体膜３の表層
にアルゴンのイオン６を注入する（図４(a) 参照）。そ
の後、この試料をスパッタリング室14に移し、Ｘ線収体
膜３上にスパッタリング法により厚さ0.１μmのタンタ
ルからなる被膜4Aを形成する（図４(b) 参照）。
法で、基板１上にＸ線透過膜２を形成し、この試料をロ
ードロック室13を経てスパッタリング室14に入れ、Ｘ線
透過膜２の上にスパッタリング法により厚さ0.７μm の
タンタルからなるＸ線吸収体膜３を形成する。次に、こ
の試料をイオン注入室15に移し、Ｘ線吸収体膜３の表層
にアルゴンのイオン６を注入する（図４(a) 参照）。そ
の後、この試料をスパッタリング室14に移し、Ｘ線収体
膜３上にスパッタリング法により厚さ0.１μmのタンタ
ルからなる被膜4Aを形成する（図４(b) 参照）。
【００２２】このタンタルの被膜4Aはこの後イオン注入
されないから引張応力が残ったままとなる。従って、極
力低いガス圧で成膜するか、或いは、Ｘ線吸収体膜３へ
のイオン注入量を多くしておく。
されないから引張応力が残ったままとなる。従って、極
力低いガス圧で成膜するか、或いは、Ｘ線吸収体膜３へ
のイオン注入量を多くしておく。
【００２３】この試料をロードロック室13を経て装置外
に取り出し、以下、第一の実施例と同様の方法で、被膜
4A上にレジスト膜５を形成してこれをパターニングし
（図４(c) 参照）、このレジスト膜５をエッチングマス
クとして被膜4AとＸ線吸収体膜３を同時にエッチングし
てマスクパターンを形成し（図４(d) 参照）、その後、
基板１をエッチングにより除去する（図４(e) 参照）。
に取り出し、以下、第一の実施例と同様の方法で、被膜
4A上にレジスト膜５を形成してこれをパターニングし
（図４(c) 参照）、このレジスト膜５をエッチングマス
クとして被膜4AとＸ線吸収体膜３を同時にエッチングし
てマスクパターンを形成し（図４(d) 参照）、その後、
基板１をエッチングにより除去する（図４(e) 参照）。
【００２４】この方法でも、Ｘ線吸収体膜３のパターニ
ング時に残渣を生じることを防いで、高精度のＸ線マス
クを得ることが出来た。尚、図５の装置の代わりに、一
つの真空容器内にスパッタリング機構とイオン注入機構
とを備えた装置を使用してもよい。又、この装置内でＸ
線吸収体膜３の応力をモニターしながらイオン注入、被
膜4Aの成膜を行うことにより、応力の制御性が向上す
る。応力検出法としては、ウェーハの反りをレーザ光の
反射位置の変化で測定する方法を採用したが、Ｘ線回折
法やラマン散乱光を利用した応力測定装置を組み込むこ
とも可能である。
ング時に残渣を生じることを防いで、高精度のＸ線マス
クを得ることが出来た。尚、図５の装置の代わりに、一
つの真空容器内にスパッタリング機構とイオン注入機構
とを備えた装置を使用してもよい。又、この装置内でＸ
線吸収体膜３の応力をモニターしながらイオン注入、被
膜4Aの成膜を行うことにより、応力の制御性が向上す
る。応力検出法としては、ウェーハの反りをレーザ光の
反射位置の変化で測定する方法を採用したが、Ｘ線回折
法やラマン散乱光を利用した応力測定装置を組み込むこ
とも可能である。
【００２５】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。
く、更に種々変形して実施することが出来る。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
Ｘ線吸収体膜のパターニング時に残渣を生じることを防
いで高精度のＸ線マスクを得ることが可能なＸ線マスク
の製造方法を提供することが出来、半導体装置製造等の
パターン微細化に寄与する。
Ｘ線吸収体膜のパターニング時に残渣を生じることを防
いで高精度のＸ線マスクを得ることが可能なＸ線マスク
の製造方法を提供することが出来、半導体装置製造等の
パターン微細化に寄与する。
【図１】 本発明の第一の実施例を示す断面図である。
【図２】 本発明の第二の実施例を示す断面図である。
【図３】 本発明の第二の実施例で使用する装置の構成
図である。
図である。
【図４】 本発明の第三の実施例を示す断面図である。
【図５】 本発明の第三の実施例で使用する装置の構成
図である。
図である。
【図６】 従来例を示す断面図である。
１ 基板 ２ Ｘ線透過膜 ３ Ｘ線吸収体膜 ４，4A 被膜 ５ レジスト膜 ６ イオン ７ 水素ガス 10 バルブ 11, 13 ロードロック室 11a, 12a, 13a, 14a, 15a 真空排気手段 11b バルブ 11c ガス源 12, 15 イオン注入室 14 スパッタリング室
Claims (3)
- 【請求項１】 基板(1) 上にＸ線透過膜(2) を形成する
工程と、 該Ｘ線透過膜(2) 上にＸ線吸収体膜(3) を形成する工程
と、 該Ｘ線吸収体膜(3) 上に酸化珪素若しくは窒化珪素から
なる被膜(4) を形成する工程と、 該被膜(4) を介して該Ｘ線吸収体膜(3) に不活性ガスの
イオン(6) を注入して該Ｘ線吸収体膜(3) の内部応力を
制御する工程と、 その後、該Ｘ線吸収体膜(3) を選択的にエッチングして
マスクパターンを形成する工程と、を含むことを特徴と
するＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項２】 基板(1) 上にＸ線透過膜(2) を形成する
工程と、 該Ｘ線透過膜(2) 上にＸ線吸収体膜(3) を形成する工程
と、 該Ｘ線吸収体膜(3) に不活性ガスのイオン(6) を注入し
て該Ｘ線吸収体膜(3)の内部応力を制御する工程と、 その後、該Ｘ線吸収体膜(3) を大気に曝す以前に該Ｘ線
吸収体膜(3) に水素ガス(7) を吹き付けてその表層を不
活性化する工程と、 その後、該Ｘ線吸収体膜(3) を選択的にエッチングして
マスクパターンを形成する工程と、を含むことを特徴と
するＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項３】 基板(1) 上にＸ線透過膜(2) を形成する
工程と、 該Ｘ線透過膜(2) 上にＸ線吸収体膜(3) を形成する工程
と、 該Ｘ線吸収体膜(3) に不活性ガスのイオン(6) を注入し
て該Ｘ線吸収体膜(3)の内部応力を制御する工程と、 その後、該Ｘ線吸収体膜(3) を大気に曝すことなく該Ｘ
線吸収体膜(3) 上に該Ｘ線吸収体膜(3) と同一材料から
なる被膜(4A)を形成する工程と、 その後、該被膜(4A)と該Ｘ線吸収体膜(3) とを選択的に
エッチングしてマスクパターンを形成する工程と、を含
むことを特徴とするＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13224493A JPH06349716A (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13224493A JPH06349716A (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349716A true JPH06349716A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15076742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13224493A Withdrawn JPH06349716A (ja) | 1993-06-03 | 1993-06-03 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349716A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100399061B1 (ko) * | 2001-06-25 | 2003-09-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 패턴 형성 방법 |
| KR100422958B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2004-06-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 아르곤이온주입처리를통한미세패턴형성방법 |
| KR101015176B1 (ko) * | 2002-11-05 | 2011-02-17 | 호야 가부시키가이샤 | 전사용마스크기판의 제조방법, 전사용마스크기판 및전사용마스크 |
| WO2020256064A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-06-03 JP JP13224493A patent/JPH06349716A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422958B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2004-06-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 아르곤이온주입처리를통한미세패턴형성방법 |
| KR100399061B1 (ko) * | 2001-06-25 | 2003-09-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 패턴 형성 방법 |
| KR101015176B1 (ko) * | 2002-11-05 | 2011-02-17 | 호야 가부시키가이샤 | 전사용마스크기판의 제조방법, 전사용마스크기판 및전사용마스크 |
| WO2020256064A1 (ja) * | 2019-06-20 | 2020-12-24 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、並びに反射型マスク及び半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0020776B1 (en) | Method of forming patterns | |
| JP2823276B2 (ja) | Ｘ線マスクの製造方法および薄膜の内部応力制御装置 | |
| US4919749A (en) | Method for making high resolution silicon shadow masks | |
| KR19990066769A (ko) | X선마스크의 응력조정방법 | |
| US6140255A (en) | Method for depositing silicon nitride using low temperatures | |
| KR20220006887A (ko) | 극자외선 리소그라피용 펠리클의 제조방법 | |
| JP5295968B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および装置 | |
| KR100372073B1 (ko) | 노광 마스크, 노광 마스크 제조 방법, 및 노광 마스크를사용한 반도체 디바이스 제조 방법 | |
| US6749968B2 (en) | Method for fabricating a thin-membrane stencil mask and method for making a semiconductor device using the same | |
| KR102301568B1 (ko) | 탄화규소 층을 포함하는 극자외선용 펠리클의 제조방법 | |
| JPH06349716A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| US6066418A (en) | X-ray mask and fabrication process therefor | |
| JPH06204130A (ja) | パターンの形成方法 | |
| KR101593390B1 (ko) | 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그의 제조방법 | |
| JPH07295203A (ja) | ハーフトーン位相シフトフォトマスク用ブランクスの製造方法 | |
| JP3391699B2 (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH09306812A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JP3605485B2 (ja) | フオトマスク用エッチング装置 | |
| JP3406581B2 (ja) | メンブレンマスク、その製造方法及びマスクパターンの位置精度保持方法 | |
| JPH06110197A (ja) | 微細パターン形成用マスク形成方法及びその装置 | |
| JP2638576B2 (ja) | Ｘ線露光マスクの製造方法 | |
| KR100596606B1 (ko) | 미세 패턴의 형성 방법, 반도체 장치 및 반도체 장치의제조 방법 | |
| JPH0915831A (ja) | 露光用マスクの製造方法 | |
| JPH02252229A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| KR20230103925A (ko) | 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |