JP5295968B2 - 半導体装置の製造方法および装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 43
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 21
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 19
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 15
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 14
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 72
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 26
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 26
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 12
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- AQYSYJUIMQTRMV-UHFFFAOYSA-N hypofluorous acid Chemical compound FO AQYSYJUIMQTRMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N tungsten disilicide Chemical compound [Si]#[W]#[Si] WQJQOUPTWCFRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 1
- 229910021342 tungsten silicide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
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- H01L21/28008—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes
- H01L21/28017—Making conductor-insulator-semiconductor electrodes the insulator being formed after the semiconductor body, the semiconductor being silicon
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Description
本発明は、半導体装置の製造に使用するリソグラフィ技術に関し、特に、微細で寸法精度の高いレジストパターンを高い歩留まりで作製する技術に関する。
半導体集積回路等の半導体装置の製造プロセスにおいて、微細パターンを基板上に転写する方法としてリソグラフィ技術が用いられている。このリソグラフィ技術には、主に投影露光装置が用いられ、該投影露光装置に装着したフォトマスクを透過または反射した露光光を基板上のレジストに照射することにより、パターン転写が行われる。近年、デバイスの高密度集積化や動作速度の高速化が要求されており、これらの要求に応えるためにパターンの微細化が研究されている。
例えば、波長の短い露光光を用いて、投影像の解像度を向上させることが可能であり、最近では従来の紫外線より１桁以上短い波長を有する、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（極端紫外: Extreme Ultra Violet）光を用いた露光技術が注目されている。
露光装置の改良により、投影像の解像度は飛躍的に改善されてきたが、実際にレジストパターンを形成しようとすると、図２に示すように、ウエハＷの上に形成されたレジストパターン２０１が倒れてしまい、歩留まりが低下するという問題が発生した。
レジストパターンの倒れは、主として、レジスト現像後のリンス液が乾燥するときに発生するリンス液の毛管力に起因している。さらに、レジストの周囲に現像液やリンス液が存在しているとき、これらの液体が内部に浸み込んでレジストが膨潤し、隣接するレジストパターンと接触してしまう現象、いわゆるマイクロ膨潤も、パターン倒れの大きな要因である。
レジストへの液体の浸み込み量自体は小さいが、形成すべきパターンのサイズが微細になると、パターン内部に浸み込むのが容易になる。従って、上述したＥＵＶ露光ではこうしたマイクロ膨潤対策が必要になる。
マイクロ膨潤は、レジストの撥水性を高めて、現像液やリンス液等がレジスト内部に浸み込みにくいように処理すれば、軽減できる。しかし、現像液の濡れ性も低下してしまい、ウエハ面内寸法の均一性が劣化して、歩留まりが低下してしまう。
近年は、製造コストを削減するため、ウエハ直径が２００ｍｍ，３００ｍｍ，４５０ｍｍと次第に大口径化が進められており、ウエハ面内の現像均一性の改善も重要な課題の１つになっている。
本発明の目的は、マイクロ膨潤によるパターン倒れと、現像不均一性によるパターン寸法のばらつきの両方を解決して、製品の歩留まりを改善することができる半導体装置の製造方法および装置を提供することである。
本発明の一実施例によれば、現像液に対する撥水性を持つレジスト膜を形成して、所望のパターンで露光を実施した後、レジスト膜の表層を酸化処理することによって親水性化する。そして、現像液を用いて現像処理を行って、レジストパターンを形成する。
本発明の他の実施例によれば、半導体装置の製造装置は、真空下で所望のパターンの露光を行うための露光処理部と、レジスト膜の表層を減圧下で改質するためのレジスト改質部と、大気に戻すことなく両者間で試料を搬送するための搬送機構などを備える。
この実施例によれば、微細パターンであっても、従来のようなパターン倒れを防止することができ、しかも基板面内の現像均一性および寸法均一性を確保することができる。その結果、半導体集積回路等の半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
３ｓ 基板、 ６ｎ ｎ型ウエル、 ６ｐ ｐ型ウエル、 ８ ゲート絶縁膜、
９ ゲート電極、 １０２，１３６ レジスト膜、 １０２ａ レジスト側壁、
１０３ 露光光、 １０４ 表層、 １０５，１０７ レジストパターン、
１０６ 薄膜、 １２１ レジスト処理設備、 １２２ 露光処理設備、
１２２ａ 露光処理部、 １２３ レジスト界面改質設備、
１２４，１２５，１２６搬送機構、 １３０ 処理チャンバ、
１３１ ウエハステージ、 １３２ ランプ、 Ｗ ウエハ。
９ ゲート電極、 １０２，１３６ レジスト膜、 １０２ａ レジスト側壁、
１０３ 露光光、 １０４ 表層、 １０５，１０７ レジストパターン、
１０６ 薄膜、 １２１ レジスト処理設備、 １２２ 露光処理設備、
１２２ａ 露光処理部、 １２３ レジスト界面改質設備、
１２４，１２５，１２６搬送機構、 １３０ 処理チャンバ、
１３１ ウエハステージ、 １３２ ランプ、 Ｗ ウエハ。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図中、同一の部分または対応する部分には同一の符号を付して、重複説明を省くことがある。
実施の形態１．
図３は、本発明が適用可能なリソグラフィ装置の一例を示す構成図である。このリソグラフィ装置は、レジスト処理設備１２１と、露光処理設備１２２と、レジスト界面改質設備１２３と、各設備間を連結する搬送機構１２４，１２５，１２６などで構成される。
図３は、本発明が適用可能なリソグラフィ装置の一例を示す構成図である。このリソグラフィ装置は、レジスト処理設備１２１と、露光処理設備１２２と、レジスト界面改質設備１２３と、各設備間を連結する搬送機構１２４，１２５，１２６などで構成される。
レジスト処理設備１２１は、ウエハの上にレジストを塗布したり、塗布したレジストを熱処理したり、露光したレジストを現像する等の機能を有する。
露光処理設備１２２は、露光処理部１２２ａと、ロードロックローダー部１２２ｂと、アンローダー部１２２ｃなどを備える。露光処理部１２２ａは、レジストが塗布されたウエハに対して真空下でスキャン露光を行う。
ロードロックローダー部１２２ｂは、レジスト処理設備１２１から搬送機構１２４を経由して供給されるウエハを大気下で受け取った後、真空排気を行って、真空下でウエハを露光処理部１２２ａへ受け渡す。アンローダー部１２２ｃは、露光処理部１２２ａで露光したウエハを真空下で受け取った後、真空下の搬送機構１２５を経由してレジスト界面改質設備１２３へウエハを受け渡す。
図４は、レジスト界面改質設備１２３の改質処理部の一例を示す構成図である。改質処理部は、処理チャンバ１３０と、ウエハステージ１３１と、ランプ１３２と、ガス供給管１３３と、排気管１３４と、真空度および酸素分圧計測器１３５などで構成される。ウエハステージ１３１の上には、レジスト膜１３６が形成されたウエハＷが戴置される。レジスト界面改質設備１２３は、上記構成要素の他に、ウエハ搬送機構と、搬入搬出ゲート（シャッタ）などを備える。
以下、この改質処理部の動作について説明する。ガス供給管１３３から処理チャンバ１３０内に、酸素を含む処理ガスが供給される。処理ガスは、純粋の酸素ガスでもよいが、圧力の管理を容易にするために、バッファガスとして窒素やアルゴンなどの不活性ガスを混ぜた混合ガスを用いてもよい。処理チャンバ１３０内にあるガスは、排気管１３４を通じて真空ポンプ（不図示）によって排気され、処理チャンバ１３０の内部は真空に近い減圧状態に保持される。
処理チャンバ１３０の上部には、レジスト膜１３６に対向するように、真空紫外光を発生するランプ１３２が配置される。ランプ１３２は、レジスト膜１３６の極表層のみに化学変化を生じさせるように、ＤＵＶ（極紫外: Deep Ultra Violet）光、特に１７２ｎｍより短い波長の光を発生するものが好ましい。
例えば、エネルギー効率の点で、ピーク波長１７２ｎｍのＸｅ２エキシマランプ、ピーク波長１４６ｎｍのＫｒ２エキシマランプ、ピーク波長１２６ｎｍのＡｒ２エキシマランプなどが使用できる。これらのランプのうち、波長が短いほど、レジストでの光吸収が大きくなって、化学反応がレジスト表層のみに留まるようになるため、レジストバルク自体の感光を抑制でき、転写特性に影響を与えない。但し、例えば、ＥＵＶ光（波長１３ｎｍ前後）など極端に短い波長になると、逆にレジストへの浸透深さが大きくなるため、好ましくない。従って、改質処理部のランプ１３２として、Ａｒ２エキシマランプが好適である。
レジストの表面改質層の厚さは、レジストパターンの解像に影響を与えないように、好ましくは５ｎｍ以下であり、より好ましくは１ｎｍ以下である。
ランプ１３２の光照射により、レジスト膜１３６の表層が活性化するとともに、処理チャンバ１３０内に存在する酸素も活性化して、活性酸素とオゾンを発生する。これらの活性酸素とオゾン、特に、活性酸素は、レジスト膜１３６の表層を効率的に酸化して、親水性に変化させる。真空紫外光の照射により酸化処理の効率が高くなり、レジスト膜１３６の表層の親水化処理時間を短縮することができる。
このとき、処理チャンバ１３０の圧力は１０−２〜１０−４Ｔｏｒｒの減圧下にないと、レジストの表面改質層の厚さが増加してしまい、解像パターンの形状やレジスト解像性に悪い影響を与える。また、活性酸素とオゾンを効率よく発生するためには、処理チャンバ１３０の酸素分圧は２０％以上であることが好ましい。
ウエハステージ１３１の内部に、加熱用のヒータを設けてもよい。ランプ１３２の光照射とともに、ヒータ通電によりウエハＷおよびレジスト膜１３６を加熱することによって、レジスト膜１３６の表層がより効率的に活性化されて、親水化処理時間をさらに短縮することができる。
なお、以上の構成では、ランプ光をレジスト膜１３６および処理チャンバ１３０内の酸素の両方に照射する例を説明したが、ランプ光をレジスト膜１３６には照射しないで、活性酸素およびオゾンを発生するためだけに用いても構わない。例えば、ガス供給管１３３の途中にランプ１３２を配置し、光照射によって発生した活性酸素およびオゾンを処理チャンバ１３０内に導入するように構成してもよい。あるいは、ガス供給管１３３からレジスト膜１３６の上方に至る経路の途中にランプ１３２を配置してもよい。
こうした構成により、レジスト膜１３６の親水化処理の効率は若干低下するが、レジスト膜１３６のランプ光照射を回避できるため、レジストバルク自体の感光を抑制でき、転写特性に影響を与えない。さらに、ランプ光の波長を選択する際、レジストへの影響を考慮せずに済むことから、活性酸素およびオゾンの発生が可能である、１７２ｎｍより長い波長または波長１２６ｎｍより短い波長を発生するランプを使用できる。
次に、本発明に係るレジスト処理工程について図１Ａ〜図１Ｄを参照しながら説明する。まず図１Ａに示すように、ウエハＷの上にレジストを塗布し、通常の熱処理を行ってレジスト膜１０２を形成する。なお、光リソグラフィの場合、レジスト塗布前に、ＢＡＲＣ(Bottom Anti-Reflective Coating)などの反射防止膜を形成しておく。一方、ＥＵＶリソグラフィの場合は、反射防止膜は不要である。
ここで、レジストとして現像液撥水性のレジスト材料を使用する。また、現像液として、２．３８ｗｔ％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）を含む水溶液を使用する。現像液は、界面活性剤などの添加剤を含んでいても構わず、ＴＭＡＨの濃度は２．３８ｗｔ％以外のものでも構わない。本発明では、水溶性の現像液を使用することにより、後述する表面酸化の効果を発現させている。
また、レジストの現像液撥水性の程度は、レジスト膜の表面に滴下した現像液の接触角で定義することができる。種々のレジスト材料を評価した結果、レジストパターンの倒れ防止効果は、接触角が６５度以上となる材料の場合に得られることが判明した。従って、図１Ａに示すレジスト膜１０２は、現像液に対する接触角が６５度以上となるレジスト材料を使用することが好ましい。
なお、接触角の測定は、現像液の滴下後、短時間で行う必要がある。その理由は、時間経過とともにレジストと現像液が互いになじんで、現像が進行するからである。ここでは、現像液の滴下後、３秒以内で接触角を測定するようにしたが、遅くとも１０秒以内に測定を終了することが好ましい。
また、現像液の液滴が大きくなりすぎると、自重の影響を受けて、界面エネルギーで支配される接触角に誤差が加わって、測定精度が低下する。ここでは、２０ｎｌ（ナノリットル）の液滴を滴下して測定したが、最大でも１００ｎｌ以下の液滴量が好ましい。
また、実際に使用する現像液を用いて測定するのが理想的であるが、短時間測定が必要になることから、純水で代用することも可能である。純水の場合、レジストの現像が進行しないことから、滴下後の測定時間は３０秒程度延長することができる。なお、現像液を用いて測定した接触角が６５度である場合、純水の場合は７２度の接触角に相当する。従って、図１Ａに示すレジスト膜１０２は、純水に対する接触角が７２度以上となるレジスト材料を使用することが好ましい。
さらに、純水に対する接触角が８５度以上（現像液の接触角に換算して７４度以上）となるレジスト材料を使用するのがより好ましい。これによりリンス液界面がレジストパターン間に露出したとき、ラプラス力も急激に低下するようになるため、レジストパターンの倒れ防止をより高めることができる。
図１Ａに示す工程は、図３のレジスト処理設備１２１において実施され、その後、ウエハＷは、搬送機構１２４およびロードロックローダー部１２２ｂを経由して露光処理部１２２ａへ搬入される。
次に、レジスト膜１０２に対する露光を行う。図１Ｂに示すように、所望のパターンを持つマスクパターンを投影光学系で投影した露光光１０３を、レジスト膜１０２に照射する。なお、露光光１０３として波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いた場合、真空下での露光となる。露光後、ウエハＷは、図３のアンローダー部１２２ｃおよび搬送機構１２５を経由して、レジスト界面改質設備１２３へ搬入される。このとき大気開放せずに露光工程から改質処理工程へ移行できるため、高い生産効率を維持でき、パーティクルの付着も防止することができる。
次に、露光したレジスト膜１０２の表面改質処理を行う。この改質処理は、図４に示したレジスト界面改質設備１２３の改質処理部において実施され、上述したように、処理チャンバ１３０内に存在する活性酸素とオゾンによって、図１Ｃに示すように、レジスト膜１０２の表層１０４を酸化して、親水性に変化させる。このとき表層１０４における現像液との接触角は１０度以下になる。現像液との接触角は小さいほど好ましいが、２０度以下であれば安定した効果が得られる。
次に、レジスト界面改質設備１２３を大気開放した後、露光したレジスト膜１０２の熱処理を行う。続いて、上述した現像液を用いて現像を行うと、図１Ｄに示すようなレジストパターン１０５が得られる。
図５は、レジストパターン１０５の詳細図である。レジスト膜１０２は、現像液撥水性のレジスト材料で形成されているため、レジスト側壁１０２ａでは現像液が浸透しにくい。しかし、レジスト膜１０２の表層１０４は、上述した改質処理によって現像液に対する接触角が小さくなり、現像液になじむ性質に変化している。そのため、ウエハ面での高い現像均一性および寸法均一性を確保しつつ、レジスト側壁１０２ａでのマイクロ膨潤を抑制し、図２に示したようなレジストパターンの倒れを確実に防止することができる。
なお、ここでは、レジスト表面改質処理として、活性酸素処理、あるいは活性酸素処理と真空紫外光照射の併用を利用した例を説明したが、これらの処理に代えてまたは加えてプラズマ酸化処理を使用しても構わない。プラズマ酸化処理では、酸素分圧下でプラズマを生成することにより、レジスト膜の極表層のみを酸化することができる。このとき、プラズマがレジスト内部に作用して、レジストの解像性に影響を与えないように、かつレジスト膜の極表層のみを酸化させるように、バイアス電圧などのプラズマ発生条件を調整する。
また、本実施形態では、ＥＵＶリソグラフィの場合を説明したが、同様に真空下で露光を行うＥＢ（電子ビーム）リソグラフィにも本発明は適用可能であり、レジストパターンの倒れ防止、高い寸法均一性、パーティクル汚染の防止、露光処理からレジスト処理への搬送時間の短縮化などの利点を活用することができる。
また、本実施形態では、レジスト塗布→露光→レジスト表面改質処理→現像の順で行う場合を例示したが、レジスト塗布→レジスト表面改質処理→露光→現像の順で行うことも可能である。
このように本実施形態によれば、微細パターンであっても、従来のようなパターン倒れを防止することができ、しかも基板面内の現像均一性および寸法均一性を確保することができる。その結果、半導体集積回路等の半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
実施の形態２．
図６Ａ〜図６Ｆは、半導体装置の製造工程の一例を示す断面図である。ここでは、ツインウエル方式のＣＭＩＳ(Complementary MIS)回路を有する半導体集積回路を製造する場合を例示するが、本発明は種々の半導体集積回路に適用可能である。
図６Ａ〜図６Ｆは、半導体装置の製造工程の一例を示す断面図である。ここでは、ツインウエル方式のＣＭＩＳ(Complementary MIS)回路を有する半導体集積回路を製造する場合を例示するが、本発明は種々の半導体集積回路に適用可能である。
図６Ａに示すように、半導体ウエハからなる基板３ｓは、例えば、円板状のｎ−型Ｓｉ単結晶である。基板３ｓの上に、マスク合わせ用のウエハアライメントマーク（不図示）を形成する。このウエハアライメントマークは、選択酸化工程を付加して、ウエル形成時に形成することも可能である。
続いて、基板３ｓの上に、酸化膜１７を形成し、そして、酸化膜１７の上に、インプラ（イオン・インプランテーションの略称）マスク用のレジストパターン１８を通常の光リソグラフィを用いて形成する。その後、Ｐ（リン）またはＡｓをイオン注入して、ｎ型ウエル６ｎを形成する。
次に、アッシング処理を行ってレジスト１８を除去し、酸化膜１７を除去した後、図６Ｂに示すように、基板３ｓの上に、酸化膜１９を形成し、そして、酸化膜１９の上に、インプラマスク用のレジストパターン２０を通常の光リソグラフィを用いて形成する。その後、Ｂ（ホウ素）をイオン注入して、ｐ型ウエル６ｐを形成する。
次に、アッシング処理を行ってレジスト２０を除去し、酸化膜１９を除去した後、図６Ｃに示すように、基板３ｓの上に、例えば、酸化シリコン膜からなる分離用フィールド絶縁膜７を、溝型アイソレーションの形状で形成する。なお、アイソレーション方法としてＬＯＣＯＳ(Local Oxidization of Silicon)法を用いてもよい、
このアイソレーション形状は、例えば、最小寸法がウエハ上で３６ｎｍと小さく、寸法精度が３．５ｎｍと厳しい値が要求される。そのため、このアイソレーション作製時のリソグラフィとして、ＥＵＶリソグラフィを用いることができ、その際、上述したレジスト表面改質処理を適用できる。
フィールド絶縁膜７によって囲まれた活性領域には、ｎＭＩＳトランジスタＱｎとｐＭＩＳトランジスタＱｐが形成される。各トランジスタのゲート絶縁膜８は、例えば、酸化シリコン膜からなり、熱酸化法などで形成される。各トランジスタのゲート電極９は、例えば、最小寸法がウエハ上で３２ｎｍと小さく、寸法精度が３ｎｍと厳しい値が要求される。そのため、例えば、ＣＶＤ法等を用いて低抵抗ポリシリコンからなるゲート形成膜を堆積した後、ＥＵＶリソグラフィを用いてレジストを形成し、エッチング処理によりゲート電極９を形成する。その際、上述したレジスト表面改質処理を適用できる。
ｎＭＩＳトランジスタＱｎの半導体領域１０は、ゲート電極９をマスクとして基板３ｓに、例えば、Ｐ（リン）またはＡｓをイオン注入することにより、ゲート電極９に対して自己整合的に形成される。ｐＭＩＳトランジスタＱｐの半導体領域１１は、ゲート電極９をマスクとして基板３ｓに、例えば、Ｂ（ホウ素）をイオン注入することにより、ゲート電極９に対して自己整合的に形成される。
ゲート電極９は、低抵抗ポリシリコンの単体膜に限られず、例えば、低抵抗ポリシリコンの上に、タングステンシリサイドやコバルトシリサイドなどのシリサイド膜を形成した、いわゆるポリサイド構造としてもよい。あるいは、低抵抗ポリシリコンの上に、窒化チタンや窒化タングステン等のバリア導体膜を介在し、さらにタングステン等の金属膜を形成した、いわゆるポリメタル構造としてもよい。
次に、図６Ｄに示すように、基板３ｓの上に、例えば、ＣＶＤ法等を用いて酸化シリコン膜からなる層間絶縁膜１２を堆積した後、層間絶縁膜１２の上に配線用のポリシリコン膜を堆積する。続いて、このポリシリコン膜に対してリソグラフィを実施し、エッチングによりパターニングを行った後、ポリシリコン膜の所定領域に不純物を導入することにより、配線１３Ｌ，１３Ｒを形成する。
次に、図６Ｅに示すように、基板３ｓの上に、例えば、ＣＶＤ法等を用いて酸化シリコン膜１４を堆積する。そして、層間絶縁膜１２および酸化シリコン膜１４に対してＥＵＶリソグラフィを用いてレジストを形成し、エッチング処理により、半導体領域１０，１１および配線１３Ｌの一部が露出するような接続孔１５を形成する。
接続孔１５の開口径は、例えば、４５ｎｍと小さいため、ＥＵＶリソグラフィを適用する。このとき、通常のレジスト処理を行い、上述したレジスト表面改質処理は適用しない。その理由は、接続孔１５のパターンは、それほど密集しておらず、パターン倒れが発生しにくいからである。但し、接続孔１５の開口径が２８ｎｍ程度に極端に小さい場合は、マイクロ膨潤現象によって非開口不良になる可能性がある。その場合は、上述したレジスト表面改質処理を適用することによって、歩留まりを向上させることができる。
次に、図６Ｆに示すように、基板３ｓの上に、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法等を用いてＴｉ（チタン）、ＴｉＮおよびＷ（タングステン）からなる金属膜を順次堆積した後、その金属膜の上に、ＥＵＶリソグラフィを用いてレジストを形成し、エッチング処理により、第１配線層１６Ｌ１を形成する。配線ピッチは、例えば、６４ｎｍと小さいため、ＥＵＶリソグラフィを適用する。その際、上述したレジスト表面改質処理を適用することによって、高い密度で微細なパターンであっても、レジストパターンの倒れを防止できることから、この配線工程の歩留まりを向上できる。
これ以降も、第１配線層１６Ｌ１と同様にして第２配線層（不図示）等を形成することにより、最終製品を製造することができる。
以上の説明では、ＣＭＩＳ回路に適用した場合を例示したが、これに限定されず、例えば、ＳＲＡＭ(Static Random Access Memory)またはフラッシュメモリ(EEPROM: Electric Erasable Read Only Memory)などのメモリ回路を有する半導体集積回路、上記メモリ回路と論理回路とを同一基板に混載したタイプの半導体集積回路、配線基板装置、磁気記録装置など、各種の半導体装置にも本発明は適用可能である。特に、メモリ回路をを有する半導体集積回路では、多数のライン系微細密集パターンを採用しているため、レジストパターンの倒れが発生しやすく、本発明による効果をより発揮することができる。
このようにアイソレーション工程、ゲート工程および配線工程などに本発明に係るレジスト表面改質処理を適用することによって、微細パターンであっても、従来のようなパターン倒れを防止することができ、しかも基板面内の現像均一性および寸法均一性を確保することができる。その結果、半導体集積回路等の半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
また、全てのリソグラフィ工程のうち、パターン倒れ防止効果がより発揮できる工程のみに本発明を選択的に適用することにより、リソグラフィ工程のスループットの低下を最小限に抑えることが可能であり、製造コストの増加を極力抑制できる。
実施の形態３．
図７Ａ〜図７Ｄは、レジスト処理工程の他の例を示す断面図である。まず図７Ａに示すように、ウエハＷの上にレジストを塗布し、通常の熱処理を行ってレジスト膜１０２を形成する。なお、光リソグラフィの場合、レジスト塗布前に、ＢＡＲＣ(Bottom Anti-Reflective Coating)などの反射防止膜を形成しておく。一方、ＥＵＶリソグラフィの場合は、反射防止膜は不要である。
図７Ａ〜図７Ｄは、レジスト処理工程の他の例を示す断面図である。まず図７Ａに示すように、ウエハＷの上にレジストを塗布し、通常の熱処理を行ってレジスト膜１０２を形成する。なお、光リソグラフィの場合、レジスト塗布前に、ＢＡＲＣ(Bottom Anti-Reflective Coating)などの反射防止膜を形成しておく。一方、ＥＵＶリソグラフィの場合は、反射防止膜は不要である。
ここで、レジストとして、実施の形態１と同様に、現像液撥水性のレジスト材料を使用する。例えば、現像液に対する接触角が６５度以上となるレジスト材料を使用することが好ましい。なお本実施形態では、現像液としてアルカリ水溶液を使用している。
次に、図７Ｂに示すように、レジスト膜１０２の表面上に、アルカリ水溶液可溶性の薄膜１０６を塗布形成するオーバーコート処理を行う。薄膜１０６の厚さは、例えば、１０ｎｍ程度であるが、表面の現像液濡れ性を確保できるのであれば、１０ｎｍより薄い厚さ、例えば、５ｎｍ程度でも構わない。但し、薄膜１０６が厚くなり過ぎると、露光光の吸収が生ずる可能性があることから、１０ｎｍ程度の膜厚が好ましい。
薄膜１０６の材料は、例えば、水溶性フルオロアルコール膜であり、現像液との接触角は１０度以下になる。現像液との接触角は小さいほど好ましいが、２０度以下であれば安定した効果が得られる。
図７Ａと図７Ｂに示す工程は、図３のレジスト処理設備１２１において実施され、その後、ウエハＷは、搬送機構１２４およびロードロックローダー部１２２ｂを経由して露光処理部１２２ａへ搬入される。
次に、レジスト膜１０２に対する露光を行う。図７Ｃに示すように、所望のパターンを持つマスクパターンを投影光学系で投影した露光光１０３を、レジスト膜１０２に照射する。波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を用いた場合、真空下での露光となる。露光したウエハＷは、図３のレジスト処理設備１２１へ搬入される。
次に、現像液としてアルカリ水溶液を使用して、露光したレジスト膜１０２の現像を行うと、図７Ｄに示すようなレジストパターン１０７が得られる。レジスト膜１０２は、現像液撥水性のレジスト材料で形成されているため、レジスト側壁では現像液が浸透しにくい。しかし、レジスト膜１０２の上面は、薄膜１０６の存在によって現像液に対する接触角が小さくなり、現像液になじむ性質に変化している。そのため、ウエハ面での高い現像均一性および寸法均一性を確保しつつ、レジスト側壁でのマイクロ膨潤を抑制し、図２に示したようなレジストパターンの倒れを確実に防止することができる。
このように本実施形態によれば、微細パターンであっても、従来のようなパターン倒れを防止することができ、しかも基板面内の現像均一性および寸法均一性を確保することができる。その結果、半導体集積回路等の半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
特に、本実施形態では、薄膜１０６のオーバーコート処理は大気下で実施することが可能であるため、通常のリソグラフィ装置へ追加が簡便である。
以上の説明では、加工対象となる基板として半導体ウエハを例示して説明したが、各種の半導体、金属、ガラス基板等の誘電体などにも本発明は適用可能である。
本発明は、微細かつ高精度なパターンを含む半導体装置を高い生産効率で製造できる点で、産業上極めて有用である。
Claims (6)
- 加工対象となる基板または膜の上に、表層の現像液に対する接触角が６５度以上となる現像液撥水性の材料からなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対して所望のパターンの露光を行う工程と、
前記レジスト膜の上面の表層のみを酸化処理することによって、該上面の表層のみを親水性化する工程と、
前記酸化工程の後、前記レジスト膜に対して現像液を用いて現像処理を行い、レジストパターンを形成する工程と、を含み、
前記酸化工程は、減圧下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 加工対象となる基板または膜の上に、表層の現像液に対する接触角が６５度以上となる現像液撥水性の材料からなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対して所望のパターンの露光を行う工程と、
前記レジスト膜の上面の表層のみを酸化処理することによって、該上面の表層のみを親水性化する工程と、
前記酸化工程の後、前記レジスト膜に対して現像液を用いて現像処理を行い、レジストパターンを形成する工程と、を含み、
前記酸化工程は、酸素分圧が２０％以上の減圧下で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 加工対象となる基板または膜の上に、表層の現像液に対する接触角が６５度以上となる現像液撥水性の材料からなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対して所望のパターンの露光を行う工程と、
前記レジスト膜の上面の表層のみを酸化処理することによって、該上面の表層のみを親水性化する工程と、
前記酸化工程の後、前記レジスト膜に対して現像液を用いて現像処理を行い、レジストパターンを形成する工程と、を含み、
前記露光工程は、露光光としてＥＵＶ光を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 加工対象となる基板または膜の上に、表層の現像液に対する接触角が６５度以上となる現像液撥水性の材料からなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対して所望のパターンの露光を行う工程と、
前記レジスト膜の上面の表層のみを酸化処理することによって、該上面の表層のみを親水性化する工程と、
前記酸化工程の後、前記レジスト膜に対して現像液を用いて現像処理を行い、レジストパターンを形成する工程と、を含み、
前記露光工程および前記酸化工程は、両工程間で大気に戻すことなく実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 加工対象となる基板または膜の上に、表層の現像液に対する接触角が６５度以上となる現像液撥水性の材料からなるレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に対して所望のパターンの露光を行う工程と、
前記レジスト膜の上面の表層のみを酸化処理することによって、該上面の表層のみを親水性化する工程と、
前記酸化工程の後、前記レジスト膜に対して現像液を用いて現像処理を行い、レジストパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 加工対象となる基板または膜の上に、表層が現像液に対する接触角が６５度以上であるレジスト膜が設けられた試料に対して、真空下で所望のパターンの露光を行うための露光処理部と、
前記レジスト膜の上面の表層のみに対して、減圧下で酸化処理し、現像液に対する接触角が２０度以下であるように改質するためのレジスト改質部と、
前記露光処理部と前記レジスト改質部との間で、大気に戻すことなく前記試料を搬送するための搬送機構とを備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2007247125 | 2007-09-25 | ||
| JP2007247125 | 2007-09-25 | ||
| PCT/JP2008/066646 WO2009041306A1 (ja) | 2007-09-25 | 2008-09-16 | 半導体装置の製造方法および装置ならびにレジスト材料 |
| JP2009534285A JP5295968B2 (ja) | 2007-09-25 | 2008-09-16 | 半導体装置の製造方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2009041306A1 JPWO2009041306A1 (ja) | 2011-01-27 |
| JP5295968B2 true JP5295968B2 (ja) | 2013-09-18 |
Family
ID=40511193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009534285A Active JP5295968B2 (ja) | 2007-09-25 | 2008-09-16 | 半導体装置の製造方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100209855A1 (ja) |
| JP (1) | JP5295968B2 (ja) |
| TW (1) | TW200921297A (ja) |
| WO (1) | WO2009041306A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP4967004B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2012-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | レジスト塗布現像装置およびレジスト塗布現像方法 |
| JP5275275B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2013-08-28 | 株式会社東芝 | 基板処理方法、ｅｕｖマスクの製造方法、ｅｕｖマスクおよび半導体装置の製造方法 |
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| JP6089667B2 (ja) * | 2012-12-13 | 2017-03-08 | 大日本印刷株式会社 | レジスト付きフォトマスクブランクスの製造方法、および、フォトマスクの製造方法 |
| JP6881120B2 (ja) * | 2017-07-19 | 2021-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
| WO2019225702A1 (ja) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | セントラル硝子株式会社 | パターン膜付き基板の製造方法および含フッ素共重合体 |
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2008
- 2008-09-15 TW TW097135318A patent/TW200921297A/zh unknown
- 2008-09-16 WO PCT/JP2008/066646 patent/WO2009041306A1/ja active Application Filing
- 2008-09-16 JP JP2009534285A patent/JP5295968B2/ja active Active
- 2008-09-16 US US12/678,977 patent/US20100209855A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2009041306A1 (ja) | 2009-04-02 |
| JPWO2009041306A1 (ja) | 2011-01-27 |
| TW200921297A (en) | 2009-05-16 |
| US20100209855A1 (en) | 2010-08-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120410 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120607 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121009 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130109 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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