JP4649919B2 - ステンシルマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
S. D. Berger et.al., Applied Physics Letters,57, 153 (1990))。
図1(a)〜(e)を参照して、本発明の一実施例に係るステンシルマスクの製造工程について説明する。
原料ガス:メタン(50sccm)、水素(445sccm)、
窒素(5sccm)
基板温度:820℃
反応圧力:80Torr
MWパワー:2.5kW
膜厚 :1μm。
原料ガス:シラン(5sccm)、アンモニア(20sccm)、水素(250sccm)
反応圧力:1Torr
高周波パワー:180W
基板温度:150℃
膜厚:500nm。
反応圧力:30mTorr
高周波パワー:300W
続いて、図1(e)に示すように、RIEにより、上記窒化シリコン膜パターン6をマスクとして、ダイヤモンド膜2をエッチングし、マスク母体7を形成した。RIE条件は下記の通りである。
反応圧力:30mTorr
高周波パワー:300W
最後に、フッ酸を用いて室温にて窒化シリコン膜パターン6をエッチング剥離し、図1(e)に示すようなステンシルマスクを完成した。
Claims (1)
- 基板上に、炭化水素、水素、及び0.5%以上の窒素源ガスを含む原料ガスを用い、かつ1kW以上のマイクロ波プラズマを用いたプラズマCVD法により窒素を含むダイヤモンド膜を形成する工程、
前記ダイヤモンド膜上に窒化シリコン膜を形成する工程、
前記基板の裏面をフォトリソグラフィーとエッチングを用いて加工して、開口を有するステンシルマスク基体を形成する工程、
前記窒化シリコン膜上に有機レジストパターンを形成する工程、
前記有機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記窒化シリコン膜をエッチングし、窒化シリコンパターンを形成する工程、
前記窒化シリコンパターンをエッチングマスクとして用いて、前記ダイヤモンド膜をエッチングし、ダイヤモンドマスク母体を形成する工程、及び
前記窒化シリコンパターンを除去する工程、とを備え、
前記窒化シリコン膜をエッチングするにあたり、
エッチングガスにC2F6を含み、
前記窒化シリコンパターンを除去するにあたり、フッ酸を用いること
を特徴とするステンシルマスクの製造方法。
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