JP4783169B2 - ドライエッチング方法、微細構造形成方法、モールド及びその製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の第1の実施形態に係るドライエッチング方法について、図面を参照しながら説明する。
以下、本発明の第2の実施形態に係るドライエッチング方法について、図面を参照しながら説明する。本実施形態のドライエッチング方法が第1の実施形態と異なる点は、「弗素原子を含むガス」と「窒素原子を含むガス」と「炭化水素分子を含むガス」とからなる混合ガスに「水素原子を含むガス」(例えば水素分子又はアンモニア分子)をさらに加えてプラズマを生成することによって、タングステン及び炭素を主成分とする物質をドライエッチングすることである。
以下、本発明の第3の実施形態に係るドライエッチング方法について、図面を参照しながら説明する。本実施形態のドライエッチング方法が第1の実施形態と異なる点は、「弗素原子を含むガス」と「窒素原子を含むガス」と「炭化水素分子を含むガス」とからなる混合ガスに「塩素原子を含むガス」、「臭素原子を含むガス」又は「ヨウ素原子を含むガス」の少なくとも1つをさらに加えてプラズマを生成することによって、タングステン及び炭素を主成分とする物質をドライエッチングすることである。すなわち、本実施形態においては、プラズマ中には「弗素原子を含むイオン」、「窒素原子を含むイオン」及び「炭化水素分子」に加えて、「塩素原子を含むイオン」、「臭素原子を含むイオン」又は「ヨウ素原子を含むイオン」が生成される。
以下、本発明の第4の実施形態に係る微細構造形成方法及びそれを用いたモールドの製造方法について、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態は、第1〜第3の実施形態で説明したドライエッチング方法を応用するものである。
以下、本発明の第5の実施形態に係るモールドについて、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態に係るモールドは、第4の実施形態で説明したモールドの製造方法によって得られたものである。
2 ガス供給口
3 ガス排気口
4 プラズマ発生装置
5 絶縁体
6 電極
7 WC基板
8 RF電源
9、9’ ラジカル
10、10’ イオン
11 WC基板
12 レジストパターン
13a、13b、13c イオン
14a 側壁保護膜
14b 表面保護膜
15 Hs +イオン
16 Nq +イオン
17a、17b、17c イオン
21 WC合金基板
22 レジストパターン
23 イオン
24a、24b 側壁保護膜
31 下地基板
31a 金属又は導電性物質からなる基板
31b 縁物物質からな基板
31c 半導体物質からなる基板
32 タングステンと炭素とを含む物体
50 プラズマ
Claims (37)
- タングステンと炭素とを含む物体に対して、弗素原子を含むガスと窒素原子を含むガスと飽和炭化水素分子を含むガスとからなる混合ガスから生成されたプラズマを用いてエッチングを行い、前記物体に垂直側壁又は順テーパー側壁を有する凹凸パターンを形成することを特徴とするドライエッチング方法。
- 請求項1に記載のドライエッチング方法において、
前記弗素原子を含むガス及び前記窒素原子を含むガスに代えて、弗素原子と窒素原子とを含むガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1に記載のドライエッチング方法において、
前記弗素原子を含むガスは、弗素分子、フルオロカーボン若しくはフルオロハイドロカーボンのいずれか又はそれらの2つ以上の混合物からなることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1に記載のドライエッチング方法において、
前記窒素原子を含むガスは、窒素分子若しくはアンモニア分子のいずれか又はそれらの混合物であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1に記載のドライエッチング方法において、
前記飽和炭化水素分子はCH 4 又はC 2 H 6 であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1に記載のドライエッチング方法において、
前記混合ガスには水素分子又はアンモニア分子がさらに混合されていることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1に記載のドライエッチング方法において、
前記混合ガスには酸素原子を含むガスがさらに混合されていることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1に記載のドライエッチング方法において、
前記混合ガスには希ガスがさらに混合されていることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1に記載のドライエッチング方法において、
前記混合ガスには、塩素原子を含むガス、臭素原子を含むガス又はヨウ素原子を含むガスの少なくとも1つがさらに混合されていることを特徴とするドライエッチング方法。 - タングステンと炭素とを含む物体上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンを用いて、弗素原子を含むガスと窒素原子を含むガスと飽和炭化水素分子を含むガスとからなる混合ガスから生成されたプラズマにより前記物体に対してドライエッチングを行い、前記物体に垂直側壁又は順テーパー側壁を有する凹凸パターンを形成する工程とを備えていることを特徴とする微細構造形成方法。 - 請求項10に記載の微細構造形成方法において、
前記弗素原子を含むガス及び前記窒素原子を含むガスに代えて、弗素原子と窒素原子とを含むガスを用いることを特徴とする微細構造形成方法。 - 請求項10に記載の微細構造形成方法において、
前記弗素原子を含むガスは、弗素分子、フルオロカーボン若しくはフルオロハイドロカーボンのいずれか又はそれらの2つ以上の混合物からなることを特徴とする微細構造形成方法。 - 請求項10に記載の微細構造形成方法において、
前記窒素原子を含むガスは、窒素分子若しくはアンモニア分子のいずれか又はそれらの混合物であることを特徴とする微細構造形成方法。 - 請求項10に記載の微細構造形成方法において、
前記飽和炭化水素分子はCH 4 又はC 2 H 6 であることを特徴とする微細構造形成方法。 - 請求項10に記載の微細構造形成方法において、
前記混合ガスには水素分子又はアンモニア分子がさらに混合されていることを特徴とする微細構造形成方法。 - 請求項10に記載の微細構造形成方法において、
前記混合ガスには酸素原子を含むガスがさらに混合されていることを特徴とする微細構造形成方法。 - 請求項10に記載の微細構造形成方法において、
前記混合ガスには希ガスがさらに混合されていることを特徴とする微細構造形成方法。 - 請求項10に記載の微細構造形成方法において、
前記混合ガスには、塩素原子を含むガス、臭素原子を含むガス又はヨウ素原子を含むガスの少なくとも1つがさらに混合されていることを特徴とする微細構造形成方法。 - 弗素原子を含むガスと窒素原子を含むガスと飽和炭化水素分子を含むガスとからなる混合ガスから生成されたプラズマを用いて、タングステンと炭素とを含む物体を、垂直側壁又は順テーパー側壁を有する凹凸パターンを備えたモールドに加工することを特徴とするモールドの製造方法。
- 請求項19に記載のモールドの製造方法において、
前記弗素原子を含むガス及び前記窒素原子を含むガスに代えて、弗素原子と窒素原子とを含むガスを用いることを特徴とするモールドの製造方法。 - 請求項19に記載のモールドの製造方法において、
前記弗素原子を含むガスは、弗素分子、フルオロカーボン若しくはフルオロハイドロカーボンのいずれか又はそれらの2つ以上の混合物からなることを特徴とするモールドの製造方法。 - 請求項19に記載のモールドの製造方法において、
前記窒素原子を含むガスは、窒素分子若しくはアンモニア分子のいずれか又はそれらの混合物であることを特徴とするモールドの製造方法。 - 請求項19に記載のモールドの製造方法において、
前記飽和炭化水素分子はCH 4 又はC 2 H 6 であることを特徴とするモールドの製造方法。 - 請求項19に記載のモールドの製造方法において、
前記混合ガスには水素分子又はアンモニア分子がさらに混合されていることを特徴とするモールドの製造方法。 - 請求項19に記載のモールドの製造方法において、
前記混合ガスには酸素原子を含むガスがさらに混合されていることを特徴とするモールドの製造方法。 - 請求項19に記載のモールドの製造方法において、
前記混合ガスには希ガスがさらに混合されていることを特徴とするモールドの製造方法。 - 請求項19に記載のモールドの製造方法において、
前記混合ガスには、塩素原子を含むガス、臭素原子を含むガス又はヨウ素原子を含むガスの少なくとも1つがさらに混合されていることを特徴とするモールドの製造方法。 - 弗素原子を含むガスと窒素原子を含むガスと飽和炭化水素分子を含むガスとからなる混合ガスから生成されたプラズマを用いて、タングステンと炭素とを含む物体に、垂直側壁又は順テーパー側壁を有する凹凸パターンを成形加工することにより製造されたことを特徴とするモールド。
- 請求項28に記載のモールドにおいて、
前記弗素原子を含むガス及び前記窒素原子を含むガスに代えて、弗素原子と窒素原子とを含むガスを用いることを特徴とするモールド。 - 請求項28に記載のモールドにおいて、
前記弗素原子を含むガスは、弗素分子、フルオロカーボン若しくはフルオロハイドロカーボンのいずれか又はそれらの2つ以上の混合物からなることを特徴とするモールド。 - 請求項28に記載のモールドにおいて、
前記窒素原子を含むガスは、窒素分子若しくはアンモニア分子のいずれか又はそれらの混合物であることを特徴とするモールド。 - 請求項28に記載のモールドにおいて、
前記飽和炭化水素分子はCH 4 又はC 2 H 6 であることを特徴とするモールド。 - 請求項28に記載のモールドにおいて、
前記混合ガスには水素分子又はアンモニア分子がさらに混合されていることを特徴とするモールド。 - 請求項28に記載のモールドにおいて、
前記混合ガスには酸素原子を含むガスがさらに混合されていることを特徴とするモールド。 - 請求項28に記載のモールドにおいて、
前記混合ガスには希ガスがさらに混合されていることを特徴とするモールド。 - 請求項28に記載のモールドにおいて、
前記混合ガスには、塩素原子を含むガス、臭素原子を含むガス又はヨウ素原子を含むガスの少なくとも1つがさらに混合されていることを特徴とするモールド。 - 請求項28に記載のモールドにおいて、
前記物体における成形加工面に近い領域ほど窒素含有量が高いことを特徴とするモールド。
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