CN116133495B - 一种碳基传感芯片的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种碳基传感芯片的制备方法，在碳基传感器芯片的制备过程中通过首先引入保护层，根据各层金属的沉积需求，按照所需的形状进行逐步剥离以提供各层金属生长空间，为碳纳米管层提供最大限度的保护，能够防止碳纳米管在制备过程中免受损伤，防止了碳基材料在工艺过程中的漂移和脱落，并且保护层可作为干法刻蚀的硬掩模保护层，提高批量生产的稳定性与可靠性，还能防止了光刻胶在碳纳米管层上的残留。
Description
技术领域
本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种碳基传感芯片的制备方法。
背景技术
半导体型碳纳米管具有高载流子迁移率、极低的本征电容、超高热导率、易于三维异质集成等一系列优点，是构建新一代高速、低功耗CMOS技术的理想沟道材料。但是由于碳管、碳纳米线、石墨烯等碳基材料容易从衬底基片脱落，工艺过程中可能会出现碳基材料的漂移和沉降，且传统等离子体刻蚀工艺会对碳基材料造成严重损伤，碳基器件的制作存在着不稳定性。
发明内容
鉴于此，本发明实施例提供了一种碳基传感芯片的制备方法，以消除或改善现有技术中存在的一个或更多个缺陷，解决现有技术在碳基传感芯片制造过程中碳基材料容易脱落、漂移和沉降的问题。
本发明的技术方案如下：
本发明提供一种碳基传感芯片的制备方法，包括：
获取衬底层，在所述衬底层上通过半导体型碳纳米管溶液沉积得到碳纳米管层；
在碳纳米管层上沉积保护层，所述保护层为铝层、氧化铝层或氧化钇层；
在所述保护层上涂布第一光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和湿法刻蚀，以按照第一设定形状剥离所述保护层，暴露出相应位置的所述碳纳米管层；
采用电子束镀膜仪蒸镀上预设金属以构建源漏电极；
采用Lift-off工艺剥离剩余第一光刻胶层以及上面所依附的预设金属；
在顶部涂布第二光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和湿法刻蚀，以按照第二设定形状剥离边缘的所述保护层；
通过干法刻蚀所述碳纳米管层以形成有源区，再通过Lift-off工艺剥离剩余的所述第二光刻胶层，并采用指定刻蚀液去除剩余的所述保护层；
采用原子沉积法生长设定厚度的氧化钽、氧化硅、氧化钇或氧化铪作为栅氧层；
在顶部涂布第三光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和干法刻蚀，以按照第三设定形状剥离部分栅氧层，露出所述预设金属作为连接电极；
采用Lift-off工艺剥离剩余的所述第三光刻胶层；
在顶部涂布第四光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和刻蚀，以按照第四设定形状暴露出部分所述栅氧层，采用电子束镀膜仪蒸镀金颗粒镀膜构建连接层，剥离剩余的所述第四光刻胶层；
采用SU8光刻胶钝化作为器件保护层，并暴露出测试所需的所述预设金属和所述连接层部分。
在一些实施例中，在碳纳米管层上沉积保护层，包括：
所述保护层为铝层，采用电子束镀膜的方式沉积所述铝层，所述铝层的厚度小于等于30nm。
在一些实施例中，在碳纳米管层上沉积保护层，包括：
所述保护层为氧化铝层，采用单原子层沉积工艺沉积所述氧化铝层，所述氧化铝层的厚度小于等于30nm。
在一些实施例中，在碳纳米管层上沉积保护层，包括：所述保护层为氧化钇层时，采用电子束镀膜的方式沉积设定厚度的金属钇层，对所述金属钇层进行热氧化，温度为270℃，氧化时间至少半小时，得到所述氧化钇层。
在一些实施例中，若所述保护层为铝层或氧化铝层，则通过延长显影时长15~50秒以刻蚀剥离所述保护层；若所述保护层为氧化钇层，则通过预设浓度稀盐酸浸泡刻蚀55~100秒以剥离所述保护层，所述稀盐酸中盐酸与水的比例为1:25。
在一些实施例中，采用电子束镀膜仪蒸镀上预设金属以构建源漏电极，包括：采用电子束镀膜仪依次蒸镀上钯层与金层作为源漏电极金属，其中，所述钯层作为接触金属，所述金层作为引线，所述钯层与所述金层的厚度至少为40nm。
在一些实施例中，所述第一光刻胶层为LOR 3A胶或S1813胶。
在一些实施例中，通过干法刻蚀所述碳纳米管层以形成有源区中，采用氧气作为刻蚀气体，使用40~80W刻蚀功率刻蚀60s。
在一些实施例中，在顶部涂布第三光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和干法刻蚀，以按照第三设定形状剥离部分栅氧层，露出所述预设金属作为连接电极，包括：选用ALD原子层沉积系统，以氩气或六氟化硫作为蚀刻气体按照第三设定形状剥离部分栅氧层，功率选用180w，刻蚀持续200秒。
在一些实施例中，所述金颗粒镀膜的厚度为0.6~1nm。
本发明的有益效果至少是：
本发明所述碳基传感芯片的制备方法，在碳基传感器芯片的制备过程中通过首先引入保护层，根据各层金属的沉积需求，按照所需的形状进行逐步剥离以提供各层金属生长空间，为碳纳米管层提供最大限度的保护，能够防止碳纳米管在制备过程中免受损伤，防止了碳基材料在工艺过程中的漂移和脱落，并且保护层可作为干法刻蚀的硬掩模保护层，提高批量生产的稳定性与可靠性，还能防止了光刻胶在碳纳米管层上的残留。
本发明的附加优点、目的，以及特征将在下面的描述中将部分地加以阐述，且将对于本领域普通技术人员在研究下文后部分地变得明显，或者可以根据本发明的实践而获知。本发明的目的和其它优点可以通过在书面说明及其权利要求书以及附图中具体指出的结构实现到并获得。
本领域技术人员将会理解的是，能够用本发明实现的目的和优点不限于以上具体所述，并且根据以下详细说明将更清楚地理解本发明能够实现的上述和其他目的。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明的限定。在附图中：
图1为本发明一实施例所述碳基传感芯片的制备方法中沉积保护层的示意图。
图2为本发明一实施例所述碳基传感芯片的制备方法中基于MF319溶液显影刻蚀以按照第一设定形状剥离所述保护层的示意图。
图3为本发明一实施例所述碳基传感芯片的制备方法中蒸镀预设金属以构建源漏电极的示意图。
图4为本发明一实施例所述碳基传感芯片的制备方法中剥离剩余第一光刻胶层以及上面所依附的预设金属后的示意图。
图5为本发明一实施例所述碳基传感芯片的制备方法中基于MF319溶液显影刻蚀以按照第二设定形状剥离边缘的保护层的示意图。
图6为本发明一实施例所述碳基传感芯片的制备方法中通过干法刻蚀碳纳米管层以形成有源区并剥离第二光刻胶层的示意图。
图7为本发明一实施例所述碳基传感芯片的制备方法中采用原子沉积法生长栅氧层的示意图。
图8为本发明一实施例所述碳基传感芯片的制备方法中光刻图形干法刻蚀以按照第三设定形状剥离部分栅氧层的示意图。
图9为本发明一实施例所述碳基传感芯片的制备方法中剥离剩余的第三光刻胶层的示意图。
图10为本发明一实施例所述碳基传感芯片的制备方法中光刻图形化、显影和刻蚀，以按照第四设定形状暴露出部分栅氧层，并蒸镀金颗粒镀膜的示意图。
图11为本发明一实施例所述碳基传感芯片的制备方法中剥离剩余的第四光刻胶层的示意图。
图12为本发明一实施例所述碳基传感芯片的制备方法中采用SU8光刻胶钝化作为器件保护层的示意图。
图13（a）和图13（b）为原始碳纳米管层未进行工艺加工的扫描电镜图像。
图14（a）和图14（b）为无保护层情况下碳纳米管层进行工艺加工后的扫描电镜图像。
图15（a）和图15（b）为有保护层情况下碳纳米管层进行工艺加工后的扫描电镜图像。
图16（a）和图16（b）使用保护层前后所制备期间的转移特性曲线图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施方式和附图，对本发明做进一步详细说明。在此，本发明的示意性实施方式及其说明用于解释本发明，但并不作为对本发明的限定。
在此，还需要说明的是，为了避免因不必要的细节而模糊了本发明，在附图中仅仅示出了与根据本发明的方案密切相关的结构和/或处理步骤，而省略了与本发明关系不大的其他细节。
应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、要素、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、要素、步骤或组件的存在或附加。
在此，还需要说明的是，如果没有特殊说明，术语“连接”在本文不仅可以指直接连接，也可以表示存在中间物的间接连接。
针对碳基传感器芯片在制备过程中，碳基材料容易发生损伤、脱落的问题，本发明引入含保护层的制备工艺，对于碳基材料上不需要进行沉浸的位置利用保护层进行保护，在制备过程中通过逐步剥离保护层进行金属沉积，以防止碳基材料损伤和剥离。
具体的，本发明提供一种碳基传感芯片的制备方法，包括步骤S101~S112：
步骤S101：获取衬底层，在衬底层上通过半导体型碳纳米管溶液沉积得到碳纳米管层。
步骤S102：如图1所示，在碳纳米管层上沉积保护层，保护层为铝层、氧化铝层或氧化钇层。
步骤S103：如图2所示，在保护层上涂布第一光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和湿法刻蚀，以按照第一设定形状剥离所述保护层，暴露出相应位置的碳纳米管层。
步骤S104：如图3所示，采用电子束镀膜仪蒸镀上预设金属以构建源漏电极。
步骤S105：如图4所示，采用Lift-off工艺剥离剩余第一光刻胶层以及上面所依附的预设金属。
步骤S106：如图5所示，在顶部涂布第二光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和湿法刻蚀，以按照第二设定形状剥离边缘的保护层。
步骤S107：如图6所示，通过干法刻蚀碳纳米管层以形成有源区，再通过Lift-off工艺剥离剩余的第二光刻胶层，并采用指定刻蚀液去除剩余的保护层。
步骤S108：如图7所示，采用原子沉积法生长设定厚度的氧化钽、氧化硅、氧化钇或氧化铪作为栅氧层。
步骤S109：如图8所示，在顶部涂布第三光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和干法刻蚀，以按照第三设定形状剥离部分栅氧层，露出预设金属作为连接电极。
步骤S110：如图9所示，采用Lift-off工艺剥离剩余的第三光刻胶层。
步骤S111：如图10所示，在顶部涂布第四光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和刻蚀，以按照第四设定形状暴露出部分栅氧层，采用电子束镀膜仪蒸镀金颗粒镀膜构建连接层；如图11所示，剥离剩余的第四光刻胶层。
步骤S112：如图12所示，采用SU8光刻胶钝化作为器件保护层，并暴露出测试所需的预设金属和连接层部分。
在步骤S101中，所采用的衬底可以是氧化硅衬底，也可以根据具体场景需求设置其他材料的绝缘衬底，例如：氮化硅、氮化铝以及氧化铍等。本发明中，所采用的碳纳米管层是由化学分离方法得到高半导体纯度碳纳米管溶液直接沉积得到，碳纳米管溶液制备所使用的碳纳米管可以通过现有技术进行制备，也可以直接采购成品，分离过程使用分散剂为9-(1-octylonoyl)-9H-carbazole-2, 7-diyl (PCz)。
在步骤S102中，本发明所采用的保护层可以采用铝层、氧化铝层或氧化钇层，也可以根据具体场景的需求设置其他材料的保护层，应当理解为，在具体应用场景中根据特定工艺需求的选用保护层的材料。
在一些实施例中，在碳纳米管层上沉积保护层，包括：保护层为铝层，采用ALD电子束镀膜的方式沉积铝层，铝层的厚度小于等于30nm。
在一些实施例中，在碳纳米管层上沉积保护层，包括：保护层为氧化铝层，采用单原子层沉积工艺沉积氧化铝层，氧化铝层的厚度小于等于30nm。
在一些实施例中，在碳纳米管层上沉积保护层，包括：保护层为氧化钇层时，采用电子束镀膜的方式沉积设定厚度的金属钇层，该设定厚度控制在3nm左右，对金属钇层进行热氧化，温度为270℃，氧化时间至少半小时，得到氧化钇层。
在步骤S103~S105中，为了构建源漏电极，通过对第一光刻胶层进行光刻图形化、显影和湿法刻蚀，剥离出相应位置的保护层，暴露出碳纳米管层，用于沉积预设金属。其中，第一设定形状就是需要沉积预设金属用于构建源漏电极的位置。
在一些实施例中，若保护层为铝层或氧化铝层，则通过延长显影时长15~50秒以刻蚀剥离保护层；若保护层为氧化钇层，则通过预设浓度稀盐酸浸泡刻蚀55~100秒以剥离所述保护层，稀盐酸中盐酸与水的比例为1:25。
在一些实施例中，采用电子束镀膜仪蒸镀上预设金属以构建源漏电极，包括：采用电子束镀膜仪依次蒸镀上钯层与金层作为源漏电极金属，其中，钯层作为接触金属，金层作为引线，钯层与金层的厚度至少为40nm。在一些实施例中，第一光刻胶层为LOR 3A胶或S1813胶。
进一步的，采用remove PG溶液去除光刻胶和光刻胶上的金属。
同理，在步骤S106~S107中，为了形成有源区，基于重新涂布的第二光刻胶层，光刻图形化、显影和湿法刻蚀剥离边缘保护层，暴露出全部的沉积金属和碳纳米管层。其中第二设定形状就是位于所要去除的边缘保护层的形状。
在一些实施例中，通过干法刻蚀所述碳纳米管层以形成有源区中，采用氧气作为刻蚀气体，使用40~80W刻蚀功率刻蚀60s。
在S108~S110中，沉积栅氧层，栅氧层是用来把栅极与下方源极、漏极以及源漏极间导电沟道隔离开来的氧化介质层。
在一些实施例中，步骤S109在顶部涂布第三光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和干法刻蚀，以按照第三设定形状剥离部分栅氧层，露出所述预设金属作为连接电极，包括：选用ALD原子层沉积系统，以氩气或六氟化硫作为蚀刻气体按照第三设定形状剥离部分栅氧层，功率选用180w，刻蚀持续200秒。
在S111中，蒸镀金颗粒镀膜构建连接层，第四设定形状就是需要构建连接层的位置。在一些实施例中，金颗粒镀膜的厚度为0.6~1nm，保证金金属不成膜，呈颗粒状。
在S112中，构建器件保护层，完成最终的制造。
其中，步骤S101~S112中，显影液可以采用MF319。
下面结合附图进行具体说明：
在原始碳片上沉积保护层（氧化铝，铝，氧化钇等）薄膜，氧化铝可以使用ALD进行沉积，厚度需控制在30nm以下；铝可以使用电子束镀膜的方式沉积薄膜，厚度控制在30nm以下；氧化钇则需要先使用电子束镀膜的方式沉积金属钇，厚度控制在3nm左右，之后再将碳片放在热板或其他加热设备中，对碳片上的金属Y进行热氧化，温度270℃，氧化半小时以上，最终得到氧化钇保护层，如图1。然后对碳片进行光刻图形化步骤，这里我们使用LOR 3A和S1813两款光刻胶来作为光刻图层，根据对应使用指南选择合适参数使用，我们选择膜厚1~2um的相应参数进行工艺，图形化完成之后，再做保护层的刻蚀，铝和氧化铝保护层只需要增长10~30秒显影时间便可以完成刻蚀；氧化钇保护层则需要配置配比为（盐酸：水=1:20）的稀盐酸溶液，浸泡刻蚀55~100秒；保护层去除后便露出需要形成金-半接触部分的碳管，如图2。再使用电子束镀膜仪依次蒸镀上钯与金作为源漏电极金属，钯为接触金属，金作引线作用，金属厚度都需要在40nm以上，如图3。镀膜完成后使用remove PG溶液去除光刻胶和光刻胶上的金属层，如图4。重复光刻步骤，去除保护层，然后进行干法刻蚀，刻蚀掉碳管形成有源区，这里我们使用氧气作为刻蚀气体，使用40~80W刻蚀功率刻蚀60s，再进行lift-off工艺除去光刻胶，之后再使用对应刻蚀液将最后的保护层除去，如图5、6。
结束上述步骤后，将碳片转入电子束长3nmY 270摄氏度氧化至少半小时，磁控溅射长3~10nm 氧化硅/氮化钽/氧化钇、ALD原子层沉积系统中生长3~10nm氧化铪（HfO2）作为栅氧层，如图7。之后重复光刻步骤，然后对栅氧层进行干法刻蚀，露出连接电极，氧化铪、氧化硅、氮化钽的刻蚀气体我们选用Ar2与SF6，功率选用180w，刻蚀持续200秒，如图8。重复lift-off工艺与光刻步骤，然后使用电子束镀膜仪蒸镀上金颗粒，作为linker层，提供结合位点，金镀膜厚度控制在0.6~1nm之间，保证金金属不成膜，呈颗粒状，如图9、10。重复lift-off工艺，如图11。最后使用SU8光刻胶作为钝化保护层，保护成型后的器件，只露出测试需要部分，如图12。
碳管仅由氢键吸附在衬底上，作用力小，对外力抵抗差，而基于碳管稳定的材料结构，不易出现性质改变，使得我们可以在碳管的表面覆盖上一层与衬底结合力更强的膜层来压盖住碳管，把碳管保护起来，隔绝外力影响，极大的增强了碳片的抵抗力。然后在保护层的去除方面使用湿法刻蚀，保护层与对应刻蚀液反应，溶解到溶液中，不带入外力破坏碳管与衬底的吸附，最大程度上保持碳片状态。
氧化铝作为双性氧化物，既可溶于稀酸，也可以溶于强碱性溶液，铝也同样。MF319溶液的主要成分为四甲基氢氧化铵（TMAH），强碱性溶液，可与氧化铝与铝进行反应，溶解氧化铝和铝。而氧化铝和铝在MF 319溶液中的刻蚀速率高于LOR 3A在溶液中的溶解速率，所以可以在不过多损失光刻图形质量的情况下，同时进行氧化铝和铝的湿法刻蚀。氧化钇的湿法刻蚀则可以使用稀盐酸进行刻蚀。
在制备过程中，通过保护层的保护，能够有效防止碳纳米管层漂移、脱落和损伤。
如图13（a）和图13（b）所示，未进行过工艺的20K倍的原始碳片SEM图像，碳管密集，无漂移、堆叠与脱落现象。图14（a）为无保护层情况下，进行工艺后的20K倍碳管SEM图像，可以看出碳管出现了漂移与堆叠的现象；图14（b）为无保护层情况下以碳管为沟道材料的器件有源区的1K倍SEM图像，有源区碳管已出现了脱落现象。图15（a）为有保护层情况下进行工艺后的20K倍碳管SEM图像，图15（b）为有保护层情况下以碳管为沟道材料的器件有源区的20K倍SEM图像，对比原始碳片SEM图像可以看到两者碳管状态几乎无差别，密度相差无几，也未发生漂移、堆叠与脱落现象。
如图16（a）和图16（b）所示，两表为使用保护层工艺后所进行的电学测试数据图像，图16（a）为未使用保护层工艺所测得的20个器件的转移特性曲线，图16（b）为使用保护层工艺后所测得的70个器件的转移特性曲线，横坐标为栅极电压值，单位为伏特（V），纵坐标为漏极测得电流值，单位为安培（A），当栅极电压为-0.6V时，器件开启，对比两图可以发现在使用保护层工艺后，器件的开态电流分布的更为均匀且电流值也更大；而在-0.6V~0.6V栅压工作区域内，在使用保护层工艺后器件呈现出更为完美的开关特性，分布更为均匀，因此，在使用保护层工艺后，4寸晶圆内的器件均匀性有了明显的提升，器件制备的成功率也大大提高。
综上所述，本发明所述碳基传感芯片的制备方法，在碳基传感器芯片的制备过程中通过首先引入保护层，根据各层金属的沉积需求，按照所需的形状进行逐步剥离以提供各层金属生长空间，为碳纳米管层提供最大限度的保护，能够防止碳纳米管在制备过程中免受损伤，防止了碳基材料在工艺过程中的漂移和脱落，并且保护层可作为干法刻蚀的硬掩模保护层，提高批量生产的稳定性与可靠性，还能防止了光刻胶在碳纳米管层上的残留。
本发明中，针对一个实施方式描述和/或例示的特征，可以在一个或更多个其它实施方式中以相同方式或以类似方式使用，和/或与其他实施方式的特征相结合或代替其他实施方式的特征。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明实施例可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种碳基传感芯片的制备方法，其特征在于，包括：
获取衬底层，在所述衬底层上通过半导体型碳纳米管溶液沉积得到碳纳米管层；
在碳纳米管层上沉积保护层，所述保护层为铝层或氧化铝层；
在所述保护层上涂布第一光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和湿法刻蚀，以按照第一设定形状剥离所述保护层，暴露出相应位置的所述碳纳米管层；其中，通过延长显影时长15~50秒以刻蚀剥离所述保护层；
采用电子束镀膜仪蒸镀上预设金属以构建源漏电极；
采用Lift-off工艺剥离剩余第一光刻胶层以及上面所依附的预设金属；
在顶部涂布第二光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和湿法刻蚀，以按照第二设定形状剥离边缘的所述保护层；其中，通过延长显影时长15~50秒以刻蚀剥离所述保护层；
通过干法刻蚀所述碳纳米管层以形成有源区，再通过Lift-off工艺剥离剩余的所述第二光刻胶层，并采用指定刻蚀液去除剩余的所述保护层；
采用原子沉积法生长设定厚度的氧化钽、氧化硅、氧化钇或氧化铪作为栅氧层；在顶部涂布第三光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和干法刻蚀，以按照第三设定形状剥离部分栅氧层，露出所述预设金属作为连接电极；
采用Lift-off工艺剥离剩余的所述第三光刻胶层；
在顶部涂布第四光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和刻蚀，以按照第四设定形状暴露出部分所述栅氧层，采用电子束镀膜仪蒸镀金颗粒镀膜构建连接层，剥离剩余的所述第四光刻胶层；
采用SU8光刻胶钝化作为器件保护层，并暴露出测试所需的所述预设金属和所述连接层部分。
2.根据权利要求1所述的碳基传感芯片的制备方法，其特征在于，在碳纳米管层上沉积保护层，包括：
所述保护层为铝层，采用电子束镀膜的方式沉积所述铝层，所述铝层的厚度小于等于30nm。
3.根据权利要求1所述的碳基传感芯片的制备方法，其特征在于，在碳纳米管层上沉积保护层，包括：
所述保护层为氧化铝层，采用单原子层沉积工艺沉积所述氧化铝层，所述氧化铝层的厚度小于等于30nm。
4.根据权利要求1所述的碳基传感芯片的制备方法，其特征在于，采用电子束镀膜仪蒸镀上预设金属以构建源漏电极，包括：
采用电子束镀膜仪依次蒸镀上钯层与金层作为源漏电极金属，其中，所述钯层作为接触金属，所述金层作为引线，所述钯层的厚度至少为40nm，所述金层的厚度至少为40nm。
5. 根据权利要求1所述的碳基传感芯片的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层为LOR 3A胶或S1813胶。
6.根据权利要求1所述的碳基传感芯片的制备方法，其特征在于，通过干法刻蚀所述碳纳米管层以形成有源区中，采用氧气作为刻蚀气体，使用40~80W刻蚀功率刻蚀60s。
7.根据权利要求1所述的碳基传感芯片的制备方法，其特征在于，在顶部涂布第三光刻胶层，并进行光刻图形化、显影和干法刻蚀，以按照第三设定形状剥离部分栅氧层，露出所述预设金属作为连接电极，包括：
选用ALD原子层沉积系统，以氩气或六氟化硫作为蚀刻气体按照第三设定形状剥离部分栅氧层，功率选用180w，刻蚀持续200秒。
8.根据权利要求1所述的碳基传感芯片的制备方法，其特征在于，所述金颗粒镀膜的厚度为0.6~1nm。
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