JP4631004B2 - ナノギャップ電極の製造方法 - Google Patents
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Description
数値シミュレーションを行い,FIBエッチングにより形成されるギャップ幅を評価した。シミュレーションは,27nmのAuの上層と1.6nmのTiの下層から構成される二層電極構造について,ストリング・セグメント・モデル[A.R. Neureuther, C.Y. Liu, C.H. Ting, J. Vac. Sci. Technol. 16 (1979) 1767]を用いて行った。なお,このシミュレーションにおいては金属の再堆積効果を無視し,AuのTiに対する相対的なエッチング率の比は8とした。図5(A)および図5(B)に,各々4nmと12nmのビーム径(半値全幅)のFIBを仮定し,シミュレートしたエッチングのプロファイルを示す。図5(C)は,ギャップ幅をビーム照射量の関数として表したものである(横軸の照射量は,下のTi層が除去される最小の照射量で規格化している)。これらのシミュレーション結果から,ビームの照射量を精密に制御することで,4nmまたは12nmのビーム径のFIBを用いて,各々2nmまたは4nmよりさらに狭いギャップの形成(たとえば,1nm)が可能であるということが分かった。したがって,エッチング工程をその場観察し,また,その場観察に基づき自動的にFIBをブランキングさせることは、ビームスポット径よりも狭い幅のナノギャップ電極を形成するためには好ましいといえる。
図6は,エッチング工程中に測定した試料電流波形である。電流波形に見られる段差は,FIBの位置的なずれの修正のために,エッチングを定期的に中断したことにより生じたものである。図6(A)に,ナノワイヤ形成工程における電流波形,図6(B)に,ナノギャップ形成工程における電流波形を示す。図6(A)に示されるように,ナノワイヤの形成過程においては,FIB照射後およそ100秒で電流の急速な減少が見られ,その後130秒から緩やかな減少になる。この急速な減少はナノワイヤ形成のエッチングの最終段階であることを示し,緩やかな減少は,FIBのガウス分布および指数関数型ビームのボケによるビーム裾によりナノワイヤの両端がエッチングされ,幅が減少するためである。ナノワイヤ形成のエッチングは,電流の緩やかな減少が観察された後に手動で終了した。ナノギャップ形成工程のエッチングは,自動的なビームのブランキングにより120nAの電流で終了させた。挿入図は,スポットマーカー観察によるエッチングの中断がないときに測定した電流波形,およびエッチング深さの関数として数値シミュレートした電流波形を示す(エッチング深さはエッチング時間に対応する)。電流波形は,挿入図に示すようにシミュレーションにより正確に再現できることが分かる。
図10に,実施例において作製された14個のナノギャップ電極の抵抗値のヒストグラムを示す。観測された最も高い抵抗値は約80GΩで,ほとんどのギャップは数GΩより高い抵抗値を示した。単一分子の電気伝導特性の測定には,ナノギャップ電極は1GΩ以上の絶縁抵抗を有することが望ましい。観測された高い抵抗値と本技法の単純な製造方法により,単ー分子の電気伝導特性測定に関する用途を期待できる。しかし,伝導率の低いさまざまな分子に適用するためには,今後さらに抵抗値の増加させることが望まれる。
2 集束イオンビーム装置
3 電圧源
4 電流計
5 補助的なビームブランキング回路
6 コンピュータ
7 電極
8 ビームブランキング電源
20 線電極部
21 線電極部の長さ
22 線電極部の幅
23,24 リード電極部
30 細線電極部
31 細線電極部の長さ
32 細線電極部の幅
40 ギャップ電極
41 ギャップ
51 アンド回路
52 比較回路
Claims (2)
- 基板上に電極を形成する工程と,
前記電極を,幅2μm〜10μmの線電極部と,前記線電極部の両端に位置するパッド電極部とを含む電極に成形する工程と,
前記パッド電極部に電圧を印加し,前記2つのパッド電極部間を流れる電流値を測定しつつ,集束イオンビームを用いて前記線電極部の一部をスパッタエッチングすることにより,幅10nm〜100nm,長さ50nm〜400nmの細線電極部を形成する工程と,
前記細線電極部を切断して,当該細線電極部に1nm〜10nmのギャップを形成する工程と
を含み,
前記細線電極部を形成する工程では,
前記測定中の電流に急速な減少が見られたときを前記スパッタエッチングの最終段階として,前記細線電極部の形成が終了される,
ギャップ電極の製造方法。
- 請求項1に記載のギャップ電極の製造方法によってギャップ電極を製造するための製造システムであって,
集束イオンビームを用いたスパッタエッチングにより電極をエッチングするための集束イオンビーム装置と,
前記電極に電圧を印加するための電圧源と,
前記電極に流れる電流値を測定するための電流計と,
前記電流計が測定した電流値に応じて前記集束イオンビーム装置によるスパッタエッチングを制御するためのビームブランキング回路を具備する制御装置とを具備するギャップ電極の製造システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005054191A JP4631004B2 (ja) | 2005-02-28 | 2005-02-28 | ナノギャップ電極の製造方法 |
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JP (1) | JP4631004B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007201211A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | National Institute Of Information & Communication Technology | ナノギャップ電極の製造方法 |
KR100845004B1 (ko) | 2007-04-30 | 2008-07-09 | 삼성전자주식회사 | 나노 갭을 갖는 금속막 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한분자크기의 소자 제조 방법 |
JP4544340B2 (ja) | 2008-01-24 | 2010-09-15 | ソニー株式会社 | 電子素子およびその製造方法並びに記憶装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6215833A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工方法および装置 |
JPH0264644A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビーム装置 |
JP2000091314A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-31 | Canon Inc | 集束イオンビーム加工装置 |
JP2004247203A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | National Institute Of Information & Communication Technology | ナノギャップ電極の製造方法 |
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JPS6215833A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-24 | Hitachi Ltd | イオンビ−ム加工方法および装置 |
JPH0264644A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Seiko Instr Inc | 集束イオンビーム装置 |
JP2000091314A (ja) * | 1998-09-07 | 2000-03-31 | Canon Inc | 集束イオンビーム加工装置 |
JP2004247203A (ja) * | 2003-02-14 | 2004-09-02 | National Institute Of Information & Communication Technology | ナノギャップ電極の製造方法 |
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