JP4487035B2 - ダイヤモンド膜のパターン形成方法 - Google Patents
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Description
窒素(5sccm)
基板温度:820℃
反応圧力:80Torr
MWパワー:2.5kW
膜厚 :1μm。
反応圧力:1Torr
高周波パワー:180W
基板温度:150℃
膜厚:500nm。
反応圧力:30mTorr
高周波パワー:300W
続いて、図1(d)に示すように、RIEにより、上記無機レジストパターン5をマスクとして、ダイヤモンド膜2をエッチングし、パターン6を形成した。RIE条件は下記の通りである。
反応圧力:30mTorr
高周波パワー:300W
最後に、図1(e)に示すように、フッ酸を用いて室温にて無機レジストパターン5をエッチングにより除去し、ダイヤモンドパターン6を完成した。
Claims (7)
- 基体上にダイヤモンド膜を成膜した基板を用意する工程、
前記ダイヤモンド膜上に窒化シリコンパターンを形成する工程、及び
前記窒化シリコンパターンをエッチングマスクとして用いて、酸素系ガスにハロゲン系ガスを添加したエッチングガスによるドライエッチングによって、前記ダイヤモンド膜をエッチングし、ダイヤモンド膜をパターニングする工程
を少なくとも具備することを特徴とするダイヤモンド膜のパターン形成方法。 - 前記窒化シリコンパターンは、前記ダイヤモンド膜上に、窒化シリコン層を形成し、前記窒化シリコン層上に有機レジスト層を形成した後、リソグラフィーによりパターニングし、有機レジストパターンを形成し、前記有機レジストパターンをエッチングマスクとして用いて、前記窒化シリコン層をエッチングすることにより形成されることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド膜のパターン形成方法。
- 前記ダイヤモンド膜をエッチングする工程において、前記ドライエッチングは反応性イオンエッチングであることを特徴とする請求項1又は2に記載のダイヤモンド膜のパターン形成方法。
- 前記ダイヤモンド膜をエッチングする工程において、エッチングガスは、酸素系ガスにハロゲン系ガスを0.05%以上10%以下添加したものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のダイヤモンド膜のパターン形成方法。
- 前記ハロゲン系ガスが、フッ化炭素、フッ化硫黄、フッ化窒素、塩化炭素、及び塩素からなる群から選ばれた少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のダイヤモンド膜のパターン形成方法。
- 前記ダイヤモンド膜は、炭化水素、水素、及び窒素源ガスを含む原料ガスを用いたプラズマCVD法により形成されたことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のダイヤモンド膜のパターン形成方法。
- 前記窒素源ガスは、窒素ガス又はアンモニアガスであることを特徴とする請求項6に記載のダイヤモンド膜のパターン形成方法。
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