JP4911743B2 - 電気化学素子及びその製造方法 - Google Patents
電気化学素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4911743B2 JP4911743B2 JP2004264225A JP2004264225A JP4911743B2 JP 4911743 B2 JP4911743 B2 JP 4911743B2 JP 2004264225 A JP2004264225 A JP 2004264225A JP 2004264225 A JP2004264225 A JP 2004264225A JP 4911743 B2 JP4911743 B2 JP 4911743B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond film
- diamond
- electrode
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
図1を参照して、本発明の一実施例に係るダイヤモンド膜の製造方法について説明する。
原料ガス:メタン(50sccm)、水素(445sccm)、
窒素(5sccm)
基板温度:820℃
反応圧力:80Torr
MWパワー:2.5kW
膜厚 :1μm。
図2を参照して、本発明の他の実施例に係る電気化学素子の製造方法について説明する。
窒素(5sccm)
基板温度:820℃
反応圧力:80Torr
MWパワー:2.5kW
膜厚 :1μm。
基板温度:250℃
反応圧力:1Torr
RFパワー:180W。
次いで、フォトレジスト(東京応化工業製OFPR)を膜厚1.2μmに塗布後、g線により露光、現像し、フォトレジストパターン15(線幅5μm)を形成した。
基板温度:室温
反応圧力:0.03Torr
RFパワー:300W。
基板温度:室温
反応圧力:0.03Torr
RFパワー:300W。
Claims (4)
- 一対以上の電極を備え、電極表面の酸化還元反応を利用して、被測定物質の種類及び/又は濃度を検知、計測するための電気化学素子であって、前記電極の少なくとも1つの表面が、プラズマCVD法により成膜された、3×1018cm−3以上1×10 19 cm −3 以下の窒素を含み、10〜30nmの自乗平均表面粗さを有するダイヤモンド膜からなることを特徴とする電気化学素子。
- 一対以上の電極を備え、電極表面の酸化還元反応を利用して、被測定物質の種類及び/又は濃度を検知、計測するための電気化学素子の製造方法であって、前記電極の少なくとも1つの表面が、3×1018cm−3以上1×10 19 cm −3 以下の窒素を含み、10〜30nmの自乗平均表面粗さを有するダイヤモンド膜からなる電気化学素子において、前記電極の少なくとも1つの表面に、炭化水素、水素、及び0.5%以上の窒素源ガスを含む原料ガスを用いたプラズマCVD法によりダイヤモンド膜を成膜する工程を具備することを特徴とする電気化学素子の製造方法。
- 基体上にダイヤモンド膜を成膜する工程に続いて、リソグラフィー法または電子線リソグラフィー法により、前記ダイヤモンド膜を任意の形状にパターンニングする工程を更に備えることを特徴とする請求項2に記載の電気化学素子の製造方法。
- 前記プラズマCVD法は、1kW以上のマイクロ波プラズマを用いて行うことを特徴とする請求項2又は3に記載の電気化学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004264225A JP4911743B2 (ja) | 2004-09-10 | 2004-09-10 | 電気化学素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004264225A JP4911743B2 (ja) | 2004-09-10 | 2004-09-10 | 電気化学素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006076851A JP2006076851A (ja) | 2006-03-23 |
JP4911743B2 true JP4911743B2 (ja) | 2012-04-04 |
Family
ID=36156622
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004264225A Expired - Fee Related JP4911743B2 (ja) | 2004-09-10 | 2004-09-10 | 電気化学素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4911743B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4978858B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2012-07-18 | 学校法人東京理科大学 | ダイヤモンド電極及びこれを備えたセンサ |
JP2008063607A (ja) * | 2006-09-06 | 2008-03-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド被覆基板、電気化学的処理用電極、電気化学的処理方法及びダイヤモンド被覆基板の製造方法 |
US9034200B2 (en) | 2007-01-22 | 2015-05-19 | Element Six Limited Technologies Limited | Plasma etching of diamond surfaces |
JP4969415B2 (ja) * | 2007-11-08 | 2012-07-04 | 学校法人慶應義塾 | 電気化学式ガスセンサ、電気化学式ガスセンサに適した作用極、及び電気化学式ガスセンサを用いたアルシンの検出方法 |
JP4911410B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2012-04-04 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | ダイヤモンド微小電極およびその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2620252B2 (ja) * | 1987-09-17 | 1997-06-11 | 住友電気工業株式会社 | 窒素含有硬質炭素膜の製造方法 |
JP2633968B2 (ja) * | 1989-12-30 | 1997-07-23 | キヤノン株式会社 | ダイヤモンド被覆材及びその製造法 |
JP3374866B2 (ja) * | 1993-08-30 | 2003-02-10 | 住友電気工業株式会社 | 半導体ダイヤモンド及びその形成方法 |
JP4071833B2 (ja) * | 1993-09-10 | 2008-04-02 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド半導体デバイス |
JP4019812B2 (ja) * | 2002-06-24 | 2007-12-12 | 住友電気工業株式会社 | 導電性ダイヤモンド及び導電性ダイヤモンド形成方法 |
-
2004
- 2004-09-10 JP JP2004264225A patent/JP4911743B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006076851A (ja) | 2006-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101268272B1 (ko) | 나노 크리스탈 다이아몬드막, 그 제조 방법, 및 나노크리스탈 다이아몬드막을 이용한 장치 | |
Kim et al. | Significant enhancement of the sensing characteristics of In2O3 nanowires by functionalization with Pt nanoparticles | |
KR20080064150A (ko) | 침상 돌기 배열 구조를 표면에 가지는 다이아몬드의 제조방법,다이아몬드 재료,전극 및 전자 디바이스 | |
TW200538574A (en) | Nanocrystalline diamond film, method for manufacturing the same, and apparatus using the nanocrystalline diamond film | |
JP4639334B2 (ja) | ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法 | |
JP4911743B2 (ja) | 電気化学素子及びその製造方法 | |
Eichfeld et al. | Resistivity measurements of intentionally and unintentionally template-grown doped silicon nanowire arrays | |
Liu et al. | Carrier mobility enhancement on the H-terminated diamond surface | |
US6667102B1 (en) | Silicon layer highly sensitive to oxygen and method for obtaining same | |
TW201015623A (en) | Manufacturing method for semiconductor diamond-like carbon film | |
Sun et al. | Electrical characteristics of metal contacts to carbon nanowalls | |
Foord et al. | Electrochemical oxidation and reduction processes at diamond electrodes of varying phase purity | |
Cai et al. | Fabrication of gas sensor based on field ionization from SWCNTs with tripolar microelectrode | |
Kozak et al. | Enhancing nanocrystalline diamond surface conductivity by deposition temperature and chemical post‐processing | |
JP4487035B2 (ja) | ダイヤモンド膜のパターン形成方法 | |
Li et al. | Direct chemical vapor deposition of graphene on plasma-etched quartz glass combined with Pt nanoparticles as an independent transparent electrode for non-enzymatic sensing of hydrogen peroxide | |
Xu et al. | Scanning spreading resistance microscopy for electrical characterization of diamond interfacial layers | |
JP4157699B2 (ja) | pHセンサー | |
Dutta et al. | Influence of graphene growth temperature by chemical vapour deposition on the hydrogen response of palladium–graphene junction | |
JP2005005659A (ja) | ダイヤモンド積層基板、電気化学素子およびその製造方法 | |
CN117587381A (zh) | 一种纳米草金刚石膜的制备方法及作为高灵敏度电化学电极应用 | |
Chang et al. | The use of a multiple roughening scheme to enhance sensing performance of pH sensors with NiO nanosheets/multi-walled carbon nanotubes on KOH-etched Si substrates | |
JP4674353B2 (ja) | フッ素原子が導入された窒化ホウ素ナノチューブ及びその製造方法 | |
JP2000351615A (ja) | 炭化珪素体 | |
Sultan et al. | Fabrication and Characterisation of Resistive Nanocrystalline Graphite |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070719 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070719 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101130 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110531 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111220 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150127 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |