JP4639334B2 - ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法 - Google Patents
ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4639334B2 JP4639334B2 JP2005068629A JP2005068629A JP4639334B2 JP 4639334 B2 JP4639334 B2 JP 4639334B2 JP 2005068629 A JP2005068629 A JP 2005068629A JP 2005068629 A JP2005068629 A JP 2005068629A JP 4639334 B2 JP4639334 B2 JP 4639334B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diamond film
- diamond
- film
- ppm
- source gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
図1を参照して、本発明の一実施例に係るダイヤモンド膜の製造方法について説明する。
原料ガス:メタン(25sccm)、水素(470sccm)、窒素(5sccm)
(流量比;窒素/メタン=0.2)
基板温度:820℃
反応圧力:100Torr
MWパワー:2.0kW
膜厚 :1μm。
図2を参照して、本発明の他の実施例に係る電気化学素子の製造方法について説明する。
窒素(5sccm)
基板温度:820℃
反応圧力:80Torr
MWパワー:2.5kW
膜厚 :1μm。
原料ガス:シラン(流量5sccm)、アンモニア(流量20sccm)、
水素(流量175sccm)
基板温度:250℃
反応圧力:1Torr
RFパワー:180W
膜厚 :0.5μm。
エッチングガス:C2F6(流量32sccm)、水素(流量3sccm)
基板温度:室温
反応圧力:0.03Torr
RFパワー:300W。
原料ガス:O2(流量100sccm)
基板温度:室温
反応圧力:0.03Torr
RFパワー:300W。
Claims (8)
- 基体上に合成されてなる多結晶のダイヤモンド膜(ホウ素濃度が10000ppm以上、100000ppm以下のものを除く)であって、X線回折により得られる結晶面(220)と(111)とに対応するピークの強度比が、0.4以下であることを特徴とするダイヤモンド膜。
- 前記ダイヤモンド膜は、表面の平坦度が自乗平均表面粗さで50nm未満であることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド膜。
- 前記ダイヤモンド膜には、膜中に少なくとも窒素を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のダイヤモンド膜。
- 基体上に、炭化水素、水素、及び窒素源ガスを含む原料ガスを用い、かつ、炭化水素に対する窒素源ガスの流量比が0.06以上であるCVD法により成膜することを特徴とするダイヤモンド膜(ホウ素濃度が10000ppm以上、100000ppm以下のものを除く)の製造方法。
- 一対以上の電極を備え、電極表面の酸化還元反応を利用して、被測定物質の種類及び/又は濃度を検知、計測するための電気化学素子であって、前記電極の少なくとも1つの表面が、X線回折により得られる結晶面(220)と(111)とに対応するピークの強度比が、0.4以下であるダイヤモンド膜(ホウ素濃度が10000ppm以上、100000ppm以下のものを除く)からなることを特徴とする電気化学素子。
- 前記ダイヤモンド膜には、膜中に少なくとも窒素を含むことを特徴とする請求項5に記載の電気化学素子。
- 一対以上の電極を備え、電極表面の酸化還元反応を利用して、被測定物質の種類及び/又は濃度を検知、計測するための電気化学素子の製造方法であって、前記電極の少なくとも1つの表面に、炭化水素、水素、及び窒素源ガスを含む原料ガスを用い、かつ、炭化水素に対する窒素源ガスの流量比が0.06以上であるCVD法によりダイヤモンド膜(ホウ素濃度が10000ppm以上、100000ppm以下のものを除く)を成膜する工程を具備することを特徴とする電気化学素子の製造方法。
- 基体上にダイヤモンド膜を成膜する工程に続いて、フォトリソグラフィー法または電子線リソグラフィー法により、前記ダイヤモンド膜を任意の形状にパターンニングする工程を更に備えることを特徴とする請求項7に記載の電気化学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005068629A JP4639334B2 (ja) | 2005-03-11 | 2005-03-11 | ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005068629A JP4639334B2 (ja) | 2005-03-11 | 2005-03-11 | ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006250767A JP2006250767A (ja) | 2006-09-21 |
JP4639334B2 true JP4639334B2 (ja) | 2011-02-23 |
Family
ID=37091434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005068629A Expired - Fee Related JP4639334B2 (ja) | 2005-03-11 | 2005-03-11 | ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4639334B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB201104579D0 (en) * | 2011-03-18 | 2011-05-04 | Element Six Ltd | Diamond based electrochemical sensors |
JP2014129218A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-07-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド多結晶体およびその製造方法、ならびに工具 |
JP6827047B2 (ja) * | 2015-08-07 | 2021-02-10 | フラウンホーファー・ユー・エス・エイ・インコーポレイテッドFraunhofer Usa, Inc. | 導電性ダイヤモンド電極で微量金属を検出するための装置および方法 |
US20220127721A1 (en) * | 2020-10-23 | 2022-04-28 | Applied Materials, Inc. | Depositing Low Roughness Diamond Films |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63210010A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素作製方法 |
JPH0441672A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-12 | Tdk Corp | 高周波プラズマcvd法による炭素膜の形成法 |
JPH1183799A (ja) * | 1997-07-14 | 1999-03-26 | Imura Japan Kk | ダイヤモンド電極を用いた複数被測定物質の濃度測定方法および濃度センサ |
JP2000219597A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-08 | Applied Diamond:Kk | ダイヤモンド薄膜又はcbn、bcn若しくはcn薄膜、同薄膜の改質方法、同薄膜の改質及び形成方法並びに同薄膜の加工方法 |
JP2001226194A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-21 | Japan Science & Technology Corp | 微結晶ダイヤモンド薄膜の低温成膜法及び装置 |
JP2002118257A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド半導体装置 |
WO2004104272A1 (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ダイヤモンド被覆電極及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-03-11 JP JP2005068629A patent/JP4639334B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63210010A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 炭素作製方法 |
JPH0441672A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-12 | Tdk Corp | 高周波プラズマcvd法による炭素膜の形成法 |
JPH1183799A (ja) * | 1997-07-14 | 1999-03-26 | Imura Japan Kk | ダイヤモンド電極を用いた複数被測定物質の濃度測定方法および濃度センサ |
JP2000219597A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-08 | Applied Diamond:Kk | ダイヤモンド薄膜又はcbn、bcn若しくはcn薄膜、同薄膜の改質方法、同薄膜の改質及び形成方法並びに同薄膜の加工方法 |
JP2001226194A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-21 | Japan Science & Technology Corp | 微結晶ダイヤモンド薄膜の低温成膜法及び装置 |
JP2002118257A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Kobe Steel Ltd | ダイヤモンド半導体装置 |
WO2004104272A1 (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | ダイヤモンド被覆電極及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006250767A (ja) | 2006-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101268272B1 (ko) | 나노 크리스탈 다이아몬드막, 그 제조 방법, 및 나노크리스탈 다이아몬드막을 이용한 장치 | |
Auciello et al. | Review on advances in microcrystalline, nanocrystalline and ultrananocrystalline diamond films-based micro/nano-electromechanical systems technologies | |
Gruber et al. | A novel gas sensor design based on CH4/H2/H2O plasma etched ZnO thin films | |
Huang et al. | A facile synthesis of ZnO nanotubes and their hydrogen sensing properties | |
Mitra et al. | Template based growth of nanoscaled films: a brief review | |
CN105358482A (zh) | 具有超高载流子迁移率的石墨烯及其制备方法 | |
JP4639334B2 (ja) | ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法 | |
JP2004176132A (ja) | ナノダイヤモンド膜及びその製造方法 | |
Liu et al. | Carrier mobility enhancement on the H-terminated diamond surface | |
JP4911743B2 (ja) | 電気化学素子及びその製造方法 | |
Gautam et al. | Synthesis and characterization of transferable graphene by CVD method | |
Kozak et al. | Enhancing nanocrystalline diamond surface conductivity by deposition temperature and chemical post‐processing | |
Macpherson | The use of conducting diamond in electrochemistry | |
TW201015623A (en) | Manufacturing method for semiconductor diamond-like carbon film | |
JP4487035B2 (ja) | ダイヤモンド膜のパターン形成方法 | |
Pleskov et al. | Effect of crystal structure on the electrochemical behaviour of synthetic semiconductor diamond: Comparison of growth and a nucleation surfaces of a coarse-grained polycrystalline film | |
Nagasaka et al. | Growth rate and electrochemical properties of boron-doped diamond films prepared by hot-filament chemical vapor deposition methods | |
JP4157699B2 (ja) | pHセンサー | |
JP4287692B2 (ja) | 非晶質シリコンの化合物薄膜の応力評価方法 | |
CN108417618A (zh) | 一种Si衬底异质结构器件及其制备方法 | |
Dutta et al. | Influence of graphene growth temperature by chemical vapour deposition on the hydrogen response of palladium–graphene junction | |
Lee et al. | Scratch to sensitize: scratch-induced sensitivity enhancement in semiconductor thin-film sensors | |
Chang et al. | The use of a multiple roughening scheme to enhance sensing performance of pH sensors with NiO nanosheets/multi-walled carbon nanotubes on KOH-etched Si substrates | |
CN117587381A (zh) | 一种纳米草金刚石膜的制备方法及作为高灵敏度电化学电极应用 | |
Sultan et al. | Fabrication and Characterisation of Resistive Nanocrystalline Graphite |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080228 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100810 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101008 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101104 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |