JP2006250767A - ダイヤモンド膜、その製造方法、電気化学素子、及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基体上に合成されてなるダイヤモンド膜であって、X線回折により得られる結晶面(ミラー指数)が(220)と(111)とに対応するピークの強度比、すなわち(220)/(111)が、0.4以下であるダイヤモンド膜を提供する。このダイヤモンド膜は、基板上に、炭化水素、水素、及び窒素源ガスを含む原料ガスを用い、かつ、炭化水素に対する窒素源ガスの流量比が0.04以上であるCVD法により製造することができる。
【選択図】 図1
Description
図1を参照して、本発明の一実施例に係るダイヤモンド膜の製造方法について説明する。
原料ガス:メタン(25sccm)、水素(470sccm)、窒素(5sccm)
(流量比;窒素/メタン=0.2)
基板温度:820℃
反応圧力:100Torr
MWパワー:2.0kW
膜厚 :1μm。
図2を参照して、本発明の他の実施例に係る電気化学素子の製造方法について説明する。
窒素(5sccm)
基板温度:820℃
反応圧力:80Torr
MWパワー:2.5kW
膜厚 :1μm。
原料ガス:シラン(流量5sccm)、アンモニア(流量20sccm)、
水素(流量175sccm)
基板温度:250℃
反応圧力:1Torr
RFパワー:180W
膜厚 :0.5μm。
エッチングガス:C2F6(流量32sccm)、水素(流量3sccm)
基板温度:室温
反応圧力:0.03Torr
RFパワー:300W。
原料ガス:O2(流量100sccm)
基板温度:室温
反応圧力:0.03Torr
RFパワー:300W。
Claims (8)
- 基体上に合成されてなる多結晶のダイヤモンド膜であって、X線回折により得られる結晶面(220)と(111)とに対応するピークの強度比が、0.4以下であることを特徴とするダイヤモンド膜。
- 前記ダイヤモンド膜は、表面の平坦度が50nm未満であることを特徴とする請求項1に記載のダイヤモンド膜。
- 前記ダイヤモンド膜には、膜中に少なくとも窒素を含むことを特徴とする請求項1または2に記載のダイヤモンド膜。
- 基体上に、炭化水素、水素、及び窒素源ガスを含む原料ガスを用い、かつ、炭化水素に対する窒素源ガスの流量比が0.06以上であるCVD法により成膜することを特徴とするダイヤモンド膜の製造方法。
- 一対以上の電極を備え、電極表面の酸化還元反応を利用して、被測定物質の種類及び/又は濃度を検知、計測するための電気化学素子であって、前記電極の少なくとも1つの表面が、X線回折により得られる結晶面(220)と(111)とに対応するピークの強度比が、0.4以下であるダイヤモンド膜からなることを特徴とする電気化学素子。
- 前記ダイヤモンド膜には、膜中に少なくとも窒素を含むことを特徴とする請求項5に記載の電気化学素子。
- 一対以上の電極を備え、電極表面の酸化還元反応を利用して、被測定物質の種類及び/又は濃度を検知、計測するための電気化学素子の製造方法であって、前記電極の少なくとも1つの表面に、炭化水素、水素、及び窒素源ガスを含む原料ガスを用い、かつ、炭化水素に対する窒素源ガスの流量比が0.06以上であるCVD法によりダイヤモンド膜を成膜する工程を具備することを特徴とする電気化学素子の製造方法。
- 基体上にダイヤモンド膜を成膜する工程に続いて、フォトリソグラフィー法または電子線リソグラフィー法により、前記ダイヤモンド膜を任意の形状にパターンニングする工程を更に備えることを特徴とする請求項7に記載の電気化学素子の製造方法。
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