JP2003100583A - マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 - Google Patents
マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法Info
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- JP2003100583A JP2003100583A JP2001287407A JP2001287407A JP2003100583A JP 2003100583 A JP2003100583 A JP 2003100583A JP 2001287407 A JP2001287407 A JP 2001287407A JP 2001287407 A JP2001287407 A JP 2001287407A JP 2003100583 A JP2003100583 A JP 2003100583A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】パターンの位置ずれや歪みが少ないマスクおよ
びその製造方法と、微細パターンを高精度に形成できる
半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】互いに離れた複数の分割領域Ｄを含む薄膜
１０１と、分割領域Ｄの一部に形成された、荷電粒子線
（好適には電子線）が透過する孔１０３と、分割領域間
の薄膜１０１の一方の面に接するように形成された梁１
０２と、分割領域間の薄膜１０１の一部に形成された、
梁１０２に達する溝１０４と、分割領域以外の薄膜１０
１の他方の面に接するように形成された、薄膜を支持す
る支持枠１１２とを有するマスクおよびその製造方法
と、それを用いたリソグラフィ工程を含む半導体装置の
製造方法。
びその製造方法と、微細パターンを高精度に形成できる
半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】互いに離れた複数の分割領域Ｄを含む薄膜
１０１と、分割領域Ｄの一部に形成された、荷電粒子線
（好適には電子線）が透過する孔１０３と、分割領域間
の薄膜１０１の一方の面に接するように形成された梁１
０２と、分割領域間の薄膜１０１の一部に形成された、
梁１０２に達する溝１０４と、分割領域以外の薄膜１０
１の他方の面に接するように形成された、薄膜を支持す
る支持枠１１２とを有するマスクおよびその製造方法
と、それを用いたリソグラフィ工程を含む半導体装置の
製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、荷電粒子線転写型
リソグラフィに用いられるステンシルマスクおよびその
製造方法と、そのようなステンシルマスクをリソグラフ
ィ工程に用いる半導体装置の製造方法に関する。
リソグラフィに用いられるステンシルマスクおよびその
製造方法と、そのようなステンシルマスクをリソグラフ
ィ工程に用いる半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩの微細化に伴い、電子線転写型リ
ソグラフィ（ＥＰＬ；electron beamprojection lithog
raphy）の実用化が期待されている。実用化が進められ
ているＥＰＬとしては、ＩＢＭとニコンが共同開発して
いるＰＲＥＶＡＩＬ（projection exposure with varia
ble axis immersion lenses)（H. C. Pfeiffer他 Jour
nal of Vacuum Science and Technology B17 p.2840 (1
999)）が挙げられる。また、リープル、東京精密および
ソニーが共同開発しているＬＥＥＰＬ（lowenergy elec
tron-beam proximity projection lithography)（T. Ut
sumi, Journal of Vacuum Science and Technology B17
p.2897 (1999))が挙げられる。
ソグラフィ（ＥＰＬ；electron beamprojection lithog
raphy）の実用化が期待されている。実用化が進められ
ているＥＰＬとしては、ＩＢＭとニコンが共同開発して
いるＰＲＥＶＡＩＬ（projection exposure with varia
ble axis immersion lenses)（H. C. Pfeiffer他 Jour
nal of Vacuum Science and Technology B17 p.2840 (1
999)）が挙げられる。また、リープル、東京精密および
ソニーが共同開発しているＬＥＥＰＬ（lowenergy elec
tron-beam proximity projection lithography)（T. Ut
sumi, Journal of Vacuum Science and Technology B17
p.2897 (1999))が挙げられる。
【０００３】ＰＲＥＶＡＩＬ用マスクとしては、シリコ
ンからなる２μｍ厚の薄膜（メンブレン）に孔を開けて
パターンが形成されたステンシルマスクが提案されてい
る。ＬＥＥＰＬ用マスクとしては、シリコンまたはダイ
アモンドからなる５００ｎｍ厚のメンブレンに孔を開け
てパターンが形成されたステンシルマスクが提案されて
いる。
ンからなる２μｍ厚の薄膜（メンブレン）に孔を開けて
パターンが形成されたステンシルマスクが提案されてい
る。ＬＥＥＰＬ用マスクとしては、シリコンまたはダイ
アモンドからなる５００ｎｍ厚のメンブレンに孔を開け
てパターンが形成されたステンシルマスクが提案されて
いる。
【０００４】ＰＲＥＶＡＩＬは通常、４倍の縮小投影系
であり、１００ｋｅＶ程度の電子線が用いられる。ＰＲ
ＥＶＡＩＬ用ステンシルマスクを用いて露光を行う場
合、電子線が孔の開いた部分のみ無散乱で透過し、レジ
スト上に結像されて、パターンが転写される。一方、Ｌ
ＥＥＰＬは等倍投影系であり、例えば２ｋｅＶの電子線
が用いられる。ＬＥＥＰＬ用ステンシルマスクを用いて
露光を行う場合、電子線が孔の開いた部分のみ透過し、
パターンが等倍で転写される。
であり、１００ｋｅＶ程度の電子線が用いられる。ＰＲ
ＥＶＡＩＬ用ステンシルマスクを用いて露光を行う場
合、電子線が孔の開いた部分のみ無散乱で透過し、レジ
スト上に結像されて、パターンが転写される。一方、Ｌ
ＥＥＰＬは等倍投影系であり、例えば２ｋｅＶの電子線
が用いられる。ＬＥＥＰＬ用ステンシルマスクを用いて
露光を行う場合、電子線が孔の開いた部分のみ透過し、
パターンが等倍で転写される。
【０００５】ステンシルマスクのメンブレンには孔が形
成されるため、メンブレンの機械的強度が不足しやす
い。例えば、メンブレンに孔を開けるためのエッチング
工程や、電子線が照射される露光時には、特にメンブレ
ンにかかる負荷が大きくなる。そこで、メンブレンの一
部に、メンブレンを支持するための補強用梁を設けるこ
とが考えられる。
成されるため、メンブレンの機械的強度が不足しやす
い。例えば、メンブレンに孔を開けるためのエッチング
工程や、電子線が照射される露光時には、特にメンブレ
ンにかかる負荷が大きくなる。そこで、メンブレンの一
部に、メンブレンを支持するための補強用梁を設けるこ
とが考えられる。
【０００６】図７は、補強用梁を有するＬＥＥＰＬ用ス
テンシルマスクのメンブレン部分の断面図である。等倍
投影系のＬＥＥＰＬ用ステンシルマスクの場合、メンブ
レン２０１の大きさは、チップの大きさとほぼ同じ数ｍ
ｍ角程度となる。このようなメンブレン２０１が、例え
ば約１μｍ角以上の複数のメンブレン分割領域Ｄに分割
され、メンブレン分割領域Ｄ間を互いに分離するような
パターンで梁２０２が形成されている。
テンシルマスクのメンブレン部分の断面図である。等倍
投影系のＬＥＥＰＬ用ステンシルマスクの場合、メンブ
レン２０１の大きさは、チップの大きさとほぼ同じ数ｍ
ｍ角程度となる。このようなメンブレン２０１が、例え
ば約１μｍ角以上の複数のメンブレン分割領域Ｄに分割
され、メンブレン分割領域Ｄ間を互いに分離するような
パターンで梁２０２が形成されている。
【０００７】梁２０２が形成されていない部分のメンブ
レン２０１（メンブレン分割領域Ｄ）には、マスクパタ
ーンに対応した孔２０３が形成されている。メンブレン
２０１の材料としては、例えばシリコンやダイアモンド
が用いられる。梁２０２の材料としては、例えば窒化シ
リコン（ＳｉＮ）等が用いられる。梁２０２はメンブレ
ン２０１の一方の面に、例えば格子状に等間隔で設けら
れる。
レン２０１（メンブレン分割領域Ｄ）には、マスクパタ
ーンに対応した孔２０３が形成されている。メンブレン
２０１の材料としては、例えばシリコンやダイアモンド
が用いられる。梁２０２の材料としては、例えば窒化シ
リコン（ＳｉＮ）等が用いられる。梁２０２はメンブレ
ン２０１の一方の面に、例えば格子状に等間隔で設けら
れる。
【０００８】図８は、ＬＥＥＰＬ用ステンシルマスクの
断面図であり、図７のメンブレン部分を含む。図８に示
すように、ステンシルマスク２１１は支持枠（フレー
ム）２１２によって囲まれた所定の大きさのメンブレン
２０１を有する。フレーム２１２は、例えばシリコンウ
ェハにメンブレン２０１のパターンでエッチングを行う
ことにより形成される。
断面図であり、図７のメンブレン部分を含む。図８に示
すように、ステンシルマスク２１１は支持枠（フレー
ム）２１２によって囲まれた所定の大きさのメンブレン
２０１を有する。フレーム２１２は、例えばシリコンウ
ェハにメンブレン２０１のパターンでエッチングを行う
ことにより形成される。
【０００９】フレーム２１２は、メンブレン２０１の機
械的強度を補強し、ステンシルマスク２１１の製造時お
よび使用時におけるメンブレン２０１の破損を防止する
目的で設けられる。メンブレン分割領域Ｄ以外の部分の
メンブレン用層２０１ａの一方の面には、梁２０２と同
一の材料からなる支持層２０２ａが形成されている。
械的強度を補強し、ステンシルマスク２１１の製造時お
よび使用時におけるメンブレン２０１の破損を防止する
目的で設けられる。メンブレン分割領域Ｄ以外の部分の
メンブレン用層２０１ａの一方の面には、梁２０２と同
一の材料からなる支持層２０２ａが形成されている。
【００１０】図９は、図７のメンブレン２０１のメンブ
レン分割領域Ｄの一つを表す斜視図である。梁２０２に
よって支持されたメンブレン分割領域Ｄに、孔２０３が
所定のパターンで形成されている。ステンシルマスクの
メンブレンに弛みが生じると、露光により転写されるパ
ターンが歪むため、メンブレンは内部に引っ張り応力が
生じるように形成される。例えば、ダイアモンドメンブ
レンの場合、メンブレンが弛まないようにするために
は、３０ＭＰａ程度の内部応力が必要とされている。
レン分割領域Ｄの一つを表す斜視図である。梁２０２に
よって支持されたメンブレン分割領域Ｄに、孔２０３が
所定のパターンで形成されている。ステンシルマスクの
メンブレンに弛みが生じると、露光により転写されるパ
ターンが歪むため、メンブレンは内部に引っ張り応力が
生じるように形成される。例えば、ダイアモンドメンブ
レンの場合、メンブレンが弛まないようにするために
は、３０ＭＰａ程度の内部応力が必要とされている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来の構造のス
テンシルマスクにおいて、例えば、図１０の上面図に示
すように、メンブレン分割領域Ｄに大きい孔２０３ａを
形成すると、孔２０３ａ部分でメンブレン内部の引っ張
り応力が解放される。これにより、孔２０３ａ周囲のパ
ターン位置にずれが生じ、パターンが歪む。
テンシルマスクにおいて、例えば、図１０の上面図に示
すように、メンブレン分割領域Ｄに大きい孔２０３ａを
形成すると、孔２０３ａ部分でメンブレン内部の引っ張
り応力が解放される。これにより、孔２０３ａ周囲のパ
ターン位置にずれが生じ、パターンが歪む。
【００１２】例えば、パターンＩの本来の位置を点線２
０３ｂとすると、応力の解放によりパターンＩは矢印Ａ
の方向に移動する（実線２０３ｃ）。また、パターンＩ
Ｉの本来の位置を点線２０３ｄとすると、応力の解放に
よりパターンＩＩは矢印Ｂの方向に移動する（実線２０
３ｅ）。
０３ｂとすると、応力の解放によりパターンＩは矢印Ａ
の方向に移動する（実線２０３ｃ）。また、パターンＩ
Ｉの本来の位置を点線２０３ｄとすると、応力の解放に
よりパターンＩＩは矢印Ｂの方向に移動する（実線２０
３ｅ）。
【００１３】従来のステンシルマスクは、メンブレン２
０１が連続的に形成された構造であるため、大きい孔２
０３ａによる引っ張り応力の解放は、隣接するメンブレ
ン分割領域Ｄ1 にも影響を及ぼす。これにより、孔２０
３ａを含むメンブレン分割領域Ｄ0 だけでなく、隣接す
るメンブレン分割領域Ｄ1 でもパターン位置のずれやパ
ターンの歪みが起こる。
０１が連続的に形成された構造であるため、大きい孔２
０３ａによる引っ張り応力の解放は、隣接するメンブレ
ン分割領域Ｄ1 にも影響を及ぼす。これにより、孔２０
３ａを含むメンブレン分割領域Ｄ0 だけでなく、隣接す
るメンブレン分割領域Ｄ1 でもパターン位置のずれやパ
ターンの歪みが起こる。
【００１４】このような問題を低減するため、大きい孔
２０３ａによってメンブレン分割領域Ｄ0 に発生するパ
ターン歪みを計算し、近接するメンブレン分割領域Ｄ1
における孔２０３ｂ（＝２０３ｃ）、２０３ｄ（＝２０
３ｅ）の位置および大きさも考慮した上で、パターンが
決定されていた。したがって、シミュレーションが複雑
化し、計算時間の増大をもたらしていた。
２０３ａによってメンブレン分割領域Ｄ0 に発生するパ
ターン歪みを計算し、近接するメンブレン分割領域Ｄ1
における孔２０３ｂ（＝２０３ｃ）、２０３ｄ（＝２０
３ｅ）の位置および大きさも考慮した上で、パターンが
決定されていた。したがって、シミュレーションが複雑
化し、計算時間の増大をもたらしていた。
【００１５】また、メンブレン２０１が連続的であるこ
とから、ステンシルマスクに電子線を照射したとき、特
定のメンブレン分割領域Ｄで発生した熱が、隣接するメ
ンブレン分割領域Ｄにも伝播する。したがって、メンブ
レンの熱歪みによるパターン位置のずれやパターン形状
の歪みが、広範囲にわたって発生するという問題があっ
た。
とから、ステンシルマスクに電子線を照射したとき、特
定のメンブレン分割領域Ｄで発生した熱が、隣接するメ
ンブレン分割領域Ｄにも伝播する。したがって、メンブ
レンの熱歪みによるパターン位置のずれやパターン形状
の歪みが、広範囲にわたって発生するという問題があっ
た。
【００１６】ステンシルマスクは、マスク基材上に遮光
膜が形成されるメンブレンマスクと異なり、ドーナツ状
の配線パターンを１枚のマスクで形成できない。したが
って、ドーナツ状の配線パターンを形成する場合には、
複数のマスクを用いて多重露光を行い、高精度に位置合
わせする必要がある。
膜が形成されるメンブレンマスクと異なり、ドーナツ状
の配線パターンを１枚のマスクで形成できない。したが
って、ドーナツ状の配線パターンを形成する場合には、
複数のマスクを用いて多重露光を行い、高精度に位置合
わせする必要がある。
【００１７】また、メンブレン内に引っ張り応力をもた
せていることから、例えば長いライン状の配線パターン
を形成すると、パターン形状に異方性の歪みが生じる。
したがって、ステンシルマスクに形成できる配線パター
ンには、長さ制限がある。一定の長さを超えるライン状
のパターンを形成するためには、配線パターンがドーナ
ツ状でなくても、複数のマスクを用いて多重露光を行
い、パターンをつなぎ合わせる必要がある。
せていることから、例えば長いライン状の配線パターン
を形成すると、パターン形状に異方性の歪みが生じる。
したがって、ステンシルマスクに形成できる配線パター
ンには、長さ制限がある。一定の長さを超えるライン状
のパターンを形成するためには、配線パターンがドーナ
ツ状でなくても、複数のマスクを用いて多重露光を行
い、パターンをつなぎ合わせる必要がある。
【００１８】以上のように、ステンシルマスクを用いて
ＥＰＬを行う場合には、複数のマスクを用いる多重露光
が前提となるため、ステンシルマスクにパターンの位置
ずれや歪みが生じると、多重露光で配線パターンをつな
ぎ合わせることができなくなる。
ＥＰＬを行う場合には、複数のマスクを用いる多重露光
が前提となるため、ステンシルマスクにパターンの位置
ずれや歪みが生じると、多重露光で配線パターンをつな
ぎ合わせることができなくなる。
【００１９】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
のであり、したがって本発明は、メンブレンに大口径の
孔を形成したり、メンブレンで局所的に熱が発生した場
合にも、周囲のパターンが影響を受けにくいマスクおよ
びその製造方法を提供することを目的とする。また、本
発明は、パターンの位置ずれや歪みが少ないマスクを用
いてリソグラフィを行い、微細パターンを高精度に形成
できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
のであり、したがって本発明は、メンブレンに大口径の
孔を形成したり、メンブレンで局所的に熱が発生した場
合にも、周囲のパターンが影響を受けにくいマスクおよ
びその製造方法を提供することを目的とする。また、本
発明は、パターンの位置ずれや歪みが少ないマスクを用
いてリソグラフィを行い、微細パターンを高精度に形成
できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明のマスクは、互いに離れた複数の分割領域を
含む薄膜と、前記分割領域の一部に形成された、荷電粒
子線が透過する孔と、前記分割領域間の前記薄膜の一方
の面に接するように形成された、前記薄膜を支持する梁
と、前記分割領域間の前記薄膜の一部に形成された、前
記梁に達する溝とを有することを特徴とする。本発明の
マスクは、好適には、前記分割領域以外の前記薄膜の他
方の面に接するように形成された、前記薄膜を支持する
支持枠をさらに有する。好適には、前記荷電粒子線は電
子線を含む。
め、本発明のマスクは、互いに離れた複数の分割領域を
含む薄膜と、前記分割領域の一部に形成された、荷電粒
子線が透過する孔と、前記分割領域間の前記薄膜の一方
の面に接するように形成された、前記薄膜を支持する梁
と、前記分割領域間の前記薄膜の一部に形成された、前
記梁に達する溝とを有することを特徴とする。本発明の
マスクは、好適には、前記分割領域以外の前記薄膜の他
方の面に接するように形成された、前記薄膜を支持する
支持枠をさらに有する。好適には、前記荷電粒子線は電
子線を含む。
【００２１】これにより、特定の分割領域に大きい孔を
形成し、薄膜内の引っ張り応力が解放された場合にも、
影響が隣接する分割領域に及ばず、パターン位置のずれ
やパターンの歪みが起こりにくくなる。また、メンブレ
ンが局所的に高温となった場合にも、熱の大部分は梁に
伝わり、隣接する分割領域に熱が伝わりにくくなる。し
たがって、メンブレン全体では熱歪みによるパターンの
位置ずれ等が起こりにくい。
形成し、薄膜内の引っ張り応力が解放された場合にも、
影響が隣接する分割領域に及ばず、パターン位置のずれ
やパターンの歪みが起こりにくくなる。また、メンブレ
ンが局所的に高温となった場合にも、熱の大部分は梁に
伝わり、隣接する分割領域に熱が伝わりにくくなる。し
たがって、メンブレン全体では熱歪みによるパターンの
位置ずれ等が起こりにくい。
【００２２】上記の目的を達成するため、本発明のマス
クの製造方法は、基材上に薄膜を介して支持層を形成す
る工程と、前記支持層の複数の箇所を前記薄膜が露出す
るまで除去し、前記支持層からなる梁を形成して、前記
薄膜に前記梁によって分割された複数の分割領域を設け
る工程と、少なくとも前記分割領域および前記分割領域
間の薄膜と接する前記基材を除去し、前記基材からなり
前記薄膜を支持する支持枠を形成する工程と、前記薄膜
の一部を前記支持枠側の面から除去して、前記分割領域
の一部に荷電粒子線が透過する孔を形成し、かつ前記分
割領域間の薄膜の一部に、前記梁に達する溝を形成する
工程とを有することを特徴とする。これにより、従来の
ステンシルマスクに対して製造工程数を増加させずに、
上記の本発明のマスクを製造することが可能となる。
クの製造方法は、基材上に薄膜を介して支持層を形成す
る工程と、前記支持層の複数の箇所を前記薄膜が露出す
るまで除去し、前記支持層からなる梁を形成して、前記
薄膜に前記梁によって分割された複数の分割領域を設け
る工程と、少なくとも前記分割領域および前記分割領域
間の薄膜と接する前記基材を除去し、前記基材からなり
前記薄膜を支持する支持枠を形成する工程と、前記薄膜
の一部を前記支持枠側の面から除去して、前記分割領域
の一部に荷電粒子線が透過する孔を形成し、かつ前記分
割領域間の薄膜の一部に、前記梁に達する溝を形成する
工程とを有することを特徴とする。これにより、従来の
ステンシルマスクに対して製造工程数を増加させずに、
上記の本発明のマスクを製造することが可能となる。
【００２３】さらに、上記の目的を達成するため、本発
明の半導体装置の製造方法は、所定のマスクパターンが
形成されたマスクを介して、感光面に荷電粒子線を照射
し、前記感光面に前記マスクパターンを転写する工程を
有する半導体装置の製造方法であって、前記マスクとし
て、互いに離れた複数の分割領域を含む薄膜と、前記分
割領域の一部に形成された、荷電粒子線が透過する孔
と、前記分割領域間の前記薄膜の一方の面であって、前
記感光面側の面に接するように形成された、前記薄膜を
支持する梁と、前記分割領域間の前記薄膜の一部に形成
された、前記梁に達する溝と、前記分割領域以外の前記
薄膜の他方の面に接するように形成された、前記薄膜を
支持する支持枠とを有するマスクを用いることを特徴と
する。
明の半導体装置の製造方法は、所定のマスクパターンが
形成されたマスクを介して、感光面に荷電粒子線を照射
し、前記感光面に前記マスクパターンを転写する工程を
有する半導体装置の製造方法であって、前記マスクとし
て、互いに離れた複数の分割領域を含む薄膜と、前記分
割領域の一部に形成された、荷電粒子線が透過する孔
と、前記分割領域間の前記薄膜の一方の面であって、前
記感光面側の面に接するように形成された、前記薄膜を
支持する梁と、前記分割領域間の前記薄膜の一部に形成
された、前記梁に達する溝と、前記分割領域以外の前記
薄膜の他方の面に接するように形成された、前記薄膜を
支持する支持枠とを有するマスクを用いることを特徴と
する。
【００２４】これにより、マスクに荷電粒子線が照射さ
れてマスク温度が局所的に上昇した場合にも、熱歪みに
よるパターンの位置ずれや歪みが低減される。したがっ
て、微細パターンが高精度に転写され、特に、多重露光
を行う場合にはパターンの位置合わせを行う上で有利で
ある。
れてマスク温度が局所的に上昇した場合にも、熱歪みに
よるパターンの位置ずれや歪みが低減される。したがっ
て、微細パターンが高精度に転写され、特に、多重露光
を行う場合にはパターンの位置合わせを行う上で有利で
ある。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のマスクおよびそ
の製造方法と半導体装置の製造方法の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態のＬ
ＥＥＰＬ用ステンシルマスクのメンブレン部分の断面図
である。図２は、ＬＥＥＰＬ用ステンシルマスクの断面
図であり、図１のメンブレン部分を含む。
の製造方法と半導体装置の製造方法の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態のＬ
ＥＥＰＬ用ステンシルマスクのメンブレン部分の断面図
である。図２は、ＬＥＥＰＬ用ステンシルマスクの断面
図であり、図１のメンブレン部分を含む。
【００２６】図１に示すように、メンブレン１０１の一
方の面に梁１０２が形成され、梁１０２以外の部分に孔
１０３が形成されている。梁１０２部分のメンブレン１
０１には溝１０４が形成されている。等倍投影系のＬＥ
ＥＰＬ用ステンシルマスクの場合、メンブレン１０１の
大きさは、チップの大きさとほぼ同じ数ｍｍ角程度とな
る。このようなメンブレン１０１が、例えば約１μｍ角
以上の複数のメンブレン分割領域Ｄに分割されている。
メンブレン分割領域Ｄ間を互いに分離するようなパター
ンで、梁１０２が形成されている。梁１０２を形成する
ことにより、メンブレン１０１が補強される。
方の面に梁１０２が形成され、梁１０２以外の部分に孔
１０３が形成されている。梁１０２部分のメンブレン１
０１には溝１０４が形成されている。等倍投影系のＬＥ
ＥＰＬ用ステンシルマスクの場合、メンブレン１０１の
大きさは、チップの大きさとほぼ同じ数ｍｍ角程度とな
る。このようなメンブレン１０１が、例えば約１μｍ角
以上の複数のメンブレン分割領域Ｄに分割されている。
メンブレン分割領域Ｄ間を互いに分離するようなパター
ンで、梁１０２が形成されている。梁１０２を形成する
ことにより、メンブレン１０１が補強される。
【００２７】梁１０２が形成されていない部分のメンブ
レン１０１（メンブレン分割領域Ｄ）には、マスクパタ
ーンに対応した孔１０３が形成されている。メンブレン
１０１の材料としては、例えばシリコンやダイアモンド
が用いられる。梁１０２の材料としては、例えばＳｉＮ
等が用いられる。梁１０２はメンブレン１０１の一方の
面に、例えば格子状に等間隔で設けられる。
レン１０１（メンブレン分割領域Ｄ）には、マスクパタ
ーンに対応した孔１０３が形成されている。メンブレン
１０１の材料としては、例えばシリコンやダイアモンド
が用いられる。梁１０２の材料としては、例えばＳｉＮ
等が用いられる。梁１０２はメンブレン１０１の一方の
面に、例えば格子状に等間隔で設けられる。
【００２８】図２に示すように、ステンシルマスク１１
１は支持枠（フレーム）１１２によって囲まれた所定の
大きさのメンブレン１０１を有する。フレーム１１２
は、例えばシリコンウェハにメンブレン１０１のパター
ンでエッチングを行うことにより形成される。
１は支持枠（フレーム）１１２によって囲まれた所定の
大きさのメンブレン１０１を有する。フレーム１１２
は、例えばシリコンウェハにメンブレン１０１のパター
ンでエッチングを行うことにより形成される。
【００２９】フレーム１１２は、メンブレン１０１の機
械的強度を補強し、ステンシルマスク１１１の製造時お
よび使用時におけるメンブレン１０１の破損を防止する
目的で設けられる。メンブレン１０１にはパターンに対
応した孔１０３と、メンブレン分割領域Ｄを互いに分離
する溝１０４が形成されている。
械的強度を補強し、ステンシルマスク１１１の製造時お
よび使用時におけるメンブレン１０１の破損を防止する
目的で設けられる。メンブレン１０１にはパターンに対
応した孔１０３と、メンブレン分割領域Ｄを互いに分離
する溝１０４が形成されている。
【００３０】図３は、図１のメンブレン１０１のメンブ
レン分割領域Ｄの一つを表す斜視図である。梁１０２に
よって支持されたメンブレン分割領域Ｄに、孔１０３が
所定のパターンで形成されている。梁１０２は、例えば
格子状に等間隔で設けられている。溝１０４は梁１０２
に接する部分のメンブレン１０１のほぼ中央に、格子状
に等間隔で設けられている。
レン分割領域Ｄの一つを表す斜視図である。梁１０２に
よって支持されたメンブレン分割領域Ｄに、孔１０３が
所定のパターンで形成されている。梁１０２は、例えば
格子状に等間隔で設けられている。溝１０４は梁１０２
に接する部分のメンブレン１０１のほぼ中央に、格子状
に等間隔で設けられている。
【００３１】上記の本実施形態のステンシルマスクにお
いて、例えば、図４に示すように、メンブレン分割領域
Ｄ0 に大きい孔１０３ａを形成すると、孔１０３ａ部分
でメンブレン内部の引っ張り応力が解放される。これに
より、メンブレン分割領域Ｄ 0 内では応力が変化する
が、各メンブレン分割領域Ｄ0 、Ｄ1 は例えば１μｍ角
程度の微小な領域であるため、パターンの位置ずれやパ
ターン歪み等は起こりにくい。
いて、例えば、図４に示すように、メンブレン分割領域
Ｄ0 に大きい孔１０３ａを形成すると、孔１０３ａ部分
でメンブレン内部の引っ張り応力が解放される。これに
より、メンブレン分割領域Ｄ 0 内では応力が変化する
が、各メンブレン分割領域Ｄ0 、Ｄ1 は例えば１μｍ角
程度の微小な領域であるため、パターンの位置ずれやパ
ターン歪み等は起こりにくい。
【００３２】メンブレン１０１に溝１０４が形成されて
いることにより、隣接するメンブレン分割領域Ｄ1 に
は、メンブレン内部の引っ張り応力の変化が影響しな
い。したがって、孔１０３ａを含むメンブレン分割領域
Ｄ0 の周囲では、パターンの位置ずれや歪みは起こらな
い。
いることにより、隣接するメンブレン分割領域Ｄ1 に
は、メンブレン内部の引っ張り応力の変化が影響しな
い。したがって、孔１０３ａを含むメンブレン分割領域
Ｄ0 の周囲では、パターンの位置ずれや歪みは起こらな
い。
【００３３】本実施形態の半導体装置の製造方法は、上
記のステンシルマスク（図１〜図３参照）を用いたＬＥ
ＥＰＬにより、ウェハ上のレジストにパターンを形成す
るＥＰＬ工程を含む。上記のステンシルマスクに電子線
を照射すると、特定のメンブレン分割領域Ｄで局所的に
熱が発生しても、熱は溝１０４部分で梁１０２に伝播す
る。
記のステンシルマスク（図１〜図３参照）を用いたＬＥ
ＥＰＬにより、ウェハ上のレジストにパターンを形成す
るＥＰＬ工程を含む。上記のステンシルマスクに電子線
を照射すると、特定のメンブレン分割領域Ｄで局所的に
熱が発生しても、熱は溝１０４部分で梁１０２に伝播す
る。
【００３４】梁１０２はメンブレン１０１に比較して体
積が大きく、熱容量が大きいため、隣接するメンブレン
分割領域Ｄへの熱の影響は少ない。したがって、局所的
に温度が上昇したメンブレン分割領域Ｄの周囲で、メン
ブレンの熱歪みによるパターン位置のずれやパターン形
状の歪みが起こるのを防止できる。
積が大きく、熱容量が大きいため、隣接するメンブレン
分割領域Ｄへの熱の影響は少ない。したがって、局所的
に温度が上昇したメンブレン分割領域Ｄの周囲で、メン
ブレンの熱歪みによるパターン位置のずれやパターン形
状の歪みが起こるのを防止できる。
【００３５】ステンシルマスクを用いる場合、ドーナツ
状の配線パターンや、一定の長さを超えるライン状の配
線パターン等を１枚のマスクで転写することができない
ため、基本的に複数のマスクを用いて多重露光が行われ
る。上記の本実施形態のステンシルマスクによれば、パ
ターンの位置ずれや歪みが低減されるため、多重露光を
行った場合にも配線パターンの位置合わせが高精度に行
われる。
状の配線パターンや、一定の長さを超えるライン状の配
線パターン等を１枚のマスクで転写することができない
ため、基本的に複数のマスクを用いて多重露光が行われ
る。上記の本実施形態のステンシルマスクによれば、パ
ターンの位置ずれや歪みが低減されるため、多重露光を
行った場合にも配線パターンの位置合わせが高精度に行
われる。
【００３６】次に、上記の本実施形態のステンシルマス
クの製造方法の一例を説明する。図２に示すステンシル
マスク１１１を形成するには、まず、図５（ａ）に示す
ように、シリコンウェハ１１２ａ上にメンブレン用層１
０１ａを形成し、その上層に支持層１０２ａを形成す
る。シリコンウェハ１１２ａはフレーム１１２となる。
シリコンウェハ１１２ａ以外のフレーム材料を用いるこ
ともできる。
クの製造方法の一例を説明する。図２に示すステンシル
マスク１１１を形成するには、まず、図５（ａ）に示す
ように、シリコンウェハ１１２ａ上にメンブレン用層１
０１ａを形成し、その上層に支持層１０２ａを形成す
る。シリコンウェハ１１２ａはフレーム１１２となる。
シリコンウェハ１１２ａ以外のフレーム材料を用いるこ
ともできる。
【００３７】メンブレン用層１０１ａの材料としては、
例えばダイアモンド、ダイアモンドライクカーボン（Ｄ
ＬＣ）、単結晶シリコン、シリコンカーバイド（Ｓｉ
Ｃ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ
2 ）、モリブデン等が挙げられる。また、例えば窒化タ
ングステン（ＷＮ）／タングステン（Ｗ）／ＷＮ等の積
層膜をメンブレン用層１０１ａとして用いることもでき
る。メンブレン１０１用層１０１ａの厚さは通常、数１
０ｎｍ〜１μｍ程度である。
例えばダイアモンド、ダイアモンドライクカーボン（Ｄ
ＬＣ）、単結晶シリコン、シリコンカーバイド（Ｓｉ
Ｃ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ
2 ）、モリブデン等が挙げられる。また、例えば窒化タ
ングステン（ＷＮ）／タングステン（Ｗ）／ＷＮ等の積
層膜をメンブレン用層１０１ａとして用いることもでき
る。メンブレン１０１用層１０１ａの厚さは通常、数１
０ｎｍ〜１μｍ程度である。
【００３８】支持層１０２ａは梁１０２となる。支持層
１０２ａの材料としては、例えばＳｉＣ、ＳｉＮ、ダイ
アモンド、ＤＬＣ、ＳｉＯ2 等が挙げられる。支持層１
０２ａの厚さは、メンブレン用層１０１ａの数倍〜１０
倍程度である。メンブレン用層１０１ａおよび支持層１
０２ａは、それぞれ例えば化学気相成長（ＣＶＤ）によ
り形成できる。
１０２ａの材料としては、例えばＳｉＣ、ＳｉＮ、ダイ
アモンド、ＤＬＣ、ＳｉＯ2 等が挙げられる。支持層１
０２ａの厚さは、メンブレン用層１０１ａの数倍〜１０
倍程度である。メンブレン用層１０１ａおよび支持層１
０２ａは、それぞれ例えば化学気相成長（ＣＶＤ）によ
り形成できる。
【００３９】次に、図５（ｂ）に示すように、支持層１
０２ａ上にリソグラフィ工程により、梁１０２のパター
ンでレジスト１１３を形成する。続いて、レジスト１１
３をマスクとして支持層１０２ａにエッチングを行い、
メンブレン分割領域Ｄを分離する梁１０２を形成する。
その後、レジスト１１３を除去する。
０２ａ上にリソグラフィ工程により、梁１０２のパター
ンでレジスト１１３を形成する。続いて、レジスト１１
３をマスクとして支持層１０２ａにエッチングを行い、
メンブレン分割領域Ｄを分離する梁１０２を形成する。
その後、レジスト１１３を除去する。
【００４０】次に、図５（ｃ）に示すように、シリコン
ウェハ１１２ａの裏面側（メンブレン用層１０１ａ側の
反対側）に、リソグラフィ工程によりフレーム１１２
（図２参照）のパターンでレジスト１１４を形成する。
図５（ｃ）は図５（ｂ）と上下を逆にしてある。レジス
ト１１４をマスクとして、シリコンウェハ１１２ａにエ
ッチングを行うことにより、フレーム１１２が形成され
る。
ウェハ１１２ａの裏面側（メンブレン用層１０１ａ側の
反対側）に、リソグラフィ工程によりフレーム１１２
（図２参照）のパターンでレジスト１１４を形成する。
図５（ｃ）は図５（ｂ）と上下を逆にしてある。レジス
ト１１４をマスクとして、シリコンウェハ１１２ａにエ
ッチングを行うことにより、フレーム１１２が形成され
る。
【００４１】このエッチングは例えば水酸化カリウム
（ＫＯＨ）を含む溶液を用いたウェットエッチングによ
り行うことができる。あるいは、ドライエッチングによ
りフレーム１１２を形成することもできる。但し、ドラ
イエッチングの場合、レジストのエッチングも進行しや
すい。したがって、シリコンウェハ１１２ａの厚さ分の
エッチングが完了する前に、レジストがなくなることが
ある。この場合、フレーム１１２を形成できない。
（ＫＯＨ）を含む溶液を用いたウェットエッチングによ
り行うことができる。あるいは、ドライエッチングによ
りフレーム１１２を形成することもできる。但し、ドラ
イエッチングの場合、レジストのエッチングも進行しや
すい。したがって、シリコンウェハ１１２ａの厚さ分の
エッチングが完了する前に、レジストがなくなることが
ある。この場合、フレーム１１２を形成できない。
【００４２】これを防ぐため、予めシリコンウェハ１１
２ａの裏面に、エッチングマスク層として例えば熱酸化
膜を形成してもよい。シリコンウェハ１１２ａにエッチ
ングを行う前に、レジストをマスクとしてエッチングマ
スク層にエッチングを行う。エッチングマスク層を用い
ることにより、所定のパターンでシリコンウェハ１１２
ａの厚さ分のエッチングを行うことができる。
２ａの裏面に、エッチングマスク層として例えば熱酸化
膜を形成してもよい。シリコンウェハ１１２ａにエッチ
ングを行う前に、レジストをマスクとしてエッチングマ
スク層にエッチングを行う。エッチングマスク層を用い
ることにより、所定のパターンでシリコンウェハ１１２
ａの厚さ分のエッチングを行うことができる。
【００４３】次に、図６（ｄ）に示すように、フレーム
１１２の間に露出したメンブレン用層１０１ａの表面
に、リソグラフィ工程により、孔１０３および溝１０４
部分（図２参照）に開口を有するレジスト１１５を形成
する。次に、図６（ｅ）に示すように、レジスト１１５
をマスクとしてメンブレン用層１０１ａにエッチングを
行う。これにより、メンブレン分割領域Ｄに所定のパタ
ーンで孔１０３を有するメンブレン１０１が形成され
る。同時に、梁１０２と接する部分のメンブレン１０１
の一部に溝１０４が形成される。その後、レジスト１１
５を除去することにより、図２に示すステンシルマスク
が得られる。
１１２の間に露出したメンブレン用層１０１ａの表面
に、リソグラフィ工程により、孔１０３および溝１０４
部分（図２参照）に開口を有するレジスト１１５を形成
する。次に、図６（ｅ）に示すように、レジスト１１５
をマスクとしてメンブレン用層１０１ａにエッチングを
行う。これにより、メンブレン分割領域Ｄに所定のパタ
ーンで孔１０３を有するメンブレン１０１が形成され
る。同時に、梁１０２と接する部分のメンブレン１０１
の一部に溝１０４が形成される。その後、レジスト１１
５を除去することにより、図２に示すステンシルマスク
が得られる。
【００４４】上記の本発明の実施形態のステンシルマス
クの製造方法によれば、溝１０４は孔１０３と同一の工
程で形成することが可能であり、従来のステンシルマス
クの製造方法に対して製造工程数が増加しない。本実施
形態のステンシルマスクの製造方法によれば、大面積の
孔１０３をメンブレン１０１に形成しても、メンブレン
１０１内の応力の変化が、溝１０４を隔てたメンブレン
分割領域に伝播しない。したがって、パターン位置のず
れやパターン形状の歪みが防止される。
クの製造方法によれば、溝１０４は孔１０３と同一の工
程で形成することが可能であり、従来のステンシルマス
クの製造方法に対して製造工程数が増加しない。本実施
形態のステンシルマスクの製造方法によれば、大面積の
孔１０３をメンブレン１０１に形成しても、メンブレン
１０１内の応力の変化が、溝１０４を隔てたメンブレン
分割領域に伝播しない。したがって、パターン位置のず
れやパターン形状の歪みが防止される。
【００４５】本発明のマスクおよびその製造方法と半導
体装置の製造方法の実施形態は、上記の説明に限定され
ない。例えば、電子線以外の荷電粒子線（イオンビー
ム）を用いたリソグラフィに本発明のマスクを適用する
ことも可能である。メンブレン材料および梁材料がいず
れも絶縁体である場合は、電子線を照射したときのチャ
ージアップを防止する目的で、メンブレンの少なくとも
一方の面に導電層を設けることが望ましい。
体装置の製造方法の実施形態は、上記の説明に限定され
ない。例えば、電子線以外の荷電粒子線（イオンビー
ム）を用いたリソグラフィに本発明のマスクを適用する
ことも可能である。メンブレン材料および梁材料がいず
れも絶縁体である場合は、電子線を照射したときのチャ
ージアップを防止する目的で、メンブレンの少なくとも
一方の面に導電層を設けることが望ましい。
【００４６】また、図示しないが、支持層１０２ａにエ
ッチングを行い、梁１０２を形成する工程（図５（ｂ）
参照）において、メンブレン分割領域Ｄ以外の部分の支
持層１０２ａの一部にエッチングを行い、リソグラフィ
工程における位置合わせマークとしてもよい。
ッチングを行い、梁１０２を形成する工程（図５（ｂ）
参照）において、メンブレン分割領域Ｄ以外の部分の支
持層１０２ａの一部にエッチングを行い、リソグラフィ
工程における位置合わせマークとしてもよい。
【００４７】さらに、本発明のマスク構造をＰＲＥＶＡ
ＩＬ等の他のＥＰＬ用ステンシルマスクに適用すること
も可能である。但し、高加速電子を用いるＥＰＬの場
合、ステンシルマスクのメンブレンが厚く形成されるた
め、孔の形成等によるパターンの歪み等は、大きな問題
とならない。したがって、本発明のマスクは、低加速電
子を用いるＬＥＥＰＬ等のＥＰＬに特に好適に用いられ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の
変更が可能である。
ＩＬ等の他のＥＰＬ用ステンシルマスクに適用すること
も可能である。但し、高加速電子を用いるＥＰＬの場
合、ステンシルマスクのメンブレンが厚く形成されるた
め、孔の形成等によるパターンの歪み等は、大きな問題
とならない。したがって、本発明のマスクは、低加速電
子を用いるＬＥＥＰＬ等のＥＰＬに特に好適に用いられ
る。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の
変更が可能である。
【００４８】
【発明の効果】本発明のマスクによれば、メンブレンに
大口径の孔を形成したり、メンブレンで局所的に熱が発
生した場合にも、周囲のパターンが影響を受けにくく、
パターンの位置ずれや歪みが防止される。本発明のマス
クの製造方法によれば、従来のマスクの製造方法に対し
て製造工程数を増加させずに、パターンの位置ずれや歪
みが少ないマスクを製造できる。本発明の半導体装置の
製造方法によれば、パターンの位置ずれや歪みが少ない
マスクを用いてリソグラフィを行うため、微細パターン
を高精度に形成できる。
大口径の孔を形成したり、メンブレンで局所的に熱が発
生した場合にも、周囲のパターンが影響を受けにくく、
パターンの位置ずれや歪みが防止される。本発明のマス
クの製造方法によれば、従来のマスクの製造方法に対し
て製造工程数を増加させずに、パターンの位置ずれや歪
みが少ないマスクを製造できる。本発明の半導体装置の
製造方法によれば、パターンの位置ずれや歪みが少ない
マスクを用いてリソグラフィを行うため、微細パターン
を高精度に形成できる。
【図１】図１は本発明のマスクのメンブレン部分の断面
図である。
図である。
【図２】図２は本発明のマスクの断面図である。
【図３】図３は本発明のマスクのメンブレン部分の斜視
図である。
図である。
【図４】図４は本発明のマスクのメンブレン部分の上面
図である。
図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は本発明のマスクの製造方
法の製造工程を示す図である。
法の製造工程を示す図である。
【図６】図６（ｄ）および（ｅ）は本発明のマスクの製
造方法の製造工程を示す図であり、図５（ｃ）に続く工
程を示す。
造方法の製造工程を示す図であり、図５（ｃ）に続く工
程を示す。
【図７】図７は従来のマスクのメンブレン部分の断面図
である。
である。
【図８】図８は従来のマスクの断面図である。
【図９】図９は従来のマスクのメンブレン部分の斜視図
である。
である。
【図１０】図１０は従来のマスクのメンブレン部分の上
面図である。
面図である。
１０１、２０１…メンブレン、１０１ａ…メンブレン用
層、１０２、２０２…梁、１０２ａ、２０２ａ…支持
層、１０３、１０３ａ〜１０３ｅ、２０３、２０３ａ…
孔、１０４…溝、１１１、２１１…ステンシルマスク、
１１２、２１２…フレーム、１１２ａ…シリコンウェ
ハ、１１３〜１１５…レジスト。
層、１０２、２０２…梁、１０２ａ、２０２ａ…支持
層、１０３、１０３ａ〜１０３ｅ、２０３、２０３ａ…
孔、１０４…溝、１１１、２１１…ステンシルマスク、
１１２、２１２…フレーム、１１２ａ…シリコンウェ
ハ、１１３〜１１５…レジスト。
Claims (5)
- 【請求項１】互いに離れた複数の分割領域を含む薄膜
と、 前記分割領域の一部に形成された、荷電粒子線が透過す
る孔と、 前記分割領域間の前記薄膜の一方の面に接するように形
成された、前記薄膜を支持する梁と、 前記分割領域間の前記薄膜の一部に形成された、前記梁
に達する溝とを有するマスク。 - 【請求項２】前記分割領域以外の前記薄膜の他方の面に
接するように形成された、前記薄膜を支持する支持枠を
さらに有する請求項１記載のマスク。 - 【請求項３】前記荷電粒子線は電子線を含む請求項１記
載のマスク。 - 【請求項４】基材上に薄膜を介して支持層を形成する工
程と、 前記支持層の複数の箇所を前記薄膜が露出するまで除去
し、前記支持層からなる梁を形成して、前記薄膜に前記
梁によって分割された複数の分割領域を設ける工程と、 少なくとも前記分割領域および前記分割領域間の薄膜と
接する前記基材を除去し、前記基材からなり前記薄膜を
支持する支持枠を形成する工程と、 前記薄膜の一部を前記支持枠側の面から除去して、前記
分割領域の一部に荷電粒子線が透過する孔を形成し、か
つ前記分割領域間の薄膜の一部に、前記梁に達する溝を
形成する工程とを有するマスクの製造方法。 - 【請求項５】所定のマスクパターンが形成されたマスク
を介して、感光面に荷電粒子線を照射し、前記感光面に
前記マスクパターンを転写する工程を有する半導体装置
の製造方法であって、 前記マスクとして、互いに離れた複数の分割領域を含む
薄膜と、 前記分割領域の一部に形成された、荷電粒子線が透過す
る孔と、 前記分割領域間の前記薄膜の一方の面であって、前記感
光面側の面に接するように形成された、前記薄膜を支持
する梁と、 前記分割領域間の前記薄膜の一部に形成された、前記梁
に達する溝と、 前記分割領域以外の前記薄膜の他方の面に接するように
形成された、前記薄膜を支持する支持枠とを有するマス
クを用いる半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001287407A JP2003100583A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001287407A JP2003100583A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003100583A true JP2003100583A (ja) | 2003-04-04 |
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ID=19110222
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|---|---|---|---|
| JP2001287407A Pending JP2003100583A (ja) | 2001-09-20 | 2001-09-20 | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003100583A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006078856A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク及びその製造方法 |
| US7641806B2 (en) | 2003-06-13 | 2010-01-05 | Tokyo Electron Limited | Manufacturing method for membrane member |
| US7824825B2 (en) | 2005-08-03 | 2010-11-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Stencil masks, method of manufacturing stencil masks, and method of using stencil masks |
| JP2012119389A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Tdk Corp | サーミスタ、温度センサ及びガスセンサ |
| CN108611593A (zh) * | 2018-05-03 | 2018-10-02 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 掩膜版及其制作方法 |
| CN108611592A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-10-02 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种掩膜版及其制造方法 |
| CN108624841A (zh) * | 2018-05-03 | 2018-10-09 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 掩膜版及其制作方法 |
| CN108649142A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-10-12 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种掩膜版及其制造方法 |
| CN110699637A (zh) * | 2019-10-17 | 2020-01-17 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜版的制作方法、掩膜版和显示面板的制作方法 |
| US11444244B2 (en) | 2018-04-19 | 2022-09-13 | Ningbo Semiconductor International Corporation | Mask plate and fabrication method thereof |
-
2001
- 2001-09-20 JP JP2001287407A patent/JP2003100583A/ja active Pending
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| US7824825B2 (en) | 2005-08-03 | 2010-11-02 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Stencil masks, method of manufacturing stencil masks, and method of using stencil masks |
| JP2012119389A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Tdk Corp | サーミスタ、温度センサ及びガスセンサ |
| CN108611592A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-10-02 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种掩膜版及其制造方法 |
| CN108649142A (zh) * | 2018-04-19 | 2018-10-12 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种掩膜版及其制造方法 |
| WO2019200723A1 (zh) * | 2018-04-19 | 2019-10-24 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种掩膜版及其制造方法 |
| US11444244B2 (en) | 2018-04-19 | 2022-09-13 | Ningbo Semiconductor International Corporation | Mask plate and fabrication method thereof |
| CN108611593A (zh) * | 2018-05-03 | 2018-10-02 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 掩膜版及其制作方法 |
| CN108624841A (zh) * | 2018-05-03 | 2018-10-09 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 掩膜版及其制作方法 |
| CN108611593B (zh) * | 2018-05-03 | 2020-05-19 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 掩膜版及其制作方法 |
| CN110699637A (zh) * | 2019-10-17 | 2020-01-17 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜版的制作方法、掩膜版和显示面板的制作方法 |
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