JP4686914B2 - ステンシルマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子線やイオンビームなどの荷電粒子線露光に用いられるステンシルマスクの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体素子の微細化が急速に進んでいる。そのような微細パターンを有する素子の製造技術として、様々な露光技術が開発されてきた。例えば、電子線部分一括露光や電子線ステッパー露光のような電子線を用いる露光法、イオンを用いる露光法、真空紫外域の光を用いる露光法、極紫外域の光を用いる露光法等がある。
【0003】
これらのうち、電子線を用いる露光法として、電子線を用いて等倍露光を行う方法が、特許第2951947号公報において提案されている。この方法は、従来の電子線を用いる露光法に比べて、電子ビームの加速電圧が20分の1であるという特徴を有する。
【0004】
等倍露光用に用いられるステンシルマスクでは、マスクパターンの加工精度が重要である。特に、マスクの膜厚とマスクパターンの線幅(電子ビームの透過孔の径)との比であるアスペクト比が問題となる。マスクパターンは、ドライエッチングにより加工されるが、アスペクト比は、通常、10程度である。従って、例えば、線幅100nmのパターンを形成するには、マスクの膜厚は、1μm程度が限界となる。
【0005】
そこで、上述の特許第2951947号公報では、単結晶シリコンからなるステンシルマスクにおいて、厚さ0.2μm〜1.0μmとすることが開示されている。しかし、この特許公報には、このような単結晶シリコンからなるステンシルマスクの製造方法については、何ら記載されていない。
【0006】
通常、ステンシルマスクを構成する薄膜の材質として単結晶シリコンを用いる場合、薄膜を支えてマスクの平面性を維持するために、基板が必要である。この基板としては、加工性や入手容易性の点から、単結晶シリコンが用いられている。そして、エッチングにより薄膜の微細加工を行うため、2枚の単結晶シリコン基板によりシリコン酸化膜を挟んだ構造のSOI(Silicon On Insulator)基板を用い、マスクパターンは、一方の単結晶シリコン基板を研磨して所定の膜厚にし、次いでパターニングすることにより作製されている。この時、SOI基板の中間層であるシリコン酸化膜は、マスクパターンを加工する際のエッチングストッパーとして機能する。
【0007】
しかし、このような方法では、単結晶シリコン基板を上述の0.2μm〜1.0μmの薄膜まで研磨することは極めて困難である。また、このような膜厚では、ステンシルマスクの製造工程において、シリコン酸化膜の応力により、薄膜化された単結晶シリコン基板に亀裂が入るという問題がある。
【0008】
このため、シリコン酸化膜上に形成された単結晶シリコン薄膜に対し、応力調整の工程が必要となるが、そうした場合、製造工程が増えるため、タクトタイムが長くなるという問題が生ずる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような事情の下になされ、薄膜化が容易で、応力制御を行うことが可能であるとともに、電子線照射特性の優れたステンシルマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、基体上に、メタンを含む原料ガスを用いてプラズマCVD法により炭素を主成分とする薄膜を成膜する工程、およびシリコンを含むレジストパターンをマスクとして用いて、酸素ガスを含むエッチングガスによりドライエッチングすることにより、前記炭素を主成分とする薄膜をパターニングする工程を具備するステンシルマスクの製造方法を提供する。
また、本発明は、基体上に、メタン、アンモニア、および硫化水素からなる群から選ばれた少なくとも1種を含む原料ガスを用いてプラズマCVD法により、窒素、硼素、硫黄およびシリコンからなる群から選ばれた少なくとも1種を含む、炭素を主成分とする薄膜を成膜する工程、およびシリコンを含むレジストパターンをマスクとして用いて、酸素ガスを含むエッチングガスによりドライエッチングすることにより、前記炭素を主成分とする薄膜をパターニングする工程を具備するステンシルマスクの製造方法を提供する。
【0013】
このような本発明によると、マスク母体を炭素を主成分とする薄膜により構成しているため、炭素を主成分とする薄膜に加わる応力の設計・制御が可能となり、また低抵抗化を図ることができる。
【0014】
また、炭素を主成分とする薄膜は、CVD等により容易に成膜でき、加工性に優れ、所望のアスペクト比のパターンを高精度で形成することができるので、プロセスの設計、制御が容易であり、荷電粒子線照射特性に優れたステンシルマスクを得ることが出来る。
【0015】
本発明のステンシルマスクにおいて、炭素を主成分とする薄膜は、0.1μm以上、5μm以下の厚みを有することが望ましい。この範囲の膜厚は、単結晶シリコンでは成膜が困難であったが、CVD法等により、酸化シリコン上に制御性よく、容易に得ることが可能である。
【0016】
また、炭素を主成分とする薄膜の表面は、電子供与基で終端されていることが望ましい。このように薄膜の表面に電子供与基終端構造を形成することにより、薄膜の表面に導電性を付与することが出来、その結果、チャージアップを防止することが可能である。
【0017】
更に、炭素を主成分とする薄膜は、ダイヤモンド薄膜とすることが出来る。このように、マスク母体をダイヤモンド薄膜により構成することにより、極めて照射耐性に優れたステンシルマスクを得ることが出来る。
【0018】
この場合、ダイヤモンド薄膜が非単結晶ダイヤモンド薄膜であると、広範囲の基板に成膜が可能であるという利点があり、特に多結晶ダイヤモンド薄膜の場合には、極めて荷電粒子照射耐性に優れたステンシルマスクを得ることが出来る。
【0019】
また、非単結晶ダイヤモンド薄膜は、ダイヤモンド状カーボン薄膜とすることが出来る。ダイヤモンド状カーボン薄膜とすることにより、広範囲の基板に成膜が可能であるとともに、加工性に優れているため、高精度のステンシルマスクを得ることが出来る。特に、不純物をドープしたダイヤモンド状カーボン薄膜を用いた場合には、導電性を有するため、荷電粒子照射耐性に優れたステンシルマスクを得ることが出来る。
【0022】
これらの製造方法によると、荷電粒子線照射特性に優れたステンシルマスクを、高精度で、応力による亀裂、剥離を生ずることなく、容易に得ることが可能である。
【0026】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して、本発明の一態様に係るステンシルマスクについて説明する。
【0027】
図1は、本発明の一態様に係るステンシルマスクを示す断面図である。図1において、ステンシルマスク1は、開口部が形成された単結晶シリコンウェハ2上に、所定の透過孔パターンを有し、炭素を主成分とする薄膜からなるマスク母体3を形成することにより構成されている。
【0028】
支持基板は、単結晶シリコンの他に、ガリウム−砒素、またはインジウム−燐などの半導体材料を用いることもできる。
【0029】
マスク母体3を構成する薄膜としては、ダイヤモンド薄膜やダイヤモンド状カーボン薄膜を用いることが出来る。ダイヤモンド薄膜としては、非単結晶ダイヤモンド薄膜、特に多結晶ダイヤモンド薄膜が望ましい。また、ダイヤモンド状カーボン薄膜は、不純物、例えば、窒素、硼素、硫黄およびシリコンからなる群から選ばれた少なくとも1種をドープしたものが望ましい。
【0030】
なお、炭素を主成分とする薄膜の表面は、電子供与基で終端されていることが望ましい。電子供与基としては、H基、OR(RはHまたはアルキル基)基を挙げることが出来る。
【0031】
炭素を主成分とする薄膜の膜厚は、0.1μm以上、5μm以下であることが望ましい。膜厚が薄すぎると、スループットを上げるために電流値を上昇させた場合、非単結晶シリコン薄膜3が溶解する可能性があり、厚すぎると、マスクパターンの加工精度を高くすることが出来ない。
【0032】
以上のように構成される本実施形態に係るステンシルマスクでは、マスク母体として、従来用いられていた単結晶シリコン薄膜に代わり、炭素を主成分とする薄膜を用いているため、電子線照射耐性および導電性等の電子線照射に優れ、かつ薄い膜厚の薄膜の形成が可能であるため、所望のアスペクト比のパターンを高精度で形成することが可能である。
【0033】
次に、以上説明したステンシルマスクの製造プロセスについて、図2〜図4を参照して説明する。
まず、図2に示すように、単結晶シリコン基板11上に、プラズマCVD法等により、炭素を主成分とする薄膜12を形成する。
【0034】
次に、図3に示すように、炭素を主成分とする薄膜12をパターニングして、所定の透過孔パターンを有するマスク母体13を形成する。この透過孔パターン形成プロセスは、炭素を主成分とする薄膜12上へのレジストパターンの形成工程、このレジストパターンをマスクとして用いて炭素を主成分とする薄膜12をドライエッチングする工程、レジストパターンの剥離工程という工程を順に経て行われる。
【0035】
また、炭素を主成分とする薄膜12をドライエッチングする際、レジストのエッチング耐性が不足している場合は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜等の無機化合物や、クロム、タングステン、タンタル、チタン、ニッケル、アルミニウム等の金属、これらの金属を含む合金、あるいはこれらの金属または合金と酸素、窒素、炭素等との金属化合物等をエッチングマスクとして用いることが出来る。これらのエッチングマスクは、各種薄膜形成法によって形成することができる。例えば、スパッタ法、CVD法、蒸着法等の形成方法がある。
【0036】
ドライエッチングは、エッチングガスとして酸素を用いて行うことが出来る。酸素に二酸化硫黄を添加することも可能である。酸素に二酸化硫黄を添加することにより、パターンのエッジラフネスを小さくできるという効果が得られる。なお、二酸化硫黄の添加量は、5〜30%程度が好ましい。
【0037】
また、ドライエッチング装置としては、RIE、マグネトロンRIE、ECR、ICP、マイクロ波、ヘリコン波、NLD等の放電方式を用いたドライエッチング装置が挙げられる。
【0038】
その後、図4に示すように、単結晶シリコン基板11に開口部14を形成し、ステンシルマスクが完成する。この工程には、ドライエッチング、ウェットエッチング、超音波加工、サンドブラスト等を好適に用いることができる。尚、炭素を主成分とする薄膜12のパターニング工程、単結晶シリコン基板11への開口部の形成工程は、どちらを先に行っても良い。
【0039】
次に、ステンシルマスクの製造プロセスの他の例について、図5〜図9を参照して説明する。
まず、図5に示すように、単結晶シリコン基板21上に、プラズマCVD法により、炭素を主成分とする薄膜22を形成した後、単結晶シリコン基板21に開口部23を形成する。
【0040】
次に、図6に示すように、炭素を主成分とする薄膜22上にレジスト膜24を形成する。
この場合、レジストとしては、シリコン含有レジスト24(図6)や、表面にパターン状にシリコン化合物を導入したレジスト31(図9)を用いることが出来る。
【0041】
シリコン含有レジストとしては、ナフトキノンジアジド系感光性物質を含有するアルカリ可溶性シリコーンポリマーを挙げることが出来る。そのようなものとして、FH−SP(商品名、富士フィルムアーチ社製)がある。
【0042】
シリコン含有レジストは、g線(波長436nm)またはi線(波長365nm)を用いてパターン状に露光され、次いで、レジストの汎用現像液であるTMAHを用いて現像されて、図7に示すように、レジストパターン25が得られる。
【0043】
表面にパターン状にシリコン化合物を導入したレジストは、次のような方法による得ることが出来る。
(1)露光部を選択的にシリル化する方法(ネガ型)
ポリ(p−メトキシスチレン)およびオニウム塩を含むレジストに、パターン状に光照射して、照射部に酸を発生させる。次に、シリコン含有蒸気と接触させると、露光部のみにカチオン重合が進行して、図9に示すように、シリコン化合物が導入された部分32と、シリコン化合物が導入されていない部分33からなるパターン状にシリコン化合物を導入したレジスト31が得られる。
【0044】
(2)未露光部を選択的にシリル化する方法(ポジ型)
アジドおよび環化ゴムを含むレジストにパターン状に光照射して、照射部のアジドを分解する。次に、SiCl4蒸気と接触させると、未露光部のアジドが錯体を形成して、SiCl4をトラップし、図9に示すように、シリコン化合物が導入された部分32と、シリコン化合物が導入されていない部分33からなる、パターン状にシリコン化合物を導入したレジスト31が得られる。
【0045】
以上の方法により形成された、パターン状にシリコン化合物を導入したレジスト31に対し、反応性イオンエッチングを施すと、シリコンを含有しない部分が除去されて、図7に示すように、レジストパターン25が形成される。
【0046】
なお、炭素を主成分とする薄膜22をドライエッチングする際、レジストのエッチング耐性が不足している場合は、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜等の無機化合物や、クロム、タングステン、タンタル、チタン、ニッケル、アルミニウム等の金属、これらの金属を含む合金、あるいはこれらの金属または合金と酸素、窒素、炭素等との金属化合物等をエッチングマスクとして用いることが出来る。これらのエッチングマスクは、各種薄膜形成法によって形成することができる。例えば、スパッタ法、CVD法、蒸着法等の形成方法がある。
【0047】
その後、レジストパターン25をマスクとして用いて、炭素を主成分とする薄膜22をドライエッチングして、図8に示すように、所定の透過孔パターンを有するマスク母体26を形成する。
【0048】
ドライエッチングは、エッチングガスとして酸素を用いて行うことが出来る。酸素に二酸化硫黄を添加することも可能である。酸素に二酸化硫黄を添加することにより、パターンのエッジラフネスを小さくできるという効果が得られる。なお、二酸化硫黄の添加量は、5〜30%程度が好ましい。
【0049】
また、ドライエッチング装置としては、RIE、マグネトロンRIE、ECR、ICP、マイクロ波、ヘリコン波、NLD等の放電方式を用いたドライエッチング装置が挙げられる。
【0050】
最後に、レジストパターン25を剥離して、図1に示すようなステンシルマスクが得られる。
【0051】
【実施例】
以下、本発明の具体的な実施例について、図面を参照して詳細に説明する。
【0052】
実施例1
図5〜図8を参照して、本発明の一実施例に係るステンシルマスクの製造工程について説明する。
図5に示すように、厚み525μmの単結晶シリコン基板21上に、平行平板型プラズマCVD装置を用いて、ダイヤモンド状カーボン薄膜22を形成した。
【0053】
プラズマCVDの条件は次の通りである。
【0054】
その後、約90℃に加熱したKOH水溶液のエッチング液に収容し、所定の保護膜(図示せず)をマスクとして用いて、単結晶シリコン基板11を面方位に沿った異方性エッチングを行い、開口部23を形成した。そして、保護膜をエッチング除去した。
【0055】
次に、図6に示すように、ダイヤモンド状カーボン薄膜22上に、シリコン含有レジスト24を0.3μmの厚さに塗布した。シリコン含有レジストとしては、FH−SP(商品名、富士フィルムアーチ社製)を用いた。
【0056】
その後、このシリコン含有レジス24トにg線を用いてパターン状に露光し、その後専用の現像液であるFHD−5(商品名、富士フィルムアーチ社製)を用いて現像をおこない、レジストパターン25を形成した。
【0057】
次に、レジストパターン25をマスクとして用いて、プラズマエッチング装置を用い、エッチングガスとして酸素を用いて、ダイヤモンド状カーボン薄膜22をドライエッチングして、図8に示すように、マスク母体26を形成した。
【0058】
最後に、フェノール系剥離液を用いてレジストパターン25を剥離し、ステンシルマスクを完成した。
【0059】
以上のように製造されたステンシルマスクでは、マスク母体26は膜厚が500nmと非常に薄く、かつ応力が低いため、剥離や亀裂が生ずることがなく、また抵抗が低いため、別途金属膜を設ける必要がない。また、得られたステンシルマスクは、パターン精度が高く、荷電粒子線照射特性に優れたものであった。
【0060】
実施例2
実施例1の図6に示す工程において、ポリ(p−メトキシスチレン)およびオニウム塩を含むレジスト24を0.3μmの厚さに形成した。次いで、レジスト24に、パターン状に光照射して、照射部に酸を発生させた。次に、シリコン含有蒸気(DMSDEA(ジメチルシリルジメチルアミン)と接触させ、露光部のみにカチオン重合を進行させて、図9に示すように、シリコン化合物が導入された部分32と、シリコン化合物が導入されていない部分33からなる、パターン状にシリコン化合物を導入したレジスト31を形成した。
【0061】
そして、レジスト31に、酸素をエッチングガスとして用いて反応性イオンエッチングを施すと、シリコン化合物が導入されていない部分33が選択的に除去されて、図7に示すように、レジストパターン25が形成された。
【0062】
その後、実施例1と同様の工程を経て、図1に示すようなステンシルマスクを得た。
【0063】
本実施例においても、実施例1と同様の効果が得られた。
【0064】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によると、マスク母体を炭素を主成分とする薄膜により構成しているため、CVD等により容易に成膜することができ、加工プロセスの設計、制御が容易であり、加工性に優れ、所望のアスペクト比のパターンを高精度で形成することができ、荷電粒子線照射特性に優れたステンシルマスクを得ることが出来る。
【0065】
また、本発明の製造方法によると、荷電粒子線照射特性に優れたステンシルマスクを、高精度で、応力による亀裂、剥離を生ずることなく、容易に得ることが可能である。
【0066】
更に、本発明の露光方法によると、試料基板上に形成されたレジストに対し、精度よいパターン露光が可能となり、その結果、半導体等のパターンの製造を、高い歩留まりで行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一態様に係るステンシルマスクを示す断面図。
【図2】本発明の一態様に係るステンシルマスクの製造プロセスを示す断面図。
【図3】本発明の一態様に係るステンシルマスクの製造プロセスを示す断面図。
【図4】本発明の一態様に係るステンシルマスクの製造プロセスを示す断面図。
【図5】本発明の一態様に係るステンシルマスクの製造プロセスの他の例を示す断面図。
【図6】本発明の一態様に係るステンシルマスクの製造プロセスの他の例を示す断面図。
【図7】本発明の一態様に係るステンシルマスクの製造プロセスの他の例を示す断面図。
【図8】本発明の一態様に係るステンシルマスクの製造プロセスの他の例を示す断面図。
【図9】本発明の一態様に係るステンシルマスクの製造プロセスの更に他の例を示す断面図。
【符号の説明】
1…ステンシルマスク
2,11,21…単結晶シリコン基板
3,13,26…マスク母体
12,22…炭素を主成分とする薄膜
14,23…開口部
24…レジスト
25…レジストパターン
Claims (9)
- 基体上に、メタンを含む原料ガスを用いてプラズマCVD法により炭素を主成分とする薄膜を成膜する工程、および
シリコンを含むレジストパターンをマスクとして用いて、酸素ガスを含むエッチングガスによりドライエッチングすることにより、前記炭素を主成分とする薄膜をパターニングする工程
を具備するステンシルマスクの製造方法。 - 基体上に、メタン、アンモニア、および硫化水素からなる群から選ばれた少なくとも1種を含む原料ガスを用いてプラズマCVD法により、窒素、硼素、硫黄およびシリコンからなる群から選ばれた少なくとも1種を含む、炭素を主成分とする薄膜を成膜する工程、および
シリコンを含むレジストパターンをマスクとして用いて、酸素ガスを含むエッチングガスによりドライエッチングすることにより、前記炭素を主成分とする薄膜をパターニングする工程
を具備するステンシルマスクの製造方法。 - 前記エッチングガスは、二酸化硫黄を更に含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のステンシルマスクの製造方法。
- 前記炭素を主成分とする薄膜は、0.1μm以上、5μm以下の厚みを有することを特徴とする請求項1又は2に記載のステンシルマスクの製造方法。
- 前記炭素を主成分とする薄膜の表面は、電子供与基で終端されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のステンシルマスクの製造方法。
- 前記炭素を主成分とする薄膜は、ダイヤモンド薄膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載のステンシルマスクの製造方法。
- 前記炭素を主成分とする薄膜は、非単結晶ダイヤモンド薄膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載のステンシルマスクの製造方法。
- 前記非単結晶ダイヤモンド薄膜は、多結晶ダイヤモンド薄膜であることを特徴とする請求項7に記載のステンシルマスクの製造方法。
- 前記非単結晶ダイヤモンド薄膜は、ダイヤモンド状カーボン薄膜であることを特徴とする請求項7に記載のステンシルマスクの製造方法。
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