JP4768967B2 - イオン注入用ステンシルマスク及びその作製方法 - Google Patents
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Description
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、イオン注入用ステンシルマスクの少なくともステンシル部がダイヤモンド層を有するものであれば、ダイヤモンドは、強い共有結合力に起因する高いイオン照射耐性を有するため、イオン注入工程において、高精度かつ高純度なイオン注入を長期に渡って行うことが可能であることに想到し、本発明を完成させたものである。
本発明の、イオン注入用ステンシルマスクは、半導体デバイスの作製における、イオン注入工程で使用する、イオン注入用ステンシルマスクであって、少なくとも、基材部、ステンシル部を具備し、前記ステンシル部がダイヤモンド層を有するものである。
このイオン注入用ステンシルマスク10は、所望のパターン11にステンシル加工された、ダイヤモンド層を有するステンシル部12が、中央部が除去されたシリコン等の基材部13に支持された構造となっている。
先ず、図2(a)に示すように、例えばシリコンウェーハといった基材26を用意する。
このようなダイヤモンド層の成膜方法としては、例えば気相合成法がある。ここでは、気相合成法によりダイヤモンド層を成膜する方法について説明する。
まず、ダイヤモンド層を基材上に成膜する際には、基材表面上にダイヤモンド粒子を存在させることで、ダイヤモンドの核発生密度を高くでき、気相合成ダイヤモンドの形成が容易となる。そこで、薄くても均一な連続膜を得るために、基材表面にダイヤモンド懸濁液の塗布、ダイヤモンド懸濁液での超音波処理、ダイヤモンド粒子でのスクラッチ処理等によって、ダイヤモンド粒子を基材表面に種つけする前処理を行うことが有効である。
このマイクロ波CVD装置20は、ガス導入管21とガス排出管22を備えたチャンバー23内に、ヒーター等の加熱体が装着されたステージ25が配置されている。そして、チャンバー23内にプラズマを発生できるように、マイクロ波電源27が導波管28を介してマイクロ波導入窓24に接続されている。
(実施例1)
図2に示す作製手順で、イオン注入用ステンシルマスクを作製した。
直径100mm、厚みが1mmで方位<100>の両面研磨単結晶シリコンウェーハを基材26として用意した(図2(a))。
そして、この基材26上に、前処理工程、成膜工程を経てダイヤモンド層を成膜した。
先ず、基材をスピン塗布装置に真空吸着し、表面にダイヤモンド粒子の懸濁液(平均粒径50nmクラスターダイヤモンド)を50ml滴下した。
次に、基材を3000r.p.m.で30秒間回転させて表面のダイヤモンド粒子の懸濁液を均一塗布状態とした。その後自然乾燥させて、基材表面にダイヤモンドの種付け層を形成した。
先ず、図3に示したマイクロ波CVD装置20のチャンバー23内の基材台25上に前処理した基材26をセットした。
次に、ロータリーポンプで10−3Torr以下の減圧状態に排気した後、メタンガス、水素ガス、B(OCH3)3ガスからなる原料ガスをガス導入管21から供給した。各ガスは、メタンガス40.0sccm、水素ガス950.0sccm、B(OCH3)3ガス10.0sccmでチャンバー23内に導入し、体積比率を、メタンガス/水素ガス/B(OCH3)3ガス=4.0/95.0/1.0とした。
次に、ガス排出管22のバルブを調節してチャンバー23内を20Torrとして、マイクロ波電源27により3000Wのマイクロ波を印加してプラズマを発生させ、基材上にボロンドープダイヤモンド層の成膜を19時間行った。この成膜時に、基材はマイクロ波吸収で発熱し、表面温度は860℃に達していた。
研磨加工後、ダイヤモンド層からなるステンシル部12の中央35mm角領域では、厚みが10μm、表面粗さがRaで2nmであり、当該ダイヤモンド層からなるステンシル部12の電気抵抗率値を測定したところ、20℃で200Ω・cmであった。
マイクロ波CVD法によるダイヤモンド層の成膜工程において、ドーパントとしてB(OCH3)3ガスを成膜中の最後の2時間だけに導入して、導電性を有するダイヤモンドをダイヤモンド層の表面のみとしたこと以外は、実施例1と同様にしてイオン注入用ステンシルマスクを作製した。
直径100mm、シリコンからなるベース層の厚みが1mm、中間層の絶縁体層(SiO2層)が0.5μm、上層のシリコン層が10μmのSOI基板を用意した。上層のシリコン層の電気抵抗率は20℃で200Ω・cmであった。基材裏面のベース層の中央部を、上層のシリコン層が所望の形状にメンブレンとして残る様に、95℃のKOH水溶液でエッチングして除去して、続いて中間層のSiO2層を50%のHF酸でエッチングして除去した。これによって、上層のシリコン層が35mm角にメンブレン化されていて、かつベース層の枠(基材部)に支持されている状態となった。その後、CF4含有ガスのプラズマエッチングで35mm角のシリコンメンブレンを所望のパターンにパターン形成してイオン注入ステンシルマスクを完成させた。
12…ステンシル部、 13…基材部、 26…基材、
20…マイクロ波CVD装置、 21…ガス導入管、 22…ガス排出管、
23…チャンバー、 24…マイクロ波導入窓、 25…ステージ、
27…マイクロ波電源、 28…導波管。
Claims (8)
- 半導体デバイスの作製における、イオン注入工程で使用する、イオン注入用ステンシルマスクであって、少なくとも、基材部、ステンシル部を具備し、前記ステンシル部がダイヤモンド層を有し、かつ、前記ダイヤモンド層の一部が、電気伝導性を有するダイヤモンドであって、該電気伝導性を有するダイヤモンドは前記ダイヤモンド層の全表面又は一部表面に形成され、厚みが25.0μm以下の範囲であり、該電気伝導性を有するダイヤモンドの電気抵抗率が、20℃で1013Ω・cm以下の範囲であるものであることを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。
- 前記ダイヤモンド層が、マイクロ波CVD法又は熱フィラメントCVD法により成膜されたものであることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入用ステンシルマスク。
- 前記ダイヤモンド層の厚みが、0.1μm以上30.0μm以下の範囲であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のイオン注入用ステンシルマスク。
- 前記電気伝導性を有するダイヤモンドのドーパントが、ボロン又はリンであることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入用ステンシルマスク。
- 前記ダイヤモンド層の全表面もしくは一部表面上に、電気伝導性を有するダイヤモンドでない材料が形成されたものであって、該電気伝導性を有する材料は、電気抵抗率が20℃で1013Ω・cm以下の範囲で、かつ厚さが0.001μm以上2.000μm以下の範囲であるものであることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のイオン注入用ステンシルマスク。
- 前記電気伝導性を有する材料が、Si、SiC、SiN、ダイヤモンド構造でないC、Ti、Cr、Mo、Ru、Rh、Ag、In、Sn、Ta、W、Ir、Pt、Auから成る群から選択される単体又は化合物で構成されるものであることを特徴とする請求項5に記載のイオン注入用ステンシルマスク。
- 半導体デバイスの作製における、イオン注入工程で使用する、イオン注入用ステンシルマスクの作製方法であって、少なくとも、基材を用意し、該基材の上にダイヤモンド層を成膜して、基材部の上に、一部が、電気伝導性を有するダイヤモンドであって、該電気伝導性を有するダイヤモンドは前記ダイヤモンド層の全表面又は一部表面に形成され、厚みが25.0μm以下の範囲であり、該電気伝導性を有するダイヤモンドの電気抵抗率が、20℃で1013Ω・cm以下の範囲であるダイヤモンド層を有するステンシル部を形成することを特徴とするイオン注入用ステンシルマスクの作製方法。
- 前記ダイヤモンド層を、マイクロ波CVD法又は熱フィラメントCVD法により成膜することを特徴とする請求項7に記載のイオン注入用ステンシルマスクの作製方法。
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