JP5581725B2 - イオン注入用ステンシルマスクの製造方法 - Google Patents
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Description
12…第1の薄膜層
13…基板
14,16,19,111…エッチングマスク
15…第2の薄膜層
17…表裏重ね合わせ用マーク
18…第2のイオン注入用貫通孔パターン
110…位置合わせ用マーク
112…第1のイオン注入用貫通孔パターン
113、37…イオン注入用ステンシルマスク
32…エッチングストッパー層
33…薄膜層
34…SOIウエハ
35…開口部
36…貫通孔
Claims (1)
- 単結晶シリコンからなる支持層上に10μm厚のダイヤモンドからなる第1の薄膜層を形成する工程と、
前記支持層の前記第1の薄膜層が形成された面と反対の面に第1のエッチングマスクを形成する工程と、
前記支持層を前記第1のエッチングマスクを用いて当該支持層の厚さ方向の中間部まで加工することにより、単結晶シリコンからなる平均で50μm厚の第2の薄膜層を形成し、かつ不要となった前記第1のエッチングマスクを除去する工程と、
前記第2の薄膜層の前記第1の薄膜層と反対の面に第2のエッチングマスクを形成する工程と、
前記第2の薄膜層を前記第2のエッチングマスクを用いてエッチングして当該第2の薄膜層に複数の第2のイオン注入用貫通孔からなる第2のイオン注入用貫通孔パターンと表裏重ね合わせ用マークを形成し、かつ不要となった前記第2のエッチングマスクを除去する工程と、
前記第1の薄膜層の前記第2の薄膜層と反対の面に、前記表裏重ね合わせ用マークを用いて位置合わせ用マークをパターニングしてなる第3のエッチングマスクを形成する工程と、
前記第1の薄膜層を前記第3のエッチングマスクを用いてエッチングして当該第1の薄膜層に位置合わせ用マークを形成し、かつ不要となった前記第2のエッチングマスクを除去する工程と、
前記第1の薄膜層の前記第2の薄膜層と反対の面に、前記位置合わせ用マークを用いて第1のイオン注入用貫通孔パターンをパターニングして第4のエッチングマスクを形成する工程と、
前記第1の薄膜層を前記第4のエッチングマスクを用いてエッチングして当該第1の薄膜層に前記各第2のイオン注入用貫通孔の位置とそれぞれ合致する複数の第1のイオン注入用貫通孔からなる第1のイオン注入用貫通孔パターンを形成し、かつ不要となった前記第4のエッチングマスクを除去する工程とを備え、
前記第2のイオン注入用貫通孔の寸法が前記第1のイオン注入用貫通孔の寸法より大きい、
ことを特徴とするイオン注入用ステンシルマスクの製造方法。
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