JP4641236B2 - 荷電粒子線用転写マスク - Google Patents
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Description
これらの露光装置においては、シリコンメンブレンに対しパターン状に貫通孔が設けられているステンシル型の転写マスクが用いられている。
そして、このような転写マスク形成用の基板としては、均一膜厚のシリコンメンブレンを形成しやすい、SOI(Silicon On Insulator)基板が用いられる。
SOI基板は、例えば、図8(a)にその断面を示すように、支持基材形成用の単結晶シリコンからなる第1の層111の一面全体にシリコン酸化膜からなる第2の層112を形成し、該第2の層112の上側全体に、更に、マスクパターン形成用の単結晶シリコンからなる第3の層113を配設している。
図8(a)に示すSOI基板110を用い、その各部を加工して、例えば、図8(b)に示すような第3の層113をメンブレンとしてパターンを形成した転写マスク110Aを作製する。
ここで、第3の層113の厚さとしては、通常、50μm〜1μm、更にそれ以下のものが適宜用いられ、第1の層111の厚さとしては、SOI基板のサイズにもよるが200mmΦで0.725mm程度のものが用いられている。
第1の作製方法は、転写用パターンを単結晶シリコンからなる第3の層213(図8の113に相当)に形成した後に、転写用パターンの領域に対応する単結晶シリコンからなる第1の層211(図8の111に相当)を貫通開口するものである。
また、第2の作製方法は、転写用パターンの領域に対応する単結晶シリコンからなる第1の層211を貫通開口した後に、転写用パターンを単結晶シリコンからなる第3の層213に形成するものである。
ここで、第1の作製方法を、図9に基づいて、以下簡単に説明しておく。
はじめに、第1の層211、第3の層213をシリコン酸化膜からなる第2の層212(図8の112に相当)で貼り合わせた構造の、面方位が(100)のSOI基板210を転写マスク形成用の基板として用意し(図9(a))、これに対して、電子線レジストを塗布し、所定の加速電圧で電子線描画を行い、現像後、ドライエッチング、あるいはウェットエッチングを用いて、第3の層213をパターン加工して転写用パターンの開口213aを形成する。(図9(b))
このとき、第2の層212がエッチングストッパー層の役割を果たしている。
電子線レジストを除去した後、予め、第1の層211をウェットエッチングする際の、耐エッチング性の保護膜となるSiNx膜220を転写用パターンが形成されたSOI基板全体に形成し、続いて、転写用パターンの領域を貫通開口するためのSiNx膜220の開口領域を形成するために、SiNx膜220を加工し、SiNx膜220の開口220aを得る。(図9(c))
次に、ウエハ全体を加熱されたアルカリ水溶液に浸漬して第1の層211のエッチングを行ない貫通開口211aを形成する。(図9(d))
アルカリ水溶液としては、一般に、水酸化カリウム水溶液や水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)が用いられており、異方性エッチングがなされ、この場合、第2の層212がエッチングストッパー層の役割を果たしている。
次に、SiNx膜220を剥離し(図9(e))、露出した第2の層212を除去して、転写マスクを形成する。(図9(f))
また、第2の作製方法は、始めに、第1の層211、第3の層213を第2の層212(図8の112に相当)で貼り合わせた第1の作製方法の場合と同じ構造の、面方位が(100)のSOI基板210(図8の110に相当)を転写マスク形成用の基板として用意し(図10(a))、第1の層211をウェットエッチングするためのエッチング保護膜であるSiNx膜220をSOI基板210全体に形成し、続いて、SiNx膜220のパターニングを行ない、SiNx膜220の開口220aを形成した後(図10(b))、第1の層211をエッチングして貫通開口211aを形成する(図10(c))。
このときも第1の作製方法と同様、加熱されたアルカリ水溶液、一般には、水酸化カリウム水溶液や水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)が用いられる。
第2の層212が、エッチングストッパー層の役割を果たしている。
次に、SiNx膜220を剥離し(図10(d))、貫通開口211aから露出した第2の層を除去した後(図10(e))、第1の作製方法と同様にして、第3の層213をパターニングして、転写用パターンを形成して、転写マスクを得る。(図10(f))
尚、図9、図10に示す、いずれの転写マスクの作製方法においても、第1の層211をウェットエッチングして転写パターンの領域を貫通開口する際に、第2の層212がエッチングストッパー層として機能している。
尚、図11に示すLEEPL方式の場合、電子銃510から放出された電子ビーム515を用いて、レジスト塗布済みウエハ(ただし、レジストは明示されていない)560へ転写用マスク570のパターンが転写されるもので、メンブレン571とレジスト塗布済みウエハ560のレジストとのギャップGを30μm〜90μmと近接させ、所定スポット径の電子ビーム515を照射しながら走査するもので、メンブレン571の非開口部571aに照射された電子ビームは吸収体であるメンブレン571に吸収され、像形成に寄与せず、メンブレン571の開口部571bに照射された電子ビームのみが像形成に寄与する。
図11において、510は電子銃、515は電子ビーム、520は電子レンズ、530はアパーチャ、540、545は主偏向器、550、555は副偏向器、560はレジスト塗布済みウエハ(ただし、レジストは明示されていない)、570は転写用マスク(LEEPL用の転写マスクのこと)、571はメンブレン、571aは非開口部、571bは開口部、572は支持部材、580は静電チャック、585は電極である。
Experimental analysis of image placement accuracy of single−membrane masks for LEEPLE;M.Kitada、Y.Aritsuka、S.Yusa、N.Kuwahara、H.Hujita、T.Takikawa、H.Sano、and M.Hoga、Proc.SPIE、Vol.5853、p921−932(2005) 図6(a)に示すように、シリコンメンブレンからなるLx1×Ly1サイズの転写領域内に、所定の開口率を有するホール状の貫通孔パターンを均一に配列したWx1×Wy1サイズの矩形の貫通孔パターン領域を、4行4列、所定のピッチPx1、Py1で配設した場合の、図6(b)に示すように、各貫通孔パターン領域310内に貫通孔パターン配設部311の一部を置き換えて、所定のピッチPx2、Py2で配設した位置測定用マーク( IPマーク) 315の設計位置からの位置ずれを測定したが、貫通孔パターンの粗密に対応して、図7(a)、図7(b)のように、設計位置からの位置ずれが測定された。 図7(a)、図7(b)に示す位置ずれ測定結果からは、貫通孔パターン領域が所望とする形状(ここでは四角領域)から変形していることが分かる。 尚、Lx1、Ly1、Wx1、Wy1、Px1、Py1、Px2、Py2は、それぞれ、27mm、34mm、3mm、3mm、5mm、7mm、1mm、1mmで、図7(a)、図7(b)は、それぞれ、貫通孔パターンの開口率を0.1(10%)、0.2(20%)とした場合の、位置測定結果を、設計位置からのずれ量で示したものである。 図7(a)において、設計位置からの位置ずれのばらつきは、3σで、X方向は13.2nm、Y方向は13.9nmとなり、図7(b)において、設計位置からの位置ずれのばらつきは、3σで、X方向は15.8nm、Y方向は16.6nmとなった。 尚、測定は、Leca Microsystems社製LMS IPRO(商品名)により行った。 このようなLEEPL用の転写マスクにおいては、最近では、上記の貫通孔パターンの設計位置からの位置ずれをより小さくすることが求められるようになってきたが、図9や図10に示す作製方法により作製された、図8に示すメンブレンに転写する貫通孔パターンを形成したLEEPL用の転写マスクにおいては、このような要求に対応することができず問題となっていた。
ここに記載のものは、非転写領域に上記応力緩和用の貫通孔ミシン目輪を設けるもので、また、開口の密度により、その輪形状を変化させるものでもない。
また、Pattern distortions in stencil masks(非特許文献3)には、本パターンが配置されている領域の中に、応力緩和用のホール(stress relief hole)を設け、開口の密度を均一化した構造のステンシルマスクが記載されている。
また、USP4,827,138号公報(特許文献2)には、転写される解像限界以下の桟からなる格子に囲まれた貫通孔部を非転写性材料で埋め込んだ構造のマスクで、パターン部以外の貫通孔部を局所的に埋め込み、応力を緩和させる構造のマスク(FILLED GRID MASK)の記載がある。
Ion Projection Lithography;J.Melngailis、H.Loschner、G.Stengl、I.Berry、A.Mondelli、and G.Gross、Proc.SPIE、Vol.3412、P369〜P384(1998) Pattern distortions in stencil masks;J.Randall,J.Vac.Sci.Technol.B12,3543(1994)
本発明はこれに対応するもので、転写するためのパターンとして、貫通孔パターンをメンブレンに配設したステンシルマスク型の荷電粒子線用転写マスクであって、所望とする貫通孔パターン形成領域の形状の変形を小さくすることができる、換言すると、貫通孔パターン形成領域における各貫通孔パターンの設計位置からの位置ずれを小さく設定することができる荷電粒子線用転写マスクを提供しようとするものである。
Ai×d=Bi×f (i=1〜n)
であることを特徴とするものである。
そして、上記の荷電粒子線用転写マスクであって、付加薄肉パターンPbiとして、単位の薄肉部を均一に配列させていることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかの荷電粒子線用転写マスクであって、付加薄肉パターンPbiの薄肉部の幅は、貫通孔パターンPaiの貫通孔の幅の1倍〜2倍であることを特徴とするものである。
そして、以下、貫通孔パターンPaiが形成されたパターン領域を貫通孔パターン領域とも言う。
また、「互いに十分離して、メンブレンに配設」とは、互いに、他の本パターンの位置ずれに、換言すると貫通孔パターン領域の変形に、寄与しない程度に、十分に離れていることを意味する。
そして、このような付加薄肉パターンは、必要に応じて配設するもので、勿論、このような付加薄肉パターンをその回りに設けない本パターンもありえる。
そして、上記の荷電粒子線用転写マスクの作製方法であって、単結晶シリコンからなる第1の層を支持基材として、該支持基材の一面側全体に、順に、シリコン酸化膜からなる第2の層、パターン形成用の単結晶シリコン層からなるメンブレン用素材である第3の層、シリコン酸化膜からなる第4の層を、配設している基材を加工用基材として、該加工用基材に対し、第4の層上に所定形状の開口を有するレジストパターンを形成し、該レジストパターンの開口領域の、第4の層を前記所定形状に開口し、更に第4の層から露出した第3の層をエッチング加工して、貫通孔パターン形成のための未貫通パターンと付加薄肉パターンとを形成する、前記第1のメンブレン加工工程を行った後、付加薄肉パターンを耐エッチング膜で覆い、第4の層の開口から露出している、未貫通パターンの薄肉領域を、第2の層をエッチングストッパー層として、更に深さ方向にエッチング加工して、貫通孔パターンを形成する第2のメンブレン加工工程を行い、この後、第1の層の所定領域を貫通して開口させ、更に、第1の層の開口から第2の層を除去するものであることを特徴とするものである。
請求項1の発明の荷電粒子線用転写マスクは、このような構成にすることにより、転写するためのパターンとして、貫通孔パターンをメンブレンに配設したステンシルマスク型の荷電粒子線用転写マスクで、所望とする貫通孔パターン形成領域の形状の変形を小さくすることができる、換言すると、貫通孔パターン形成領域における各貫通孔パターンの設計位置からの位置ずれを小さく、更には位置ずれのばらつきを小さく設定することができる荷電粒子線用転写マスクの提供を可能としている。
具体的は、各貫通孔パターンPaiがメンブレンに形成されたことにより、メンブレン面における剛性のバランスが崩れて、各貫通孔パターンを構成する各貫通孔に位置ずれが生じた際に、その位置ずれを低減する為の、マスクにおける剛性分布調整構造として、前記貫通孔パターンPaiの外周側であり、かつ、他の貫通孔パターンとは重ならないメンブレン領域に、該貫通孔パターンPaiの、貫通孔の密度(粗密)に依存して、メンブレンを貫通しない所定の深さにて、メンブレンにパターン状にあるいはベタ状に、エッチング加工により薄肉化された1以上の、転写されない薄肉部群からなる付加薄肉パターンを設けていることにより、これを達成している。
即ち、各貫通孔パターンの外周側の、貫通孔パターン領域でないメンブレン領域に、該貫通孔パターンの、貫通孔の密度(粗密)に依存して、メンブレンを貫通しない所定の深さにて、メンブレンにパターン状にあるいはベタ状にエッチング加工した1以上の、転写されない薄肉部からなる付加薄肉パターンを、メンブレン面における剛性のバランスを調整するように設けており、これにより、マスクの剛性の分布調整を可能としている。
特に、各貫通孔パターンPaiは互いに十分に離れて配設されており、各貫通孔パターンPaiの開口率がAi(0<Ai<1)で、各貫通孔パターンPaiの回り全体に、それぞれ、開口率Bi(0<Bi≦1)で、メンブレンを貫通しない深さfで、付加薄肉パターンPbiを設けており、且つ、メンブレンの厚さをdとして、
Ai×d=Bi×f (i=1〜n)
であることにより、その作製を実用レベルで容易に可能なものとしている。
また、付加薄肉パターンPbiとして、単位の薄肉部を均一に配列させている、請求項2の発明の構成とすることにより、種々の貫通孔パターンの粗密に対応して、付加パターンを作製し易いものとしている。
また、付加薄肉パターンPbiの薄肉部の幅は、貫通孔パターンPaiの貫通孔の幅の1倍〜2倍である、請求項3の発明の構成とすることにより、パターン作製のエッチング等のプロセスにおいて、寸法やエッチングの深さ等を制御し易いものとしている。
更に補足しておくと、貫通孔パターンの外周の付加薄肉パターンの領域が大きくなるにしたがい、貫通孔パターンの貫通孔の位置ずれを低減する効果は大きくなるため、付加薄肉パターンの領域を大きくすることが好ましい。
そして、貫通孔パターンの外周のメンブラン領域全体にわたり、付加薄肉パターンを設けた場合には、位置ずれをなくすことも可能である。
図1(a)は本発明の荷電粒子線用転写マスクの実施の形態の第1の例の平面図で、図1(b)は図1(a)のA1−A2における断面図で、図2(a)は本発明に関わる荷電粒子線用転写マスクの参考実施形態例1の平面図で、図2(b)は図2(a)のB1−B2における断面図で、図3(a)は図2(a)のメンブレン領域20を拡大して示した図で、図3(b)は図2(a)の貫通孔パターン領域21の一部を拡大して示した図で、図4(a)〜図4(e)は図1に示す第1の例の荷電粒子線用転写マスクの作製工程の一部を示した工程断面図で、図5(f)〜図5(i)は図4に続く工程断面図である。
尚、図1〜図3中、矢印X、Yは、X−Y座標系のX、Y方向を示している。
図1〜図5中、10、10aはLEEPL用の転写マスク(荷電粒子線用転写マスクとも言う)、10Aは加工用基材、11は支持基材(第1の層とも言う)、11Aは(支持基材の)貫通開口、12はシリコン酸化膜(第2の層とも言う)、13はメンブレン素材層(第3の層あるいはメンブレンとも言う)、13Aは未貫通孔パターン、13aは(メンブレン素材層の)未貫通孔、13bは(メンブレン素材層の)貫通孔、14はシリコン酸化膜(第4の層とも言う)、20はメンブレン領域、21、21A、21Bは貫通孔パターン領域(本パターン領域とも言う)、21aは貫通孔、21bはメンブレン素材部、25は付加薄肉パターン、25A、25Bは付加薄肉パターン領域、26、27は(本パターン領域の)境部、30はアライメントマーク、40はノッチ、50はレジスト(レジストパターンとも言う)、50Aは(レジストの)開口、55はレジスト(レジストパターンとも言う)、55Aは(レジストの)開口、d1、d2は(メンブレンの)厚さ、f1、f2は付加薄肉パターンの孔の深さである。
第 1の例の荷電粒子線用転写マスク10は、転写するための貫通孔パターンとして、貫通孔群からなる2個の貫通孔パターンを、それぞれ、貫通孔パターン領域21A、21Bに、互いに十分に離して、メンブレン領域20に配設されたステンシルマスク型のLEEPL用の転写マスクである。
貫通孔パターン領域21A、21Bに形成されている貫通孔パターンを、それぞれ、Pa1、Pa2とすると、本例においては、各貫通孔パターンPa1、Pa2の開口率がA1、A2で、各貫通孔パターンPa1、Pa2の回り全体に、それぞれ、開口率B1、B2で、メンブレンを貫通しない深さf1で、付加薄肉パターンPb1、Pb2を設けており、且つ、メンブレンの厚さをd1として、関係式Ai×d1=Bi×f1(i=1、2)を満たすように、B1、B2、f1が決められている。
第1の例は、貫通孔パターンPa1、Pa2がメンブレンに形成されたことにより、メンブレン面における剛性のバランスが崩れて、各貫通孔パターン自体の位置精度が歪むことを防止する為の、あるいは緩和する為の、マスクにおける剛性分布調整構造として、各貫通孔パターン領域21A、21Bの外全周にわたり、貫通孔パターン領域ではないメンブレン領域20に、貫通孔パターンPa1、Pa2の、貫通孔の密度(粗密)、すなわち開口率に依存して、メンブレンを貫通しない所定の深さにて、メンブレンに、格子状にエッチング加工により薄肉化された複数の、転写されない薄肉部からなる付加薄肉パターン25を設けている。
ここでは、薄肉部は矩形状で、X方向、Y方向にそれぞれ、所定のピッチで均一に配列されている。
このようにすることにより、各貫通孔パターン領域21A、21Bにおける貫通孔パターンPa1、Pa2の位置ずれを低減し、各パターンの変形を実用レベルのものとしている。
また、本例では、作製を実用レベルで容易とするため、各付加薄肉パターンPb1、Pb2の薄肉部の幅は、各貫通孔パターンPa1、Pa2の貫通孔部の幅の1倍〜2倍としている。
メンブレン領域20は、第1の層11、第2の層12が除去された領域で、第1の層11、第2の層12の開口領域である。
そして、支持基材11に支持された、メンブレン領域の第3の層13に、貫通孔パターン領域21A、21Bを設け、更に、貫通孔パターン領域21A、21Bを、それぞれ囲むように、付加薄肉パターン25をメンブレン領域20に配設している。
尚、各部は、転写マスク10の中心に対してほぼ対称の位置に配置している。
尚、これを以って、本発明の荷電粒子線用転写マスクの作製方法の説明に代える。
先ず、厚さ0.725mmの支持基材形成用の面方位が(100)の単結晶シリコンからなる第1の層11を支持基材として、該支持基材11の一面側全体に、順に、シリコン酸化膜(SiO2 膜)からなる第2の層12、パターン形成用の面方位が(100)の単結晶シリコン層からなるメンブレン用素材である第3の層13、シリコン酸化膜(SiO2 膜)からなる第4の層14を、それぞれ、厚さ、10nm〜180nmの範囲、1μm程度、10nm〜180nmの範囲にして配設している所定サイズ(例えば、200mmΦサイズ)の基材(SOI基板とも言う)を加工用基材10Aとして用意しておく。(図4(a))
次いで、貫通孔パターン形成のための未貫通パターンと付加薄肉パターンとを、形成する第1のメンブレン加工工程を行う。
加工用基材10Aの第4の層14に対して、図示していないが、電子線レジストを塗布し、所定の加速電圧で電子線露光を行い、現像した(図4(b))後、露出した第4の層14の除去を行い、更に、付加薄肉パターン形成領域の深さが所定の深さになるように、第3の層13をエッチングする。(図4(c))
この段階で、未貫通孔パターン13Aと付加薄肉パターン25とが形成される。
通常、第4の層14の除去は、室温の緩衝フッ酸に浸漬して行い、また、第3の層13のエッチングは、ドライエッチングにて行う。
電子線レジストとしては、耐エッチング性が良く、所望の解像性があり、処理性の良いものであれば、特に限定はされない。
ドライエッチングには、例えば、誘導結合プラズマ式ドライエッチング装置等が用いられる。
図示していないが、全面に電子線レジストを塗布し、所定の露光を行い、付加薄肉パターン形成領域を覆い、且つ、転写する貫通孔パターン形成領域、即ち、前記未貫通パターン13A形成領域を露出するように、レジストパターン55を形成する。(図4(e)) 次いで、第4の層14を耐エッチングレジストとして、ドライエッチングにより、第3の層13のエッチングを行い、(メンブレン素材層の)貫通孔13bを形成し(図5(f))、レジスト55を除去しておく。(図5(g))
この段階で、(メンブレン素材層の)貫通孔パターンが形成される。
21Bが貫通孔パターン領域である。
ドライエッチングは、六フッ化硫黄(SF6 )とオクタフルオロシクロブタン(C4 F8 )等のガスを用いて、例えば、誘導結合プラズマ式ドライエッチング装置等にて行う。
図示していないが、SiNx膜を両面全面に全体が覆われるように膜付けした後、支持基材である第1の層11の前記貫通開口すべき所定の領域を開口するレジスト製版を行い、この開口領域のSiNx膜を除去し(図9(d)参照)、更に、SiNx膜を耐エッチイングレジストとして、エッチング液として水酸化カリウム水溶液を用いて、第1の層11の露出部をウエットエッチングして貫通開口11Aを形成する。(図5(h))
次いで、図示していない、SiNx膜を除去し(図9(e)参照)、露出したシリコン酸化膜12を除去して、メンブレンに配設された貫通孔21a と付加薄肉パターン25とを有するLEEPL用マスクを得る。(図5(i))
尚、水酸化カリウム水溶液を用いたエッチングにおいて、貫通させないでエッチングを止め、エッチングの残存部をTMAH水溶液をエッチング液として用いて、エッチング除去しても良い。
また、ここでは、第1の層11をウエットエッチングする際、第2の層12がエッチングストッパー層の役割を果たしている。
SiNx膜の除去は、例えば、160℃加熱した燐酸に浸漬して行う。
露出したシリコン酸化膜12の除去は、室温の緩衝フッ酸に浸漬して行う。
このようにして、加工用基材10Aを用いて、図1に示す第1の例の荷電粒子線用転写マスクであるLEEPL用マスクを作製することができる。
参考実施形態例1の荷電粒子線用転写マスク10aは、図2(a)に示すように、メンブレン領域20に複数の貫通孔パターン領域21を面付けして配置したステンシルマスク型のLEEPL用の転写マスクで、面付け配置された複数の貫通孔パターン領域21を一体とした領域の外側、全周にわたり、連続したベタ状の、転写されない付加薄肉パターン25を、転写されるための貫通孔パターンの、貫通孔の密度(粗密)に依存して、第1の例の場合と同様にして、エッチング加工により所定の深さf2だけエッチングして所定の厚さに形成してある。
ここでは、メンブレン13の厚さをd2、全ての貫通孔パターン領域21の開口率をA0とした場合で、関係式A0×d2=f2を満たすように、f2が決められている。
各貫通孔パターン領域21同士の境部26が、この幅より狭いときには、その部分には
付加薄肉パターンは配設されない。
そして、第1の例の場合と同様、各部は、転写マスク10の中心に対してほぼ対称の位置に配置している。
このようにすることにより、面付け配置された複数の貫通孔パターン領域21を一体とした領域(以下、パターン集合領域と言う)の周辺部におけるマスクの剛性分布の調整が行え、特に、パターン集合領域内の外側におけるパターンの位置ずれを低減できる。
即ち、パターン集合領域内の外側におけるパターンの変形を実用レベルに抑えることを可能としている。
第1の層11〜第3の層13等の各部材については、基本的には、第1の例と、同様である。
本例においては、特に、全ての貫通孔パターン領域21の開口率が近似的にA0である場合、メンブレン領域20の全体にわたり、剛性の分布をほぼ均一にできるため、各貫通孔パターン領域21内のパターン全体について、変形をきわめて小さいものとすることができる。
A0×d2=B3×f3
となるように、B3、f3を選ぶ。
10A 加工用基材
11 支持基材(第1の層とも言う)
11A (支持基材の)貫通開口
12 シリコン酸化膜(第2の層とも言う)
13 メンブレン素材層(第3の層あるいはメンブレンとも言う)
13A 未貫通孔パターン
13a (メンブレン素材層の)未貫通孔
13b (メンブレン素材層の)貫通孔
14 シリコン酸化膜(第4の層とも言う)
20 メンブレン領域
21、21A、21B 貫通孔パターン領域(本パターン領域とも言う)
21a 貫通孔
21b メンブレン素材部
25 付加薄肉パターン
25A、25B 付加薄肉パターン領域
26、27 (本パターン領域の)境部
30 アライメントマーク
40 ノッチ
50 レジスト(レジストパターンとも言う)
50A (レジストの)開口
55 レジスト(レジストパターンとも言う)
55A (レジストの)開口
d1、d2 (メンブレンの)厚さ
f1、f2 付加薄肉パターンの孔の深さ
110 SOI基板
111 第1の層
112 第2の層
113 第3の層
110A 転写マスク
210 SOI基板
211 第1の層
212 第2の層
213 第3の層
213a (第3の層の)開口
220 SiNx膜
220a (SiNx膜の)開口
211a 貫通開口
310 貫通孔パターン領域
311 貫通孔パターン配設部
315 位置測定用マーク
510 電子銃
515 電子ビーム
520 電子レンズ
530 アパーチャ
540、545 主偏向器
550、555 副偏向器
560 レジスト塗布済みウエハ
570 転写用マスク(LEEPL用の転写マスクのこと)
571 メンブレン
571a 非開口部
571b 開口部
572 支持部材
580 静電チャック
585 電極
Claims (3)
- 転写するための貫通孔パターンとして、貫通孔群からなるn個の貫通孔パターンPai(i=1〜n)を、互いに離して、メンブレンに配設したステンシルマスク型の荷電粒子線用転写マスクであって、前記各貫通孔パターンPaiがメンブレンに形成されたことにより、メンブレン面における剛性のバランスが崩れて、各貫通孔パターンを構成する各貫通孔に位置ずれが生じた際に、その位置ずれを低減する為の、マスクにおける剛性分布調整構造として、前記貫通孔パターンPaiの外周側であり、かつ、他の貫通孔パターンとは重ならないメンブレン領域に、該貫通孔パターンPaiの、貫通孔の密度(粗密)に依存して、メンブレンを貫通しない所定の深さにて、メンブレンにパターン状にあるいはベタ状に、エッチング加工により薄肉化された1以上の、転写されない薄肉部群からなる付加薄肉パターンを設けており、各貫通孔パターンPaiは互いに十分に離れて配設されており、各貫通孔パターンPaiの開口率がAi(0<Ai<1)で、各貫通孔パターンPaiの回り全体に、それぞれ、開口率Bi(0<Bi≦1)で、メンブレンを貫通しない深さfで、付加薄肉パターンPbiを設けており、且つ、メンブレンの厚さをdとして、 Ai×d=Bi×f (i=1〜n)
であることを特徴とする荷電粒子線用転写マスク。 - 請求項1に記載の荷電粒子線用転写マスクであって、付加薄肉パターンPbiとして、単位の薄肉部を均一に配列させていることを特徴とする荷電粒子線用転写マスク。
- 請求項1ないし2のいずれか1項に記載の荷電粒子線用転写マスクであって、付加薄肉パターンPbiの薄肉部の幅は、貫通孔パターンPaiの貫通孔の幅の1倍〜2倍であることを特徴とする荷電粒子線用転写マスク。
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