JP4648134B2 - Soi基板、荷電粒子線露光用マスクブランクスおよび荷電粒子線露光用マスク - Google Patents
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Description
SOI基板の反りの主な原因は、中間層であるシリコン酸化膜による圧縮応力である。そしてこの酸化膜は通常シリコンウェハを熱酸化することで形成されている。そこで、同一膜厚かつ同一膜質の膜であれば、応力も同じであることが期待されるので、SOI基板の裏面にも、中間層であるシリコン酸化膜と同一の熱酸化膜を基板反り防止膜として形成し、マスク最終形態までこの裏面酸化膜を残すという提案がされている(特許文献2参照)。また、上記の裏面酸化膜上に、さらに窒化シリコン膜等の反り調整膜を形成した転写マスクも提案されている(特許文献3参照)。
すなわち、本発明によれば、SOI基板の他方の主面上(裏面側)に設ける基板反り防止層として、成膜条件を最適化したシリコン薄膜を形成することにより、基板の応力調整、すなわち基板反り量の調整を可能とし、基板の反りが防止されたSOI基板を得ることができる。
また、本発明のSOI基板を用いることにより、パターン位置精度の高いマスクを得ることが可能な荷電粒子線露光用マスクブランクス、およびマスクパターンの位置精度の高い荷電粒子線露光用マスクを得ることができる。
次に、上記の材料とするSOI基板10aを洗浄、乾燥後、図4(b)に示すように、SOI基板の他方の主面(本発明においては、「裏面」とも称する。)上にシリコンからなる基板反り防止層14を形成し、本発明のSOI基板10を形成する。基板反り防止層14の形成方法としてはスパッタリング法や真空蒸着法等の真空成膜法が好ましく、シリコン薄膜の応力が制御し易く、高品質の膜形成が可能な点から、スパッタリング法がより好ましい。なお、基板の反りを小さくする力は、薄膜の応力と膜厚の積に比例する。
また、本発明のSOI基板10の反り防止層14を形成するシリコン薄膜は、スパッタリング法等の真空成膜法により形成されるものであり、アモルファス状態を示すものである。
また、導電性付与は、シリコンからなる基板反り防止層14の上に、Ta、Cr、Ti、Mo、W、Zrからなる群から選ばれたいずれか1種の金属薄膜を積層することにより達成することも可能である。
次に、基板反り防止層14上にフォトレジスト等を塗布し、フォトリソグラフィ法により開口パターンを設け、基板の裏面側から、シリコン酸化膜12をエッチング停止層として、基板反り防止層14、続いてシリコン単結晶13をエッチングして開口部15を形成した後、フォトレジスト等を剥離し、図4(c)に示すように、マスクブランクス20を形成する。基板反り防止層14およびシリコン単結晶13のエッチングは、公知のKOH水溶液によるウェットエッチング法で行なってもよいし、SF6 、CF4等のフッ素系ガスを用いてドライエッチング法で行なってもよい。
次に、基板表面側のシリコン薄膜層11上に電子線レジスト等を塗布し、電子線描画装置等で所定のパターンを描画し、現像し、露出したシリコン薄膜層11をドライエッチングして、シリコン酸化膜12をエッチング停止層として電子線透過孔を設け、図4(d)に示すように、シリコン酸化膜12上にマスクパターン18を形成する。
次いで、開口部15のエッチング停止層として機能したシリコン酸化膜12を緩衝フッ酸等を用いてエッチング除去して、図4(e)に示すように、荷電粒子線露光用マスク30を形成する。
(実施例1)
(SOI基板)
本発明のSOI基板の材料として、シリコン単結晶厚725μm、中間層のシリコン酸化膜厚1μm、表面のシリコン薄膜層厚2μmの200mm径SOI基板を用意した。この基板はマスク用SOI基板として一般的な仕様であり、市販品として入手可能である。
ZFront (x,y)=(「表面反り量」−「重力による撓み量」)
ZBack (x,y)=(「裏面反り量」+「重力による撓み量」)
Z=[ ZFront(x,y)+ZBack(x,y)]/2 ……(1)
前述したように、SOI基板の反りを防止する力はスパッタリング法にて形成したシリコン薄膜の応力と膜厚の積に比例し、基板の反り量はシリコン薄膜の応力と膜厚で調整することができ、シリコン薄膜の内部応力は、スパッタ成膜時の圧力で制御することができる。
本実施例に用いたスパッタリング装置においては、出力5kW、Arガス圧力0.6Pa、成膜時間100secで、膜厚0.3μmのシリコン薄膜を成膜して、基板反り防止層を形成した。
次に、上記の膜厚0.3μmのシリコン薄膜を基板反り防止層として設けた200mm径のSOI基板を用い、基板反り防止層上にノボラック系樹脂を用いたフォトレジストを15μmの厚さに塗布し、開口部パターンを有するフォトマスクを用いて露光し、現像して、所定のレジストパターンを形成した。開口部パターンは、開口部の1単位が1.13×1.13mm、シリコン単結晶による支持体部となる開口部間の幅は170μmとし、開口部は複数単位設けた。
次に、上記のマスクブランクスの表面のシリコン薄膜層上に電子線レジストを塗布し、マスク用電子線描画装置で所定のパターンを描画し、現像して、260nmのライン&スペースのレジストパターンを形成した後、レジストパターンをエッチングマスクとして、HBrガスを用いてシリコン薄膜層をドライエッチングし、中間層のシリコン酸化膜上にシリコン薄膜層の電子線透過孔を設けたマスクパターンを形成した。
本実施例のSOI基板の材料として、実施例1で用いたと同じ仕様の200mm径SOIの基板を用意した。3点支持法により測定した基板の反り量は、95μmであった。
次に、Taシリサイドのターゲットを作製し、このターゲットを用いてArガス雰囲気下で、スパッタリング法により、Taを含有するシリコン薄膜をSOI基板の裏面に形成し、基板反り防止層とした。基板反り防止層形成後の基板反り量は、7μmであった。
本実施例のSOI基板は裏面の基板反り防止層が導電性を有しており、このSOI基板を用いることにより、帯電防止効果が高く、パターンの位置精度の高い荷電粒子線露光用マスクを作製することができた。
本実施例のSOI基板の材料として、実施例1で用いたと同じ仕様の200mm径SOIの基板を用意した。3点支持法により測定した基板の反り量は、90μmであった。
次に、シリコン・ターゲットを用いArガス雰囲気下で、スパッタリング法により、SOI基板の裏面にシリコンをスパッタリングし、続いて、Taターゲットを用いてTaをスパッタリングし、シリコン薄膜とTa薄膜とからなる基板反り防止層を形成した。基板反り防止層形成後の基板反り量は、8μmであった。
このSOI基板を用い、裏面の基板反り防止層をTa、シリコンの順にエッチングして開口部を設けることにより、帯電防止効果が高く、パターンの位置精度の高い荷電粒子線露光用マスクを作製することができた。
10 本発明のSOI基板
11 シリコン薄膜層
12、19 シリコン酸化膜
13、16 シリコン単結晶(支持体)
14、17 基板反り防止層
15 開口部
18 マスクパターン
70、80 SOI基板
71、81 支持点
Claims (7)
- シリコン単結晶の一方の主面上にシリコン酸化膜を介してシリコン薄膜層を有するSOI基板において、前記シリコン単結晶の他方の主面上には、スパッタリング法により形成されたアモルファス状態のシリコンからなる基板反り防止層が設けられており、前記基板反り防止層の内部応力がスパッタリング成膜時の圧力制御によって調整され、かつ、前記基板反り防止層の膜厚がスパッタリング成膜時間によって調整されていることにより、前記SOI基板の反り量が10μm未満に抑制されていることを特徴とするSOI基板。
- 前記シリコンからなる基板反り防止層が、Ta、Cr、Ti、Mo、W、Zrからなる群から選ばれた金属を1種もしくは2種以上含むことを特徴とする請求項1に記載のSOI基板。
- 前記シリコンからなる基板反り防止層の上に、Ta、Cr、Ti、Mo、W、Zrからなる群から選ばれたいずれか1種の金属薄膜が積層されていることを特徴とする請求項1に記載のSOI基板。
- 請求項1〜請求項2のいずれか1項に記載のSOI基板を用い、露光領域となる部分の前記基板反り防止層並びにシリコン単結晶を除去して開口部が形成されていることを特徴とする荷電粒子線露光用マスクブランクス。
- 請求項3に記載のSOI基板を用い、露光領域となる部分の前記金属薄膜、前記基板反り防止層並びにシリコン単結晶を除去して開口部が形成されていることを特徴とする荷電粒子線露光用マスクブランクス。
- 請求項1〜請求項2のいずれか1項に記載のSOI基板を用い、前記SOI基板の一方の主面側のシリコン薄膜層にマスクパターンが形成され、他方の主面側の露光領域となる部分の前記基板反り防止層、シリコン単結晶、シリコン酸化膜を除去して開口部が形成されていることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。
- 請求項3に記載のSOI基板を用い、前記SOI基板の一方の主面側のシリコン薄膜層にマスクパターンが形成され、他方の主面側の露光領域となる部分の前記金属薄膜、基板反り防止層、シリコン単結晶、シリコン酸化膜を除去して開口部が形成されていることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。
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