JP5003321B2 - マスクブランクおよびマスクブランク製造方法 - Google Patents
マスクブランクおよびマスクブランク製造方法Info
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Description
並びに、該マスクブランクを用いた転写マスク、および、該マスクブランクを用いた転写マスク製造方法に関する。
基板は単結晶シリコンであり、エッチングストッパ層は酸化シリコンであり、薄膜層は多結晶シリコンであることを特徴とするマスクブランクである。
本発明の構成によれば、転写マスクの開口部を設ける部位に、凹部を設けることで、該凹部を埋めるエッチングストッパ層は、開口部を形成する位置のみに形成されることになる。このため、基板全面にエッチングストッパ層を形成するよりも、エッチングストッパ層に起因した反りを低減することが出来る。
これにより、優れた転写精度を有する転写マスクの製造が可能なマスクブランクを提供することが可能となる。
本発明のマスクブランクは、
凹部を設けた基板と、
前記凹部を埋めるように設けたエッチングストッパ層と、
前記基板およびエッチングストッパ層の上部に設けた平坦な薄膜層と、
を備える。
本発明のマスクブランク製造方法は、
基板に凹部を形成する工程と、
前記基板上にエッチングストッパ層を形成する工程と、
前記基板および前記エッチングストッパ層を平坦化する工程と、
前記基板およびエッチングストッパ層の上部に薄膜層を形成する工程と、
を備える。
まず、基板を用意し、凹部を形成する。凹部の形成方法としては、適宜公知の微細加工方法を用いれば良い。例えば、フォトレジスト法、微細機械加工方法(マニシング法、レーザ加工法)などを用いても良い。
次に、凹部を設けた側の基板表面上にエッチングストッパ層を形成する(図2(d))。エッチングストッパ層を形成する方法としては、エッチングストッパ層に用いる材料に応じて適宜公知の薄膜形成方法を用いて良い。例えば、エッチングストッパ層として酸化シリコンを用いる場合、スパッタリング法を用いても良い。
次に、エッチングストッパ層を開口部形成領域(A)以外の領域に形成されたエッチングストッパ層が完全になくなるまで研磨し、平坦化を行う(図2(e))。このとき、後述する<薄膜層を形成する工程>において、薄膜層の膜厚分布を小さくするために、上面ができるだけ平坦になるように行うことが望ましい。また、平坦化に際して、開口部形成領域(A)以外の領域における基板(21)表面が若干削れてもかまわない。
次に、図2(f)に示すとおり、エッチングストッパ層(24)が形成された基板(21)表面に薄膜層(25)を形成する。
薄膜層(25)の形成方法としては、薄膜層に用いる材料に応じて適宜公知の薄膜形成方法を用いても良い。例えば、薄膜層として多結晶シリコンを用いる場合、スパッタリング法を用いても良い。
本発明のマスクブランクを用いた転写マスクの製造方法は、
薄膜層を設けた側と反対側の基板上に、凹部の位置と対応するようにレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、エッチングストッパ層まで、基板をエッチングする工程と、
前記エッチングストッパ層を剥離する工程と、
薄膜層に荷電粒子線透過孔を形成する工程と、
を備える。
まず、図3(a)に示すとおり、本発明のマスクブランクを用意する。
次に、図3(b)に示すとおり、基板(21)の裏面上にフォトレジストをスピンナー等で塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターン(26)を形成する。
次に、図3(c)に示すとおり、レジストパターン(26)をエッチングマスクにしてドライエッチング等により、開口部形成領域(A)に形成されたエッチングストッパ層(24)まで、基板(21)のエッチング加工を行い、開口部(27)を形成する。
次に、開口部形成領域(A)に残存するエッチングストッパ層(24)およびレジストパターン(26)を除去し、開口部形成領域(A)の薄膜層(25)を転写マスクのメンブレンとする。
次に、図3(d)に示すとおり、薄膜層(25)からなるメンブレン上に電子線レジストをスピンナー等で塗布して感光層を形成し、電子ビーム描画、現像等のパターニング処理を行って、レジストパターン(29)を形成する。
以下、本発明のマスクブランク製造方法について、具体的に一例を挙げながら説明を行う。
なお、便宜上、基板(21)における荷電粒子線透過孔を形成する面を表面、前記表面と反対側の面を裏面とする。ここで、前記基板が有する反り量を測定したところ、+2.0μmであった。なお、反り量の符号は基板(21)の表面側に膨らんでいる場合を+(プラス)、裏面側に膨らんでいる場合を−(マイナス)と定義する。また、基板の自重による影響を除外するため、基板(21)表面側を上面にして測定した反り量と基板(21)裏面側を上面にして測定した反り量の差の1/2を基板の反り量とした。
このとき、後に薄膜層(25)がメンブレンとなった際に基板の反りができるだけゼロに近くなるように、スパッタリング時の圧力、アニール条件などを適宜調整することで、薄膜層(25)の応力を引っ張り応力になるように制御した。また、ここで、基板全体が有する反り量を測定したところ、+1.0μmであった。
以下、本発明のマスクブランクを用いた転写マスクの製造方法について、具体的に一例を挙げながら説明を行う。
12、24……エッチングストッパ層
13、25……薄膜層
14……SOIウエハ
15、27……開口部
16、210……荷電粒子線透過孔
17、211……転写マスク
22、26、29……レジストパターン
23……凹部
28……マスクブランク
A……開口部形成領域
Claims (6)
- 転写マスクを作製するために用いるマスクブランクであって、
凹部を設けた基板と、
前記凹部を埋めるように設けたエッチングストッパ層と、
前記基板および前記エッチングストッパ層の上部に設けた平坦な薄膜層と、
を備えたことを特徴とするマスクブランク。 - 請求項1に記載のマスクブランクであって、
基板は単結晶シリコンであり、
エッチングストッパ層は酸化シリコンであり、
薄膜層は多結晶シリコンであること
を特徴とするマスクブランク。 - 転写マスクを作製するために用いるマスクブランクの製造方法であって、
基板に凹部を形成する工程と、
前記基板上にエッチングストッパ層を形成する工程と、
前記基板および前記エッチングストッパ層を平坦化する工程と、
前記基板およびエッチングストッパ層の上部に薄膜層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とするマスクブランク製造方法。 - 請求項3に記載のマスクブランク製造方法であって、
更に、
薄膜層を研磨する工程と、
を備えたことを特徴とするマスクブランク製造方法。 - 請求項1または2のいずれかに記載のマスクブランクを用いた転写マスクの製造方法であって、
薄膜層を設けた側と反対側の基板上に、凹部の位置と対応するようにレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、エッチングストッパ層まで、基板をエッチングする工程と、
前記エッチングストッパ層を剥離する工程と、
薄膜層に荷電粒子線透過孔を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする転写マスク製造方法。 - 請求項1または2のいずれかに記載のマスクブランクを用いて製造された転写マスク。
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