JP5145678B2 - イオン注入用ステンシルマスクの製造方法及びイオン注入用ステンシルマスク - Google Patents
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Description
12 エッチングストッパー層
13 薄膜層
14 SOIウエハ
15、28 開口部
16 貫通孔
17、35 イオン注入用ステンシルマスク
22 第1のエッチングストッパー層
23 第1の薄膜層
24 第2のエッチングストッパー層
25 第2の薄膜層
26 基板
27、29、31、33 レジストパターン
32 位置合わせ用マーク
34、211 イオン注入用貫通孔パターン
210 表裏重ね合わせ用マーク
Claims (4)
- 支持層上に第1のエッチングストッパー層を形成し、
前記第1のエッチングストッパー層上に第1の薄膜層を形成し、
前記第1の薄膜層上に第2のエッチングストッパー層を形成し、
前記第2のエッチングストッパー層上に第2の薄膜層を形成し、
前記支持層に開口部を形成し、
前記第1の薄膜層及び前記第2の薄膜層にイオン注入用の貫通孔パターンを形成することを含み、
前記貫通孔パターンを形成する際に、
前記第1の薄膜層に前記イオン注入用の貫通孔パターンとともに表裏重ね合わせ用マークを形成し、
前記第2の薄膜層に前記表裏重ね合わせ用マークを用いて位置合わせ用マークを形成し、
前記第2の薄膜層に前記位置合わせ用マークを用いて前記イオン注入用の貫通孔パターンを形成する、ことを特徴とするイオン注入用ステンシルマスクの製造方法。 - 前記貫通孔パターン形成後に、メンブレンが前記第1の薄膜層、前記第2のエッチングストッパー層、及び前記第2の薄膜層の3層からなること、
を特徴とする請求項1に記載のイオン注入用ステンシルマスクの製造方法。 - 支持層上に形成された第1のエッチングストッパー層と、
前記第1のエッチングストッパー層上に形成された第1の薄膜層と、
前記第1の薄膜層上に形成された第2のエッチングストッパー層と、
前記第2のエッチングストッパー層上に形成された第2の薄膜層と、
前記支持層に形成された開口部と、
前記第1の薄膜層及び前記第2の薄膜層に形成されたイオン注入用の貫通孔パターンと、を有し、
前記貫通孔パターンは、
前記第1の薄膜層に前記イオン注入用の貫通孔パターンとともに形成された表裏重ね合わせ用マークと、
前記第2の薄膜層に前記表裏重ね合わせ用マークを用いて形成された位置合わせ用マークと、
前記第2の薄膜層に前記位置合わせ用マークを用いて形成された前記イオン注入用の貫通孔パターンと、からなることを特徴とするイオン注入用ステンシルマスク。 - メンブレンが前記第1の薄膜層、前記第2のエッチングストッパー層、及び前記第2の薄膜層の3層からなること、
を特徴とする請求項3に記載のイオン注入用ステンシルマスク。
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