JP6307851B2 - ステンシルマスク及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 66
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 66
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 66
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 40
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 34
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
本工程でのトレンチエッチング方法としては、例えば、エッチング反応生成物(SiOx、SiNx等)で側壁のエッチングを防ぎつつトレンチエッチングを行う側壁保護エッチング(ガス圧50mTorr程度)、低温(−130℃程度、ガス圧20mTorr以下)で側壁のエッチングを防ぎつつトレンチエッチングを行う極低温エッチング、などを使用できる。
))。
るため、開口の形成の上での断面形状の厳密な制御の上での負荷が軽減される。
レジストを除去し、トレンチ洗浄して、シリコン薄膜層122にパターン状の開口を形成する(図3(d))。
つぎに保護用レジスト221を露光・現像し、保護膜コート222とする(図4(f))。これは、以下のシリコン層141のエッチングに対し、シリコン薄膜層122がエッチングされるのを防ぐためである。
20、21、121、122・・・シリコン薄膜層
30、31、131・・・中間酸化膜層
40、41、141・・・シリコン層
50・・・ノッチ
60、61・・・開口
71・・・庇
80、181・・・開口部
81・・・シリコン薄膜層が中間酸化膜層と接触する部位
90・・・イオン
211・・・EBレジストパターン
221・・・保護用レジスト
222・・・保護膜コート
231・・・開口部エッチング用厚膜レジスト
232・・・開口部エッチング用厚膜レジストパターン
Claims (1)
- シリコン薄膜層、中間酸化膜層、及びシリコン層を順次積層したSOI基板よりステンシルマスクを製造する方法において、
シリコン層をエッチングして支持基板層を形成する第1の工程と、
前記シリコン薄膜層にドライエッチングによって、所定の転写パターンの開口を中間酸化膜層まで形成する第2の工程と、
ドライエッチングによって前記開口の前記中間酸化膜層接触部に、ノッチを形成する第3の工程と、
前記中間酸化膜層をエッチングにより除去する第4の工程と、
を有することを特徴とするステンシルマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013242704A JP6307851B2 (ja) | 2013-11-25 | 2013-11-25 | ステンシルマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013242704A JP6307851B2 (ja) | 2013-11-25 | 2013-11-25 | ステンシルマスク及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015102653A JP2015102653A (ja) | 2015-06-04 |
JP6307851B2 true JP6307851B2 (ja) | 2018-04-11 |
Family
ID=53378394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013242704A Active JP6307851B2 (ja) | 2013-11-25 | 2013-11-25 | ステンシルマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6307851B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3038773A1 (fr) * | 2015-07-10 | 2017-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Pochoir et procede de fabrication du pochoir |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3395102B2 (ja) * | 1996-06-24 | 2003-04-07 | 大日本印刷株式会社 | 電子線描画用ステンシルマスク |
US6555297B1 (en) * | 2000-07-25 | 2003-04-29 | International Business Machines Corporation | Etch stop barrier for stencil mask fabrication |
JP4507775B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2010-07-21 | 凸版印刷株式会社 | ステンシルマスクの製造方法 |
JP4853031B2 (ja) * | 2006-01-25 | 2012-01-11 | 大日本印刷株式会社 | 荷電粒子露光用マスクの製造方法 |
-
2013
- 2013-11-25 JP JP2013242704A patent/JP6307851B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015102653A (ja) | 2015-06-04 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161020 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170725 |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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