JP2009055022A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被エッチング層が形成された基板11上に、複数の第1ハードマスクパターン13Aを形成するステップと、その上に、複数の構造物と、複数のギャップを画定する犠牲膜とを均一に形成するステップと、犠牲膜上に第2ハードマスク膜を形成するステップと、第1ハードマスクパターン13Aと第2ハードマスクパターン19Aとの間に犠牲膜が露出するようにするステップと、第1ハードマスクパターン13Aと第2ハードマスクパターン19Aとの間に被エッチング層を露出させるステップと、第1ハードマスクパターン13A及び第2ハードマスクパターン19Aをエッチングマスクとして露出した被エッチング層をエッチングし、第1被エッチングパターン12B及び第2被エッチングパターン12B’を形成するステップとを含む。
【選択図】図2F
Description
12B 第1被エッチングパターン
12B’ 第2被エッチングパターン
13A 第1ハードマスクパターン
18A 犠牲パターン
19A 第2ハードマスクパターン
Claims (16)
- 被エッチング層が形成された基板上に、複数の第1ハードマスクパターンを形成するステップと、
前記第1ハードマスクパターン上に、複数の構造物と、複数のギャップを画定する犠牲膜とを均一に形成するステップと、
前記犠牲膜上に、前記ギャップを満たす第2ハードマスク膜を形成するステップと、
前記第2ハードマスク膜の上部をエッチングすることにより、前記犠牲膜を露出させるとともに、前記ギャップの内部に残留する第2ハードマスクパターンを形成するが、前記第1ハードマスクパターンと前記第2ハードマスクパターンとの間に前記犠牲膜が露出するようにするステップと、
前記第1ハードマスクパターンと前記第2ハードマスクパターンとの間に露出した前記犠牲膜を除去し、前記第1ハードマスクパターンと前記第2ハードマスクパターンとの間に前記被エッチング層を露出させるステップと、
前記第1ハードマスクパターン及び前記第2ハードマスクパターンをエッチングマスクとして露出した被エッチング層をエッチングし、第1被エッチングパターン及び第2被エッチングパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第1ハードマスクパターンと前記第2ハードマスクパターンとが、実質的に同じ線幅を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2ハードマスク膜の上部をエッチングするステップが、エッチバックによって行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記複数の第1ハードマスクパターンが、フォトレジストパターンを用いてパターニングされることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1ハードマスクパターンを形成する際、前記被エッチング層の一部もともにエッチングして複数の浅いトレンチを有する被エッチング層を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1ハードマスクパターン及び第2ハードマスクパターンが、ポリシリコンで形成され、前記被エッチング層が、酸化物で形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記犠牲膜が、LPTEOS(Low Pressure Tetra Ethyl Ortho Silicate)又はPECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depostion)酸化物で形成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。
- 基板上に形成された被エッチング層上に、第1間隔を有する複数の第1ハードマスクパターンを形成するステップと、
前記第1ハードマスクパターン上に、複数の構造物と、複数のギャップを画定する犠牲膜とを均一に形成するステップと、
前記犠牲膜をエッチングし、前記第1ハードマスクパターンの表面が露出した犠牲パターンを形成するステップと、
前記犠牲パターンの上部に、前記ギャップを満たす第2ハードマスク膜を形成するステップと、
前記第2ハードマスク膜の上部を除去し、前記犠牲パターン間及びギャップの内部に第2ハードマスクパターンを形成するが、前記第1ハードマスクパターンと前記第2ハードマスクパターンとの間に前記犠牲パターンが露出するようにするステップと、
前記第1ハードマスクパターンと前記第2ハードマスクパターンとの間に露出した前記犠牲パターンを除去し、前記第1ハードマスクパターンと前記第2ハードマスクパターンとの間に前記被エッチング層を露出させるステップと、
前記第1ハードマスクパターン及び前記第2ハードマスクパターンをエッチングマスクとして前記被エッチング層をエッチングし、前記第1間隔よりも狭い第2間隔を有する複数の被エッチングパターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 前記第1ハードマスクパターンと前記第2ハードマスクパターンとが、実質的に同じ線幅を有することを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記2つの隣接する被エッチングパターンが、犠牲膜の幅に対応するギャップ(間隔)を画定することを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記複数の第1ハードマスクパターンが、フォトレジストパターンを用いて形成されることを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1ハードマスクパターンを形成する際、前記被エッチング層の一部もともにエッチングして複数の浅いトレンチを有する被エッチング層を形成することを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第1ハードマスクパターン及び第2ハードマスクパターンが、ポリシリコンで形成され、前記犠牲膜及び前記被エッチング層が、酸化物で形成されることを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記被エッチング層上に第1ハードマスク膜を形成するステップと、
前記第1ハードマスク膜上に炭素系膜を形成するステップと、
前記炭素系膜上にシリコン酸窒化膜を形成するステップと、
前記シリコン酸窒化膜上にフォトレジストパターンを形成するステップと
を更に含むことを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記フォトレジストパターンをマスクとして前記シリコン酸窒化膜をエッチングするステップと、
該エッチングされたシリコン酸窒化膜をマスクとして炭素系膜をエッチングするステップとを更に含み、
前記第1ハードマスクパターンが、前記エッチングされた炭素系膜をマスクとして第1ハードマスク膜をエッチングして形成されることを特徴とする請求項14に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記犠牲膜によって画定されたギャップの幅が、第1ハードマスクの幅と実質的に同じであることを特徴とする請求項8に記載の半導体素子の製造方法。
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