JP2009152613A - 半導体素子の形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体素子の形成方法は、下部構造物が形成された半導体基板の上部に被食刻層を形成するステップと、被食刻層の上部に第1マスクパターンを形成するステップと、第1マスクパターンを含む被食刻層の上部にスペーサ物質層を均一の厚さに形成するステップと、スペーサ物質層の屈曲した領域上に第2マスクパターンを形成するステップと、第1マスクパターン及び第2マスクパターンを食刻マスクに利用して前記被食刻層を食刻し、微細パターンを形成するステップとを含む。
【選択図】図3(f)
Description
さらに、加工工程のうち写真工程の技術は、マスクの設計を精巧にすることにより、マスクを通って出る光の量を適宜調節し、新しい感光剤の開発、高口径(high numerical aperture)レンズを用いるスキャナ(scanner)の開発、変形したマスクの開発などの努力により半導体素子の製造装置が有している技術的な限界を克服している。
しかし、現在用いられる光源、例えばKrF、ArFなどを用いて行なう露光及び解像能力の限界により、所望のパターンの幅及び間隔を形成するのが困難な実情である。一例として、現在までは60nm程度のパターンの大きさを製造することができる露光技術が開発されているが、それ以下のパターンの大きさを製造するには困難が多い。
DPT方法には、パターン周期の二倍の周期を有するパターンを露光して食刻したあと、その間ごとに同様に二倍の周期を有する第二のパターンを露光して食刻するDE2T(Double Expose Etch Technology)方法と、スペーサを利用してパターンを形成するSPT(Spacer Patterning Technology)方法がある。DE2T方法及びSPT方法は、それぞれネガティブトーン(Negative Tone)とポジティブトーン(Positive Tone)の工程でそれぞれ形成することができる。
ネガティブトーンDE2T方法は、第一のマスク工程で形成されたパターンを第二のマスク工程で除去して所望のパターンを形成する方法であり、ポジティブトーンDE2T方法は、第一のマスク工程と第二のマスク工程で形成したパターンを合わせて所望のパターンを形成する方法である。しかし、第一のマスク工程と食刻工程後に第二のマスク工程と食刻工程を行なうことにより所望のパターンの集積度を得ることができるDE2T方法は、二度のマスク工程と食刻工程を行なうために必要な追加工程の数が増加して工程の複雑さを増加させるという欠点がある。さらに、通常オーバレイ(overlay)と呼ばれる互いに独立的な第一のマスク工程と第二のマスク工程を介して得たパターンに整合誤差が発生する可能性がある。
しかし、コア及び周辺回路領域にあるパッドパターンを形成するため、マットエッジ(mat edge)領域のパターン部分を分離するための更なるマスク工程が必要であり、スペーサ形成地域の蒸着均一性(deposition uniformity)と、スペーサ形成食刻工程から始まったCDの制御が容易でないので、CD均一性(uniformity)が問題になる。
ライン/スペースからなる層が多いNANDフラッシュ工程はSPT方法を単独適用して開発するのが可能であるが、DRAMの煉瓦壁(brick wall)パターンとパターンが複雑な層の場合は、SPT方法でパターンを形成することができないので、DE2T工程を適用しなければならないという問題点がある。
さらに、本発明はスペーサ蒸着物質が露出するよう、ギャップフィルポリを除去するときに乾式エッチバックまたは湿式除去工程を適用することができるので、オーバレイマージンを増大させることができる半導体素子の形成方法を提供することに目的がある。
また、前記微細パターンは、前記第1のマスクパターンに対応する複数の第1の単位パターンと、前記第2のマスクパターンに対応する複数の第2の単位パターンとを含み、前記第1の単位パターンと前記第2の単位パターンとが交互に形成されている。
また、前記微細パターンは、前記第1のマスクパターンに対応する複数の第1の単位パターン及び複数の第2の単位パターンのパッドパターンと、前記第2のマスクパターンに対応する前記複数の第2の単位パターンのラインパターンとを含み、前記複数の第2の単位パターンの前記パッドパターンと前記ラインパターンとは別途のマスクを利用した食刻工程を介し連結される。
また、前記第2のハードマスクパターン物質層の上部にシリコン窒酸化膜を形成するステップをさらに含む。
また、前記シリコン窒酸化膜の上部に下部反射防止膜を形成するステップをさらに含む。
また、前記第2のハードマスク物質層は非晶質炭素で形成する。
また、前記第1のハードマスク物質と前記スペーサ物質とは同一の物質で形成する。
また、前記第1の分割パターンを形成するステップは、前記第1の分割パターンの高さと前記スペーサ物質層の厚さとを合わせるため、前記第1のハードマスク物質層を前記スペーサ物質層の厚さほど部分食刻するステップをさらに含む。
また、前記第1のハードマスク物質層及び前記スペーサ物質層は、TEOSで形成する。
また、前記第1の分割パターンと前記第2の分割パターンとは同一の物質で形成する。
また、前記第1の分割パターン物質層及び前記第2の分割パターン物質層はポリシリコンで形成する。
また、前記第2の分割パターン物質層が均一の厚さに形成された場合、前記第2の分割パターンを形成するステップは、前記第2の分割パターン物質層を一定の厚さに部分食刻するステップをさらに含む。
また、前記スペーサ物質層及び前記第2の分割パターン物質層は、乾式エッチバック、湿式除去またはCMP工程を介し部分食刻される。
また、前記第2の分割パターン物質層が平坦な面を有するように蒸着された場合、前記第2の分割パターンを形成するステップは、前記第1の分割パターンを含む前記第1のハードマスク層の上部に感光膜を塗布し、露光及び現像工程を介し前記第1の分割パターン及び前記第2の分割パターンが形成される領域を覆う感光膜パターンを形成するステップと、前記感光膜パターンを食刻マスクに利用して前記第2の分割パターン物質層を食刻するステップとをさらに含む。
また、前記第2のマスクパターンを形成するステップで、前記第1のマスクパターンのパッドパターンを⊃状に形成して前記第2のマスクパターンが├状に形成される。
また、本発明は、スペーサ蒸着物質が露出するようにギャップフィルポリを除去するときに乾式エッチバックまたは湿式除去工程を適用することができるので、オーバレイマージンを増大させることができるという利点がある。
図1(a)〜図1(g)は、ネガティブトーンSPT(negative tone Spacer Patterning Technology)方法を示した断面図である。ここでは、フラッシュメモリ(flash memory)の制御ゲート(control gate)を形成する場合を例に挙げて説明する。
図1(a)に示されているように、半導体基板に活性領域を画成する素子分離膜を形成したあと、ONO誘電膜/ゲートポリ/タングステンシリサイド(WSi)などが蒸着されて具現された下部構造の上部にキャッピング(capping)第1シリコン窒酸化膜(SiON)110を形成する。
第1シリコン窒酸化膜110の上部に、ハードマスクとして第1 TEOS 112及び第1ポリ114を蒸着する。ここで、第1ポリ114で形成するハードマスクの高さは、SPT工程の核心中の一つである分割パターン(partition)として用いられるスペーサの高さを決定する。
しかし、感光膜パターンでは第1ポリ114を食刻することができないので、第1ポリ114を食刻するためのハードマスクとして第1非晶質炭素116及び第2シリコン窒酸化膜118を第1ポリ114の上部に形成する。次いで、第2シリコン窒酸化膜118の上部に下部反射防止膜(Bottom Anti-Reflected Coating(BARC) layer)119を形成する。
BARC 119の上部に感光膜を塗布し、所望のピッチの2倍のピッチを有するパターンが画成されたマスクを利用して、感光膜に対し露光及び現像工程を介し感光膜パターン120を形成する。例えば、食刻バイアス(etch bias)を考慮しない場合、ラインが40nm CD(Critical Dimension)で形成されれば、スペースは120nmのCDで形成する。即ち、ライン/スペースの割合が1:3になるようにする。
その後、第1 TEOSパターン112a及び第2 TEOSパターン122aを食刻マスクに利用して、第1シリコン窒酸化膜110を食刻して既存の露光装備では形成することができない小さなピッチを有する微細パターンを形成する。図2は、フラッシュメモリ(flash memory)のセル領域を説明するための平面図である。具体的に検討してみれば、セル領域に含まれた複数の制御ゲート(control gate)はライン形のパターンに形成され、ソース選択ライン(source selection line)或いはドレイン選択ライン(drain selection line)との連結のための相互接続領域は、複数の制御ゲートの両端に位置するパッド形に形成される。
第1シリコン窒酸化膜310の上部にハードマスクとして第1 TEOS 312及び第1ポリ314を蒸着する。
また、第1ポリ314を食刻するためのハードマスクとして第1非晶質炭素316 及び第2シリコン窒酸化膜318を第1ポリ314の上部に形成する。
第2シリコン窒酸化膜318の上部に感光膜を塗布し、所望のピッチの2倍のピッチを有するパターンが画成されたマスクを利用して、感光膜に対して露光及び現像工程を介し感光膜パターン320を形成する。このとき、感光膜パターン320が露光及び現像工程時に損なわれることを防止するため、第2シリコン窒酸化膜318と感光膜パターン320との間に下部反射防止膜(Bottom Anti-Reflected Coating、BARC)を形成することもできる。
その後、第1 TEOSパターン312aを食刻マスクに利用して第1シリコン窒酸化膜310を食刻し、既存の露光装備では形成することができない小さなピッチを有する図2に示された微細パターンを形成する。
図4(a)に示されているように、図3(a)と異なる形態の第1、第2形状パターン420a、420bが第2シリコン窒酸化膜418上に形成されている。
以後、第2 TEOS及び第2ポリに対し乾式エッチバックまたは湿式除去工程を行なえば、広い領域に低い高さで形成された第2ポリは除去されるが、第1ポリパターン415の間にライン形態の第2ポリパターン424aは残ることになる。その後、図4(d)に示されているように、露出した第2 TEOSを食刻して第1 TEOS 412上に第1ポリパターン415及び第2ポリパターン424aだけが残るようにする。
その後、第1 TEOSパターン412aを食刻マスクに利用して、第1シリコン窒酸化膜410を食刻して既存の露光装備では形成することができない小さなピッチを有する微細パターンを形成する。微細パターンは、コントロールゲートに対応するラインパターンと、相互接続領域に対応するパッドパターンとを含む複数の単位パターンで含み、図4(a)〜図4(f)に示されているように、第1ポリパターン415に対応する複数の第1単位パターン及び複数の第2単位パターンのパッドパターンと、第2ポリパターン424aに対応する前記複数の第2単位パターンのラインパターンとを含む。また、第2単位パターンのパッドパターンとラインパターンとは別途の第2感光膜パターン428を利用した食刻工程を介し連結される。
したがって、それぞれが制御ゲートパターンと相互接続領域とで構成された複数の微細回路パターンを製造する、図3(a)〜図3(f)に示された本発明の一実施形態に比べ、図4(a)〜図4(f)に示された本発明の他の実施形態は、2つの微細回路パターンの間に位置する微細回路パターンは相互接続領域だけを、露光工程を介しパターニングされた感光膜パターンを用いることにより更に形成するので、製造工程上オーバレイマージンを増大させることができる。即ち、図3(e)に示された複数の微細回路パターンのパッド領域の境界を正確に画成しなければならない第2感光膜パターン326を用いる食刻工程より、図4(e)に示された第2感光膜パターン428を用いる食刻工程がさらに大きい動作マージンの確保が容易である。
したがって、本発明はネガティブトーンSPT方法を適用するとき、スペーサ蒸着物質の間に形成されたギャップフィルポリの最終プロファイルがラインで形成される基本原理を利用して、相互接続領域の具現が困難なパッドレイアウトを具現することができる技術を開示する。
さらに、本発明はスペーサ蒸着物質が露出するようにギャップフィルポリを除去するとき、乾式エッチバックまたは湿式除去工程を適用することができるので、オーバレイマージンを増大させることができる技術を開示する。特に、本発明はネガティブトーンSPT方法を適用するとき、スペーサ蒸着物質の間に形成されたギャップフィルポリの最終プロファイルがラインで形成される基本原理を利用して、相互接続領域の具現が困難なパッドレイアウトを具現することができる。
さらに、本発明はスペーサ蒸着物質が露出するようにギャップフィルポリを除去するとき、乾式エッチバックまたは湿式除去工程を適用することができるので、オーバレイマージンを増大させることができる。
112、312、412 第1 TEOS
112a、312a、412a 第1 TEOSパターン
114、314、414 第1ポリ
114a、314a、415 第1ポリパターン
116、316 第1非晶質炭素
118、318、418 第2シリコン窒酸化膜
119 下部反射防止膜
120、320 感光膜パターン
122、322 第2 TEOS
122a、322a、422a 第2 TEOSパターン
124、324 第2ポリ
124a、224a、324a、424a 第2ポリパターン
326、428 第2感光膜パターン
414a ゲートパターン
414b パッドパターン
420、421 第1感光膜パターン
420a 第1形状パターン
420b 第2形状パターン
Claims (20)
- 下部構造物が形成された半導体基板の上部に被食刻層を形成するステップと、
前記被食刻層の上部に第1のマスクパターンを形成するステップと、
前記第1のマスクパターンを含む前記被食刻層の上部にスペーサ物質層を均一の厚さに形成するステップと、
前記スペーサ物質層の屈曲した領域上に第2のマスクパターンを形成するステップと、
前記第1のマスクパターン及び前記第2のマスクパターンを食刻マスクに利用して前記被食刻層を食刻し、微細パターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の形成方法。 - 前記第2のマスクパターンを形成するステップは、
前記屈曲した領域上に第2のマスク物質層を形成するステップと、
前記第1のマスクパターンが現われるまで、前記スペーサ物質層と前記第2のマスク物質層に対しエッチバック工程を行なうステップと、
前記微細パターンの領域が画成されたマスクを介し第2のマスク物質層を選択的に食刻するステップと
を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の形成方法。 - 前記微細パターンは、前記第1のマスクパターンに対応する複数の第1の単位パターンと、前記第2のマスクパターンに対応する複数の第2の単位パターンとを含み、前記第1の単位パターンと前記第2の単位パターンとが交互に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記微細パターンは、前記第1のマスクパターンに対応する複数の第1の単位パターン及び複数の第2の単位パターンのパッドパターンと、前記第2のマスクパターンに対応する前記複数の第2の単位パターンのラインパターンとを含み、前記複数の第2の単位パターンの前記パッドパターンと前記ラインパターンとは別途のマスクを利用した食刻工程を介し連結されることを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の形成方法。
- 半導体基板の上部に被食刻層、第1のハードマスク物質層、第1の分割パターン物質層及び第2のハードマスク物質層を順次形成するステップと、
前記第2のハードマスク物質層を選択食刻して第2のハードマスクパターンを形成するステップと、
前記第2のハードマスクパターンを食刻マスクに利用して前記第1の分割パターン物質層を食刻し、第1の分割パターンを形成するステップと、
前記第1の分割パターンを含む前記第1のハードマスク物質層の上部にスペーサ物質層及び第2の分割パターン物質層を形成するステップと、
前記第1の分割パターンが現われるまで、前記スペーサ物質層及び前記第2の分割パターン物質層を部分食刻して前記スペーサ物質層を露出させ、複数の前記第1の分割パターンの間に第2の分割パターンを形成するステップと、
前記第1の分割パターン及び前記第2の分割パターンを食刻マスクに利用して前記スペーサ物質層及び前記第1のハードマスク物質層を食刻し、第1のハードマスクパターンを形成するステップと、
前記第1のハードマスクパターンを食刻マスクに利用して前記被食刻層を食刻し、微細パターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の形成方法。 - 前記第2のハードマスクパターンを形成するステップは、
前記第2のハードマスクパターン物質層の上部に感光膜を塗布し、露光及び現像工程を介し所望のピッチの2倍のピッチを有する感光膜パターンを形成するステップと、
前記感光膜パターンを食刻マスクに利用して前記第2のハードマスク物質層を食刻するステップと
を含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の形成方法。 - 前記第2のハードマスクパターン物質層の上部にシリコン窒酸化膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項6に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記シリコン窒酸化膜の上部に下部反射防止膜を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記第2のハードマスク物質層は、非晶質炭素で形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記第1のハードマスク物質と前記スペーサ物質とは、同一の物質で形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記第1の分割パターンを形成するステップは、前記第1の分割パターンの高さと前記スペーサ物質層の厚さとを合わせるため、前記第1のハードマスク物質層を前記スペーサ物質層の厚さほど部分食刻するステップをさらに含むことを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記第1のハードマスク物質層及び前記スペーサ物質層は、TEOSで形成することを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記第1の分割パターンと前記第2の分割パターンとは、同一の物質で形成することを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記第1の分割パターン物質層及び前記第2の分割パターン物質層は、ポリシリコンで形成することを特徴とする請求項13に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記第2の分割パターン物質層が均一の厚さに形成された場合、前記第2の分割パターンを形成するステップは、前記第2の分割パターン物質層を一定の厚さに部分食刻するステップをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記スペーサ物質層及び前記第2の分割パターン物質層は、乾式エッチバック、湿式除去またはCMP工程を介し部分食刻されることを特徴とする請求項15に記載の半導体素子の形成方法。
- 前記第2の分割パターン物質層が平坦な面を有するように蒸着された場合、前記第2の分割パターンを形成するステップは、
前記第1の分割パターンを含む前記第1のハードマスク層の上部に感光膜を塗布し、露光及び現像工程を介し前記第1の分割パターン及び前記第2の分割パターンが形成される領域を覆う感光膜パターンを形成するステップと、
前記感光膜パターンを食刻マスクに利用して前記第2の分割パターン物質層を食刻するステップと
をさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の半導体素子の形成方法。 - 下部構造物が形成された半導体基板の上部に被食刻層を形成するステップと、
前記被食刻層の上部に第1のマスク物質層を形成し、前記第1のマスク物質層を選択食刻してパッドパターン及びラインパターンを含む第1のマスクパターンを形成するステップと、
複数の前記第1のマスクパターンの間に形成されたラインパターンを含む第2のマスクパターンを形成するステップと、
前記第1のマスクパターンのパッドパターン及び前記第2のマスクパターンを互いに連結する第3のマスクパターンを形成するステップと、
前記第1のマスクパターン、前記第2のマスクパターン及び前記第3のマスクパターンを食刻マスクに利用して前記被食刻層を食刻し、微細パターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体素子の形成方法。 - 前記第2のマスクパターンを形成するステップは、
前記第1のマスクパターンを含む前記被食刻層の上部にスペーサ物質層を形成するステップと、
前記スペーサ物質層の上部に第2のマスク物質層を形成するステップと、
前記第2のマスク物質層に対し部分食刻するステップと
を含むことを特徴とする請求項18に記載の半導体素子の形成方法。 - 前記第2のマスクパターンを形成するステップで、前記第1のマスクパターンのパッドパターンを⊃状に形成して前記第2のマスクパターンが├状に形成されることを特徴とする請求項18に記載の半導体素子の形成方法。
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