KR100480610B1 - 실리콘 산화막을 이용한 미세 패턴 형성방법 - Google Patents

실리콘 산화막을 이용한 미세 패턴 형성방법 Download PDF

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Abstract

포토레지스트 상에 실리콘 산화막을 형성한 뒤에 건식 식각 공정을 진행하여 미세 패턴을 형성하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 의하면 미세 패턴을 형성하고자 하는 물질막 상에 포토레지스트 패턴을 형성한다. 그리고 그 위에 실리콘 산화막을 증착하는데 하부의 포토레지스트 패턴에 손상을 가하지 않고 정합적으로 얇게 형성할 수 있어야 한다. 다음으로 하부막에 대하여 건식 식각을 실시하는데 초기에는 포토레지스트 패턴의 측벽에 스페이서를 형성하고 다음으로 포토레지스트 패턴 상에 폴리머막을 형성한다. 본 발명에 의하면 포토레지스트 패턴이 얇아지는 현상을 방지하여 식각 프로파일을 유지할 수 있고, 패터닝된 물질막에 스트리에이션(striation)이나 위글링(wiggling) 등의 현상이 생기는 것을 방지할 수 있다.

Description

실리콘 산화막을 이용한 미세 패턴 형성방법{Forming method for fine patterns using silicon oxide layer}
본 발명은 반도체 소자의 미세 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 얇은 실리콘 산화막을 포토레지스트막 상에 형성한 후에 건식 식각을 함으로써 미세 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.
반도체 장치의 집적도가 증가함에 따라 단위 셀의 면적 또한 급속히 감소하고 있다. 단위 셀의 면적 감소는 단위 셀에 구현되는 개별 소자의 크기의 감소를 수반한다. 트랜지스터나 커패시터의 크기가 작아짐은 물론 배선의 폭, 배선과 배선 사이의 간격 및 상, 하부 소자를 전기적으로 연결하는 콘택의 크기도 계속 미세화되고 있다.
이렇게 미세화된 소자를 제조하기 위해서는 여러 가지 공정 조건들이 갖추어져야 한다. 특히, 미세화된 패턴을 정교하게 제조할 수 있기 위해서는 이를 뒷받침할 수 있는 포토리소그라피 기술이 필수적이다.
우선, 소자의 미세화로 패턴의 크기가 작아지므로 임계 크기(critical dimension, CD)가 작은 포토레지스트 패턴이 필요하다. 그리고, 식각 공정 특히 건식 식각 공정 중에 미세한 포토레지스트 패턴에 손상이 생기지 말아야 한다.
포토레지스트 패턴에 발생하는 손상에는 패턴이 얇아지는 것(thinning)과 패턴에 발생하는 여러 가지 변형(deformation)이 포함된다. 패턴이 얇아지면 식각되는 막의 패턴 프로파일이 열화되며, 포토레지스트에 발생한 변형으로 인하여 식각되는 하부막에 스트리에이션(striation) 및/또는 위글링(wiggling) 등이 발생하는 문제가 생긴다.
상기한 문제점을 해결하기 위한 방법으로 다층 레지스트(multi-layer resist, MLR)를 이용하는 방법 또는 포토레지스트의 표면에 폴리머를 생성시키는 방법 등이 제시되고 있다. 그러나 상기한 방법들은 CD가 아주 작아지면서 적용할 수 없으며, Si-CARL(Silicon-Chemical Amplication of resist Lines) 공정을 이용할 경우에는 미세한 패턴 사이에 과도한 불순물이 발생하여 공정의 부담을 가중시킨다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 미세화된 포토레지스트 패턴에 손상이 생기는 것을 방지함으로써, 패턴의 얇아짐(thinning)이나 스트리에이션 및 위글링 등이 생기지 않고 일정한 패턴 프로파일을 가지고 있는 고집적 반도체 소자의 미세 패턴을 효율적으로 형성하는 방법을 제공하는데 있다.
상기한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 의한 미세 패턴 형성방법은 포토레지스트 패턴 상에 실리콘 산화막을 얇게 형성한 다음에 건식 식각 공정을 실시한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 의하면 패턴을 형성하고자 하는 물질막 상에 포토레지스트막을 형성하고, 이를 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 다음으로 그 위에 상기한 포토레지스트 패턴에 손상이 생기지 않도록 정합적으로 제 1 실리콘 산화막을 얇게 형성한다. 그리고 나서, 상기한 물질막을 건식 식각함으로써 물질막 패턴을 형성한다.
포토레지스트 패턴에 손상이 생기지 않도록 제 1 실리콘 산화막은 상온에서 400℃ 사이의 온도에서 형성하는 것이 바람직하며, 200Å 이하의 두께로 얇게 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 제 1 실리콘 산화막은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 형성할 수 있다.
형성된 물질막 패턴은 바아 타입(bar type) 패턴일 수 있는데, 이 경우에 상기한 물질막 패턴은 비트 라인 또는 워드 라인과 같은 도전 라인 패턴일 수 있다. 상기한 도전 라인을 형성하기 위한 물질막은 제 2 실리콘 산화막, 폴리 실리콘막, 금속 실리사이드막 및 반사 방지막의 적층체일 수 있다.
그리고 형성된 물질막 패턴은 홀 타입(hole type) 패턴일 수도 있다.
본 발명의 바람직한 다른 실시예에 의하면 물질막 상에 포토레지스트막을 형성하고, 이를 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 다음으로 그 위에 상기한 포토레지스트 패턴에 손상이 생기지 않도록 정합적으로 제 1 실리콘 산화막을 형성한다. 그리고 나서, 상기한 물질막을 건식 식각하는데 우선 포토레지스트 패턴보다 제 1 실리콘 산화막에 대하여 식각이 더 잘 일어나는 공정 조건(process recipe)에서 식각을 실시한 다음, 제 1 실리콘 산화막보다 포토레지스트 패턴에 대하여 식각이 더 잘 일어나는 공정 조건에서 식각을 실시하여 물질막 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
포토레지스트 패턴에 손상이 생기지 않도록 제 1 실리콘 산화막은 상온에서 400℃ 사이의 온도에서 형성하는 것이 바람직하며, 200Å 이하의 두께로 얇게 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 제 1 실리콘 산화막은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 형성할 수 있다.
상기한 물질막 패턴 형성 단계에서 제 1 실리콘 산화막이 더 잘 식각되는 공정 조건에서는 포토레지스트 패턴의 측벽에 실리콘 산화막으로 스페이서를 형성하는 단계를 포함할 수 있으며, 포토레지스트 패턴이 더 잘 식각되는 공정 조건에서는 CxFy를 포함하는 폴리머막이 포토레지스트 패턴 상부에 형성되는 단계를 포함할 수 있다.
이렇게 형성된 물질막 패턴은 바아 타입(bar type) 패턴일 수 있는데, 이 경우에 상기한 물질막 패턴은 비트 라인 또는 워드 라인과 같은 도전 라인 패턴일 수 있다. 상기한 도전 라인을 형성하기 위한 물질막은 제 2 실리콘 산화막, 폴리 실리콘막, 금속 실리사이드막 및 반사 방지막의 적층체일 수 있다.
그리고 형성된 물질막 패턴은 홀 타입(hole type) 패턴일 수도 있다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 본 발명의 기술적 사상이 철저하고 완전하게 개시될 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 또한, 층이 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명에 실시예에 따라 하부 물질막에 미세 패턴을 형성하는 방법을 보여주기 위하여 공정 순서에 따라 개략적으로 도시한 단면도들이다.
도 1a를 참조하면 기판(100) 상에 물질막(110)이 형성되어 있다. 이 물질막(110)은 이후에 식각되어 소정의 패턴이 형성될 막이다. 물질막(110)은 특정한 물질로 형성된 하나의 막일 수도 있고, 여러 가지 다른 물질들로 형성된 막이 쌓여 있는 막의 적층체일 수도 있다. 예컨대 물질막(110)은 절연 물질로 된 막이거나 도전 물질로 된 막일 수도 있으며, 또한 단결정 실리콘과 같이 반도체 물질로 만들어진 막일 수도 있다. 또한, 절연 물질로 된 막 및/또는 도전 물질로 된 막이 함께 적층되어 있는 막일 수도 있다. 도 1a 내지 도 1d에는 물질막이 단일한 막이 경우를 도시하고 있으나, 도 2a 내지 도 2c에는 여러 물질의 막이 적층되어 있는 경우를 도시하고 있다.
다음으로, 물질막(110) 상에 포토레지스트막을 소정의 두께로 형성한 다음에 노광 및 현상 공정을 실시한다. 그러면 도면에서와 같이 특정한 모양을 가진 포토레지스트 패턴(120)이 만들어진다. 본 실시예에서는 포토레지스트막으로 사용되는 물질에는 아무런 제한이 없다. 그리고 형성하고자 하는 패턴의 모양에도 아무런 제한이 없다. 즉, 상기한 패턴은 비트 라인이나 워드 라인과 같은 도전 라인을 형성하기 위한 바아 타입(bar type)의 패턴일 수도 있고, 콘택을 형성하기 위한 홀 타입(hole type)의 패턴일 수도 있다.
도 1b를 참조하면, 물질막(110) 및 포토레지스트 패턴(120) 상에 실리콘 산화막(130)을 증착한다. 본 발명의 기술적 과제를 달성하기 위하여 포토레지스트 패턴(120) 상에 실리콘 산화막(130)을 증착함에 있어서 다음과 같은 점을 고려해야 한다.
첫째, 실리콘 산화막(130)을 증착하는 동안에 포토레지스트 패턴(120)의 구조나 물성에 변화가 생기지 않아야 한다. 즉, 증착하는 과정에서 화학 물질이나 플라즈마 또는 열에 의하여 포토레지스트 패턴(120)에 물리적, 화학적 손상이 발생하지 않아야 한다.
둘째, 실리콘 산화막(130)이 물질막(110) 상뿐만이 아니라 포토레지스트 패턴(120) 상에도 정합적으로 증착되어야 한다. 가능하다면 포토레지스트 패턴(120) 상에만 형성하는 것이 더욱 바람직하다. 그렇지 않으면, 후속 식각 공정에서 실리콘 산화막(130)이 두께에 따라서 식각률이 차이가 나기 때문에 식각 프로파일이 나빠질 수 있다.
셋째, 증착되는 실리콘 산화막(130)의 두께를 조절할 수 있어야 한다. 미세화된 패턴의 임계 크기를 고려하면, 두께를 Å 단위로 미세하게 조절할 수 있어야 한다.
상기한 조건을 만족시키는 공정으로 대표적인 것이 원자층 증착법(atomic layer deposition : ALD)이 있다. 원자층 증착법은 일반적으로 낮은 온도에서도 실시가 가능하며, 스텝 카버리지(step coverage) 특성이 우수하고 로딩 효과(loading effect)도 거의 나타나지 않는다. 또한, 원자층을 하나의 층씩 쌓는 방법(layer by layer)으로 증착이 되기 때문에 두께의 미세 조절이 가능하다. 따라서, 원자층 증착법을 사용하면 포토레지스트 패턴(120)의 손상없이 원하는 두께의 실리콘 산화막을 정합적으로 형성하는 것이 가능하다. 그러나, 본 실시예는 원자층 증착법을 사용한 실리콘 산화막의 형성에는 한정되지 않고, 상기한 조건을 만족시키는 것이면 어떠한 공정에도 적용이 가능하다.
본 실시예에서 실리콘 산화막(130)은 상온에서 400℃이하의 온도 사이에서 형성하는 것이 바람직하다. 그리고, 실리콘 산화막(130)은 약 200Å 이하의 두께로 형성하는 것이 바람직한데, 정확한 두께는 포토레지스트 패턴(120) 사이의 간격과 형성하고자 하는 물질막 패턴의 프로파일 등을 고려하여 결정한다.
다음으로, 상기한 결과물에 대하여 건식 식각 공정을 실시하여 물질막 패턴(110a)을 형성한다. 이 과정이 도 1c 및 도 1d에 도시되어 있다.
도 1c를 참조하면, 먼저 물질막(110)을 건식 식각하는 초기에 포토레지스트 패턴(120)의 측벽에 실리콘 산화막으로 된 스페이서(130a)를 형성한다. 이를 위하여 공정의 초기에는 공정 조건(recipe)을 조절하여 포토레지스트 패턴(120)보다 실리콘 산화막(130)이 식각이 더 잘되게 할 수 있다. 스페이서(130a)가 형성되는 동안에 물질막(110)도 약간 식각될 수 있다.
이렇게 형성된 스페이서(130a)는 식각이 진행되는 동안에 포토레지스트 패턴(120)의 폭이 얇아지는 것을 방지하는 역할을 한다. 스페이서(130a)로 인하여 포토레지스트 패턴(120)의 측벽에는 원자나 플라즈마 이온이 충돌하는 것을 방지할 수 있기 때문이다. 또한, 스페이서는 도 1d에 도시된 바와 같이 포토레지스트 패턴(120)의 손상으로 생기는 폴리머가 포토레지스트 패턴(120)의 상부에 적층되는 것도 도와주는 역할도 한다.
도 1d를 참조하면, 식각 공정을 계속 진행하여 물질막 패턴(110a)을 형성한다. 이 때에는 종전과는 달리 실리콘 산화막(130) 보다 포토레지스트 패턴(120)이 식각이 더 잘되게 공정 조건을 조절하여 식각을 진행할 수 있다. 그러면, 물질막(110)을 식각하여 물질막 패턴(110a)을 형성하는 동안에 스페이서(130a)에 대한 식각율은 낮아지고 포토레지스트 패턴(120a)에 대한 식각률은 높아져 포토레지스트 패턴(120a)에 손상이 생기게 된다.
포토레지스트 패턴에 손상이 생기면 포토레지스트 물질과 식각 가스가 반응하여 유기물질의 폴리머를 생성한다. 예컨대 이러한 폴리머는 탄소(C)와 불소(F)를 포함하는 물질일 수가 있다. 폴리머가 생성되면 전술한 바와 같이 포토레지스트 패턴(120)의 측벽에는 스페이서(130a)가 있기 때문에, 포토레지스트 패턴(120)의 상부에 쌓여 폴리머막(121)이 형성되게 된다. 폴리머막(121)은 그 하부에 남아 있는 포토레지스트 패턴(120a)에 더 이상 손상이 생기는 것을 방지하는 역할을 한다. 포토레지스트 패턴(120a)에 더 이상 손상이 생기지 않으면 식각되는 물질막 패턴(110a)에 얇아짐이나 스트리에이션 및 위글링 등이 생기지 않는다.
이와 같이 건식 식각 공정을 계속 진행하게 되면 물질막 패턴(110a)이 만들어지게 된다. 도면에는 물질막 패턴(110a)이 전체 물질막에 형성되는 경우를 도시하고 있으나, 본 실시예는 형성되는 물질막 패턴(110a)의 깊이에는 아무런 제한이 없이 적용이 가능하다. 예를 들어, 물질막(110)이 단일한 막인 경우에 그 전체 깊이까지 다 식각되어 물질막 패턴(110a)이 형성될 수도 있고, 전체 깊이의 일부만 식각되어 물질막 패턴이 형성될 수도 있다. 물질막(110)이 여러 물질의 막이 적층되어 있는 막인 경우에도 적층체의 전부 또는 일부에 패턴이 형성될 수도 있다.
그리고 식각 공정이 계속 진행되면 실리콘 산화막으로 얇게 형성된 스페이서(130a)이 모두 제거될 수도 있다.
도 2a 내지 도 2c 및 도 3은 본 발명에 따라서 바아 타입(type)의 패턴을 형성하는 과정 및 그에 대한 결과를 주사전자현미경(SEM)으로 촬영한 사진을 도시하고 있다. 도 3의 사진 중에서 첫 번째 사진은 본 실시예와 비교하기 위한 것으로 도 2a에 도시되어 있는 상태에서 제 1 실리콘 산화막(230)을 형성함이 없이 식각 공정을 실시한 후의 패턴 프로파일을 보여주는 사진이다. 그리고 두 번째 내지 네 번째 사진은 도 2b와 같이 제 1 실리콘 산화막(230)을 형성한 상태에서 식각 공정을 실시한 후의 패턴 프로파일을 보여주는 사진들로서, 제 1 실리콘 산화막(230)을 각각 10Å, 50Å 및 100Å 두께로 형성한 경우이다.
도 2a 내지 도 2c참조를 참조하면, 기판(200) 상에 제 2 실리콘 산화막(212), 폴리 실리콘막(214), 금속 실리사이드막(216) 및 식각 방지막(218)의 적층체가 형성되어 있다. 이 적층체는 예컨대 비트 라인이나 워드 라인과 같이 바아 타입의 패턴 형성에 사용될 수 있다.
본 실시예에서 제 2 실리콘 산화막(212)은 약 1200Å 정도, 폴리 실리콘막(214)은 약 1150Å 정도, 금속 실리사이드막(216)은 텅스텐 실리사이드(WSi)를 약 1500Å 정도 그리고 반사 방지막(118)은 약 240Å 정도의 두께로 증착하였다. 그리고 반사 방지막(118) 상에 포토레지스트 패턴(220)을 형성한 다음, 반사 방지막(118) 및 포토레지스트 패턴(220) 상에 제 1 실리콘 산화막(230)을 원자층 증착법을 이용하여 형성하고 건식 식각 공정을 실시하였다.
도 3의 식각 결과를 살펴보면, 제 1 실리콘 산화막(230)의 두께가 증가할수록 패턴의 프로파일이 향상됨을 알 수 있다. 즉 제 1 실리콘 산화막(230)을 형성하지 않은 경우보다는 형성한 경우에 패턴의 프로파일이 더욱 선명하고, 제 1 실리콘 산화막(230)을 100Å으로 두껍게 형성한 경우에는 원하는 패턴의 프로파일과 거의 유사함을 알 수 있다.
하지만, 소정의 물질막을 식각하여 원하는 모양의 패턴을 형성하기 위해서는 패턴 프로파일 결과만이 아니라 형성하고자 하는 패턴의 크기 및 인접한 패턴간의 간격 등 여러 가지를 고려해야 한다. 패턴의 크기 및 인접한 패턴 사이의 간격으로 인하여 증착할 수 있는 제 1 실리콘 산화막의 두께가 제한을 받기 때문에 식각 공정을 진행하기 전에 이점을 고려하여야 한다.
다음으로, 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예를 적용할 수 있는 다른 예에 대하여 살펴보기로 한다. 도 4는 홀 타입(hole type)의 패턴을 형성하는 방법을 설명하기 위한 개략적인 단면도이다. 여기에서 진행되는 공정은 상기한 실시예에서 사용한 공정과 같다.
본 발명의 실시예로 홀 타입의 패턴을 형성하는 경우에는 전술한 바와 같이 원하는 식각 프로파일을 아무런 손상없이 만들 수 있다. 또한, 아주 미세한 패턴을 형성하고자 하는 경우에는 포토레지스트 패턴(420)간의 간격보다 크기가 더 작은 홀을 형성할 수도 있다.
도 4는 도 1c에 대응하는 도면이다. 도 4를 참조하면 기판(400) 상에 홀을 형성하고자 하는 물질막(410)이 형성되어 있고 그 위에는 포토레지스트 패턴(420)이 형성되어 있다. 그리고 포토레지스트 패턴(420)의 측벽에는 실리콘 산화막으로 스페이서(430a)가 형성되어 있다. 실리콘 산화막을 전술한 실시예보다 조금 두껍게 형성하면, 식각 공정의 진행 중에 스페이서(430a)는 종전보다 오랫동안 포토레지스트 패턴(420)의 측벽에 남아 있을 수 있다. 그러면 홀의 크기는 패턴간의 간격(d1) 보다 더 작은 간격(d2)의 크기로 형성할 수 있다.
본 발명에 의한 미세 패턴 형성방법에 의하면, 포토레지스트 패턴을 형성한 다음에 그 위에 실리콘 산화막을 형성함으로써 후속되는 건식 식각 공정 중에 포토레지스트 패턴에 손상이 생기는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 미세화된 패턴을 원하는 프로파일로 형성할 수 있고, 패터닝된 하부막이 얇아지거나 그 하부막에 스트리에이션(striation)이나 위글링(wiggling)이 생기는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 홀 타입 패턴의 경우에는 패턴간의 간격보다 더 작은 크기의 홀을 형성할 수도 있다.
도 1a 내지 도 1d는 본 발명의 실시예에 따라 미세 패턴을 형성하는 방법을 개략적으로 보여주기 위한 단면도이고,
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따라서 실리콘 산화막을 이용하여 바아 타입(bar type)의 미세 패턴을 형성하는 모습을 개략적으로 보여주는 도면으로서, 도 2a 및 도 2b는 단면도이고 도 2c는 사시도이며,
도 3은 도 2c의 반도체 소자에 대하여 정면에서 촬영한 주사 전자 현미경(SEM) 사진으로서, 첫 번째 사진은 실리콘 산화막없이 공정을 진행하여 촬영한 것이고 나머지 사진은 제 1 실리콘 산화막을 10Å, 50Å 및 100Å 두께로 형성한 후에 공정을 진행하여 촬영한 사진이며,
도 4는 홀 타입(hole type)의 미세 패턴을 형성하는 모습을 개략적으로 보여주는 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100, 200, 400 : 기판 110, 410 : 물질막
120, 220, 420 : 포토레지스트 패턴
130, 230 : 제 1 실리콘 산화막 130a, 430a : 스페이서
121 : 폴리머막 110a : 물질막 패턴
212 : 제 2 실리콘 산화막 214 : 폴리 실리콘막
216 : 금속 실리사이드막 218 : 반사 방지막

Claims (18)

  1. 삭제
  2. 물질막 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 물질막 및 포토레지스트 패턴 상에 상기 포토레지스트 패턴에 손상이 생기지 않도록 정합적으로 제 1 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 및
    상기 물질막을 건식 식각하여 물질막 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 실리콘 산화막은 상온에서 400℃ 사이의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제 1 실리콘 산화막은 200Å 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제 1 실리콘 산화막은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 물질막 패턴은 바아 타입(bar type) 패턴인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 물질막 패턴은 비트 라인 패턴 또는 워드 라인 패턴인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 물질막은 제 2 실리콘 산화막, 폴리 실리콘막, 금속 실리사이드막 및 반사 방지막의 적층체인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
  8. 제2항에 있어서, 상기 물질막 패턴은 홀 타입(hole type) 패턴인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
  9. 삭제
  10. 물질막 상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트막을 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 물질막 및 포토레지스트 패턴 상에 상기 포토레지스트 패턴에 손상이 생기지 않도록 정합적으로 실리콘 산화막을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트 패턴보다 상기 제 1 실리콘 산화막에 대하여 식각이 더 잘 일어나는 공정 조건(process recipe)에서 상기 물질막을 식각하는 제 1 건식 식각 단계; 및
    상기 제 1 실리콘 산화막보다 상기 포토레지스트 패턴에 대하여 식각이 더 잘 일어나는 공정 조건에서 상기 물질막을 식각하여 물질막 패턴을 형성하는 제 2 건식 식각 단계를 포함하고,
    상기 제 1 실리콘 산화막은 상온에서 400℃ 사이의 온도에서 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제 1 실리콘 산화막은 200Å 이하의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제 1 실리콘 산화막은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 제 1 건식 식각 단계에서는 상기 포토레지스트 패턴의 측벽에 상기 제 1 실리콘 산화막으로 스페이서를 형성하는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
  14. 제10항에 있어서, 상기 제 2 건식 식각 단계에서는 폴리머막이 상기 포토레지스트 패턴 상부에 형성되는 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
  15. 제10항에 있어서, 상기 물질막 패턴은 바아 타입(bar type) 패턴인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 물질막 패턴은 비트 라인 패턴 또는 워드 라인 패턴인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 물질막은 제 2 실리콘 산화막, 폴리 실리콘막, 금속 실리사이드막 및 반사 방지막의 적층체인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
  18. 제10항에 있어서, 상기 물질막 패턴은 홀 타입(hole type) 패턴인 것을 특징으로 하는 미세 패턴 형성방법.
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