JP6537473B2 - 被処理体を処理する方法 - Google Patents
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Description
Claims (10)
- 被処理体を処理する方法であって、
プラズマ処理装置の処理容器内にアミノシラン系ガスを含む第1のガスを供給する第1工程と、
前記第1工程の実行後に前記処理容器内の空間をパージする第2工程と、
前記第2工程の実行後に前記処理容器内で酸素ガスを含む第2のガスのプラズマを生成する第3工程と、
前記第3工程の実行後に前記処理容器内の空間をパージする第4工程と、
を含むシーケンスを繰り返し実行し前記処理容器内にシリコン酸化膜を形成する形成工程と、
前記被処理体を前記処理容器内に収容する前に行う準備工程と、
前記処理容器内に収容された前記被処理体に対しエッチング処理を行う処理工程と、
を備え、
前記準備工程は、前記処理工程の前に行われ、
前記形成工程は、前記準備工程において実行され、且つ、前記処理工程において実行され、
前記第1工程は、前記第1のガスのプラズマを生成しない、
方法。 - 前記第1のガスは、モノアミノシランを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のガスのアミノシラン系ガスは、1〜3個のケイ素原子を有するアミノシランを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のガスのアミノシラン系ガスは、1〜3個のアミノ基を有するアミノシランを含む、請求項1または請求項3に記載の方法。
- 前記処理工程の後であって前記被処理体を前記処理容器から搬出した後に、該処理容器内にあるシリコン酸化膜を除去する工程を更に備える、
請求項1〜請求項4の何れか一項に記載の方法。 - 前記被処理体は、被エッチング層と、該被エッチング層上に設けられた有機膜とを備え、
前記処理工程は、前記処理容器内で発生させたプラズマによって、前記有機膜をエッチングする工程を備え、
前記形成工程は、前記処理工程においては前記有機膜をエッチングする前記工程の前に実行され、
前記有機膜をエッチングする前記工程の前までに前記処理容器内において形成される前記シリコン酸化膜の膜の厚みは、該有機膜をエッチングする該工程の終了までに該シリコン酸化膜のうちエッチングされ除去される膜の厚みよりも厚い、
請求項1〜請求項5の何れか一項に記載の方法。 - 前記有機膜をエッチングする前記工程の前までに前記処理容器内において形成される前記シリコン酸化膜の膜の厚みは、前記被エッチング層の膜の厚みよりも薄い、
請求項6に記載の方法。 - 前記被処理体は、被エッチング層と、該被エッチング層上に設けられた有機膜とを備え、
前記処理工程は、前記処理容器内で発生させたプラズマによって、前記有機膜をエッチングする工程を備え、
前記形成工程は、前記処理工程においては前記有機膜をエッチングする前記工程の前に実行され、
前記有機膜上には、第1マスクが設けられており、
前記処理工程は、前記処理容器内で発生させたプラズマによってその上にレジストマスクを有する反射防止膜をエッチングする工程であって該反射防止膜から前記第1マスクを形成する該工程を更に含み、
前記有機膜をエッチングする前記工程は、前記反射防止膜をエッチングする前記工程の後に実行され、
前記処理工程において、前記形成工程は、前記反射防止膜をエッチングする前記工程と前記有機膜をエッチングする前記工程との間に実行され、
前記処理工程は、前記形成工程と前記有機膜をエッチングする前記工程との間において、前記処理容器内で発生させたプラズマによって、該形成工程によって形成された前記シリコン酸化膜のうち該有機膜の表面上の領域を除去する工程を更に含む、
請求項1〜請求項7の何れか一項に記載の方法。 - 前記被処理体は、被エッチング層と、該被エッチング層上に設けられた有機膜と、該有機膜上に設けられた反射防止膜とを備え、
前記処理工程は、前記処理容器内で発生させたプラズマによって、前記有機膜をエッチングする工程を備え、
前記形成工程は、前記処理工程においては前記有機膜をエッチングする前記工程の前に実行され、
前記反射防止膜上には、第1マスクが設けられており、
前記処理工程は、
前記形成工程によって前記第1マスク上および前記反射防止膜上に前記シリコン酸化膜が形成された後に前記処理容器内で発生させたプラズマによって該シリコン酸化膜のうち該反射防止膜の上の領域と該第1マスクの上面の上の領域とを除去する工程であって該シリコン酸化膜のうち該第1マスクの側面の上の領域に基づく第2マスクを形成する該工程と、
前記処理容器内で発生させたプラズマによって、前記第1マスクを除去する工程と、
前記処理容器内で発生させたプラズマによって、前記反射防止膜をエッチングする工程と、
を含み、
前記有機膜をエッチングする前記工程は、前記反射防止膜をエッチングする前記工程の後に実行され、該有機膜から構成される第3マスクを形成する、
請求項1〜請求項7の何れか一項に記載の方法。 - 前記形成工程が前記処理工程において実行される場合において、前記第1工程における前記被処理体の温度は、摂氏0度以上であり、且つ、前記第1マスクに含まれる材料のガラス転移温度以下である、
請求項8または請求項9に記載の方法。
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