JP5236225B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5236225B2 JP5236225B2 JP2007198233A JP2007198233A JP5236225B2 JP 5236225 B2 JP5236225 B2 JP 5236225B2 JP 2007198233 A JP2007198233 A JP 2007198233A JP 2007198233 A JP2007198233 A JP 2007198233A JP 5236225 B2 JP5236225 B2 JP 5236225B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- wafer processing
- wafer
- integrated circuit
- semiconductor integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
(a)第1のプラズマ励起システムを有するプラズマCVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによってプラズマCVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、リモート・プラズマ・クリーニングを実行する工程;
(e)前記リモート・プラズマ・クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによって前記プラズマCVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)前記ウエハ処理室の外に設けられたリモート・プラズマ発生室において、第2のプラズマ励起システムによりクリーニングガスをプラズマ励起して、励起された前記クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に移送する工程;
(d2)前記ウエハ処理室内がプラズマ励起されていない状態下で、前記ウエハ処理室内の発光を光検知器によりモニタすることによって、前記リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出する工程;
(d3)前記下位工程(d2)の結果に基づいて、前記リモート・プラズマ・クリーニングを終了させる工程。
(a)熱CVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、熱CVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、リモート・プラズマ・クリーニングを実行する工程;
(e)前記リモート・プラズマ・クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記熱CVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)前記ウエハ処理室の外に設けられたリモート・プラズマ発生室において、第2のプラズマ励起システムによりクリーニングガスをプラズマ励起して、励起された前記クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に移送する工程;
(d2)前記ウエハ処理室内がプラズマ励起されていない状態下で、前記ウエハ処理室内の発光を光検知器によりモニタすることによって、前記リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出する工程;
(d3)前記下位工程(d2)の結果に基づいて、前記リモート・プラズマ・クリーニングを終了させる工程。
1.本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数の部分に分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
リモートプラズマ・クリーニングが広く行われる前は、成膜室すなわち反応室でクリーニング用のプラズマ(成膜用のプラズマ励起機構等による)の発光等を見てクリーニングの終点を検出していた。そのような場合は、高感度の光検知器で成膜室内を光検知器で観測すると、非常に強力な反応ガス(クリーニングガス)からの発光や反応室内壁(その他ウエハステージ)からの熱輻射等を見る結果となることを避けるため、通常、比較的低感度で観測していた。リモートプラズマ・クリーニングでは、成膜室ではプラズマ励起されないので、光検知器で反応室からの発光を観測することは意味がないと考えられていた。このようなことから、リモートプラズマ・クリーニングが広く行われるようになった後も、クリーニングの際に、直接にはプラズマ励起されていない反応室内を光学的に観測することは行われなかった。
図4は本実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法において使用する他のプラズマCVD装置の正面模式断面図である。この例は、反応室52の下部側方にリモートプラズマ生成室51との連結配管61があり、この連結配管61が屈曲している点に特徴がある。リモートプラズマ生成室51が反応室52の下部側方にある場合は、セクション1と相違して、光検知器57を斜め下方に向けて、リモートプラズマ生成室51からの漏れ光を避けることが困難である。したがって、この場合は連結配管61を屈曲させて、直接に漏れ光が光検知器57に入らないようにすることが有効である。この場合は、光検知器57を直接、連結配管61の出口に向けない他の方位で、図2のようなスペクトル・モードになるところを見つける必要がある。
図5は本実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法において使用する更にその他のプラズマCVD装置の正面模式断面図である。この例は、反応室52の上方からの漏れ光を遮る遮蔽版62(たとえばアルミナセラミックス等)を設けたところに特徴がある。これは、セクション1,2のように、光検知器57調整しても、図2のようなスペクトル・モードになるところを見つけることができない場合に有効である。
図6から図10により、STI(Shallow Trench Isolation)型の素子分離工程の素子分離溝埋め込み工程に適用したプロセスの説明を行う。この素子分離溝埋め込み工程はHDP-CVD法(High Density Plasma CVD)によって実施される。プラズマ炉としては、図1に説明した枚葉式のICP型の高密度プラズマCVD炉を用いる。この方式では一般に0.27Paから1.3Pa程度の真空領域が用いられる。反応ガスは一般にモノシランである。
セクション4で説明したクリーニング終点検出手法およびHDP-CVDの装置運用手順(図6)は、ほぼ同様にアルミニウム配線工程のILD膜(Inter-Layer Dielectric)形成のためのHDP-CVD等に適用できる。
図15から図19により、プリ・メタル絶縁膜形成工程のNSG膜(Non-Doped silicate glass film)すなわちノン・ドープ・シリコン酸化膜の形成を大気圧(Atmospheric)すなわち1.0X105Pa前後、または準大気圧(Sub-Atmospheric)下で(約2,700Paから80,000Pa)のオゾンおよびTEOS(Tetraethyl-orthosilicate)を用いた熱CVD(Thermal CVD)により実行する場合について説明する(いわゆるオゾンTEOSシリコン酸化膜)。この場合の真空排気系は一般に単一ポンプ構成でメカニカル・ドライポンプをメインポンプとしている。一般に、大気圧下のものをAP-CVD(Atmospheric CVD)と呼び、準大気圧のものをSA-CVD(Sub-Atmospheric CVD)と呼ぶ。前者には一般にバッチ炉が、後者には図1に説明したものに類似した(プラズマ炉ではないが)枚葉炉が使用される。以下の説明は枚葉炉の場合を具体的に説明する。
図20はセクション4から6に説明したプロセスおよび手法を適用して製造された4層アルミニウム配線を有するMOSまたはMIS型の半導体集積回路装置の一例を示す断面図である。アルミニウム配線間はTiN等からなるバリア・メタル層16で囲まれたタングステン・プラグ15によって接続されている。最上層の膜17はプラズマ・シリコン・ナイトライド等からなるファイナル・パッシベーション膜(CVDプロセス8;P-SiN-1)である。
セクション1に説明したクリーニング終点検出手順は、CVDプロセス1から8に適用できる。その際の装置の前処理は、CVDプロセス1から2については、セクション4の図6に説明したものに相当するものとなり、CVDプロセス3から8については、セクション6の図15に説明したものに相当するものとなる。なお、この装置前処理は、ロット(たとえば25枚とか12枚等)ごとに行っているが、量産上のロット単位にかかわらず、適切な枚数ごと(変動数、不定数を含む)に実施するようにしてもよい。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
51 リモート・プラズマ発生室
52 ウエハ処理室
53 第1のプラズマ励起システム
55 プラズマCVD装置
57 光検知器
65 第2のプラズマ励起システム
Claims (14)
- 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)第1のプラズマ励起システムを有するプラズマCVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによってプラズマCVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、リモート・プラズマ・クリーニングを実行する工程;
(e)前記リモート・プラズマ・クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによって前記プラズマCVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)前記ウエハ処理室の上方に設けられたリモート・プラズマ発生室において、第2のプラズマ励起システムによりクリーニングガスをプラズマ励起して、励起された前記クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に移送する工程;
(d2)前記ウエハ処理室内がプラズマ励起されていない状態下で、前記ウエハ処理室内の発光を、指向性を有する光検知器によりモニタすることによって、前記リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出する工程;
(d3)前記下位工程(d2)の結果に基づいて、前記リモート・プラズマ・クリーニングを終了させる工程、
更にここで、前記光検知器は前記リモート・プラズマ発生室からの発光を実質的に検知しない方向に向けられている。 - 請求項1の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光検知器は水平よりも下方を向いている。
- 請求項1の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光検知器は水平よりも10度以上、下方を向いている。
- 請求項1の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光検知器は水平よりも15度以上、下方を向いている。
- 請求項1の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光検知器は水平よりも20度以上、下方を向いている。
- 請求項1の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ウエハ処理室内には、前記リモート・プラズマ発生室からの発光が実質的に前記光検知器に入らないように、光遮蔽板が設けられている。
- 請求項1の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光検知器による発光のモニタは、前記前記ウエハ処理室のクリーニングが完了した状態の発光を基準として、行われる。
- 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)熱CVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、熱CVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、リモート・プラズマ・クリーニングを実行する工程;
(e)前記リモート・プラズマ・クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記熱CVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)前記ウエハ処理室の上方に設けられたリモート・プラズマ発生室において、第2のプラズマ励起システムによりクリーニングガスをプラズマ励起して、励起された前記クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に移送する工程;
(d2)前記ウエハ処理室内がプラズマ励起されていない状態下で、前記ウエハ処理室内の発光を、指向性を有する光検知器によりモニタすることによって、前記リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出する工程;
(d3)前記下位工程(d2)の結果に基づいて、前記リモート・プラズマ・クリーニングを終了させる工程、
更にここで、前記光検知器は前記リモート・プラズマ発生室からの発光を実質的に検知しない方向に向けられている。 - 請求項8の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光検知器は水平よりも下方を向いている。
- 請求項8の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光検知器は水平よりも10度以上、下方を向いている。
- 請求項8の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光検知器は水平よりも15度以上、下方を向いている。
- 請求項8の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光検知器は水平よりも20度以上、下方を向いている。
- 請求項8の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ウエハ処理室内には、前記リモート・プラズマ発生室からの発光が実質的に前記光検知器に入らないように、光遮蔽板が設けられている。
- 請求項8の半導体集積回路装置の製造方法において、前記光検知器による発光のモニタは、前記前記ウエハ処理室のクリーニングが完了した状態の発光を基準として、行われる。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007198233A JP5236225B2 (ja) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007198233A JP5236225B2 (ja) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009033073A JP2009033073A (ja) | 2009-02-12 |
JP5236225B2 true JP5236225B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=40403222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007198233A Expired - Fee Related JP5236225B2 (ja) | 2007-07-31 | 2007-07-31 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5236225B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6537473B2 (ja) * | 2015-10-06 | 2019-07-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10223605A (ja) * | 1997-02-05 | 1998-08-21 | Kawasaki Steel Corp | エッチング方法 |
JP2000323467A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-11-24 | Nippon Asm Kk | 遠隔プラズマ放電室を有する半導体処理装置 |
JP2003086576A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
US6878214B2 (en) * | 2002-01-24 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Process endpoint detection in processing chambers |
JP2003264186A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-19 | Asm Japan Kk | Cvd装置処理室のクリーニング方法 |
JP2005064037A (ja) * | 2003-08-12 | 2005-03-10 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置及びアッシング方法 |
JP2006066552A (ja) * | 2004-08-25 | 2006-03-09 | Renesas Technology Corp | 周波数測定装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
US7534469B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-05-19 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-processing apparatus provided with self-cleaning device |
-
2007
- 2007-07-31 JP JP2007198233A patent/JP5236225B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009033073A (ja) | 2009-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5281766B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
TWI390592B (zh) | 利用二氧化碳以進行基板灰化之方法及裝置 | |
US7279427B2 (en) | Damage-free ashing process and system for post low-k etch | |
US7815812B2 (en) | Method for controlling a process for fabricating integrated devices | |
US7201174B2 (en) | Processing apparatus and cleaning method | |
JP2005033173A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
US20110133313A1 (en) | Hardmask materials | |
JP2005236293A (ja) | Cvdチャンバクリーニング装置及び方法 | |
US6562734B2 (en) | Method of filling gaps on a semiconductor wafer | |
US6815332B2 (en) | Method for forming integrated dielectric layers | |
TWI283450B (en) | Process endpoint detection in processing chambers | |
EP1174914A2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
JP5236225B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
US10636686B2 (en) | Method monitoring chamber drift | |
JP5525087B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP3601988B2 (ja) | 絶縁膜の形成方法 | |
JP2006086325A (ja) | クリーニングの終点検出方法 | |
TW202338322A (zh) | 用於處理基板的方法及設備 | |
RU2523064C1 (ru) | Способ формирования многоуровневых медных межсоединений интегральных микросхем с использованием вольфрамовой жесткой маски | |
Dineshan et al. | BEOL Dielectric Film Delamination Reliability Improvement by Eliminating Silicon-Rich Interface | |
TW202314807A (zh) | 完全自對準通孔整合處理 | |
JP2004079609A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR100781048B1 (ko) | 반도체 소자의 층간 절연막 형성방법 | |
TW202301438A (zh) | 具有平坦頂部輪廓的間隔物圖案化製程 | |
KR20070047415A (ko) | 기판 가공 공정의 종점 검출 방법 및 이를 수행하기 위한장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100517 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100527 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120802 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120918 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130314 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160405 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |