JP5281766B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
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Description
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
(a)第1のプラズマ励起システムを有するプラズマCVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによってプラズマCVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、リモート・プラズマ・クリーニングを実行する工程;
(e)前記リモート・プラズマ・クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによって前記プラズマCVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)前記ウエハ処理室の外に設けられたリモート・プラズマ発生室において、第2のプラズマ励起システムによりクリーニングガスをプラズマ励起して、励起された前記クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に移送する工程;
(d2)容量結合型の第3のプラズマ励起システムによって、前記クリーニングガスをプラズマ励起することで、前記ウエハ処理室内又は前記ウエハ処理室を排気するための真空排気系内に、局所的なプラズマを生成させる工程;
(d3)前記局所的なプラズマの電気的な特性をモニタすることによって、前記リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出する工程;
(d4)前記下位工程(d3)の結果に基づいて、前記リモート・プラズマ・クリーニングを終了させる工程。
(i)実質的に露出した励起電極部;
(ii)前記励起電極部と近接し、且つ電気的に分離して設けられ実質的に露出した接地電極部。
(a)第1のプラズマ励起システムを有するプラズマCVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによってプラズマCVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、リモート・プラズマ・クリーニングを実行する工程;
(e)前記リモート・プラズマ・クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによって前記プラズマCVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)前記ウエハ処理室の外に設けられたリモート・プラズマ発生室において、第2のプラズマ励起システムによりクリーニングガスをプラズマ励起して、励起された前記クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に移送する工程;
(d2)第3のプラズマ励起システムによって、前記クリーニングガスをプラズマ励起することで、前記ウエハ処理室内又は前記ウエハ処理室を排気するための真空排気系内に、局所的なプラズマを生成させる工程;
(d3)前記局所的なプラズマの電気的な特性をモニタすることによって、前記リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出する工程;
(d4)前記下位工程(d3)の結果に基づいて、前記リモート・プラズマ・クリーニングを終了させる工程、
更にここで、前記第3のプラズマ励起システムは、モノポール型の励起アンテナ部を有し、この励起アンテナ部の先端部は、前記ウエハ処理室内又は前記真空排気系内に挿入されている。
(i)実質的に露出した励起電極部;
(ii)前記励起電極部と近接し、且つ電気的に分離して設けられ実質的に露出した接地電極部。
(a)第1のプラズマ励起システムを有するプラズマCVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによってプラズマCVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、リモート・プラズマ・クリーニングを実行する工程;
(e)前記リモート・プラズマ・クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによって前記プラズマCVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)前記ウエハ処理室の外に設けられたリモート・プラズマ発生室において、第2のプラズマ励起システムによりクリーニングガスをプラズマ励起して、励起された前記クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に移送する工程;
(d2)容量結合型の第3のプラズマ励起システムによって、前記クリーニングガスをプラズマ励起することで、前記ウエハ処理室内又は前記ウエハ処理室を排気するための真空排気系内に、局所的なプラズマを生成させる工程;
(d3)前記局所的なプラズマの発光をモニタすることによって、前記リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出する工程;
(d4)前記下位工程(d3)の結果に基づいて、前記リモート・プラズマ・クリーニングを終了させる工程、
ここで更に、前記第3のプラズマ励起システムは、励起アンテナ部を有し、この励起アンテナ部の先端部は、前記ウエハ処理室内又は前記真空排気系内に挿入されており、以下を含む:
(i)実質的に露出した励起電極部;
(ii)前記励起電極部と近接し、且つ電気的に分離して設けられ実質的に露出した接地電極部、
更にここで、前記励起電極部の面積は前記第1のウエハの単一主面の面積の1%未満である。
(a)熱CVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、熱CVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、リモート・プラズマ・クリーニングを実行する工程;
(e)前記リモート・プラズマ・クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記熱CVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)前記ウエハ処理室の外に設けられたリモート・プラズマ発生室において、第1のプラズマ励起システムによりクリーニングガスをプラズマ励起して、励起された前記クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に移送する工程;
(d2)容量結合型の第2のプラズマ励起システムによって、前記クリーニングガスをプラズマ励起することで、前記ウエハ処理室内又は前記ウエハ処理室を排気するための真空排気系内に、局所的なプラズマを生成させる工程;
(d3)前記局所的なプラズマの電気的な特性をモニタすることによって、前記リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出する工程;
(d4)前記下位工程(d3)の結果に基づいて、前記リモート・プラズマ・クリーニングを終了させる工程。
(i)実質的に露出した励起電極部;
(ii)前記励起電極部と近接し、且つ電気的に分離して設けられ実質的に露出した接地電極部。
(a)CVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、CVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、気相クリーニングを実行する工程;
(e)前記気相クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記CVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に導入する工程;
(d2)容量結合型のプラズマ励起システムによって、前記クリーニングガスをプラズマ励起することで、前記ウエハ処理室内又は前記ウエハ処理室を排気するための真空排気系内に、局所的なプラズマを生成させる工程;
(d3)前記局所的なプラズマの電気的な特性をモニタすることによって、前記気相クリーニングの終点を検出する工程;
(d4)前記下位工程(d3)の結果に基づいて、前記気相クリーニングを終了させる工程。
(i)実質的に露出した励起電極部;
(ii)前記励起電極部と近接し、且つ電気的に分離して設けられ実質的に露出した接地電極部。
(a)第1のプラズマ励起システムを有するプラズマCVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによってプラズマCVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、リモート・プラズマ・クリーニングを実行する工程;
(e)前記リモート・プラズマ・クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによって前記プラズマCVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)前記ウエハ処理室の外に設けられたリモート・プラズマ発生室において、第2のプラズマ励起システムによりクリーニングガスをプラズマ励起して、励起された前記クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に移送する工程;
(d2)容量結合型の第3のプラズマ励起システムによって、前記クリーニングガスをプラズマ励起することで、前記ウエハ処理室を排気するための真空排気系内に、局所的なプラズマを生成させる工程;
(d3)前記局所的なプラズマの電気的な特性をモニタすることによって、前記リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出する工程;
(d4)前記下位工程(d3)の結果に基づいて、前記リモート・プラズマ・クリーニングを終了させる工程、
ここで更に、前記第3のプラズマ励起システムは、励起アンテナ部を有し、この励起アンテナ部の先端部は、前記真空排気系内に挿入されており、以下を含む:
(i)実質的に露出した励起電極部;
(ii)前記励起電極部と近接し、且つ電気的に分離して設けられ実質的に露出した接地電極部、
更にここで、前記励起電極部の励起電極寸法比は、50%以下である。
(d5)前記下位工程(d1)から(d3)の前に、前記励起アンテナ部の前記先端部の周辺に不活性ガスを流しながら、前記第3のプラズマ励起システムによってプラズマを励起することにより、前記先端部をクリーニングする工程。
(a)第1のプラズマ励起システムを有するプラズマCVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによってプラズマCVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、リモート・プラズマ・クリーニングを実行する工程;
(e)前記リモート・プラズマ・クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによって前記プラズマCVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)前記ウエハ処理室の外に設けられたリモート・プラズマ発生室において、第2のプラズマ励起システムによりクリーニングガスをプラズマ励起して、励起された前記クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に移送する工程;
(d2)容量結合型の第3のプラズマ励起システムによって、前記クリーニングガスをプラズマ励起することで、前記ウエハ処理室内又は前記ウエハ処理室を排気するための真空排気系内に、局所的なプラズマを生成させる工程;
(d3)前記局所的なプラズマをモニタすることによって、前記リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出する工程;
(d4)前記下位工程(d3)の結果に基づいて、前記リモート・プラズマ・クリーニングを終了させる工程、
ここで更に、前記第3のプラズマ励起システムは、励起アンテナ部を有し、この励起アンテナ部の先端部は、前記真空排気系内に挿入されており、以下を含む:
(i)実質的に露出した励起電極部;
(ii)前記励起電極部と近接し、且つ電気的に分離して設けられ実質的に露出した接地電極部、
更にここで、前記励起電極部の励起電極寸法比は、50%以下である。
(d5)前記下位工程(d1)から(d3)の前に、前記励起アンテナ部の前記先端部の周辺に不活性ガスを流しながら、前記第3のプラズマ励起システムによってプラズマを励起することにより、前記先端部をクリーニングする工程。
(a)CVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、CVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、気相クリーニングを実行する工程;
(e)前記気相クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記CVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に導入する工程;
(d2)容量結合型のプラズマ励起システムによって、前記クリーニングガスをプラズマ励起することで、前記ウエハ処理室内又は前記ウエハ処理室を排気するための真空排気系内に、局所的なプラズマを生成させる工程;
(d3)前記局所的なプラズマの電気的な特性をモニタすることによって、前記気相クリーニングの終点を検出する工程;
(d4)前記下位工程(d3)の結果に基づいて、前記気相クリーニングを終了させる工程、
ここで更に、前記プラズマ励起システムは、励起アンテナ部を有し、この励起アンテナ部の先端部は、前記ウエハ処理室内又は前記真空排気系内に挿入されており、以下を含む:
(i)実質的に露出した励起電極部;
(ii)前記励起電極部と近接し、且つ電気的に分離して設けられ実質的に露出した接地電極部、
更にここで、前記励起電極部の励起電極寸法比は、50%以下である。
(d5)前記下位工程(d1)から(d3)の前に、前記励起アンテナ部の前記先端部の周辺に不活性ガスを流しながら、前記プラズマ励起システムによってプラズマを励起することにより、前記先端部をクリーニングする工程。
1.本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数の部分に分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
6.「真空ポンプ」というときは、ドライポンプ、メカニカル・ブースター、ターボ・分子ポンプ、クライオ・ポンプなどを含む。
7.「排気系に」というときは、特にそうでない旨明示した場合、明らかにそうでない場合のほか、真空排気系の主排気路上のみに限定されるものではなく、そのバイパス、そこから分離、分留した分岐路なども含むものとする。
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
1.本実施の形態に使用する装置等の説明(主に図1から5)
図1により、本実施の形態に使用するリモートプラズマクリーニング機構100を有する誘導結合型(Inductively Coupled)プラズマCVD装置101(いわゆる高密度プラズマ炉に分類される)の構成を説明する。なお、本願発明は、熱CVD装置を用いたものでも適用できるし、プラズマ励起を用いないクリーニングを行うものにも適用できることは言うまでもない。
図6から図10により、STI(Shallow Trench Isolation)型の素子分離工程の素子分離溝埋め込み工程に適用したプロセスの説明を行う。この素子分離溝埋め込み工程はHDP-CVD法(High Density Plasma CVD)によって実施される。プラズマ炉としては、図1に説明した枚葉式のICP型の高密度プラズマCVD炉を用いる。この方式では一般に0.27Paから1.3Pa程度の真空領域が用いられる。反応ガスは一般にモノシランである。
セクション2で説明したクリーニング終点検出手法およびHDP-CVDの装置運用手順(図6)は、ほぼ同様にアルミニウム配線工程のILD膜(Inter-Layer Dielectric)形成のためのHDP-CVD等に適用できる。
図15から図19により、プリ・メタル絶縁膜形成工程のNSG膜(Non-Doped silicate glass film)すなわちノン・ドープ・シリコン酸化膜の形成を大気圧(Atmospheric)すなわち1.0X105Pa前後、または準大気圧(Sub-Atmospheric)下で(約2,700Paから80,000Pa)のオゾンおよびTEOS(Tetraethyl-orthosilicate)を用いた熱CVD(Thermal CVD)により実行する場合について説明する(いわゆるオゾンTEOSシリコン酸化膜)。この場合の真空排気系は一般に単一ポンプ構成でメカニカル・ドライポンプをメインポンプとしている。一般に、大気圧下のものをAP-CVD(Atmospheric CVD)と呼び、準大気圧のものをSA-CVD(Sub-Atmospheric CVD)と呼ぶ。前者には一般にバッチ炉が、後者には図1に説明したものに類似した(プラズマ炉ではないが)枚葉炉が使用される。以下の説明は枚葉炉の場合を具体的に説明する。
図20はセクション2から4に説明したプロセスおよび手法を適用して製造された4層アルミニウム配線を有するMOSまたはMIS型の半導体集積回路装置の一例を示す断面図である。アルミニウム配線間はTiN等からなるバリア・メタル層16で囲まれたタングステン・プラグ15によって接続されている。最上層の膜17はプラズマ・シリコン・ナイトライド等からなるファイナル・パッシベーション膜(CVDプロセス8;P-SiN-1)である。
セクション1に説明したクリーニング終点検出手順は、CVDプロセス1から8に適用できる。その際の装置の前処理は、CVDプロセス1から2については、セクション2の図6に説明したものに相当するものとなり、CVDプロセス3から8については、セクション4の図15に説明したものに相当するものとなる。なお、この装置前処理は、ロット(たとえば25枚とか12枚等)ごとに行っているが、量産上のロット単位にかかわらず、適切な枚数ごと(変動数、不定数を含む)に実施するようにしてもよい。
励起アンテナ部71としては各種の形態が考えられる。以下、図21から図34により、励起アンテナ部71のバリエーションの説明をする。まず、図21から24により、先に図2で示した平板型の励起アンテナ部の各種バリエーションを説明する。
図25から27は、同軸ケーブル型の励起アンテナ部の各例である。図25の例は、典型的な同軸タイプである。平板型と比較すると、排気配管の間壁から内部へ向けて15から20ミリメートル以上突出している(望ましくは、プローブの先端、すなわち、励起電極表面が排気配管の中心線上又はその近傍にある)。他の寸法は先の平板型とほぼ同じであるが、同軸の周辺電極(シールド)の厚さは、たとえば0.5ミリメートルである(プローブ先端部の直径は10ミリ・メートル程度である)。この長所は、排気流速の早い排気配管の中心軸の近傍にプラズマが生成するので、成膜反応室52の情報を得やすいことである。また、排気配管の内壁から遠いので、そこに堆積した堆積物からの情報を拾うことがないので、純粋に成膜反応室52の情報を収集することが可能となる。更に、接地電極部が薄いので、プラズマがあまり広がらないので、排気配管の中心軸の近傍を流れるガスに限定した情報を得る点で有利である。一方、堆積物が付きやすい。電極の消耗が見られる。排気の流れを若干阻害する。平板型と比較して若干作りにくい等の短所も見られる。これらの長所・短所は同軸型に基本的に共通している。
その他のタイプの励起アンテナ部の構造を図28から34に示す。
以上説明した放電プローブ先端部については、以下の点に留意する必要がある。生成される観測用局所プラズマの直径または差し渡し寸法は励起電極の直径または長手方向の差し渡し寸法(「励起電極寸法」という)に第一義的に依存する。したがって、できるだけ排気配管(ここでは先の説明と同様に放電プローブ近傍の排気配管の内径すなわち「排気配管寸法」を50ミリメートルの場合を例にとる)の中央部を流れるガスをのみを励起することが、反応室(成膜質)のクリーニング状況を正確に把握する上で、望ましい。そのためには、排気配管の中央部に励起電極がある場合には、排気配管内壁にプラズマの周端部がとどかないように、励起電極寸法比(励起電極寸法/排気配管寸法)を50%以下(図25を同軸型の例にとると放電プローブ先端部の励起電極の直径25ミリメートル以下)とする必要がある。流速が早い排気配管の中央部のみの情報を取得するためには、30%以下(図25を例にとると放電プローブ先端部の励起電極の直径15ミリメートル以下)とすることが望ましい。更に、流速が早い排気配管の中央部のみの情報を高精度かつ高いレスポンスで取得するためには、20%以下(図25を例にとると放電プローブ先端部の励起電極の直径10ミリメートル以下)とすることが望ましい。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
52 ウエハ処理室(CVD反応室)
70 局所プラズマ励起システム(終点検出用プラズマ励起システム)
100 リモート・プラズマ発生室(クリーニングガス・プラズマ励起室)
101 プラズマCVD装置
102 成膜用プラズマ励起システム(CVD用プラズマ励起システム)
103 ウエハ処理室用真空排気系(CVD用真空排気系)
104 リモート・プラズマ発生用プラズマ励起システム
Claims (6)
- 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)第1のプラズマ励起システムを有するプラズマCVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによってプラズマCVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、リモート・プラズマ・クリーニングを実行する工程;
(e)前記リモート・プラズマ・クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記第1のプラズマ励起システムによって、プラズマ励起することによって前記プラズマCVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)前記ウエハ処理室の外に設けられたリモート・プラズマ発生室において、第2のプラズマ励起システムによりクリーニングガスをプラズマ励起して、励起された前記クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に移送する工程;
(d2)容量結合型の第3のプラズマ励起システムによって、前記クリーニングガスをプラズマ励起することで、前記ウエハ処理室内又は前記ウエハ処理室を排気するための真空排気系内に、局所的なプラズマを生成させる工程;
(d3)前記局所的なプラズマの電気的な特性をモニタすることによって、前記リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出する工程;
(d4)前記下位工程(d3)の結果に基づいて、前記リモート・プラズマ・クリーニングを終了させる工程、
更に、ここで、前記第3のプラズマ励起システムは、励起アンテナ部を有し、この励起アンテナ部の先端部は以下を含む:
(i)実質的に露出した励起電極部;
(ii)前記励起電極部と近接し、且つ電気的に分離して設けられ実質的に露出した接地電極部、
更に、前記励起アンテナ部はモノ・ポール型であり、前記真空排気系はターボ分子ポンプを有し、前記先端部は前記ウエハ処理室と前記ターボ分子ポンプ間の前記真空排気系内に挿入されている。 - 前記請求項1の半導体集積回路装置の製造方法において、前記励起電極部の面積は前記第1のウエハの単一主面の面積の1%未満である。
- 前記請求項1の半導体集積回路装置の製造方法において、前記励起電極部の面積は前記第1のウエハの単一主面の面積の0.5%未満である。
- 前記請求項1の半導体集積回路装置の製造方法において、前記励起電極部の面積は前記第1のウエハの単一主面の面積の0.3%未満である。
- 前記請求項1の半導体集積回路装置の製造方法において、前記励起電極部の面積は前記第1のウエハの単一主面の面積の0.1%未満である。
- 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)熱CVD装置のウエハ処理室内に、第1のウエハを導入する工程;
(b)前記ウエハ処理室内に導入された前記第1のウエハに対して、熱CVD処理を実行する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記第1のウエハを前記ウエハ処理室内から外部に排出する工程;
(d)前記工程(c)の後、前記ウエハ処理室に対して、リモート・プラズマ・クリーニングを実行する工程;
(e)前記リモート・プラズマ・クリーニングが実行された前記ウエハ処理室内に、第2のウエハを導入する工程;
(f)前記ウエハ処理室内に導入された前記第2のウエハに対して、前記熱CVD処理を実行する工程、
ここで、前記工程(d)は以下の下位工程を含む:
(d1)前記ウエハ処理室の外に設けられたリモート・プラズマ発生室において、第1のプラズマ励起システムによりクリーニングガスをプラズマ励起して、励起された前記クリーニングガスを前記ウエハ処理室内に移送する工程;
(d2)容量結合型の第2のプラズマ励起システムによって、前記クリーニングガスをプラズマ励起することで、前記ウエハ処理室内又は前記ウエハ処理室を排気するための真空排気系内に、局所的なプラズマを生成させる工程;
(d3)前記局所的なプラズマの電気的な特性をモニタすることによって、前記リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出する工程;
(d4)前記下位工程(d3)の結果に基づいて、前記リモート・プラズマ・クリーニングを終了させる工程、
ここで、前記第2のプラズマ励起システムは、励起アンテナ部を有し、この励起アンテナ部の先端部は、前記ウエハ処理室内又は前記真空排気系内に挿入されており、前記先端部は以下を含む:
(i)実質的に露出した励起電極部;
(ii)前記励起電極部と近接し、且つ電気的に分離して設けられ実質的に露出した接地電極部、
更に、前記励起電極部の面積は前記第1のウエハの単一主面の面積の1%未満である。
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